「sputtering effect」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a sputtering target for producing an optical disk-protective film of low reflectivity with high light transmittance through diminishing particle generation during sputtering operation, thereby reducing the frequency of suspending or stopping the sputtering operation to effect raising film production efficiency.例文帳に追加

スパッタリング時のパーティクルの発生を減少させ、スパッタリングの中断または中止の回数を減らして生産効率を上げ、かつ透過率が大きく、低反射率の光ディスク用保護膜を得る。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET, ANTIFERROMAGNETIC FILM FORMED BY USING THE SAME, MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC DEVICE例文帳に追加

スパッタリングタ—ゲットと、それを用いて形成した反強磁性体膜、磁気抵抗効果素子および磁気装置 - 特許庁

At this time, sputtering effect is enhanced and then projecting portions are reduced gradually on both the sides of a hollow of the polysilicon film.例文帳に追加

このとき、スパッタリング効果を高めることによって、ポリシリコン膜における窪みの両側の突出した部分が徐々に削り取られる。 - 特許庁

To provide an oxide semiconductor, a sputtering target with high reproducibility of target composition, and a field effect transistor with large-area uniformity and high reproducibility.例文帳に追加

酸化物半導体、ターゲット組成の再現性が高いスパッタリングターゲット、大面積均一性、再現性の高い電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

In this case, the shaping layer is deposited by sputtering using a material having a strong shadowing effect and the groove shape is corrected by selection of the material and film thickness control.例文帳に追加

その際、シャドーイング効果が強い材料を用いてスパッタリングで整形層を成膜し、材料の選択と膜厚制御により溝形状を修正する。 - 特許庁

AMORPHOUS OXIDE SEMICONDUCTOR THIN-FILM, ITS FORMING METHOD, MANUFACTURING PROCESS OF THIN-FILM TRANSISTOR, FIELD EFFECT TRANSISTOR, LIGHT-EMITTING DEVICE, DISPLAY AND SPUTTERING TARGET例文帳に追加

非晶質酸化物半導体薄膜、その製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、発光装置、表示装置及びスパッタリングターゲット - 特許庁

To provide a fluorescent lamp, capable of restraining the electrode consumption due to the sputtering as much as possible while utilizing the hollow cathode effect, and to provide a lighting system using this fluorescent lamp.例文帳に追加

ホローカソード効果を利用しつつスパッタリングによる電極消耗を極力抑制した蛍光ランプおよび照明装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a cold cathode discharge tube by connecting electrodes made of sputtering resistant metal with internal lead at a temperature with no harmful overheat effect.例文帳に追加

耐スパッタリング性のある金属で形成された電極を過熱弊害の生じない温度で内部リードに接合して冷陰極放電管を製造する。 - 特許庁

To provide a metal mask for sputtering, which does not give an adverse effect such as increase in an ohmic value due to moisture adsorbed in a resinous salient, to a transparent conductive film, even when the film is formed with the use of the metal mask provided with the resinous salient for sputtering.例文帳に追加

樹脂の凸部を設けたスパッタ用メタルマスクを用いて透明導電膜を成膜しても、樹脂の凸部に吸着された水分に起因する抵抗値の上昇といった悪影響を受けないスパッタ用メタルマスクを提供すること。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus that increases a confinement effect for plasma and charged particles such as secondary electrons, which are formed between targets, into a space between the targets, without shortening distance between centers of a pair of the targets, and to provide a sputtering method.例文帳に追加

一対のターゲットの中心間距離を短くすることなく、ターゲット間に形成されるプラズマ及び二次電子等の荷電粒子のターゲット間への閉じ込め効果を大きくするスパッタ装置及びスパッタ方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element which is formed by suppressing as much as possible, the usage of etching method using physical sputtering such as ion milling method or the like, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

イオンミリング法等の物理的スバッタリングによるエッチング法の使用を極力抑えて形成された磁気抵抗効果素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To suppress sputtering at the time of lighting starting, and also to make the composition compact by making numbers of wiring of a power supply circuit minimum, and by putting a filament preheating means into effect.例文帳に追加

電源供給回路側との配線数を最小限にし、フィラメント予熱策を講ずることにより点灯起動時のスパッタリングを抑制し、構成もコンパクトにする。 - 特許庁

In the etching treatment of the substrate, a deposited layer of AlF_3 generated at the inner wall of the vacuum chamber 11 is partly removed due to the sputtering effect of oxygen plasma ions.例文帳に追加

基板のエッチング処理中に真空チャンバ１１の内壁に生成したＡｌＦ_３の堆積層が、酸素プラズマイオンによるスパッタリング効果で、部分的に除去される。 - 特許庁

Since the widths are set as w1>w2 and w1>w3, the influence of the sputter film formed on the side surface 31 caused by the effect that the target substance wraps around is reduced during the sputtering over the mounting surface 22.例文帳に追加

ｗ１＞ｗ２，ｗ１＞ｗ３に設定されているため、実装面２２へのスパッタリングにおいて、ターゲット物質の回り込みにより側面３１に形成されるスパッタ膜の影響が低減される。 - 特許庁

To provide a composite type sputtering system and a composite type sputtering method where, without shortening the pitch of a pair of targets, the confining effect to the space between the targets of the charged particles of plasma, secondary electron or the like formed between the targets is increased, and also, the electric power supplied to cathodes can be increased.例文帳に追加

一対のターゲットの中心間距離を短くすることなく、ターゲット間に形成されるプラズマ及び二次電子等の荷電粒子のターゲット間への閉じ込め効果を大きくし、且つカソードへの投入電力を大きくすることができる複合型スパッタ装置及び複合型スパッタ方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

The magnetic random access memory comprises a lower electrode 20; the magnetoresistance effect element 23 which is formed above the lower electrode 20 and has side faces; and a protective film 24 which covers the side faces of the magnetoresistance effect element 23, and has the same flat shape as that of the lower electrode 20, and is formed by a sputtering method.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、下部電極２０と、この下部電極２０の上方に設けられ、側面を有する磁気抵抗効果素子２３と、この磁気抵抗効果素子の側面を覆い、下部電極２０と同一の平面形状であり、スパッタ法で形成された保護膜２４とを具備する。 - 特許庁

The production method of the multilayer films comprises forming the multilayer films laminated with the layers varying in at least one among constitution elements, compositions, and crystal structures by using a magnetron sputtering apparatus 1 which has a target 14 composed of thin film raw materials as base materials and performs sputtering by concentrating a plasma by the effect of a magnetic field near to the surface of the target 14.例文帳に追加

多層膜の製造方法は、薄膜原料を基材とするターゲット１４を有し、ターゲット１４の表面近傍に磁場の作用でプラズマを集中させてスパッタリングを行うマグネトロン・スパッタ装置１を用い、構成元素、組成、結晶構造の少なくとも一つが相違する層を積層させた多層膜を形成する方法である。 - 特許庁

To improve the surface layer of a base material surface by implanting solid ions into the base material surface by a simple method by utilizing the sputtering effect, and to facilitate the coating of the base material surface by a carbon film containing a desired tertiary element.例文帳に追加

スパッタリング効果を利用して簡便な方法で固体イオンを基材の表面に注入して基材表面の表層改質を図り、また所望の第三元素を含んだ炭素膜による基材表面のコーティングを容易にする。 - 特許庁

The sputtering apparatus 100 includes: a sputtering chamber 30 housing a target 35B made of Al and a substrate 34B having an aperture formed therein; a plasma gun 40 for forming plasma by the discharge between a cathode unit 41 and an anode A; and magnetic field generating means 24A, 24B deforming plasma emitted from the plasma gun 40 by the effect of the magnetic field.例文帳に追加

スパッタリング装置１００は、Ａｌからなるターゲット３５Ｂおよび開口部が形成された基板３４Ｂを格納可能なスパッタリングチャンバ３０と、カソードユニット４１およびアノードＡ間の放電によりプラズマを形成可能なプラズマガン４０と、プラズマガン４０から放出されたプラズマを磁界の作用によりシート状に変形可能な磁界発生手段２４Ａ、２４Ｂと、を備える。 - 特許庁

In this intermittent feed mode, feed frequency and a feed occupying ratio can be appropriately regulated and the average feed quantity of power is lowered as compared with the continuous feed mode to reduce the load to the sample due to feed and the effect of sputtering.例文帳に追加

この断続モードでは、給電周波数及び給電占有率を適宜調節可能であり、平均的な電力供給量を連続給電モードに比べて低くして、試料に対する給電による負荷及びスパッタリングの影響を低減する。 - 特許庁

As those protection layer, capable of forming by a thermal CVD method, a plasma CVD method, or an evaporation method with irradiation of ion beam or electron beam, has high sputtering resistant property and big dielectric glass protection effect, the life of the panel is prolonged.例文帳に追加

このような保護層は、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、或はイオンビームや電子ビームを照射しながら蒸着する方法で形成することができ、耐スパッタリング性が高く、誘電体ガラス層の保護効果が大きいのでパネル寿命が向上する。 - 特許庁

Since the electrodes 3, 3' are respectively formed of a nearly triangle pole having an opening, the hollow cathode effect can be utilized, and while an electrode surface area can be formed large, and the electrode consumption due to the sputtering can be restrained more, and lifetime of the fluorescent lamp is improved.例文帳に追加

電極３，３'が開口を有するほぼ三角柱形状で構成されるので、ホローカソード効果を利用することができるとともに電極表面積を大きくでき、スパッタリングによる電極消耗を一層抑制し、蛍光ランプを長寿命化することができる。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus which can form a coating with uniform film thickness and film quality all over a substrate, by uniformly feeding process gas all over the target, along with eliminating an effect of gas components discharged from an organic substance coated on the surface of a color filter substrate.例文帳に追加

カラーフィルタ基板の表面に被覆された有機物から放出されるガス成分の影響を排除しつつ、ターゲット全面にわたって均一にプロセスガスを供給することにより、基板全面に膜厚及び膜質が均一な被膜を形成することができるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

The method of forming the Ru film includes a step of giving a predetermined bias potential to a substrate 20 when a non-magnetic Ru film interposed between a pair of ferromagnetic films is formed by a sputtering method, in the case that the tunnel magnetoresistance effect layer is formed on the substrate 20.例文帳に追加

本発明は、基板２０上にトンネル磁気抵抗効果多層膜を形成する場合において、一対の強磁性膜に挟まれる非磁性Ｒｕ膜をスパッタリング法によって形成する際、前記基板２０に所定のバイアス電位を与える工程を有するものである。 - 特許庁

In the piezoelectric component, a member including a built-in piezoelectric element and securing the air tight of the piezoelectric element is formed from non-conductive material on which metal can be vapor-deposited or sputtered, and on the surface of the member, a metal film is deposited by vapor deposition or sputtering, thereby the piezoelectric component is given shield effect on external noise.例文帳に追加

本発明は、圧電素子を内蔵し、かつ、該圧電素子を内部に気密確保する金属を蒸着あるいはスパッタリング可能な非導通材料からなる部材の表面に金属膜を蒸着またはスパッタリングにより形成し、外来ノイズのシールド効果をもたせたことを特徴とする圧電部品に関する。 - 特許庁

A process of manufacturing heat absorbing substrate wherein a large number of holes can be produced employing gas phase etching medium in equal proportion of O2, Ar and CCl2F2, and exposing the medium to the substrate, the substrate is placed near the sputterable component, and …effect sputtering, and complete etching are conducted. 例文帳に追加

多数の空孔を生成するように、ガス状エッチング媒体として等比率のO2、Ar、及びCCl2F2を使用し、該ガス状エッチング媒体に基板をさらすことからなる基板の製造方法において、基板をスパッタ可能な組成の近くに置きスパッタをさせ、エッチングすることを特徴とする熱吸収基板の製造方法。 - 特許庁

In this discharge type surge absorption element 1, recessed parts 13 are formed in end faces of electrodes 3 arranged facing each other with a discharge gap, the recessed parts are coated with an electrode coating material having a sputtering prevention effect and ribs 14 for a partition in a "+" shape are projected from upper surfaces of the recessed parts to control the movement of the electrode coating material.例文帳に追加

放電型サージ吸収素子１は、放電間隙を設けて相対向して配置してなる電極３の端面に凹部１３を形成し、該凹部にスパッタリング防止効果を有する電極塗布材を塗布するとともに、この凹部上面には「＋」形状の仕切り用リブ１４を突設させ、上記電極塗布材の移動を規制する。 - 特許庁

The process further contains the process forming a high-density plasma from the process gas 28 in the process chamber 10 during the initial period by applying a power to an inductive coupling coil 26 and the process applying a bias towards a substrate 45 in the plasma, promoting the sputtering effect of the plasma and depositing a PSG film over the substrate during the initial period.例文帳に追加

さらに、プロセスは、誘導結合コイル２６にパワーを印加して上記初期期間中、プロセスチャンバ１０内のプロセスガス２８から高密度プラズマを形成する工程、上記プラズマを基板４５に向かってバイアスをかけ、プラズマのスパッタリング効果を促進させ、上記初期期間中、基板にわたりＰＳＧ膜を堆積させる工程を含む。 - 特許庁

To provide a transit-type inline vacuum processing apparatus, such as a sputtering apparatus, which has a mechanism capable of uniforming the distance between adjacent substrates and can control the mechanism, since the distance between substrates (between a preceding substrate and a succeeding substrate) that are continuous and adjacent to each other when depositing, has the effect on the conductance and also the gas pressure in a process chamber.例文帳に追加

通過型であるインライン型のスパッタリング等の真空処理装置において、連続する基板に成膜する際に隣り合う基板間（先行する基板とその後方の基板の間）の距離はコンダクタンスに影響し、処理チャンバ内のガス圧に影響するため、隣り合う基板間の距離が均一になるような機構を具備し、その制御を可能にする真空処理装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a barrier film for a highly dense copper wiring semiconductor which can obtain a sufficient barrier effect with a film thickness enough to prevent film peeling and a fine wiring pitch in suppressing diffusion of a copper in the highly dense copper wiring semiconductor, and has no variation in barrier characteristics even if a temperature rises due to heat treatment, and to provide a sputtering target for forming the barrier film.例文帳に追加

高密度銅配線半導体の銅の拡散を抑制するに際し、膜剥離を生じさせない程度の薄い膜厚で、また細かい配線ピッチでも十分なバリア効果を得ることができ、さらに熱処理等により温度上昇があっても、バリア特性に変化がない高密度銅配線半導体用バリア膜及びバリア膜形成用スパッタリングターゲットの提供。 - 特許庁

The method for manufacturing a halftone phase shift mask includes steps of forming the MoSi halftone phase shift film having a film thickness giving the phase difference of ≤135° on the quartz glass substrate by reactive sputtering and etching the quartz glass substrate using a chromium film as a mask by dry etching by magnetic neutral line discharge plasma with addition of a gas having an effect of protecting a side wall to the process gas.例文帳に追加

また、本発明によるハーフトーン型位相シフトマスクの製造法は、石英ガラス基板上に、反応性スパッタリング法によりＭｏＳｉ系のハーフトーン位相シフト膜を位相差が１３５°以下となるような膜厚に成膜し、続いてクロム膜をマスクとして、磁気中性線放電プラズマによるドライエッチングによりプロセスガスに側壁保護効果をもつガスを添加して、石英ガラス基板をエッチング処理することから成る。 - 特許庁