「thermal diffusion method」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method of a super junction semiconductor device having a super junction structure including parallel pn layers, that can be manufactured at low cost with improved production efficiency by reducing thermal diffusion time and the number of steps needed for making the parallel pn layers serving as drift layers successive impurity diffusion regions.例文帳に追加

ドリフト層となる並列ｐｎ層を連続する不純物拡散領域とするために必要な工程回数および熱拡散時間を削減して生産効率を改善し、低コストで製造できる並列ｐｎ層を含む超接合構造を有する超接合半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

After an organic film pattern such as photo-resist is formed in the surface layer, impurity ions are implanted, the organic film is carbonized to provide a graphite film which is used as a mask for selective doping by a thermal diffusion method, and a surface roughening is prevented while impurity atoms are suppressed from being desorbed from the surface due to out-diffusion.例文帳に追加

表面層にフォトレジスト等の有機膜パターンを形成後、不純物イオンを注入し、その有機膜を炭化させたグラファイト膜をマスクとして熱拡散法による選択ドーピングをおこなうことにより、表面荒れを防ぐとともに不純物原子の外方拡散による表面からの脱離を抑制する。 - 特許庁

To provide a production method of neodymium magnet which allows for material cost reduction while increasing the coercive-force of magnet and production cost reduction by reducing thermal energy in the grain boundary diffusion process, and to provide a neodymium magnet produced by this method.例文帳に追加

磁石保磁力を高めながら材料コスト低減を図ることができ、粒界拡散過程における熱エネルギを少なくして製造コスト低減も図ることのできるネオジム磁石の製造方法と、この方法によって製造されたネオジム磁石を提供する。 - 特許庁

To improve pressure resistance and durability of a particulate filter formed by piling a corrugated panel made of heat resistant metal and non-woven fabric and winding them like a roll, and joining mutual contact parts of the corrugated panel and the non-woven fabric in a thermal diffusion joining method.例文帳に追加

耐熱金属から成る波板と不織布を重ねてロール状に巻き付け、波板と不織布の相互接触部を熱拡散接合法等で接合して作られるパティキュレートフィルタの耐圧性、耐久性を向上させる。 - 特許庁

To provide a method for producing an alkyl ether compound by reacting a phenol with an alcohol for O-alkylation of the hydroxyl group of the phenol in high selectivity and under the condition of good thermal diffusion even in a small reactor.例文帳に追加

フェノール類とアルコールを反応させてフェノール類の水酸基をＯ−アルキル化したアルキルエーテル化合物を製造する際に、小さい反応容器でも高選択率でかつ熱拡散性の良い条件で製造できる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a more practical and highly reliable method of manufacturing a piezoelectric vibrator by which a bonding configuration of a piezoelectric vibration element is simplified and the effect of thermal diffusion of an electrode material is eliminated by means of inexpensive and highly versatile techniques.例文帳に追加

圧電振動素子の接合構成を簡略化するとともに、安価で汎用性の高い手法により電極材料の熱拡散の影響をなくした、より実用的で信頼性の高い圧電振動子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thermal treatment method of a semiconductor substrate for stably manufacturing the semiconductor substrate in which the in-plane variation of the distribution of a dopant diffused in the semiconductor substrate is suppressed, when the thermal processing is performed to diffuse a diffusate in the semiconductor substrate using a horizontal diffusion furnace.例文帳に追加

横型拡散炉を用いて半導体基板に拡散物質を拡散する熱処理を行う場合に、半導体基板に拡散したドーパントの分布の面内におけるばらつきが抑えられた半導体基板を安定して製造するための半導体基板の熱処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the thermal diffusion bonding method wherein one bonding surface to be bonded is brought into contact with the other bonding surface to be bonded and both bonding surfaces are bonded by applying the low temperature and the low load to these bonding surfaces.例文帳に追加

接合すべき一方の接合面と接合すべき他方の接合面とを接触させ、これら接合面に低温度かつ低荷重を与えることにより両接合面の接合を可能とする精密部品の熱拡散接合方法である。 - 特許庁

The method for joining the plurality of the superalloy substrates includes a process in which the superalloy substrates are diffusion-joined by thermal-pressing the joint after directly applying an active material on the surface of the joining joint.例文帳に追加

複数の超合金基板を接合する方法であって、接合されるジョイント表面に活性体を直接適用した後に、ジョイントを熱加圧することによって、超合金基板を拡散接合する工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for forming a high-quality, stable, and low-resistance (high concentration) p-type semiconductor layer, having a sheet resistance of 25 Ω/(square) or lower, by conducting a thermal diffusion of arsenic which is consistent in a silicon wafer or in a lot, using a high purity BBr_3 liquid source.例文帳に追加

高純度のBBr_3液体ソースを用い、シリコン基板内やロット内でのバラツキを抑制した硼素の熱拡散を行い高品質且つ安定で、シート抵抗が25Ω/□を下回る低抵抗(高濃度)のp型半導体層を形成する方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a thermal lithographic printing plate which can suppress diffusion of heat into an aluminum substrate and enables formation of an image by laser irradiation with reduced energy and which is improved in resistance to impairment and plate wear, and a manufacturing method of a base plate for the lithographic printing plate.例文帳に追加

アルミニウム支持体への熱の拡散が抑制でき、より低エネルギーのレーザー照射によって画像形成が可能であり、傷つきにくさ及び耐刷性を向上させた感熱性平版印刷版及び平版印刷版用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a power MOSFET which is capable of forming a body layer without performing a thermal diffusion treatment carried out at a high temperature for a long time, and preventing impurities contained in a gate electrode from diffusing into a semiconductor substrate through a gate insulating film.例文帳に追加

高温、長時間の熱拡散処理を行わずにボディ層を形成することができ、ゲート電極中に含まれる不純物がゲート絶縁膜を通して半導体基板中に拡散することを防止できるパワーＭＯＳＦＥＴの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for an element separation formation and an element used for the method hardly generating defects such as misalignment wherein the capacity of a diffusion layer does not increase, and takes place even if a complex mask is employed while well ion implantation and thermal process can be omitted after formation of STI.例文帳に追加

拡散層容量が増加することがなく、複雑なマスクの使用による目ずれの発生する虞がなく、しかもＳＴＩ形成後にウェルイオン注入＋熱処理省略可能とした、転位等の欠陥が生じることの少ない素子分離形成方法および該方法に使用される素子の提供。 - 特許庁

To prevent the composition deviation of a capacitance insulating film by suppressing the thermal diffusion of a metal element for composing the capacity insulating film into a lower electrode, when film-forming the capacity insulating film made of a ferroelectric or a high dielectric by using a method where temperature in film formation in an MOCVD method, or the like becomes approximately 300°C or higher.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤ法などの成膜時の温度が約３００℃以上となる方法を用いて強誘電体又は高誘電体よりなる容量絶縁膜を成膜する際に、容量絶縁膜を構成する金属元素が下部電極中へ熱拡散することを抑制して、容量絶縁膜の組成ずれを防止する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the fully-depleted SOI transistor, especially the NMOS transistor, there is a process for implanting impurities into an insulating film by an ion implantation method before or after a well formation process, thus restraining the diffusion of the impurities to an embedded insulating film owing to a variation in a thermal history in a manufacturing process.例文帳に追加

完全空乏型ＳＯＩトランジスタ、特にＮＭＯＳトランジスタの製造方法においてウエル形成工程前あるいは後に追加でイオン注入法を用いて絶縁膜に不純物注入を行う工程を有することで、製造過程における熱履歴のばらつきによる埋め込み絶縁膜への不純物の拡散を抑える。 - 特許庁

To provide a method, by which a photoelectric conversion functional element can be manufactured stably by forming a p-n junction for thermal diffusion by using a compound semiconductor crystal substrate, composed of a group XII (2B) element and a group XVI (6B) element on the periodic table.例文帳に追加

周期表第１２（２Ｂ）族元素及び第１６（６Ｂ）族元素からなる化合物半導体結晶基板を用い、熱拡散によりｐｎ接合を形成することにより光電変換機能素子を安定して作製できる光電変換機能素子用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

This method for producing the synthesis gas is characterized by composing a pair of apparatus walls so as to have a temperature difference in which either one thereof is a higher temperature and the other is a lower temperature, oppositely arranging the apparatus walls, forming a reactional space between the apparatus walls, using the resultant thermal diffusion reactional tube, reacting the methane with the carbon dioxide and obtaining the synthesis gas.例文帳に追加

一対の器壁を、その一方が高温に他方が低温となる温度差を有するように構成して対向させて配置し、その器壁間に反応空間を形成させてなる熱拡散反応管を用いて、メタンと二酸化炭素を反応させて合成ガスを得ることを特徴とする合成ガスの製造方法。 - 特許庁

To provide a method for producing a spinel ferrite thin film with (100) preferred orientation while suppressing oxidization of a metal electrode layer in a lower part of a spinel ferrite thin film and thermal diffusion at a lower part interface and eliminating contamination due to atmospheric components at an upper part interface, in a spin filter effect element including a spinel ferrite thin film arranged in a laminated structure.例文帳に追加

積層構造の中にスピネルフェライト薄膜を配置したスピンフィルタ効果素子において、スピネルフェライト薄膜下部の金属電極層の酸化および下部界面の熱拡散を抑制し、上部界面の大気成分による汚染を排除しつつ、（１００）優先配向したスピネルフェライト薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the coated article comprises: applying an aluminum-containing first layer to a substrate 20; applying a platinum-containing second layer atop the first layer; causing diffusion of aluminum from the first layer into the second layer so as to produce a PtAl_2 alloy 24, and applying a thermal barrier layer 22 atop the PtAl_2 alloy 24.例文帳に追加

方法は、アルミニウム含有の第一の層を基体２０に付与し、白金含有の第二の層を第一の層の上に付与し、ＰｔＡｌ_2合金２４を生成するように第一の層から第二の層中へのアルミニウムの拡散を生じさせ、熱障壁層２２をＰｔＡｌ_2合金２４上に付与する、ことを含む。 - 特許庁

In the method of forming wirings of a semiconductor element in which ultra-fine electronic circuit wirings are formed, the electronic circuits are formed by embedding conductor materials including at least Cu layer into the substrate material and only the open surface of the electronic circuits is covered with a material for preventing movement by thermal diffusion of the conductor material.例文帳に追加

微細な電気回路配線を形成する半導体素子の配線形成方法において、基材中に少なくともＣｕ層を含む導電体材料の埋め込みにより電気回路を形成し、該導電体材料の熱拡散移動を防止する材料によって、前記電気回路の開放表面のみを被覆する。 - 特許庁

The method further includes a step of depositing by wire-arc spray a NiCrAIY bonding coat (48) overlying a roughened surface (46) of the diffusion aluminide coating (42) and contacting the roughened surface (46), and a step of applying a ceramic thermal barrier coating (50) overlying a bond coat (48) and contacting the bond coat (48).例文帳に追加

本方法はさらに、ワイヤアーク溶射によって、拡散アルミナイド皮膜（４２）の粗面（４６）を覆いかつ該粗面（４６）に密着させてＮｉＣｒＡｌＹボンディングコート（４８）を堆積させるステップと、ボンディングコート（４８）を覆いかつ該ボンディングコート（４８）に密着させてセラミック断熱皮膜（５０）を施工するステップとを含む。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, a conductive material between the lower electrode section for composing the capacitive element and the resistive element is removed partially to form a removed part, thus breaking the thermal diffusion of impurities in the film due to heat treatment in the formation of the dielectric film of the capacitive element and preventing the concentration of impurities in the resistive element from changing.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、容量素子を構成する下部電極部と抵抗素子との間の導電性材料を部分的に除去して除去部を形成することにより、容量素子の誘電体膜形成時の熱処理による膜中の不純物の熱拡散が遮断され、抵抗素子の不純物の濃度変化を起させない。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor light-emitting element 1 absorbs in advance Si atoms 41 obtained by thermal decomposition of SiH_4, thereby forming a diffusion protection layer 31 composed of Si-doped InP with high impurity concentration on one surface of a semiconductor substrate 11 and side surfaces of a semiconductor mesa part 12 in the initial growth of a buried layer 13.例文帳に追加

半導体レーザ素子１の製造方法では、ＳｉＨ_４を熱分解して得られるＳｉ原子４１を予め吸着させることにより、埋込層１３の初期成長において、半導体基板１１の一面及び半導体メサ部１２の側面に、高不純物濃度のＳｉドープＩｎＰによる拡散防止層３１を形成する。 - 特許庁

To provide an electrically and mechanically stable laminated ceramic electronic part by preventing variations in composition due to diffusion of constitutive elements, warping, delamination and deterioration of strength of a substrate due to difference of thermal expansion coefficient or sintering behavior among the layers when burning a laminate made of different composite layers, and its manufacturing method.例文帳に追加

異なる組成を有する材料を積層して焼成するときに起こる構成元素の拡散による組成変動と、熱膨張係数や焼結挙動の違いによる基板の反り、層間剥離、機械的強度の低下を抑制して電気的、機械的に安定な積層セラミック電子部品およびその製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide an organic polymer composition which can match the thermal characteristics and birefringence of the core portion of an optical waveguide with those of its clad portion, can reduce the diffusion of light, can easily control refractive index, and can more simply form the optical waveguide at a lower cost in high accuracy, and to provide a method for producing an optical waveguide.例文帳に追加

光導波路のコア部とクラッド部の熱的特性及び複屈折性を一致させるとともに、光の散乱損失が低く、屈折率の制御が容易であり、さらには、より簡便かつより低コストで高精度に光導波路を形成することが可能な有機高分子組成物及び光導波路並びに光導波路の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrode tip for a spark plug which is suppressed in high temperature volatilization wear than an inclination functional material layer formed by a thermal diffusion method, improved in durability with respect to spark wear by improving high temperature strength of the electrode tip, and realizes low cost, by suppressing the amount of precious metal used by further realizing thin diameter.例文帳に追加

本発明の目的は、熱拡散法によって形成した傾斜機能材層よりも高温揮発減耗を抑制し、電極チップの高温強度を向上させることで火花減耗に対する耐久性を向上させること及び更なる細径化を図り貴金属使用量を抑えて安価であることを実現するスパークプラグ用電極チップを提供することである。 - 特許庁

The method of manufacturing a resistance change type element X like this includes: a step of forming a laminate structure including electrodes 1 and 2, an oxide layer 3, and a non-oxidizer layer 4; and an oxidizing step of making a portion of oxygen in the oxide layer 3 reach the electrode 2 through thermal diffusion to partially oxidize an end surface of the electrode 2 on the side of the oxide layer 3.例文帳に追加

このような抵抗変化型素子Ｘの製造方法は、電極１，２、酸化物層３、および非酸化性物質層４を含む積層構造を形成する工程と、酸化物層３内の酸素の一部を熱拡散によって電極２に至らしめて当該電極２における酸化物層３側の端面を部分的に酸化させる酸化工程とを含む。 - 特許庁

The manufacturing method includes processes of applying slurry containing a catalytic metal precursor, a catalyst support having fine cavities, ionomers having cation exchange groups, and solvent on a gas diffusion layer to form a catalytic layer before reduction and reducing the catalytic metal precursor by means of thermal treatment under a reductive atmosphere to from catalytic metal particles in the fine cavities of the catalyst support.例文帳に追加

触媒金属前駆体、微細気孔を有する触媒担体、陽イオン交換基を有するイオノマ及び溶媒を含むスラリをガス拡散層上に塗布して未還元触媒層を形成する段階と、前記未還元触媒層を還元雰囲気にて熱処理して前記触媒金属前駆体を還元させることにより、前記触媒担体の微細気孔内に触媒金属粒子を形成する段階とを含む。 - 特許庁