「thicker」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索

The manufacturing method of the lead storage battery comprises that in the welding method of a strap by plasma arc, the shape of the adding lead for welding is made thicker at the fusing finishing portion than the fusing starting portion, thereby even if the lead is taken in at solidification by shifting of the fusing portion during the strap formation, the thickness of the strap can be maintained uniform.例文帳に追加

上記課題を解決するために、本発明による鉛蓄電池の製造方法は、プラズマアークによるストラップ溶接方法において、足し鉛の形状が溶融開始部よりも溶融終了部のほうの厚さを厚くすることによって、ストラップ形成中の溶融部の移動による凝固時の鉛の取り込みが起こっても、ストラップの厚さを均一にすることができるものである。 - 特許庁

On a quick charger for alkaline storage battery of an alkaline storage battery having a nickel pole at the positive electrode, a metal member to cover the surface of outer circumference of the storage battery and a thermally conductive sheet which is arranged inside the metal member and thicker than the gap between the alkaline storage battery and the metal member and has elasticity are used, thereby efficiently cooling the battery at charging.例文帳に追加

正極にニッケル極を有するアルカリ蓄電池用のアルカリ蓄電池用急速充電器において、該アルカリ蓄電池の外周表面を覆う金属部材と、該金属部材の内側に配置された該アルカリ蓄電池と該金属部材との隙間より厚く且つ弾性を有する熱伝導シートとを用いることによって、充電時の電池を効率よく冷却するようにした。 - 特許庁

In a pair of adjacent stack contacts 141, 143 in a semiconductor device 100, plugs 135, 139 are arranged so that an inter-center distance of the plug 139 passing through a second inter-layer insulating film 114 thicker than a first inter-layer insulating film 109, is larger than the inter-center distance of the plug 135 passing through the first inter-layer insulating film 109.例文帳に追加

半導体装置１００中の一対の隣接するスタックコンタクト１４１およびスタックコンタクト１４３において、第一層間絶縁膜１０９より厚い第二層間絶縁膜１１４を貫通するプラグ１３９の中心間距離が、第一層間絶縁膜１０９を貫通するプラグ１３５の中心間距離よりも大きくなるように、プラグ１３５およびプラグ１３９を配置する。 - 特許庁

Second lower insulating films 54 of the second side wall portions 46 have a thickness thicker than that of silicon thermal oxidation films 34 of the first side wall portions 26 by the thickness of silicon oxide films 62 on an upper surface 12A of a p-type semiconductor substrate 12, and the silicon oxide films 62 do not have a part covering the side walls of the second gate electrodes 42 from a side.例文帳に追加

第２サイドウォール部４６の第２下部絶縁膜５４は、Ｐ型半導体基板１２の上表面１２Ａの上表面１２Ａの上表面１２Ａ上においてシリコン酸化膜６２の分だけ第１サイドウォール部２６のシリコン熱酸化膜３４よりも厚肉とされ、該シリコン酸化膜６２は第２ゲート電極４２の側壁を側方から覆う部分を有しない。 - 特許庁

In the cap with the clip for a writing utensil equipped with a slender cylindrical cap portion 1 fitting to the tip part of a writing utensil and a clip portion 2 extending along the cap portion 1 integrally bonding with the closed end part of the cap portion 1, at least one through hole 7 is provided at the thicker part 6 formed by integrally bonding the clip portion 2 with the cap portion 1.例文帳に追加

筆記具の先端部に嵌合する細長い円筒形のキャップ部分１と、キャップ部分１の閉鎖端部に一体的に結合されキャップ部分１に沿って延びるクリップ部分２とを備える筆記具のクリップ付きキャップにおいて、クリップ部分２とキャップ部分１とが一体的に結合されて形成される肉厚部６に、少なくとも１つの通孔７を設ける。 - 特許庁

In the navigation device 100 for a vehicle, a travel guide arrow 104 is superimposed and displayed on a guide route 120 from a current location 103 to a destination based on the current location 103 of the vehicle, and the guide route 120 is displayed as an enhanced guide route 102 having a relatively thicker line width than a road 101 other than the guide route 120.例文帳に追加

車両用ナビゲーション装置１００において、車両の現在位置１０３に基づいて該現在位置１０３から目的地に至る案内経路１２０上に走行誘導矢印１０４を重畳表示させ、かつ、該案内経路１２０を、該案内経路１２０以外の道路１０１に比べて線幅が相対的に太い強調案内経路１０２として表示させる。 - 特許庁

In the optical recording medium wherein a first layered body having at least a first substrate and a recording layer and a second layered body having at least a second substrate are stuck to each other, the second substrate is thicker than the first substrate and the difference between the thickness of the first substrate and the thickness of the second substrate is 10% or more of the thickness of the first substrate.例文帳に追加

少なくとも第１の基板と記録層とを有する第１の積層体と、少なくとも第２の基板を有する第２の積層体とが貼り合わされてなる光記録媒体であって、前記第２の基板が前記第１の基板よりも厚く、かつ第１の基板の厚みと第２の基板との厚みの差が、第１の基板の厚みの１０％以上であることを特徴とする光記録媒体である。 - 特許庁

To provide a secondary battery electrode that secure bonding force between a mixture layer and a current collector with a small resin amount and a thick mixture layer thickness without uneven distribution of a binder resin in the mixture layer so as to actualize a battery with larger capacity than before by making the mixture layer thicker without bringing about complexity of manufacturing processes nor a rise in cost, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

製造工程の複雑化や材料のコストアップを招くことなく、合材層の厚膜化によって従来よりも高容量の電池を実現するため、合材層中のバインダ樹脂が偏在することなく、少ない樹脂量で、且つ厚い合材層厚であっても、合材層と集電体との結着力を確保することができる二次電池用電極及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a CVD system and a CVD method in which a variation in film thickness can be suppressed while reducing the man-power required for cleaning a gas head by sustaining the current velocity and the channel of reaction gas constantly even if the products deposited on the surface of the gas head becomes thicker gradually as the number of processed semiconductor substrates is increased and the apparent head interval is decreased.例文帳に追加

本発明の目的は、半導体基板の処理枚数の増加に伴いガスヘッド表面に堆積する生成物の厚さが徐々に厚くなっていき、見かけ上、ヘッド間隔が小さく変化しても、反応ガスの流速や流路を一定に保ち、ばらつきの少ない膜厚さが得られるとともに、ガスヘッドの清掃に掛かる工数を削減できるＣＶＤ装置及び方法を提供することである。 - 特許庁

At least one electrode GS forming the electron lens part is a predetermined-thickness plate electrode having electron beam passing holes 31 (R, G, B) and the edge of the plate electrode forming the electron beam passing holes 31 (R, G, B) contains protruded portions 32 which are formed partially thicker in the horizontal direction than predetermined thickness in a region where an electron lens substantially effected on the electron beams is formed.例文帳に追加

電子レンズ部を形成する少なくとも１つの電極Ｇｓは、電子ビーム通過孔３１（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を備えた所定板厚の板状電極であり、電子ビーム通過孔３１（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を形成する板状電極の縁部は、電子ビームに実質的に作用する電子レンズを形成する領域において、その水平方向の板厚が部分的に所定板厚より厚く形成された突出部３２を備えている。 - 特許庁

A high-speed operating circuit formed in the semiconductor device comprises: an nMOS transistor including, as a component, an SiON gate insulating film (first gate insulating film) 13 in which fluorine is not introduced, and a pMOS transistor including, as a component, the SiON gate insulating film (second gate insulating film) 14 which is thicker than the SiON gate insulating film 13, and in which fluorine is introduced.例文帳に追加

半導体装置に形成された高速動作回路部は、フッ素が導入されていないＳｉＯＮゲート絶縁膜（第１のゲート絶縁膜）１３を構成要素として含むｎＭＯＳトランジスタと、当該ＳｉＯＮゲート絶縁膜１３よりも膜厚が厚く、その膜中にフッ素が導入されたＳｉＯＮゲート絶縁膜（第２のゲート絶縁膜）１４を構成要素として含むｐＭＯＳトランジスタとを備えている。 - 特許庁

The outer peripheral part of the filter is formed thicker than the filtering part, and includes: a plurality of first portions arranged at intervals and sandwiched between the first holding member and the second holding member; and second portions which are crushed between the first portions, thereby making the cross section of a gap between the first portions narrower than the cross section of the hole of the filtering part.例文帳に追加

前記フィルタの前記外周部は、前記濾過部よりも厚く形成され、互いに隙間を介して配置されるとともに前記第１のホルダ部材と前記第２のホルダ部材とに挟持された複数の第１の部分と、前記複数の第１の部分の間で潰れることで、前記複数の第１の部分の間の隙間の断面積を前記濾過部の前記孔の断面積よりも狭くする第２の部分と、を含む。 - 特許庁

To provide a method which can manufacture an elastic surface acoustic wave device which comprises an IDT electrode formed on a piezoelectric substrate and a dielectric layer formed to cover the IDT electrode, which has at least one of the distribution line and the pad connected to the IDT electrode formed to be thicker than the electrode finger of the IDT electrode, and which has a flat surface of the dielectric layer.例文帳に追加

圧電基板の上に形成されたＩＤＴ電極と、ＩＤＴ電極を覆うように形成されている誘電体層とを備え、ＩＤＴ電極に接続されている配線及びパッドのうちの少なくとも一方がＩＤＴ電極の電極指よりも厚く形成されている弾性表面波装置であって、誘電体層の表面が平坦な弾性表面波装置を製造し得る方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is fabricated by a process of selectively introducing halogen element or argon to an element region 14 of a silicon substrate 10 and a process of forming a silicon oxide film 24 over an element region 16 and a silicon oxide film 22, which is thicker than film 24, over the element region 14 by wet oxidation of the substrate 10 under the reduced pressure or the diluted atmosphere by nitrogen or rare gas.例文帳に追加

シリコン基板１０の素子領域１４に、ハロゲン元素又はアルゴンを選択的に導入する工程と、シリコン基板１０を、減圧下又は窒素若しくは希ガスにより希釈された雰囲気でウェット酸化することにより、素子領域１６にシリコン酸化膜２４を、領域１４にシリコン酸化膜２４より厚いシリコン酸化膜２２を、それぞれ形成する工程とを有する製造方法により半導体装置を製造する。 - 特許庁

The substrate 1 for the plasma display panel has barrier ribs 2... partitioning discharge cells 6 formed on the substrate 4, the the barrier ribs 2 are formed with thin barriers 4 formed on at least one-end side of the barrier libs 2 by forming a recessed groove 3 and thick barriers 5 continuing to the thin barriers 4 and thicker than the thin barriers 4.例文帳に追加

この発明のプラズマディスプレイパネル用基板１は、基板上に放電セル６を区画する隔壁２…が形成されてなるプラズマディスプレイパネル用基板において、前記隔壁２は、該隔壁２の少なくとも一方の側面に凹溝３が設けられることによって形成された薄壁部４と、該薄壁部４に連接された薄壁部厚さよりも厚さの大きい肉厚壁部５とを備えていることを特徴とする。 - 特許庁

The sheet- metal board thickness of the coil is measured and the coil finished to the sheet- metal board thickness thicker than the target sheet-metal board thickness range is elongated in such a manner that the elongation percentage in the rolling direction of the coil attains 0.05 to 1.0% by a tension leveler before blanking the coil.例文帳に追加

少なくとも、アルミニウム合金を圧延してコイルを作製する第１工程と、前記コイルを打抜いて円板状のアルミニウム合金基板を作製する第２工程とを含み、前記コイルの板厚を測定し、その板厚が目標板厚範囲よりも厚く仕上がったコイルについては、前記コイルを打抜く前にテンションレベラで、そのコイルの圧延方向の伸び率が０．０５ないし１．０％になるように伸長する。 - 特許庁

The film thickness of the section which is gripped by the clips of this unstretched film is regulated to become thicker by 10-300% than the film thickness of the section which adjoins the clip gripping section at the film center section side by a film-thickness regulation means arranged in the transverse direction of a die 24.例文帳に追加

溶融流延製膜法で製膜された未延伸フィルムの両端をクリップで把持して幅手方向に延伸する連続的な光学フィルムの製造方法であり、該未延伸フィルムのクリップに把持される部分のフィルム厚みが、フィルム中央部側でクリップ把持部分に隣接する部分のフィルム厚みより１０〜３００％厚くなるように、ダイ24の幅手方向に配置された膜厚調整手段により調整する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an underlying insulation film on a glass substrate, a crystalline silicon film having a source region, a channel forming region and a drain region formed on the underlying insulation film, a gate insulation film on the crystalline silicon film, and a gate electrode on the gate insulation film wherein the gate insulation film is formed thicker on the channel forming region than on the source region and the drain region.例文帳に追加

ガラス基板上の下地絶縁膜と、前記下地絶縁膜上の、ソース領域、チャネル形成領域及びドレイン領域が形成された結晶性珪素膜と、前記結晶性珪素膜上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、を有し、前記チャネル形成領域上のゲート絶縁膜は前記ソース領域及びドレイン領域上のゲート絶縁膜よりも厚いことを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method for the microlens array includes a step for sticking a transparent lens base plate 202 and the fixed base plate 200 thicker than the lens base plate 202 by an adhesive means 201 whose adhesive strength is lowered by heating, a step for forming the microlens array 109 on the lens base plate 202, and a step for heating and peeling the lens base plate 202 and the fixed base plate 200.例文帳に追加

本発明にかかるマイクロレンズアレイの製造方法は、透明性を有するレンズ基板２０２とレンズ基板２０２よりも厚い固定基板２００とを、加熱により粘着力が低下する接着手段２０１によって貼り付けるステップと、レンズ基板２０２上にマイクロレンズアレイ１０９を形成するステップと、レンズ基板２０２と固定基板２００を加熱し剥離するステップとを有するものである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a prism assembly which can easily be manufactured by making two glass plates outside an effective area which are adhered to both end parts among optical glass plates, constituting a polarized light converting element, thicker than other optical glass plates in the effective area, the prism assembly, and a liquid crystal projector device in which the prism assembly is built.例文帳に追加

本発明は、偏光変換素子を構成する複数枚の光学ガラス板のうち、両端部に接着される有効領域外の２枚のガラス板を、有効領域内の他の光学ガラス板よりも厚いガラス板とすることにより、簡単に製造することができるプリズムアセンブリの製造方法及びプリズムアセンブリ並びにプリズムアセンブリを組み込んだ液晶プロジェクタ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The nitride semiconductor laser element is provided with electric contacts provided at the outside of a pair of grooves on the surface of an upper electrode layer to effect electric connection with an external source, and a thickness from the surface of the upper electrode layer at the electric contacts to the nitride semiconductor growth layer is thicker than that from the upper electrode layer immediately above a ridge to the nitride semiconductor growth layer.例文帳に追加

本発明の窒化物半導体レーザ素子は、上部電極層表面の一対の溝より外側に設けられた外部との電気的な接続を行うための電気的接続点を有し、電気的接続点における上部電極層の表面から窒化物半導体成長層までの厚さが、リッジ部直上おける上部電極層から窒化物半導体成長層までの厚さよりも、厚いことを特徴とする。 - 特許庁

The liquid crystal display is provided with at least a transparent lower substrate 10, having a transparent electrode 11 in at least one side, a transparent upper substrate 20 having a transparent electrode 21 facing the transparent electrode 11, and a liquid crystal layer 31 held between the lower substrate and the upper substrate, and the upper substrate is made thicker than the lower substrate.例文帳に追加

少なくとも一方に透明電極１１を有する透明な下側基板１０と、前記透明電極に対向する透明電極２１を有する透明な上側基板２０と、前記下側基板と前記上側基板の間に挟持された液晶層３１からなる液晶パネルを少なくとも備えた液晶表示装置であって、前記上側基板を前記下側基板よりも厚い液晶表示装置とする。 - 特許庁

This electronic component with outer metal terminals is characterized in that the terminal electrodes 12 of a ceramic capacitor element 1 are electrically connected through a solder layer 5 to the outer metal terminals 3 and the conductive content in the terminal electrode 12 diffuses into the solder layers 4, 5 and forms a diffused layer 5 μm thick or thicker when the terminal electrodes 12 are connected to the outer metal terminals 3.例文帳に追加

本発明は、外部金属端子付き電子部品において、セラミックコンデンサ素子１の端部電極１２と、外部金属端子３とをはんだ層５を介して電気的に接合し、かつ、セラミックコンデンサ素子１の端部電極１２と外部金属端子３とを接合する際に、端部電極１２の導電成分がはんだ層４、５に拡散してはんだ接合部分に５μｍ以上の厚さの拡散層が形成されていることを特徴とするものである。 - 特許庁

A bag body is formed of a synthetic resin film, a reinforcing piece thicker than the synthetic resin film to constitute the bag body is provided on an outer side of an upper portion of the bag body, the reinforcing piece has a width for fastening a fastener to pierce and fasten an article to be stored in the bag body together with the reinforcing piece and the bag body.例文帳に追加

袋本体が合成樹脂フィルムで構成されてなるとともに、前記袋本体の上部の外側に、該袋本体を構成する合成樹脂製フィルムより厚手の補強片が設けられ、且つ該補強片は、前記袋本体内に収納される被包装物を前記補強片及び袋本体とともに貫通して止着するための止着具を止着しうる幅を有して形成されてなることを特徴に構成されていることを特徴とする。 - 特許庁

In this cosmetic container, consisting of a wide-mouth container body 2 holding the solid cosmetic material 1 and a lid 3 to cover the wide-mouth container body 2, an elastic application puff 10 whose thickness is thicker than a space formed between the upper surface of the solid cosmetic material 1 and the lid 3, is kept in the space in a vertically-compressed state.例文帳に追加

内部に固形化粧料１が収容された広口容器本体２と、上記広口容器本体２の開口を蓋する蓋体３とで構成される化粧料容器であって、上記広口容器本体２内の固形化粧料１の上面に、上記固形化粧料１の上面と蓋体３との間に形成される隙間よりも厚みの厚い弾性塗布具１０が、上記隙間内で上下方向に圧縮された状態で収容されている。 - 特許庁

The food tray with an upper part opened for storing food placed on a bottom 100a is made of a synthetic resin cellular sheet 10 comprising a flexible uneven sheet 11 formed with numerous uneven portions 11a and a flat sheet 12 thicker than the sheet 11 which are joined with each other and cells 13 with a gas sealed formed between the uneven portions 11a and the flat sheet 12.例文帳に追加

上部が開口しているとともに、底面１００ａ上に食品を配置して食品を収納する食品トレイを、多数の凹凸部１１ａが形成された可撓性を有する凹凸状シート１１と凹凸状シート１１より厚手の平坦状シート１２とが接合され、凹凸部１１ａと平坦状シート１２との間にガスが密閉された気泡部１３が形成されている合成樹脂製気泡シート１０から構成する。 - 特許庁

The electrolyte membrane has a first electrolyte layer having ion conductivity, a second electrolyte layer which has the ion conductivity, and which is thicker, or larger in the ion-exchange equivalent, or larger in the number average molecular weight than that the first electrolyte membrane has when methanol is brought into contact with the surface, and a porous layer into which an ion conductive electrolyte formed between the first electrode layer and the second electrode layer is impregnated.例文帳に追加

イオン導電性を有する第１の電解質層と、イオン導電性を有し、表面にメタノールを接触させた場合に、前記第１の電解質層よりも厚いまたは、イオン交換当量の大きいまたは、数平均分子量が大きい第２の電解質層と、前記第１の電極層と前記第２の電極層の間に形成されるイオン導電性の電解質を含浸させた多孔質層とを有する電解質膜である。 - 特許庁

In the highly heat-insulating laminated glass configured so that the infrared reflective layer formed by fixing the composition containing the polymerizable liquid crystal compound is sandwiched between the intermediate resin films and placed between the glass sheets having two curved surfaces of mutually different curvatures, the intermediate resin film in contact with the glass sheet having the greater curvature is made thicker than the intermediate resin film in contact with the glass sheet having the lower curvature.例文帳に追加

互いに異なる曲率を有する２枚の曲面を有するガラス板の間に、重合性液晶化合物を含む組成物を固定してなる赤外線反射層が樹脂中間膜で挟み込んで配置された、良好な遮熱性能を有する合わせガラス体において、曲率が大きい側のガラス板に接する樹脂中間体の厚みを曲率が小さい側のガラス板に接する樹脂中間体の厚みよりも厚くする。 - 特許庁

The decorated molding which has at least a transparent window part 20a for display and a decorated part 20b colored around the transparent window part and also has the hard coat layer formed on over the transparent window part and the decorated part, and the decorated molding is characterized in that the hard coat layer formed on the transparent window part is relatively thicker than the hard coat layer formed on the decorated part.例文帳に追加

少なくとも表示用の透明窓部２０ａとその透明窓部の周囲に着色された加飾部分２０ｂとを有し、上記透明窓部と上記加飾部分に跨がってハードコート層が形成されている加飾成形品において、上記透明窓部に形成されたハードコート層の膜厚が、上記加飾部分に形成されたハードコート層の膜厚に対して相対的に厚く形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

In the optical recording medium comprising at least a resin substrate, a recording layer containing an organic dye and a reflective layer, the reflective layer has a first reflective layer and a second reflective layer in this order from the side close to the recording layer, the second reflective layer has a lower thermal conductivity than the first reflective layer, and the first reflective layer is thicker than the second reflective layer.例文帳に追加

本発明は、少なくとも樹脂基板、有機色素を含む記録層、及び反射層を有する光記録媒体であって、前記反射層が、前記記録層に近い側から第一反射層と第二反射層とをこの順で有し、前記第二反射層の熱伝導度が前記第一反射層の熱伝導度よりも低く、かつ、前記第一反射層の膜厚が前記第二反射層の膜厚よりも厚いことを特徴とする光記録媒体を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

In a multilayer wiring substrate having a first multilayer wiring structure 10 including first wirings 13 and 16 and first via wirings 12 and 15 formed on a first side where a semiconductor chip is packaged, and a second multilayer wiring structure 30 including second wirings 32 and 35 and second via wirings 34PG and 34S, the second wirings are formed to be thicker than the first wirings.例文帳に追加

半導体チップが実装される第１の側に形成された、第１の配線１３，１６と第１のビア配線１２，１５を含む第１の多層配線構造１０と、前記第１の側と反対側の第２の側に形成された、第２の配線３２，３５と第２のビア配線３４ＰＧ，３４Ｓを含む第２の多層配線構造３０とを有する、多層配線基板であって、前記第２の配線は、前記第１の配線より厚くなるよう形成されていることを特徴とする多層配線基板。 - 特許庁

Forward end 13A of the latch 13 is formed thicker, gradually going toward the first case member side from the forward end and when the case is closed, a claw portion engaging with a pair of latch through holes 21a formed in the vicinity of the fourth edge, i.e. the other circumferential end of the second circumferential portion, is formed.例文帳に追加

第一円周部の円周方向の他端である第二縁部には、第一円周部円周方向の略接線方向に向けて一対の係止部１３が突設されており、係止部１３の先端部１３Ａは、先端から第一ケース部材側に向かって徐々に肉厚に形状化されて、ケースを閉状態にした時に、第二円周部の円周方向の他端である第四縁部付近に形成された一対の係止部嵌通孔２１ａに係止する係止爪部を形成している。 - 特許庁

As a result, thickness dx of the liquid crystal layer 11 corresponding to the region can surely be made not to be thicker than d0 of the liquid crystal layer thickness corresponding to the vicinity of the center of the pixel, consequently can be made thinner than the upper limit of the gap length to suppress a yellow-tinged display and the display color can surely be prevented from being yellowed with reflected light.例文帳に追加

ＴＦＴ基板２０の上を縦横に並走するバス配線５と対向するＣＦ基板４０の領域に、色層４１、４２を重ねて形成するので、その領域に対応する液晶層１１の厚さｄ_Xを、確実に画素中央近傍に対応する液晶層の厚さｄ_O以下とすることができ、従って、黄色付き表示を抑制できる上限ギャップ長よりも薄くすることができ、反射光による表示色の黄変を確実に防止することが可能となる。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a trench transistor including a trench formed in a semiconductor substrate, a gate electrode formed on the inside of the trench through a gate insulating film, a source and a drain arranged on the semiconductor substrate in the vicinity of the gate electrode through the gate insulating film wherein the gate insulating film in a region touching the source or the drain is formed thicker than that formed on the inside of the trench.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、半導体基板に形成された溝と、前記溝の内部側にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の近傍の半導体基板に前記ゲート絶縁膜を介して配置されたソース及びドレインとを具備してなるトレンチゲートトランジスタを備えるとともに、前記ゲート絶縁膜において、前記ソース及びまたはドレインに接する領域のゲート絶縁膜の厚さが、前記溝の内部側に形成されているゲート絶縁膜の厚さよりも厚くされたことを特徴とする。 - 特許庁

In the thin-film transistor, the buffer layer has film thickness thicker than the film thickness of the amorphous semiconductor layer.例文帳に追加

ゲート絶縁層を介してゲート電極と重畳するアクセプターとなる不純物元素を添加した半導体層と、アクセプターとなる不純物元素を添加した半導体層上に重ねて設けられたバッファ層と、バッファ層の上面と、バッファ層及びアクセプターとなる不純物元素を添加した半導体層の側面を被覆する非晶質半導体層と、一端部がバッファ層と重なり、非晶質半導体層上に設けられ、ソース領域及びドレイン領域を形成する一導電型を付与する不純物元素を添加した一対の不純物半導体層とを有し、バッファ層の膜厚が、非晶質半導体層の膜厚よりも厚い薄膜トランジスタである。 - 特許庁

In the thin-film transistor, the buffer layer has a film thickness thicker than the film thickness of the amorphous semiconductor layer.例文帳に追加

ゲート絶縁層を介してゲート電極と重畳するドナーとなる不純物元素を添加した半導体層と、ドナーとなる不純物元素を添加した半導体層上に重ねて設けられたバッファ層と、バッファ層の上面と、バッファ層及びドナーとなる不純物元素を添加した半導体層の側面を被覆する非晶質半導体層と、一端部がバッファ層と重なり、非晶質半導体層上に設けられ、ソース領域及びドレイン領域を形成する一導電型を付与する不純物元素を添加した一対の不純物半導体層とを有し、バッファ層の膜厚が、非晶質半導体層の膜厚よりも厚い薄膜トランジスタである。 - 特許庁