「thicker」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

The tip end part of the first external lead 2, where one end part of the anode lead 11 is so formed that its capacity is larger than other part of the external lead 2, in short, the width of the tip end part of the external lead 2 made is larger or the wall is made thicker so as to make volume per unit length of the external lead larger.例文帳に追加

この陽極リード１１の他端部が溶接される第１の外部リード２の先端部が、その外部リード２の他の部分より容量が大きくなるように、すなわち外部リード２の先端部の幅が広くされたり、肉厚が厚くされることにより、外部リードの単位長さ当りの体積が大きくなるように形成されている。 - 特許庁

A line width of at least either the common electrode 3 or the pixel electrodes 4 is larger than a gap between the common electrode and the pixel electrode 4, and a film thickness of at least either the common electrode 3 and the pixel electrode 4 is thicker than that of at least either the scanning signal line 6 or the video signal line 5.例文帳に追加

共通電極３及び画素電極４の少なくとも何れか一方の線幅は、前記共通電極と前記画素電極との間の間隙よりも大きく、かつ、共通電極３及び画素電極４の少なくとも何れか一方の膜厚は、走査信号線６及び映像信号線５の少なくとも何れか一方の膜厚よりも大きい。 - 特許庁

When actual measurement of the gage detected by a gage detector 9 is larger (thicker) than a target value, a microcomputer of a controller 10 raises driving speed of a second conveyer CV2 than driving speed of a first conveyer CV1 at predetermined timing to perform treatment of making the gage of the thick part thin by exerting pulling force caused by conveyance speed difference to a rubber member 8.例文帳に追加

制御装置１０のマイクロコンピュータは、ゲージ検出器９が検出したゲージの実測値が目標値よりも大きい（厚い）ときは、所定のタイミングで、第２のコンベアＣＶ２の駆動速度を第１のコンベアＣＶ１の駆動速度より上げて、その搬送速度差によりゴム部材８に引張力を作用させて当該厚い部分のゲージを薄くする処理を行う。 - 特許庁

In a dry etching device which is equipped with an He cooling mechanism for cooling a glass board 1 and a frame-shaped clamp 2 for pressing and fixing the periphery of the glass board all around from it upper side, the clamp 2 is inclined to be thicker from the inside periphery to outside periphery so that the flow of processing gas may be performed smoothly.例文帳に追加

ガラス基板１を冷却するためのＨｅ冷却機構と、ガラス基板１周辺部を全周にわたって上側より押さえ固定する枠状のクランプ２を備えたドライエッチング装置において、クランプ２に、内周部から外周部に向かって肉厚となるような傾斜をつけ、処理ガスの流れがスムーズに行われるようにした。 - 特許庁

Semiconductor device includes a field effect transistor having a gate electrode comprised of side wall insulating films on a plurality of active regions, and a wiring formed on an element isolation region by using the same material as the gate electrode where the side wall insulating films are selectively removed and then a silicide layer thicker than that of the gate electrode is formed.例文帳に追加

半導体装置は、複数の活性領域にサイドウォール絶縁膜を備えたゲート電極を持つ電界効果トランジスタを有し、素子分離領域上にゲート電極と同一材料を用いて形成された配線を有し、素子分離領域上ではサイドウォール絶縁膜が選択的に除去され、ゲート電極のシリサイド層より厚いシリサイド層が形成される。 - 特許庁

A thicker gate oxidation film 30 and a higher supply potential VH are provided on the transistor 28 used for forming a power amplifier 78, a thinner gate oxidation film 60 related to the conventional speedy switching speed and progressed process technology is used for the other use on the same integrated circuit 10, so that the following can be performed.例文帳に追加

電力増幅器７８を形成するために使用されるトランジスタ２８に、より厚いゲート酸化膜３０及びより高い供給電位Ｖ_Hとを設け、従来の速いスイッチング速度及び進歩したプロセス技術に関連したより薄いゲート酸化膜６０を同じ集積回路１０上の別の用途に使用することによって、このことを行うことができる。 - 特許庁

A moving mechanism 29 moves a plate 91 to be etched which is formed of the same material as that emitted from the substrate 9 and thicker than the substrate 9 between the evacuation position in an evacuation chamber 28 adjacent to the pre-etching chamber 2 so as to be communicated with the inner space and the same position as the position of the substrate 9 during the pre- etching.例文帳に追加

移動機構２９は、基板９から放出される材料と同じ材料で形成された板材であって基板９より厚い被エッチング板９１を、前処理エッチングチャンバー２と内部空間が連通するよう隣接して設けられた退避チャンバー２８内の退避位置と、前処理エッチングの際の基板９の位置と同じ位置との間でを移動させる。 - 特許庁

In the strut suspension of a vehicle, a cylindrical dust cover 10 is installed in an upper part of a piston rod 4 extending upward from a cylinder 3 of the shock absorber 2, and a top part 11 of the dust cover 10 abutting to an under surface of a rubbery insulator 6 becomes remarkably thicker than the side wall part 12, and constitutes a support part of the insulator 6.例文帳に追加

車両のストラットサスペンションにおいて、ショックアブソーバ２のシリンダ３から上方へ延び出したピストンロッド４の上部に筒状のダストカバー１０が取り付けられ、ゴム質インシュレータ６の下面に当接するダストカバー１０の頂部１１がその側壁部１２よりも著しく厚肉となっていて、インシュレータ６の支持部を構成している。 - 特許庁

The manufacture control apparatus 20 calculates a control parameter (deposition time t_target) for controlling a film forming apparatus 30 which deposits an insulating film on a first semiconductor wafer, and calculates the control parameter (deposition time t_target) for making the film forming apparatus 30 deposit the insulating film thicker as second wafer surface area L_1 of a second semiconductor wafer is larger.例文帳に追加

第１半導体ウェハ上に絶縁膜を堆積する成膜装置３０を制御する制御パラメータ（堆積時間ｔ_target）を算出する製造制御装置２０であって、第２半導体ウェハの第２ウェハ表面積Ｌ_1が大きいほど、成膜装置３０に絶縁膜を厚く堆積させる制御パラメータ（堆積時間ｔ_target）を算出する。 - 特許庁

The facial rubber layer 5 is formed by disposing a reinforcement rubber 5a having a groove width direction center side formed thicker than groove width direction both end sides on the outer peripheral surface of an unvulcanized tire, so that the facial rubber layer 5 at a bottom part of a groove 4 does not become thin, and the crack prevention effect of the groove 4 by the facial rubber layer 5 can be sufficiently obtained.例文帳に追加

未加硫タイヤの外周面に溝幅方向中央側が溝幅方向両端側よりも厚く形成された補強ゴム５ａを配置して表面ゴム層５を形成するようにしたので、溝４の底部の表面ゴム層５が薄くなることがなく、表面ゴム層５による溝４のクラック防止効果を十分に得ることができる。 - 特許庁

This light emitting device is provided with a metallic plate 11 containing a plate-shaped first portion 11a and a second portion 11b thicker than the portion 11a, a semiconductor substrate 12 disposed on the plate 11, a semiconductor laser element 13, a wavelength conversion element (optical element) 14 which receives the laser beam emitted from the laser element 13.例文帳に追加

平板状の第１の部分１１ａと第１の部分１１ａよりも厚い第２の部分１１ｂとを含む金属板１１と、金属板１１上に配置された半導体基板１２と、半導体レーザ素子１３と、半導体レーザ素子１３から出射されたレーザビームを受光する波長変換素子（光学素子）１４とを備える。 - 特許庁

Then, the two members 26, 50 are relatively rocked to a position relationship, where a segment for connecting the rocking support 52 and the end section becomes nearly vertical to the specific surface 26a, and a bumper 80 that is thicker than the difference between the first distance and the second one is compressed and deformed between the specific surface 26a and the end section, thus clamping the bumper 80.例文帳に追加

そして、揺動支点５２と前記の端部とを結ぶ線分が所定面２６ａに対してほぼ垂直となる位置関係まで２つの部材２６，５０を相対的に揺動させて、第１距離と第２距離との差よりも厚みがあるバンパー８０を所定面２６ａと前記の端部との間で圧縮変形することによって、そのバンパー８０を挟持する。 - 特許庁

In the opening attached earthquake resisting wall constituted of a reinforced concrete construction and incorporated into a plane of structure of a column and beam framing of a building to increase load-carrying capacity of the building, a beam type having thickness dimension thicker than wall thickness in other parts is integrally formed in the horizontal direction at least to either the upper part of the opening or the lower part.例文帳に追加

建物の柱梁架構の構面内に組み込まれて上記建物の保有耐力を向上させる鉄筋コンクリート造の開口付き耐震壁であって、上記開口の上部および下部の少なくとも一方に、他の部分における壁厚よりも厚さ寸法の大きな梁型を水平方向に一体に形成したことを特徴とする。 - 特許庁

A thick-film region where mask thickness is thicker than other regions, is formed just under a region as at least an emitter region in regions forming a buried region to the semiconductor substrate, and the buried region with a partially low impurity concentration is formed in the lower region of the thick-film region by diffusing impurities.例文帳に追加

半導体基板に埋め込み領域を形成する領域のうち、少なくともエミッタ領域となる領域の直下に他領域よりもマスク厚を厚くした厚膜領域を形成し、その後、不純物を拡散することにより、前記厚膜領域の下方域に不純物濃度が局所的に低濃度化された埋め込み領域を形成する。 - 特許庁

By providing a toilet seat 9 in which a void part 13 is formed inside and a radiation type heating element 16 disposed in the void part 13 and forming a toilet seat upper surface parts 14 opposing above the radiation type heating element 16 thicker than the thickness of a toilet seat side face part 20, the surface temperature of the toilet seat 9 is uniformized with light weight.例文帳に追加

内部に空洞部１３を形成した便座９と、前記空洞部１３に配設された輻射型発熱体１６とを備え、前記輻射型発熱体１６上方であって対向する便座上面部１４の厚さを、便座側面部２０の厚さより厚く形成することにより、便座９の表面温度の均熱化が軽量で実現することができる。 - 特許庁

To suppress rapid dispersion of water vapor from active materials exposed on the sides of a laminate layer and to obtain good aging reactions when aging an electrode plate in a laminate manner, wherein the electrode plate is thicker than peripheral thickness of a lattice such as an electrode plate using a thin cast lattice of a storage battery for example a lead battery, an expand lattice, or a punched lattice.例文帳に追加

蓄電池、例えば鉛蓄電池の薄型鋳造格子、エキスパンド格子、あるいは打抜き格子を用いた極板のように、極板厚さが格子周囲厚さより大きい極板を積層式で熟成する場合、その積層側面に露出した活物質からの急速な水蒸気拡散を抑制し、良好な熟成反応を得る。 - 特許庁

Further, in this label, a core material 5 is inserted in the thicker part 2 and the written contents of a book 4 or the like are made to be seen through from above the stuck main body 1 of the transparentized label and further the pressure-sensitive adhesive layer 1a is provided over nearly the whole rear surface of the main body 1 of the label.例文帳に追加

また、この発明の付箋は、前記厚肉部２に芯材５が挿入されているものとしたり、付箋本体１を透明とすることにより、付箋本体１を貼り付けた上から書籍等４の記載内容が透けて見えるようにしたり、付箋本体１の裏面のほぼ全体に感圧性接着剤層１ａを設けたものとしたりすることができる。 - 特許庁

The first dielectric layer 4 is made thicker than the thinnest dielectric layer in the other dielectric layers to make large the distance between a metal part protruding from a metal surface of the base electrode 2 and the inner electrode mounted on the lowermost dielectric layer originating from surface roughness of the metal surface of the base electrode 2, thereby reducing the leakage current.例文帳に追加

第１の誘電体層４の厚さを他の誘電体層のうち最も薄い誘電体層よりも厚くすることにより、下地電極２の金属表面の表面粗さに由来して金属表面から突出する金属部分と最下層の誘電体層上に積層された内部電極との距離を大きくすることができるため、リーク電流を低減させることができる。 - 特許庁

An aggregate substrate 10 which is formed by integrating a plurality of mounting substrates 11 planar via a cutting margin 12 is formed, and meanwhile, a reinforcement substrate 20 is formed which is thicker than the aggregate substrate 10 and has a through opening part 21 formed to leave a supporting part 22 whose width is larger than that of the cutting margin 12 at least in a part corresponding to the cutting margin 12.例文帳に追加

複数の実装基板１１が切りしろ１２を介して平面的に集積されてなる集合基板１０を形成し、一方、集合基板１０よりも厚い板厚を有し、少なくとも上記切りしろ１２に相当する部分に切りしろ１２より幅が広い支持部２２を残すように貫通開口部２１が形成された補強用基板２０を形成する。 - 特許庁

The slope face side member 10 is a fiber reinforced resin mold reinforced by long fiber, and the long fiber is oriented in the direction along the slope face 82, and the upper side member 11 is arranged so as to be superposed on the upper side of the slope face side member 10, and is compressively molded by using a resin material including fiber thicker than the slope face side member 10.例文帳に追加

法面側部材１０は、長繊維で補強されている繊維補強樹脂成形体であって長繊維は法面８２に沿う方向に配向させたものであり、また、上側部材１１は法面側部材１０の上側に重ねるように配置され、法面側部材１０よりも厚いものであって繊維を含有する樹脂材料を用いて圧縮成形したものである。 - 特許庁

A magnetite-containing layer 13 is formed on the surface of the cast iron pipe 1 by irradiating the surface of the pipe 1 with plasma arcs 9 generated from oxygen 8 as working gas to melt the surface of the pipe 1 and to oxidize the surface at high temperature, thereby forming the layer 13 thicker than the case in which the surface of the pipe 1 is not oxidized without being melted.例文帳に追加

酸素８を作動ガスとして発生させたプラズマアーク９を鋳鉄管１の表面に照射し、鋳鉄管１の表面を溶融させて高温で酸化させることによって、鋳鉄管１の表面にマグネタイト含有層１３を形成することにより、鋳鉄管１の表面を溶融させないで酸化させた場合に比べてマグネタイト含有層１３を厚く形成する。 - 特許庁

A material of a cladding layer 21 composed of at least either of AlGaN and InAlGaN is different from a group III nitride semiconductor, and the thickness D15 of a first epitaxial semiconductor region 15 is thicker than the thickness D19 of the core semiconductor region 19, however, the misfit dislocation densities at first to third interfaces J1, J2, and J3 are 1×10^6 cm^-1 or less.例文帳に追加

ＡｌＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮの少なくともいずれか一方からなるクラッド層２１の材料はIII族窒化物半導体と異なると共に第１のエピタキシャル半導体領域１５の厚さＤ１５がコア半導体領域１９の厚さＤ１９よりも厚いけれども、第１〜第３の界面Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３におけるミスフィット転位密度は１×１０^６ｃｍ^−１以下である。 - 特許庁

In the semiconductor device having a parallel p-n layer with an n-type drift region 2 and a p-type partition region alternately arranged a plurality of times, an insulating film 16 thicker than a gate oxide film 6 is formed on the surface of a region with no p base region 8 between first p-type partition regions 3a having the p base regions 8 among the p-type partition regions.例文帳に追加

ｎ型ドリフト領域２とｐ型仕切領域とを交互に配置した並列ｐｎ層を有する半導体装置において、ｐ型仕切領域のうちのｐベース領域８が形成された第１ｐ型仕切領域３ａ間の、ｐベース領域８が形成されていない領域の表面に、ゲート酸化膜６より厚い絶縁膜１６が設けられている。 - 特許庁

The thin plate 10 is a calcined thin plate containing at least a ceramic layer, and is composed of a thin portion 10A where a plurality of layers each having different thermal expansion ratios are laminated, and a thick portion 10B thicker than the thin portion 10A where a plurality of layers including at least a whole of the layers composing the thin portion 10A are laminated.例文帳に追加

この薄板体１０は、少なくともセラミックス層を含む焼成された薄板体であり、それぞれの材質の熱膨張率が相違する２種以上の層が積層されてなる薄肉部１０Ａと、少なくとも薄肉部１０Ａを構成する層の全てを含む複数の層が積層されてなる薄肉部１０Ａよりも厚さの大きい厚肉部１０Ｂとを備える。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a liquid crystal display panel by which image display unevenness generated by existence of a liquid crystal cell thick part thicker than a prescribed liquid crystal cell thickness between both substrates can be prevented in the liquid crystal display panel wherein a pair of substrates are disposed opposite to each other at a prescribed spacing by using a plurality of spacer members and a liquid crystal is packed between both the substrates.例文帳に追加

一対の基板が複数のスペーサ部材により所定の間隔を置いて対向配置され、両基板間に液晶が充填されてなる液晶表示パネルおいて、両基板間に所定の液晶セル厚よりも大きい液晶セル厚部分があることによって画像表示ムラが発生してしまうことが防止される液晶表示パネルの製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the circuit board, wherein a metal circuit board is formed on one face of a ceramic substrate, and a metal heat dissipating board is formed on the other face, the thickness T1 of the metal heat dissipating board 4 is thicker than the thickness T2 of the metal circuit board 3, and at least one or more slits 6 are formed at the metal heat dissipating board 4 in the thickness direction.例文帳に追加

セラミックス基板の一方の面に金属回路板が形成され、他方の面に金属放熱板が形成された回路基板であって、前記金属放熱板４の厚みＴ１が前記金属回路板３の厚みＴ２よりも大きく、かつ前記金属放熱板４に少なくとも一つ以上のスリット６が厚さ方向に形成されているセラミックス回路基板。 - 特許庁

To provide a resist bead removing device which does not leave resist beads at four corners of a glass substrate even when a coating film is for a black matrix and even when a coating film of a coloring pixel is thicker than usual, as a removing device for resist beads produced at the circumferential edge part of a glass substrate when a coating film of photoresist is formed on the glass substrate by a spinner method.例文帳に追加

スピンナー法によってガラス基板上にフォトレジストの塗布膜を形成する際に、ガラス基板の周縁部に発生するレジストビードの除去装置において、処理液に溶解しにくいブラックマトリックス用の塗布膜であっても、着色画素の塗布膜が通常より厚くても、ガラス基板の四隅にレジストビードを残存させないレジストビード除去装置を提供すること。 - 特許庁

The bearing housing 10 is contiguous concentrically on the upper side of a second circumferential step surface B fitted in the fixing hole 21, and has a first circumferential step surface A fitted in the insertion hole 31 wherein the plate thickness t_1 in a free state of the paper printed wiring board 30 is thicker than the step height h_1 of the first circumferential step surface A in the axial direction.例文帳に追加

軸受ハウジング１０は、取付孔２１が嵌る第２の周回段差面Ｂの上側で同心的に隣接して当該第２の周回段差面Ｂよりも大径であり、挿入孔３１が嵌る第１の周回段差面Ａを有し、紙製印刷配線基板３０のうち自由状態の板厚ｔ_１は第１の周回段差面Ａの軸方向の段差高さｈ_１より厚い。 - 特許庁

The color filter comprises: a substrate 1; resin parts 2 which are formed on the substrate 1 in a pattern shape; the colored layer 3 formed on an opening part divided by the resin parts 2; and light shielding parts 4 which are thicker than the width of the resin parts 2 and are formed on the resin parts 2 so as to cover edge parts of the colored layer 3.例文帳に追加

上記目的を達成するために、基材１と、前記基材１上にパターン状に形成された樹脂部２と、前記樹脂部２により区画された開口部上に形成された着色層３と、前記樹脂部２上に、前記樹脂部２の幅より太くかつ前記着色層３の端部を覆うように形成された遮光部４とを有することを特徴とするカラーフィルタを提供する。 - 特許庁

The integration method allows at least two different thicknesses of metals deposited on a semiconductor substrate such that on some of the CMOS transistors thinner silicide metals are formed and used in the formation of gate contacts, whereas on the other CMOS transistors thicker silicide metals are formed and used in the formation of metal silicide gates.例文帳に追加

本発明の集積化方法によれば、半導体基板上に堆積する金属の厚さを少なくとも２種類にすることができるから、一部のＣＭＯＳトランジスタの上に薄いシリサイド金属を形成してゲート・コンタクトを形成する際に使用し、他のＣＭＯＳトランジスタの上に厚いシリサイド金属を形成して金属シリサイド・ゲートを形成する際に使用することも可能になる。 - 特許庁

In at least one layer of the above resin layer, the outer peripheral part of the layer is thicker than the inner peripheral part.例文帳に追加

ディスク状基体２の上、または一対のディスク状基体間に、少なくとも記録情報を保持する円環状のデータ層ＤＬと、円環状の樹脂層ＴＬとをそれぞれ少なくとも１層有する光情報媒体であって、前記基体の少なくとも一方は、前記データ層と向き合う表面が凸状であり、前記樹脂層の少なくとも１層は、外周部が内周部よりも厚い光情報媒体。 - 特許庁

A semiconductor cooling device for a vehicle comprises: a heat- receiving block for receiving heat generated by transforming power by a power- transforming semiconductor element; a heat pipe buried in the heat-receiving block; a first radiator fin engaged with the heat pipe; and a second radiator fin which is engaged with the heat pipe, and is thicker in plate thickness than the first radiator fin.例文帳に追加

電力を変換する半導体素子が、電力を変換することにより発生する熱を受ける受熱ブロックと、この受熱ブロックに埋め込まれているヒートパイプと、このヒートパイプと係合する第一の放熱フィンと、前記ヒートパイプと係合し第一の放熱フィンより板厚の厚い第２の放熱フィンとを備えることを特徴とする車両用半導体冷却装置。 - 特許庁

A conductor pattern forming ink, containing metal particles and dispersion medium wherein the metal particles are dispersed, is discharged by the droplet discharge method to form the conductor pattern precursor, which has a pad film acting as a pad after the precursor becomes the conductor pattern, and in the pad film, the thickness of the center is thicker than that of the periphery.例文帳に追加

本発明の導体パターン形成用インクは、金属粒子と前記金属粒子が分散する分散媒とを含む導体パターン形成用インクを液滴吐出法により吐出して形成される導体パターン前駆体であって、導体パターンとしたときにパッドとなるパッド膜を有し、パッド膜は、その中央部の厚さがその周縁部の厚さより大きいものであることを特徴とする。 - 特許庁

In a liquid crystal display device including a light source 50, a first light guide plate 52 receiving light emitted from the light source 50, a second light guide plate 54 receiving light passing through the first light guide plate 52 and a light condensing means 56 positioned between the first and second light guide plates 52 and 54, the thickness of the second light guide plate 54 is thicker than that of the first light guide plate 52.例文帳に追加

光源５０と、光源５０から発せられた光を受ける第１の導光板５２と、第１の導光板５２を通った光を受ける第２の導光板５４と、第１の導光板５２と第２の導光板５４の間に位置する集光手段５６とを備え、第２の導光板５４の厚さは第１の導光板５２の厚さより厚い。 - 特許庁

When a transmission line for transmitting signals from a transmission-side LSI chip 21 to a reception-side LSI chip 22 is formed of printed wires 13a and 13b, a wiring pattern of the printed wires 13a and 13b is so formed that their wire widths are thicker in the vicinity of the transmission-side LSI chip 21 and are narrower in the vicinity of the reception-side LSI chip 22 while keeping the impedance constant.例文帳に追加

送信側ＬＳＩチップ２１から受信側ＬＳＩチップ２２に信号を伝送する伝送路をプリント配線１３ａ、１３ｂで形成する際に、そのインピーダンスを一定に保ちつつ、送信側ＬＳＩチップ２１の近傍の線幅が太く、受信側ＬＳＩチップ２２の近傍の線幅が細くなるようにプリント配線１３ａ、１３ｂの配線パターンを形成している。 - 特許庁

The aluminum foil for the container has an anodic oxide film with a thickness of 30 nm or thicker but 500 nm or thinner formed on the surface of a foil substrate consisting of aluminum or an aluminum alloy, wherein the anodic oxide film has a porosity of 5% or less, and is formed by direct-current electrolysis in an alkaline aqueous solution with a pH of 9 or higher.例文帳に追加

本発明に係る容器用アルミ箔は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる箔基材の表面に、膜厚３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の陽極酸化皮膜が形成されており、前記陽極酸化皮膜の有孔率が５％以下とされ、ｐＨ９以上のアルカリ性水溶液中で直流電解処理して形成されたものであることを特徴としている。 - 特許庁

In a form of embodiment, the dual-gate semiconductor device contains a low-voltage region where a first gate dielectric are formed thereon and a diffusion barrier layer containing nitrogen and oxygen is formed on the first gate dielectric, and a high-voltage region where a second gate dielectric having a thickness thicker than that of the first gate dielectric is formed thereon and the diffusion barrier layer does not exist.例文帳に追加

１つの実施の形態では、デュアルゲート半導体装置は、上に第１のゲート誘電体が形成されており、該第１のゲート誘電体の上に窒素および酸素を含む拡散障壁層が形成されている低電圧領域と、第１のゲート誘電体より厚い厚さを有する第２のゲート誘電体が上に形成されており、前記拡散障壁層が無い高電圧領域と、を含む。 - 特許庁

A signal output line 29 is made wider and thicker than a signal input line 27, such that the signal output line 29 may output an electrical signal which suppresses increase of the impedance to a ground part 28, and by making the signal output line 29 prevented from becoming an inductance component between a lower electrode 19b and the ground part 28, the self-resonant frequency can be made large.例文帳に追加

信号出力ライン２９を信号入力ライン２７より幅を広く及び厚みを厚くすることにより、信号出力ライン２９がインピーダンスの増大を抑制させた電気信号をグランド部２８に出力でき、信号出力ライン２９が下電極１９ｂとグランド部２８との間でインダクタンス成分となることが防止されることにより、自己共振周波数を大きくできる。 - 特許庁

The external corner and internal corner material made of a synthetic resin made extrusion molded article on which a pair of belt type side plates thicker than thickness of a belt type connecting plate is formed connected to a longer side opposed to the belt type connecting plate constitutes its characteristic feature of forming the belt type connecting plate of synthetic resin having flexibility free to bend.例文帳に追加

帯状連結板の対向する長辺に連接して前記帯状連結板の厚さより厚い一対の帯状側板が形成された合成樹脂製押出し成形品からなる出隅兼入隅材において、前記帯状連結板が折り曲げ自在な柔軟性を有する合成樹脂から形成されていることを特徴とする出隅兼入隅材。 - 特許庁

The pointer 1 connected to the root boss is twisted and turned for display so that the phosphor 2 on a side face of the pointer 1 may get thicker from the side of the tip 4 of the pointer to the side of the root 3 of the pointer, thus strongly imaging a regeneration or recovery state.例文帳に追加

それと共に、ギヤ３２及び３３、中心軸３４、並びに指針ボス部１６内の歯車機構で、根元ボス部１５を指針ボス部１６に対して回動させ、根元ボス部に結合された指針１を捻るように回動させ、指針先端部４側から指針根元部３側にかけて指針１側面の発光体２が太くなるように表示し、回生または回収状態を強くイメージさせる。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a memory cell transistor 2 and a peripheral circuit Vcc system transistor 3 having a trench 7 for isolating elements and a thermal oxide film 10 of first thickness, and a peripheral circuit Vpp system transistor 4 including a thermal oxide film 9 of second thickness thicker than the first thickness formed before the trench 7 is formed.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、素子間を分離するトレンチ７と、第１の厚みの熱酸化膜１０を有するメモリセルトランジスタ２および周辺回路Ｖｃｃ系トランジスタ３と、第１の厚みよりも大きい第２の厚みを有しトレンチ７の形成前に形成された熱酸化膜９と熱酸化膜１０とを含む周辺回路Ｖｐｐ系トランジスタ４とを備える。 - 特許庁

This capacitance element comprises a lower electrode 12 formed on a substrate 10, an insulation film 16 including an aperture 24 on the lower electrode 12, a capacitor insulation film 30 formed on the lower electrode 12 within the aperture 24 wherein the circumferential area of the aperture 24 is formed thicker than the central area of the aperture, and an upper electrode 32 formed on the capacitor insulation film 30.例文帳に追加

基板１０上に形成された下部電極１２と、下部電極１２上に開口部２４を有する絶縁膜１６と、開口部２４内の下部電極１２上に形成され、開口部２４の周縁部における膜厚が開口部の中央部における膜厚よりも厚いキャパシタ絶縁膜３０と、キャパシタ絶縁膜３０上に形成された上部電極３２とを有する。 - 特許庁

A plurality of piezoelectric layers and electrode layers composed of piezoelectric materials are laminated alternately, each piezoelectric layer among the electrode layers opposed in the laminating direction is formed as an active section expanded and contracted by applying a voltage to an electrode for the electrode layer, and the thickness of at least one layer in a plurality of the piezoelectric layers in the active sections is made thicker than those of other layers.例文帳に追加

圧電材料からなる複数の圧電層と電極層とが交互に積層され、積層方向に対向する前記電極層の間の各圧電層がその電極に電圧を印加することにより伸縮する活性部として形成され、この活性部における複数の圧電層のうちの少なくとも１層は、他の層よりも層の厚みを厚くしたことにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

This portable electronic equipment has a first display section for displaying information, and a protective section that is placed around the first display section, thicker than the first display section and has an approximate pipe-shape for protecting the first display section by placing the first display section into a position recessed from the protective section.例文帳に追加

情報を表示するための第１の表示部と、前記第１の表示部の周りに設けられて前記第１の表示部よりも厚い厚さを有する保護部であって、前記第１の表示部を保護部から窪んだ位置に配置することによって前記第１の表示部を保護するほぼパイプ形状を有する保護部とを有することを特徴とする携帯型電子機器を提供する。 - 特許庁

In this semiconductor device provided with the capacitor composed of the storage electrode 76, a capacitor dielectric film 78 formed on the storage electrode 76 and a plate electrode 88 formed on the capacitor dielectric film 78, the upper end of the storage electrode 76 is rounded and the thickness of the upper end of the storage electrode 76 is made thicker than the thickness of the other area.例文帳に追加

蓄積電極７６と、蓄積電極７６上に形成されたキャパシタ誘電体膜７８と、キャパシタ誘電体膜７８上に形成されたプレート電極８８とからなるキャパシタを有する半導体装置において、蓄積電極７６の上端部を丸くし、蓄積電極７６の上端部の厚さが他の領域の厚さよりも厚くなるように構成する。 - 特許庁