「thin film integrated circuit」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method by which a transistor can be manufactured by forming a thin film constituting a thin film device by means of a droplet discharging system using a liquid material, and particularly, diffusing impurity atoms into a semiconductor film, and to provide a transistor and an integrated circuit, an electrooptic device, and electronic equipment using a transistor.例文帳に追加

液状材料を用いた液滴吐出方式によって薄膜デバイスを構成する薄膜を形成し、特に半導体膜内に不純物原子を拡散させるトランジスタの製造方法、トランジスタ、トランジスタを用いた集積回路、電気光学装置及び電子機器を提供すること。 - 特許庁

To provide an integrated circuit having a low-stressed thin protective film having a polymer material usable for packaging semiconductor devices and an intensified adhesion in passivation film layers.例文帳に追加

低ストレスで薄膜の、半導体装置のパッケージングに使用される重合体材料及びパシベーション膜層内の増強された接着性を持つ、保護被膜を有する集積回路を提供する。 - 特許庁

To form a thin-film resistor on an upper face of an insulating film on a silicon substrate in a semiconductor device called CSP even if there is an integrated circuit on the upper face of the silicon substrate.例文帳に追加

ＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、シリコン基板の上面に集積回路がある場合でも、シリコン基板上における絶縁膜の上面に薄膜抵抗体を形成する。 - 特許庁

To provide conditions for forming a strained non-crystalline silicon (amorphous silicon) film in relation to a method of manufacturing a semiconductor device which has an integrated circuit utilizing thin-film transistors on a substrate.例文帳に追加

基板上に薄膜トランジスタを用いた集積回路を有する半導体装置の製造方法に関する技術に関して、歪のある非晶質シリコン（アモルファスシリコン）膜を作るための条件を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a substrate voltage generating circuit and a semiconductor integrated circuit device for ensuring reliability by using a transistor whose gate oxidized film thickness is thin regardless of a high voltage boosting level.例文帳に追加

高い昇圧レベルにもかかわらず、ゲート酸化膜厚が薄いトランジスタを使用し、しかも信頼性を確保することができる基板電圧発生回路および半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

An oscillation circuit 3 comprising an inverter 3a, a resistor 3b, and a capacitor 3c is formed on an electrode of the crystal vibrator 2 by a thin film and the oscillation circuit 3 and the crystal vibrator 2 are integrated.例文帳に追加

水晶振動子２の電極上に、インバータ３ａ，抵抗体３ｂ，コンデンサ３ｃからなる発振回路３が、薄膜で形成され、発振回路３と水晶振動子２一体化されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit of thin film transistors (TFT), including high breakdown voltage TFTs and high speed operable TFTs, and a method for fabricating such a circuit.例文帳に追加

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の回路において、高耐圧のＴＦＴと高速動作が可能なＴＦＴを有する半導体集積回路およびそのような回路を作製するための方法を提供する。 - 特許庁

After the thin film is worked into a desired element form, the adhesive agent on an electrode pad 1b of the integrated circuit 1 is eliminated, and finally an I/O electrode of the compound semiconductor element 2 and the electrode pad 1b of the integrated circuit 1 are wired by using a connection electrode 4.例文帳に追加

化合物半導体薄膜を所望の素子形状に加工した後、集積回路１の電極パッド１ｂ上の接着剤を除去し、最後に化合物半導体素子２の入出力電極と集積回路１の電極パッド１ｂを接続電極４で配線する。 - 特許庁

To provide a silicon thin film deposition method utilizable for depositing a silicon thin film, e.g., onto a glass substrate for a liquid crystal display or a resin film having low heat resistance for electronic paper, and to provide a method of depositing a silicon thin film in producing a semiconductor integrated circuit at a lower temperature.例文帳に追加

液晶ディスプレイ用ガラス基板や、電子ペーパー用等、耐熱性が低い樹脂フィルム上へのシリコン薄膜の製膜に利用可能なシリコン薄膜の製膜方法を提供すること、また、半導体集積回路製造時に実施されるシリコン薄膜を、より低温で製膜する方法を提供すること。 - 特許庁

To make it possible to reduce a layout area of a driving circuit with a simple configuration, and reduce the area except the display area, what is called, a frame area, relating to a thin film transistor substrate with integrated thin film transistors thereon and a liquid crystal panel using the same.例文帳に追加

本発明は、薄膜トランジスタを集積した薄膜トランジスタ基板及びこれを用いた液晶表示パネルに関し、簡易な構成で駆動回路のレイアウト面積を小さくでき、表示エリア以外のいわゆる額縁の面積を小さくできるようにする。 - 特許庁

To provide a thin-film capacitor which is less easy to cause dielectric breakdown as compared with a normal one, even when an excessive pulse electric field is applied, in the decoupling thin-film capacitor used in a power supply line where a quick power supply is needed for a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

半導体集積回路への速やかな電力供給が必要とされる電源ラインに使用されるデカップリング薄膜コンデンサにおいて、従来のものに比べて過大なパルス電界がかかった場合でも、絶縁破壊が起きにくい薄膜コンデンサを提供する。 - 特許庁

In the integrated circuit 1 whereon a light source 2, a photodetector 3 and a diffraction unit 5 are integrated, a thin film (phase difference film) generating the phase difference is formed on the rear surface of the diffraction element by obliquely vapor-depositing a metallic oxide film, and the polarizing state of an emitting beam of the integrated unit is changed from the linear polarization.例文帳に追加

光源（２）と光検出器（３）及び回折ユニット（５）が一体化された集積化ユニット（１）において、回折素子の裏面に、金属酸化膜を斜め蒸着することで、位相差を発生する薄膜（位相差膜）を形成し、集積化ユニットの出射ビームの偏光状態を、直線偏光から変化させる。 - 特許庁

This integrated circuit device includes a single circuit board 101 of a predetermined shape, various functional circuits formed on a surface of the circuit board 101 by a thin-film technique, an inspection circuit 110 having a plurality of MIS transistors 111 to 114, whose directions of gate electrodes projected from gaps between source and drain regions formed by the thin film technique on the surface of the board 101 are made mutually different.例文帳に追加

所定形状の一個の回路基板と、回路基板の表面に薄膜技術で形成されている各種の機能回路と、回路基板の表面に薄膜技術で形成されてソース領域とドレイン領域との間隙からゲート電極の突出した方向が相互に相違する複数のＭＩＳトランジスタからなる検査回路と、を具備している。 - 特許庁

This manufacturing method of thin-film semiconductor devices include a process for preparing a member that has a semiconductor film 110 with a semiconductor device and/or a semiconductor integrated circuit 140 on a separation layer 100, a process for foaming a cutting groove 150 from the side of the semiconductor film of the member, and a process for separating the desired region of the semiconductor device and/or semiconductor integrated circuit 140 from the member.例文帳に追加

半導体素子及び／又は半導体集積回路140を備えた半導体膜110を分離層100上に有する部材を用意する工程、該部材の該半導体膜側から切り込み溝150を形成する溝形成工程、及び該溝形成工程後、該半導体素子及び／又は半導体集積回路140の所望の領域を該部材から分離する分離工程を有することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To prevent breakage of a prober in probe inspection using a prober (thin film probe) having a probe formed by a manufacturing technology of a semiconductor integrated circuit device.例文帳に追加

半導体集積回路装置の製造技術によって形成された探針を有するプローバ（薄膜プローブ）を用いたプローブ検査時において、プローバの破損を防ぐ。 - 特許庁

To prevent damages to a prober and a wafer to be inspected, when performing probe inspection using the prober (thin-film probe), having a probe formed by the manufacturing techniques for semiconductor integrated circuit devices.例文帳に追加

半導体集積回路装置の製造技術によって形成された探針（プローブ）を有するプローバ（薄膜プローブ）を用いたプローブ検査時において、プローバおよび検査対象のウエハの破損を防ぐ。 - 特許庁

The interposer is positioned between an integrated circuit and the ceramic substrate and has an oxide layer formed on the polished surface of the silicon substrate and a thin-film dielectric capacitor formed on the oxide layer.例文帳に追加

集積回路とセラミック基板との間に位置付けられたインターポーザであって、シリコン基板３２３の研磨面上に形成された酸化物層と、酸化物層上に形成された薄膜誘電体コンデンサとを有する。 - 特許庁

The bismuth-containing oxide thin film formed by the method can be used, for example, as a ferroelectric material or a dielectric material in an integrated circuit, and as a superconductor material.例文帳に追加

本発明の方法により作製されるビスマス含有酸化物薄膜は、例えば、集積回路における強誘電体材料または誘電材料として、および超伝導体材料として使用することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit of a multilayer structure in which interconnection of an upper layer thin film transistor (TFT) and a lower layer transistor is formed with good yield.例文帳に追加

上層の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と下層のトランジスタの配線の接続を、歩留まり良く形成された多層構造の半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

To provide a thin-film capacitor applied to a silicon integrated circuit device regarding a high dielectric capacitor, a manufacturing method for the high dielectric capacitor and a semiconductor storage device.例文帳に追加

高誘電体キャパシタ、高誘電体キャパシタの製造方法、及び、半導体記憶装置に関し、シリコン集積回路装置に適用可能な薄膜キャパシタを提供する。 - 特許庁

To provide a versatile method for manufacturing an integrated circuit by a flexible film formed by an extremely thin stress reducing dielectric material such as silicon dioxide and silicon nitride and a semiconductor layer.例文帳に追加

二酸化ケイ素や窒化ケイ素など非常に薄い低応力誘電体材料と半導体層とで形成された可とう性の膜で集積回路（２４、２６、２８、．．．３０）を製造する汎用手法を提供する。 - 特許庁

To provide a cleaning technology for reducing adhesion of impurities to a silicon layer in a technology for fabricating a semiconductor device having an integrated circuit of thin film transistor formed on a substrate.例文帳に追加

基板上に薄膜トランジスタを用いた集積回路を有する半導体装置の製造方法に関する技術に関して、シリコン層への不純物の付着量を減少させる洗浄技術を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a nanostructured integrated circuit including a nanostructured element, and a thin-film transistor (TFT) formed along the nanostructured element and a capacitor.例文帳に追加

ナノ構造エレメントと、ナノ構造エレメントに沿って形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）およびキャパシタとを含むナノ構造集積回路の提供。 - 特許庁

THIN-FILM PHASE-CHANGE MEMORY CELL FORMED ON SILICON-ON-INSULATOR SUBSTRATE, METHOD FOR FORMING THE SAME, AND INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING ONE OR MORE MEMORY CELL例文帳に追加

シリコン・オン・インシュレータ基板上に形成された薄膜相変化メモリ・セル、その形成方法、および１つ以上のメモリ・セルを含む集積回路 - 特許庁

To provide a new dielectric thin film which can realize a highly stable dielectric/semiconductor structure, to provide a new ferroelectric memory, and to provide a new integrated circuit.例文帳に追加

高安定な誘電体／半導体構造を実現することのできる新しい誘電体薄膜、ならびに新しい強誘電体メモリおよび集積回路を提供する。 - 特許庁

To provide a shape memory alloy thin film driving type breaker in which downsizing can be carried out easily, and an overcurrent against a semiconductor integrated circuit is prevented, and in which operating reliability is superior.例文帳に追加

小型化が容易にでき半導体集積回路に対する過電流を防止して動作信頼性に優れた形状記憶合金薄膜駆動型ブレーカを提供する。 - 特許庁

The interposer includes a plurality of metallized vias electrically connected with one of the electrodes of the thin-film dielectric capacitor; the vias 314, 316 and 318 for transmitting an electric power, ground and signal to the ceamic substrate 305 and the integrated circuit.例文帳に追加

薄膜誘電体コンデンサのどちらかの電極に電気接続する複数のメタライズ・ビアと、セラミック基板３０５と集積回路の間に電力、接地、信号を伝えるビア３１４，３１６，３１８とを含む。 - 特許庁

The electronic apparatus provides a solar battery 10, an electric double layer capacitor 30 using an aqueous electrolyte solution charged by the solar battery 10 and an integrated circuit 20 constructed as a silicon thin film on an insulation layer.例文帳に追加

電子機器は、１段の太陽電池１０と、太陽電池１０で充電される水系電解液を用いた電気二重層キャパシタ３０と、絶縁層上シリコン薄膜構造の集積回路２０とを備える。 - 特許庁

(b) A process for applying the wiring groove where the metal thin film is formed with application liquid for forming integrated circuit, which comprises a conductive minute particle forming component and/or the conductive minute particles.例文帳に追加

（ｂ）ついで、超音波を照射しながら、金属薄膜を形成した配線溝に、導電性微粒子形成成分および／または導電性微粒子を含んでなる集積回路形成用塗布液を塗布する工程。 - 特許庁

To provide a reactor having a characteristic of a low temperature growth thin film, in which photoelectric elements and electronic elements of various kinds are improved and quality of an integrated circuit element is improved.例文帳に追加

低温成長薄膜の特性を備え、様々な種類の光電素子及び電子素子を改善し、集積回路素子の品質を改善することができる反応装置を提供する。 - 特許庁

On a substrate, solder thin-film patterns 104-1 to 104-8 are formed, and then these patterns are laminated by cold bonding on an electrode pad 204 of an integrated circuit chip 203 to form a solder bump 105 consisting of a laminated structure.例文帳に追加

基板上にはんだ薄膜パターン１０４-1〜１０４-8を形成し、これらを集積回路チップ２０３の電極パッド２０４上に常温接合により積層して積層構造体からなるはんだバンプ１０５を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method requiring no high-temperature heat treatment, with respect to a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit, which couples a semiconductor wafer and a dielectric substrate and forms a semiconductor thin-film layer on the insulating substrate.例文帳に追加

半導体ウエハと絶縁基板とを結合させ、絶縁基板に半導体薄膜層を形成する半導体集積回路の製造方法において、高温熱処理を必要としない製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin-film capacitor which is suitably used, even for a small integrated circuit, superior in crystallininty, restrained from deteriorating in resistance, and stable in characteristics.例文帳に追加

小型の集積回路にも好適に使用することができ、結晶性が良好で抵抗劣化の抑制された、安定した特性を有する薄膜キャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, there is provided the region producing no space after the removal of the stripping layer, and thereby, the scattering of the thin film integrated circuit after the removal of the stripping layer is prevented.例文帳に追加

このように、剥離層を除去した後に、空間が生じない領域を設けることにより、剥離層を除去した後の薄膜集積回路の飛散を防止する。 - 特許庁

To provide an inspection data analysis method and an information system therefor for estimating sources of defects of products such as an integrated circuit, a liquid crystal display device, an optical transceiver, and a thin film magnetic head manufactured via a great number of steps.例文帳に追加

集積回路、液晶ディスプレイ、光トランシーバ、薄膜磁気ヘッドなど多数の工程を経て形成される製造物の不良の発生源を推定するのための検査データ解析方法やその情報システムを提供する。 - 特許庁

To provide an active matrix liquid crystal display integrating the peripheral drive circuit and balanced as a whole in which thin film transistors having different characteristics can be integrated on the same substrate without increasing the process.例文帳に追加

本発明は、同一基板上に同時に異なるＬＤＤ構造を有する生産性の高いＴＦＴの作製方法およびその構造を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a thin film element, that can obtain a specific characteristic in a high-frequency band by reducing a parasitic inductance caused by a right-handed magnetic filed, and to provide an integrated circuit using the element.例文帳に追加

右ネジ磁界による寄生インダクタンスを小さくして、高周波帯においても規定の特性が得られる薄膜素子、及びこの薄膜素子を用いた集積回路を提供する。 - 特許庁

A semiconductor substrate provided with an integrated circuit such as an LSI is polished by CMP or the like, and the semiconductor substrate is made into a thin film by forming an embrittlement layer in the semiconductor substrate and separating a part of the semiconductor substrate.例文帳に追加

また、三次元半導体集積回路において、ＬＳＩチップをより薄型化して積層することで集積密度を向上させることが可能な技術を提供する。 - 特許庁

To fabricate a thin film transistor for use in liquid crystal display LCD or memory integrated circuit having a large area and good characteristics at low cost, and to provide a fabrication method thereof.例文帳に追加

液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）やメモリ集積回路に利用される薄膜トランジスタを、大面積低コストで、且つ特性の良いものを得ると共に、その製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an acoustic resonator which is connected to a support of an integrated circuit, of which an architecture has minimum coarseness, and which can be made into thin film formation step of adjusting a resonant frequency.例文帳に追加

集積回路の支持部に接続され、そのアーキテクチャは最小限度の粗さをもち、共振周波数を調整する薄膜化ステップを可能ならしめるような音響共振器を提供する。 - 特許庁

An integrated circuit chip 200 is equipped with a metal network composed of electric power distributing lines 251 and 252 each of which has at least 10 times as large thermal conductivity as thin film electric interconnecting bodies located below.例文帳に追加

集積回路チップ２００は、下にある薄膜電気的相互接続体２０４ａ〜２０４ｎよりも少なくとも１桁大きい熱コンダクタンスを有する電力分配線路２５１、２５２の金属ネットワークを有する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the semiconductor integrated circuit device, a thin-film sheet (first sheet) 2 has a contact terminal formation face having a plurality of contactors (contact terminals) 3 formed thereon, and a rear face 2b positioned on a side opposite to the contact terminal formation face.例文帳に追加

薄膜シート（第１シート）２は、複数のコンタクタ（接触端子）３が形成された接触端子形成面、および接触端子形成面の反対側に位置する裏面２ｂを有する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the semiconductor integrated circuit device, a thin-film sheet (first sheet) 2 has a main face (contact terminal formation face) 2a having a plurality of contactors (contact terminals) 3 formed thereon, and a rear face 2b positioned on a side opposite to the main face 2a.例文帳に追加

薄膜シート（第１シート）２は、複数のコンタクタ（接触端子）３が形成された主面（接触端子形成面）２ａ、および主面２ａの反対側に位置する裏面２ｂを有する。 - 特許庁

To provide a glass substrate for an integrated circuit including a thin film transistor(TFT) whose contraction by heat treatment is suppressed.例文帳に追加

ガラス等の絶縁基板上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等の集積回路が作製されるが、熱処理時の基板の収縮を抑制したガラス基板を提供する。 - 特許庁

To solve a problem that a semiconductor integrated circuit device has a tendency to enlarge a leak current because of a thin gate oxide film, a low threshold voltage and the like and power consumption is increased by the leak current in recent years.例文帳に追加

近年、半導体集積回路装置は、薄いゲート酸化膜および低い閾値電圧等によりリーク電流が大きくなる傾向にあり、このリーク電流による消費電力の増大が問題になって来ている。 - 特許庁