「thin layers」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

An island-shaped semiconductor layer 200 is formed over an insulator 100 having openings, and the island-shaped semiconductor layer includes embedded semiconductor layers (region 211, region 212) and a thin film semiconductor layer (region 213).例文帳に追加

開口部を有する絶縁物１００の上に配置された島状半導体層２００を有し、前記島状半導体層は埋込半導体層（領域２１１、領域２１２）と薄膜半導体層（領域２１３）とを有する。 - 特許庁

Load resistances of invertors 58 and 60 are formed with polycrystal polysilicon, and composed of P-channel thin film transistor 582 and 602 which can be formed on upper layers of N-channel MOS transistor 584 and 604 that are bulk transistors, respectively.例文帳に追加

インバータ５８，６０の各々の負荷抵抗は、多結晶ポリシリコンで形成され、バルクのトランジスタであるＮチャネルＭＯＳトランジスタ５８４，６０４の上層に形成可能なＰチャネル薄膜トランジスタ５８２，６０２によってそれぞれ構成される。 - 特許庁

The phosphor screen region where electron beams 6 are intervened by the damper wire 14 is covered with the metal thin film 20 and is to be hollow parts 21 with the phosphor layers 19 lacking.例文帳に追加

このカラー陰極線管の動作時に、前記蛍光面３における前記ダンパー線１４により電子ビーム６が妨げられる蛍光面領域は、前記金属薄膜２０で覆われ蛍光体層１９の欠如した空洞部２１とされている。 - 特許庁

At least one layer, or a plurality of layers when necessary, of an ultra-thin oxide layer is formed on the nano-structured hyper-fine raw material, and an electron-resistant beam is imparted to conduct precise discrimination for the nano- structured hyper-fine raw material.例文帳に追加

ナノ構造超微細素材に超薄膜酸化物層を少くとも１層、必要に応じて複層形成し、耐電子線を付与することにより、ナノ構造超微細素材のより精密な検査識別を行おうとするものである。 - 特許庁

In this case, a plurality of thin layer dividing grooves 112 are provided on the upper blades 111 of a first cutting-off portion 110 such that electrically conductive layers 12 to be stuck to the thread-like burrs produced by the blades can be divided at a required interval.例文帳に追加

このとき、刃物によって生じる糸バリに付着する電気伝導性層１２を一定の間隔で分断可能なように、第１の切断部１１０の上刃１１１に、複数の薄膜分断溝１１２を設けた。 - 特許庁

The thin film 5D containing Si simultaneously supplies NH_3 and SiH_4 to a reactor, which grows on the irregular surface of the first GaN layer 5C at a growth temperature of 1,050°C to a thickness of approximately one to several atom layers.例文帳に追加

Ｓｉを含む薄膜５Ｄは、リアクタにＮＨ_3を供給しながらＳｉＨ_4を供給し、１０５０℃の成長温度で第１のＧａＮ層５Ｃの凸凹表面に１原子層〜数原子層程度の厚さとなるように成長させる。 - 特許庁

A novel method for releasably coating an organic substrate being reflectably coated, by the thin layer coating with one or plural layers is disclosed, in order to immediately form a flake when it is removed from the reflective substrate.例文帳に追加

反射性の基板から除去されたとき直ちにフレークを形成するために、反射性のコーティングされた有機基板を、１つまたは複数の層を有する薄膜コーティングによって、リリース可能にコーティングする新規な方法を開示する。 - 特許庁

The four conductors are each composed of two conductive layers 4a and 4b facing to each other, and each having a radially comb-shaped center part and both circumferential comb-shaped ends, and a thin part 7 is formed in the circumferential part of the cap body 5.例文帳に追加

４つの導電体は、中央部が径方向の櫛形、両端部が周方向の櫛形の互いに対向する２つの導電層４ａ、４ｂで構成し、キャップ状体５の外周部には、肉薄部７を形成する。 - 特許庁

The composite sheet is composed of a base sheet 1, which is formed by laminating metal thin layers 1b and 1b on both top and bottom of a base material 1a made of a synthetic resin, and a decorative layer 2 of a synthetic resin laminated on at least one side of the base sheet 1.例文帳に追加

合成樹脂よりなる基材１ａの表裏に金属の薄層１ｂ，１ｂを積層して基板１を形成し、この基板１の少なくとも片面に合成樹脂の化粧層２を積層して複合板を構成する。 - 特許庁

The blade member 35 interposed between a mounting plate 34 constructed of layers of thin plates and a holding member 38 is fixed to a blade holding part 31 with a screw 40, the blade holding part 31 being disposed in an upper part of the opening 30 of the device frame 21.例文帳に追加

前記装置フレーム２１の開口部３０の上部に設けるブレード保持部３１に対して、複数枚の薄い板を重ねた取付板３４と保持部材３８の間にブレード部材３５を挟持してネジ４０により固定する。 - 特許庁

Then, a high refractive index variation layer part 25 where the refractive index of the layer 21 is set to be lower than other layers 21 on both sides adjacent via the layer 20 is inserted in thin film 19.例文帳に追加

また、この薄膜１９には、高屈折率層２１の屈折率が低屈折率層２０を介して隣接する両側の他の高屈折率層２１よりも低く設定された高屈折率変動層部２５が挿入されている構成とした。 - 特許庁

To provide a laser machining apparatus for manufacturing a thin film solar cell that forms a plurality of machining lines in each of a plurality of layers formed on a substrate without reducing manufacturing efficiency, at predetermined intervals, and without any overlap.例文帳に追加

基板上に形成される複数の層のそれぞれに、製造効率を落とさずに複数の加工ラインが所定の間隔で且つ相互に重ならずに形成可能な薄膜太陽電池製造用のレーザ加工装置を提供する。 - 特許庁

Load resistors of inverters 58 and 60 are made of polycrystal polysilicon, and composed of P-channel thin film transistors 582 and 602 which can be formed on the upper layers of N-channel MOS transistors 584 and 604 as bulk transistors, respectively.例文帳に追加

インバータ５８，６０の各々の負荷抵抗は、多結晶ポリシリコンで形成され、バルクのトランジスタであるＮチャネルＭＯＳトランジスタ５８４，６０４の上層に形成可能なＰチャネル薄膜トランジスタ５８２，６０２によってそれぞれ構成される。 - 特許庁

Prior to the epitaxial growth of an InN thin film on a GaN buffer layer, an In metal with a thickness of approximately one or two molecule layers (ML) is supplied to the GaN buffer layer surface while a plasma source of nitrogen is not supplied.例文帳に追加

ＩｎＮ薄膜をＧａＮバッファ層上にエピタキシャル成長するに先立ち、ＧａＮバッファ層表面上に窒素のプラズマソースの供給がない状態で約１分子層−２分子層（ＭＬ）の厚さのＩｎ金属を供給する。 - 特許庁

Similarly, a third alloy layer 3c, a fourth alloy layer 3d, and a fifth alloy layer 3e are laminated to form the Au-Sn alloy laminate solder 3 of the thickness d consisting of fiver thin film alloy layers (d1+d2+d3+d4+d5).例文帳に追加

以下同様にして順番に第３次合金層３ｃ、第４次合金層３ｄ及び第５次合金層３ｅを積層して５層（ｄ１＋ｄ２＋ｄ３＋ｄ４＋ｄ５）の薄膜合金層から成る厚さｄのＡｕ−Ｓｎ合金積層ハンダ３を形成する。 - 特許庁

A thin type module board is constituted by adhering a build-up board 1 of any layer stack via structure of four layers in which an insulating layer 3 composes of a prepreg and circuit patterns 2a, 2b, 2c, 2d are alternately laminated to a both-face flexible board 4.例文帳に追加

プリプレグからなる絶縁層３と回路パターン２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄが交互に積層された４層のエニーレイヤースタックビア構造のビルドアップ基板１と両面フレキシブル基板４を貼り合わせて薄型モジュール基板を構成した。 - 特許庁

The stretched film having isolated voids is a stretched film obtained by subjecting a stretched film to an isolated void forming processing, characterized in that the isolated voids are formed by thin piece layers maintaining the characteristics of the stretched film.例文帳に追加

独立空隙を有する延伸フィルムは、延伸フィルムの状態から独立空隙形成加工して得られる延伸フィルムであって、該独立空隙が延伸フィルム特性を保持した薄片層により形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

Since the fibrillation and orientation of the liquid crystal resin of each of the thin layers 11 which form the base material layer 1 are caused in the whole of the thickness direction of the resin molded product and the coefficient of linear expansion is reduced sufficiently, the coefficient of linear expansion of the resin molded product is reduced.例文帳に追加

基材層１を形成する各薄層１１の液晶樹脂の繊維化と配向が厚さ方向全体に生じて線膨張率が十分に低下しているため、樹脂成形体の線膨張率が小さくなる。 - 特許庁

A hard coating layer 12 is formed directly or with other layers interposed on one or both surfaces of a transparent base body 11, and a surface layer which is extremely thin and has a lower refractive index than the refractive index of the hard coating layer 12 is formed on the surface of the hard coating layer 12.例文帳に追加

透明基体の片面もしくは両面に、直接または他の層を介して、ハードコート層を設け、このハードコート層の表面にハードコート層の屈折率よりも低い屈折率を有する表面層を設ける。 - 特許庁

A zinc oxide nano thin film layer 5 which generates local near-field optical action by overlying light-transmissive multilayer thin film layers 4, 6 generates the local near-field optical action on a light-transmissive substrate 2 having the pit spot 1 by the action of condensing beams, is mutually worked and coupled with the pit spot 1 on the light-transmissive substrate 2.例文帳に追加

ピットスポット１を有する透光基板２上に、透光の多層薄膜層４，６を覆って、局部近接場光学作用を発生する酸化亜鉛ナノ薄膜層５が、ビームを集光する作用により、局部の近接場光学作用を発生して、近接場距離内で、透光基板２上のピットスポット１アと互いに作用やカップリングする。 - 特許庁

The obscure gas barrier film is characterized by giving a thin film layer of inorganic oxide to at least one side surface of white polymer film with total light line reflectance of ≥70% and further by preparing at least more than one kind of protective layers comprising metal alkoxide, or its hydrolysate on a thin film layer of the inorganic oxide.例文帳に追加

全光線反射率が７０％以上の白色高分子フィルムの少なくとも一方の面に無機酸化物の薄膜層を施すこと、更には、前記無機酸化物の薄膜層の上に少なくとも一種以上の金属アルコキシド或いはその加水分解物からなる保護層を設けることを特徴とする隠蔽性ガスバリアフィルムである。 - 特許庁

In the thin film magnetic head in which the element part including at least either of a reproducing element and a recording element and a heating body projecting the element part to the recording medium side by thermal expansion by heating electrically, the heating body is provided at the height direction interior side of the element part piercing a plurality of layers constituting the thin film magnetic head.例文帳に追加

再生素子及び記録素子の少なくとも一方を含む素子部と、通電により発熱して前記素子部を熱膨張により記録媒体側へ突出させる発熱体とを薄膜形成した薄膜磁気ヘッドにおいて、上記発熱体を、素子部のハイト方向奥側に、該薄膜磁気ヘッドを構成する複数の層を貫いて設けた。 - 特許庁

In this case, upper layer connection wiring 49, 52, 55 and 58 for connecting the bottom gate electrode 9, source/drain electrodes 10 and top gate electrode 8 of the thin-film transistor 3 to the source/drain electrodes of the thin-film transistors 21 and 22 which are connected to conductive layers 35 and 36 are provided on the interlayer insulating film 40 covering the top gate electrode 8.例文帳に追加

この場合、薄膜トランジスタ３のボトムゲート電極９、ソース・ドレイン電極１０及びトップゲート電極８と薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極に接続される導電体層３５、３６とを接続するための上層接続配線４９、５２、５５、５８は、トップゲート電極８を覆う層間絶縁膜４０上に設けられている。 - 特許庁

A ground conductor 6 is arranged on each side of a signal conductor 5 on the same plane, both of the conductors 5, 6 are coated with electric insulation thin films 7 from top and bottom, and the insulation thin films are coated with metal shielding layers 11 from top and bottom to structure a signal transmission cable 4.例文帳に追加

信号導体５の両側に、信号導体５と同一平面上に接地導体６を配置し、これら信号導体５および接地導体６を上下双方向から電気絶縁薄膜７で被覆し、電気絶縁薄膜７を上下双方向から金属遮蔽層１１で被覆することにより信号伝送用ケーブル４が構成される。 - 特許庁

The semiconductor substrate has an insulating film 15 formed on the semiconductor substrate 1 across other layers 3 and 5, the metal thin-film resistor 21 formed on the insulating film 15, and a laser light transmission preventive film 13 which is arranged between the semiconductor substrate 1 and insulating film 15 in an area below the metal thin-film resistor 21 and made of a metal material.例文帳に追加

半導体基板１上に他の層３，５を介して形成された絶縁膜１５と、絶縁膜１５上に形成された金属薄膜抵抗体２１と、金属薄膜抵抗体２１下の領域で半導体基板１と絶縁膜１５の間に配置された金属材料からなるレーザ光透過防止膜１３を備えている。 - 特許庁

An image display system includes a substrate layer having a first region and a second region, a thin-film transistor for switching containing a first polysilicon layer formed in the first region of the substrate layer, a thin-film transistor for driving containing a second polysilicon layer formed in the second region of the substrate layer, a heat sink layer, and a separation layer which is present between the above layers.例文帳に追加

表示装置において、第１領域と第２領域を有する基板層と、基板層の第１領域に形成された第１多結晶シリコン層を含むスイッチ用薄膜トランジスタと、基板層の第２領域に形成された第２多結晶シリコン層、ヒートシンク層及びその間にある隔離層を含む駆動用薄膜トランジスタとを有する。 - 特許庁

The conductive laminate 1 comprises a base material 2, a conductive functional layer 5 in which high refractive index transparent thin film layers 11, 13 and a metal thin film layer 12 are alternately disposed and an antifouling layer 7, wherein the antifouling layer 7 is a layer obtained from a fluorine-containing silicone compound having two or more silicon atoms connected with reactive functional groups.例文帳に追加

基材２と、高屈折率透明薄膜層１１、１３および金属薄膜層１２が交互に設けられた導電性機能層５と、防汚層７とを有する導電性積層体１であって、防汚層７を、反応性官能基と結合している珪素原子を２つ以上有するフッ素含有珪素化合物から得られた層とする。 - 特許庁

A method of forming an electronic device of thin layers on a flexible board includes the steps of: stacking a buffer layer on the flexible board; heating a stack of the board and the buffer layer to a temperature at which the buffer layer is plastically deformed; cooling the stack; and forming the thin-film electronic device on the plastically deformed buffer layer without further plastically deforming the buffer layer.例文帳に追加

フレキシブル基板の上に薄膜層の電子デバイスを形成する方法は、フレキシブル基板の上にバッファ層を堆積させ、基板とバッファ層のスタックをバッファ層の塑性変形が起こる温度まで加熱し、スタックを冷却し、バッファ層をさらに塑性変形させずに、薄膜電子デバイスを塑性変形したバッファ層の上に形成することを含む。 - 特許庁

In the antireflection film, formed by laminating one or more layers of metal oxide thin films on a base material film, at least one metal oxide thin-film layer formed by bringing a gaseous component, composed of a metal compound having hydrolyzability into reaction with the moisture vapor generated from the base material film is used.例文帳に追加

基材フィルム上に１層以上の金属酸化物薄膜が積層されてなる反射防止フィルムにおいて、金属酸化物薄膜層のうち少なくとも１層に、加水分解性を有する金属化合物からなるガス成分を、基材フィルムから発生する水蒸気と反応させることにより形成された金属酸化物薄膜層を用いる。 - 特許庁

To excellently embed a thin film into a recess formed on the surface of a substrate in forming the thin film by sequentially supplying at least two kinds of reactant gases reacting with each other in a vacuum chamber to the surface of the substrate on a rotation table and executing this supply cycle to laminate layers of a reaction product.例文帳に追加

真空容器内にて互いに反応する少なくとも２種類の反応ガスを順番に回転テーブル上の基板の表面に供給しかつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を積層して薄膜を形成するにあたり、基板の表面に形成された凹部内に薄膜を良好に埋め込むこと。 - 特許庁

A magnetoresistance effect laminated film is formed by laminating a ferromagnetic thin film containing at least one or more kinds of metals selected from among transition metals of iron, cobalt, and nickel and an alloy thin film containing manganese and platinum upon another and the crystal structure of the alloy thin film becomes cubic near the boundary between the laminated layers and tetragonal at a distant portion from the boundary.例文帳に追加

本発明の磁気抵抗効果積層膜は、鉄、コバルトおよびニッケルの遷移金属から選ばれる少なくとも１種類以上を含む強磁性薄膜と、マンガンおよび白金を成分とする合金薄膜を積層した構造を有する磁気抵抗効果積層膜であって、前記合金薄膜の結晶構造が積層界面の近傍で立方晶系であり、積層界面から離れた部分で正方晶系になっていることを特徴とする。 - 特許庁

Film deposition is performed by regulating the positional relationship between a target 1 and a substrate as an object of GMR film deposition provided to the position facing the target 1 in such a way as to locate them in the optimum positions according to the kind of film deposition materials to attain the characteristics required of respective thin film layers.例文帳に追加

ターゲット１とそれに対向する位置に配設されるＧＭＲ膜被形成基板との位置関係を、成膜する材料の種類により最適な位置に配設して成膜することで、各薄膜層に要求される特性を実現する。 - 特許庁

In the inspection method, the thin film magnetic head 10 is prepared, which includes magnetoresistive effect films having a free layer 40 whose magnetization direction is varied in response to an external magnetic field and ferromagnetic layers 51 and 52 for applying a bias magnetic field to the free layer.例文帳に追加

本発明の検査方法では、外部磁界に応じて磁化方向が変化するフリー層４０及び該フリー層にバイアス磁界を印加するための強磁性層５１，５２を有する磁気抵抗効果膜を備えた薄膜磁気ヘッド１０を準備する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display wherein the defect of a counter short circuit of a gate electrode part, a source electrode part and a thin film transistor electrode part of a first glass substrate to transparent conductive film layers of a second glass substrate is suppressed and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

第１ガラス基板のゲート電極部、ソース電極部、薄膜トランジスタ電極部と、第２ガラス基板の透明導電膜層との対向ショートの欠陥不良を抑制した液晶表示装置、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Infrared rays are projected on a semiconductor wafer EPW in which the plurality of thin film layers E1, E2 having dopant concentrations different from each other are formed on the substrate S, and the creation of interferogram based on the measurement of reflecting light is carried out more than one time.例文帳に追加

基板Ｓ上に互いにドーパント濃度の異なる複数層の薄膜Ｅ１，Ｅ２が形成された半導体ウェーハＥＰＷに対し赤外線を照射し、この反射光の測定に基づくインターフェログラムの生成を複数回行う。 - 特許庁

To provide a capillary for a wire bonding device which can be effectively applied to the wiring bonding process of a plurality of pad layers and a Low-K package, that is, a package where the thickness of the layer of a metal oxide is extremely thin, and a low resistance value is shown.例文帳に追加

複数のパッド層及びＬｏｗ−Ｋパッケージ，即ち金属酸化物のレイヤー層の厚さが非常に薄く，低い抵抗値を示すパッケージなどのワイヤボンディング工程に効果的に適用できる，ワイヤボンディング装置用キャピラリを提供する。 - 特許庁

In a color wheel body 24, periodic dielectric layers A, B (the total number of units is X), and C (the total number of units is Y) formed by repeatedly laminating a dielectric thin film composed of a low-refractive index layer 21 and a high-refractive index layer 22 as a unit are provided on both sides of a phosphor layer 23.例文帳に追加

カラーホイール本体２４に蛍光体層２３の両側に、低屈折率層２１、高屈折率層２２の誘電体薄膜を単位として、繰り返して積層される周期的誘電体層Ａ、Ｂ（総数Ｘ）、Ｃ（総数Ｙ）を設ける。 - 特許庁

A circuit board 10 has: a thin sheet-like board 1; electromagnetic wave absorbing layer 2a and 2b disposed respectively on both surfaces of the board 1; and circuit wiring 3a and 3b formed by direct printing on the surfaces of the electromagnetic wave absorbing layers 2a and 2b.例文帳に追加

回路基板１０は、薄い板状の基板１と、基板１の両面にそれぞれ設けられた電磁波吸収層２ａ、２ｂと、電磁波吸収層２ａ、２ｂの面に直接印刷によって形成された回路配線３ａ、３ｂと、を有する。 - 特許庁

Therefore, even when contact layers 12 formed on the side faces of the slits 4 have thin thicknesses, the erosion of a semiconductor substrate 1 by a metal halide gas can be prevented in a succeeding process of forming a buried metallic layer 13.例文帳に追加

したがって、スリット４側面に形成される密着層１２の膜厚が薄い場合であっても、後工程の埋め込み金属層１３の形成工程における、金属ハロゲン化物ガスによる半導体基体１の侵食部の発生が防止される。 - 特許庁

To provide a thin-film capacitor having a structure that can prevent vertical stress acting on outer connecting terminals, such as bumps, from concentrating on electrode layers and can easily increase the equivalent series resistance to a desired value, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

バンプ等の外部接続端子に働く鉛直方向の応力が電極層に集中しない構造を有するとともに、等価直列抵抗を所望の値に増加させることが容易な薄膜キャパシタとその製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent flickers and longitudinal or transversal lines generated as a result of differences in charge capacity of thin film transistors of adjacent pixels due to the deviation of alignment between respective layers during TFT array production in a liquid crystal panel which drives a pseudo dot inversely.例文帳に追加

疑似ドット反転駆動を行なう液晶パネルにおいて、ＴＦＴアレイ製作時の各層間のアライメントのずれに起因して隣接画素の薄膜トランジスタの充電能力に差異が生じ、その結果発生するフリッカや縦横のすじを防止する。 - 特許庁

A carbon distribution curve of at least one layer of the thin film layers is substantially continuous and has at least one extreme, in which an absolute value difference between the maximum and minimum of the carbon atomic ratio is 5 atom% or more.例文帳に追加

薄膜層の少なくとも１層の炭素分布曲線は、実質的に連続であること、少なくとも１つの極値を有すること、及び炭素の原子比の最大値及び最小値の差の絶対値が５ａｔ％以上であること、を全て満たす。 - 特許庁

The Al alloy film 19 and a wiring layer 20 forming one electrode of the capacitor β can be formed at the same time by the same step as the formation step of wiring layers 18a and 18b constituting the lead wire of the thin-film resistance α.例文帳に追加

キャパシタ素子βの一方の電極を構成するＡｌ合金膜１９と配線層２０とは、薄膜抵抗素子αのリード線を構成する各配線層１８ａ，１８ｂの形成工程と同一工程で同時に形成することができる。 - 特許庁

To provide a display capable of reducing stress generated between layers including a thin-film transistor using an organic semiconductor layer and a pixel electrode, thereby preventing deterioration of transistor characteristics to improve display characteristics and reliability.例文帳に追加

有機半導体層を用いた薄膜トランジスタと画素電極とを含む層間に発生する応力を緩和することが可能で、これによりトランジスタ特性の劣化を防止して、表示特性および信頼性の向上が図られた表示装置を提供する。 - 特許庁

A groove 31 with thin and thick resist layers is formed on a photoresist 3, and then a deposition component is supplied from a resist by increasing a surface area of the resist on a wafer to enable the aluminum alloy to be etched with the stable wiring width and configuration.例文帳に追加

フォトレジスト３にレジストが薄い部分と厚い部分からなるレジストの溝３１を形成し、ウエハ上のレジスト表面積を増やすことで、デポジション成分をレジストから供給し、配線幅や形状が安定したアルミ合金のエッチングを提供する。 - 特許庁