「thin- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(52ページ目) - Weblio英語例文検索

In other words, the toner carrying roller 2 has a five-layer structure of the roller base material 9, the inner electrode 3a (metallic thin-walled tube 10), the insulator layer 5, the outer electrode 4a, and the surface layer 6 in order from the inner circumferential side.例文帳に追加

すなわち、トナー担持ローラ２は、内周側からこの順に、ローラ基材９、内側電極３ａ（金属薄肉管１０）、絶縁層５、外側電極４ａ、表層６の５層構造となっている。 - 特許庁

The function layers comprise a titan oxide thin film 3 as an n-type semiconductor layer, and a friction transferring film (organic semiconductor layer) 4 of PPV as a p-type semiconductor layer which is pressure bonded and swept on the surface of the titan oxide film.例文帳に追加

機能層は、ｎ型半導体層としてチタン酸化物薄膜３と、その表面に圧着掃引したｐ型半導体層としてのPPVの摩擦転写膜（有機半導体層）４とから構成される。 - 特許庁

To provide: a photoelectric conversion element that is provided with a stress-relieving layer on an insulating layer to suppress peeling of a layer constituting the photoelectric conversion element; a thin film solar cell; and a method of manufacturing the photoelectric conversion element.例文帳に追加

絶縁層上に応力緩和層を設け、光電変換素子を構成する層の剥離を抑制した光電変換素子、薄膜太陽電池および光電変換素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The display device uses the organic light-emitting device, wherein the metallic reflection film, the metal fluoride thin film, the first transparent conductive layer, the luminous layer, the second transparent conductive layer and the substrate are laminated sequentially.例文帳に追加

また、金属反射膜と、フッ素化金属薄膜と、第一の透明導電膜と、発光層と、第二の透明導電膜と、基板と、を順次積層した有機発光素子を用いた表示装置とする。 - 特許庁

This original plate is formed by providing a thin metal oxide film hydrophilic layer and a water-soluble over-coating layer including photothermal converting agent on an ink accepting layer having a thermoplastic or a heat decomposable surface in the order named.例文帳に追加

熱可塑性または熱分解性表面を有するインク受容層上に、金属酸化物薄膜親水層、及び光熱変換剤を含有する水溶性オーバーコート層を順次設けてなる。 - 特許庁

The ball 10 has a relatively large solid inner core 12, with at least one solid outer core layer 16 surrounding the inner core 12, and a thin cover layer 18 surrounding the outer core layer 16.例文帳に追加

ボール１０は比較的大きなソリッドの内側コア１２と、内側コア１２を包囲する、少なくとも１つのソリッドの外側コア層１６と、外側コア層１６を包囲する薄いカバー１８とを具備する。 - 特許庁

The thin-film resonator 10 is such that n layers (n is a natural number of 3 or above) of piezoelectric layers (first piezoelectric layer 111, second piezoelectric layer 112, third piezoelectric layer...) are provided between a first electrode 121 and a second electrode 122.例文帳に追加

薄膜共振子１０は、第１電極１２１と第２電極１２２の間にn層（nは3以上の自然数）の圧電体層（第１圧電体層１１１、第２圧電体層１１２、第３圧電体層. - 特許庁

The original plate for lithographic printing comprises a hydrophilic photosensitive layer containing a hydrophilic photothermal conversion agent in itself or at least on its surface on a base plate, and a hydrophobic thin layer provided as an upper layer.例文帳に追加

それ自体又は少なくとも表面が親水性の光熱変換剤を含有する親水性の感光層を基板上に設け、さらに疎水性の薄層を上層として設けた平版印刷用原板。 - 特許庁

By this thin-film magnetic head, the change of a sectional area is reduced in the flow path of a magnetic flux by virtue of the multilayer structure of the magnetic pole body layer, the intermediate magnetic layer, and the tip magnetic layer.例文帳に追加

こうした薄膜磁気ヘッドによれば、磁極本体層並びに中間磁性層および先端磁性層の積層構造の働きで磁束の流通路では断面積の変化は緩和される。 - 特許庁

The display device uses the organic light-emitting device wherein a substrate, the metallic reflection film, the metal fluoride thin film, the first transparent conductive layer, the luminous layer and the second transparent conductive layer are laminated sequentially.例文帳に追加

また、基板と、金属反射膜と、フッ素化金属薄膜と、第一の透明導電膜と、発光層と、第二の透明導電膜と、を順次積層した有機発光素子を用いた表示装置とする。 - 特許庁

The cushioning sheet 1 is constituted of a cushioning layer 2 comprising thick-walled sponge rubber, and an attaching layer 4 attached to the hot panel of a press machine comprising thin-walled solid rubber adhesion-integrated on one face of the cushioning layer.例文帳に追加

緩衝シート１を、厚肉スポンジゴムからなるクッション層２と、このクッション層の片面に接着一体化した薄肉ソリッドゴムからなるプレス機の熱盤への取付層４とで構成する。 - 特許庁

Then, after the resist film 12 is removed and an insulation layer 20 for covering the interconnection layer 18 is formed, the metal thin plate 10 is removed to expose the bump 18c and the interconnection layer 18.例文帳に追加

さらに、レジスト膜１２を除去し、配線層１８を覆う絶縁層２０を形成した後に、金属薄板１０を除去することによりバンプ１８ｃ及び配線層１８を露出させる。 - 特許庁

The film thickness of the nonmagnetic conductive layer 8b is made relatively thin, and the film thickness of either one or preferably both of a first wiring layer 11 or a second wiring layer 12 is made relatively thick.例文帳に追加

非磁性導電層８ｂの膜厚は，相対的に薄く，第１配線１１と第２配線１２とのうちの少なくとも一方，好ましくは両方の膜厚は，相対的に厚くされる。 - 特許庁

In another embodiment, a part of a field oxide layer 46 forming the lower layer of multi- thin film layers is functioned as the protection layer inside of the ink supply hole 26 and eliminated after the second etching is finished.例文帳に追加

別の実施形態では、多層の薄膜層のうち下層を形成するフィールド酸化物層(46)の一部が、インク供給穴(26)内の保護層として機能し、第２のエッチングが終わるとこれは除去される。 - 特許庁

Preferably, the thin-film solar cell 100 is further provided with a second transparent conductive layer 4 composed of a crystalline transparent conductive material between the first transparent conductive layer 3 and semiconductor layer 5.例文帳に追加

薄膜太陽電池１００は、好ましくは、第１の透明導電層３と半導体層５との間に結晶質の透明導電性材料からなる第２の透明導電層４をさらに備える。 - 特許庁

The semiconductor device includes: the channel protection layer 15 provided on a semiconductor layer 14 of a thin-film transistor TFT; and a carbon insulation film 16 provided between the source and drain electrodes 18 and an impurity semiconductor layer 17.例文帳に追加

薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層１４上に設けられるチャネル保護層１５と、ソース、ドレイン電極１８及び不純物半導体層１７との間に、カーボン絶縁膜１６が設けられている。 - 特許庁

In a step S1, a laser processing device removes a transparent electrode layer, a semiconductor layer, and a back electrode layer at the circumferential edge of the thin film solar cell panel, using a SHG laser beam and a fundamental wave laser beam.例文帳に追加

ステップＳ１において、レーザ加工装置は、SHGレーザ光および基本波レーザ光を用いて、薄膜太陽電池パネルの周縁の透明電極層、半導体層、裏面電極層を除去する。 - 特許庁

The dielectric layer has a double layer structure of nitride film and oxide film or a three layer structure of oxide film, nitride film and oxide film, or is formed of the other thin film of high dielectric constant, e.g. tantalum pentaoxide.例文帳に追加

この誘電層は窒素膜と酸化膜の二層構造とするか、或いは酸化膜・窒化膜・酸化膜の三層構造とするか、或いはその他の高誘電薄膜、例えば五酸化二タンタルで形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device using the SOI substrate, a P well diffusion layer or an N well diffusion layer is formed only in a body region being a lower part of a gate electrode in a semiconductor thin film layer.例文帳に追加

ＳＯＩ基板を用いた半導体装置において、半導体薄膜層のゲート電極下部に当たるボディ領域のみにＰウェル拡散層またはＮウェル拡散層を形成することを特徴とする。 - 特許庁

The layer 6 is formed as a very thin layer by coating and curing a low-viscosity coating liquid formed by dissolving an inorganic oxide-containing material in an organic solvent on the side of the layer 4.例文帳に追加

該保護層６は、無機酸化物を含む材料を有機溶媒に溶かした低粘度の塗布液を、陰極引出し層４の外側に塗布して乾燥させることにより、非常に薄い層として形成される。 - 特許庁

A layer comprising a polyvinyl alcohol/olefin-maleic anhydride copolymer = 10/90-9/10 (mass ratio) is provided on at least the single surface of a thermoplastic resin film, and the inorganic oxide thin film layer is further formed on this layer.例文帳に追加

熱可塑性樹脂フィルムの少なくとも片面に、ポリビニルアルコール/オレフィン-無水マレイン酸共重合体＝10/90〜90/10(質量分率)からなる層を有し、更にこの層の上に無機酸化物薄膜層を形成する。 - 特許庁

This film contains an adhesive layer on a substrate, made of transparent plastics and a mesh metal layer formed on that adhesive layer, and metal mesh thin lines whose sections are semicircles.例文帳に追加

透明プラスチック基材上に接着剤層を有し、その上にメッシュ状の金属層を形成しているものであって、該金属メッシュ細線の断面形状が半円型であることを特徴とする。 - 特許庁

A p/i interface layer 5 of amorphous silicon oxide having thickness of 1 to 8 nm is provided between a p-type semiconductor layer 6 comprising an amorphous thin film including a microcrystalline phase and an intrinsic i-type semiconductor layer 4.例文帳に追加

微結晶相を含む非晶質薄膜からなるｐ型半導体層６とｉ型半導体層４との間に、１〜８nmの厚さの非晶質シリコンオキサイドのｐ／ｉ界面層５を設ける。 - 特許庁

A wiring pattern 12 composed of a metal thin film 31 and a conductor layer 33 is formed on a base insulating layer BIL, and an electroless tin plating layer 34 is formed so as to coat the wiring pattern 12.例文帳に追加

ベース絶縁層ＢＩＬ上に金属薄膜３１および導体層３３からなる配線パターン１２を形成し、配線パターン１２を覆うように無電解錫めっき層３４を形成する。 - 特許庁

Consequently, a resist layer for forming an upside core layer 29 is formed thin with a constant thickness and the top end part of the upside core layer 29 is formed in a prescribed shape, and thus, this head can cope with the narrowing of the track.例文帳に追加

従って上部コア層２９形成のためのレジスト層を一定の厚さで薄く形成でき、上部コア層２９の先端部２９ａを所定形状で形成でき、狭トラック化に対応できる。 - 特許庁

The difference in the thicknesses between the thick part 22b and the thin part 22d substantially corresponds to the difference between the total thickness of the magneto-resistance element layer 24 and the total thickness of the hard magnetic material layer 26 and a terminal layer 28.例文帳に追加

厚肉部分２２ｂと薄肉部分２２ｄとの厚みの差は、磁気抵抗素子層２４の全体厚みと硬質磁性体層２６及び端子層２８の合計厚みとの差に実質的に相当する。 - 特許庁

The light reflection plate is constructed by arranging a particle mono-layer film formed by spreading the particles all over a substrate in the mono-particle layer state and fixed thereon and by laminating a metal thin film on the particle mono-layer film.例文帳に追加

光反射板は、基体上に、粉体を単粒子層の状態に敷き詰め固定した粉体単層皮膜を設け、その粉体単層皮膜上に金属薄膜を積層した構成からなる。 - 特許庁

In order to form a hole injection layer which is one of organic thin film layers forming an organic luminescent layer, a liquid organic luminescent layer material is applied from the opening part of a metal mask by a mask spray method.例文帳に追加

有機発光層を形成する有機薄膜層の一つである正孔注入層を形成するため、金属マスクの開口部から、液状の有機発光層材料をマスクスプレー法によって塗布する。 - 特許庁

Some examples include a recording medium with an exchange tuning layer inserted between a hard layer and a soft, semi-soft or thin semi-hard layer so as to maximize the writability improvement of the medium.例文帳に追加

一部の例は、媒体の書き易さの改善を最大にするように、硬質層と軟質、半軟質または薄い半硬質の層との間に挿入された交換調整層を持つ記録媒体を有している。 - 特許庁

This ground examining method can accurately detect a thin soft layer to realize the excellent design of steel pipe piles and execution that boring is stopped at the upper part of a thick support layer under the soft layer.例文帳に追加

本発明の地盤測定方法では、薄い柔軟層を高精度で検出できるので、柔軟層の下部の分厚い支持層の上部を打止位置とする、優れた鋼管杭の設計及び施工ができる。 - 特許庁

On a 1st inter-layer insulating film 116 formed on the switching element, a buffer layer 117 for lattice matching between the 1st inter-layer insulating film 116 and the ferroelectric thin film is formed.例文帳に追加

スイッチング素子の上に形成された第１の層間絶縁膜１１６の上には、該第１の層間絶縁膜１１６と強誘電体薄膜との格子整合をとるバッファ層１１７が形成されている。 - 特許庁

The thin conductive layer is formed on the semiconductor substrate by electroplating in such a way that two power feeding layers (a laminated metal layer 4 and a metallic layer 7) are formed with an insulator film (resist mask) 5 in between on the substrate.例文帳に追加

電解メッキにより半導体基板上に導電層を形成する場合に、絶縁体膜（レジストマスク５）を挟んで２層の給電層（積層メタル層４と金属層７）を形成する。 - 特許庁

This original film for lithographic printing is formed by providing a hydrophobic thin layer on a base and by providing further a hydrophilic photosensitive layer containing a hydrophilic photothermal conversion agent, as an upper layer.例文帳に追加

疎水性の薄層を基板上に設け、さらに親水性の光熱変換剤を含有する親水性の感光層を上層として設けたことを特徴とする平版印刷用原板が提供される。 - 特許庁

The transmission line type capacitor includes: a first conductive layer 1-2 formed on a base material insulation sheet 1-1; and a strip-like second conductive layer 2 formed on its upper surface through a first insulation thin-film layer 3-1.例文帳に追加

基材絶縁シート１−１上に形成された第一導電層１−２と、その上面に第一絶縁薄膜層３−１を介して形成された帯状の第二導電層２を有する。 - 特許庁

The stable resistance layer for the field emission device consists of a very thin layer of heavily doped nano-crystalline silicon and a layer of one or more properly doped amorphous silicon based material.例文帳に追加

電界放出装置のための安定抵抗層は、強くドープされたナノ結晶シリコンの非常に薄い層と、１つまたはそれ以上の適度にドープされたアモルファスシリコンベースの材料の層とを含む。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor capable of easily enlarging the thickness of a gate insulating layer and preventing deterioration of semiconductor characteristics of a channel layer due to the effect of the gate insulating layer, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ゲート絶縁層の厚さを大きくすることが容易であり、ゲート絶縁層の影響によるチャネル層の半導体特性の劣化が防止された薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of the conductivity central regions 28 exist in the dielectric layer 12 to enable electrons to pass from the conductor 14 to the thin metal layer 16 through the dielectric layer 12 by the quantum tunnel phenomenon.例文帳に追加

複数の導電性中央領域(28)は、誘電体層(12)内にあり、電子が量子トンネル現象によって、導電体(14)から薄い金属層(16)へ誘電体層(12)を通過することを可能にする。 - 特許庁

The thin film transistor includes: a gate electrode and the channel layer which are formed sandwiching a gate insulation layer; and a source electrode and a drain electrode which make contact with the both ends of the channel layer respectively.例文帳に追加

薄膜トランジスタは、ゲート絶縁層を挟んで形成されたゲート電極及びこのチャンネル層と、このチャンネル層の両端にそれぞれ接触するソース電極及びドレイン電極と、を備える。 - 特許庁

This composite can be used for forming an organic semiconductor layer 30 of a thin-film transistor 1 having a gate electrode 50, a gate insulation layer 40, a source electrode 20a, a drain electrode 20b, and the organic semiconductor layer 30.例文帳に追加

この組成物は、ゲート電極50、ゲート絶縁層40、ソース電極20a、ドレイン電極20bおよび有機半導体層30を有する薄膜トランジスタ１の有機半導体層30を形成するのに用いることができる。 - 特許庁

To provide an improved method which forms a polysilicon line having a substantially vertical profile, by plasma-etching the polysilicon layer on a thin SiO2 layer through a patterned SiO2 cap layer.例文帳に追加

パターン形成されたＳｉＯ_2キャップ層を介して薄いＳｉＯ_2層の上のポリシリコン層をプラズマ・エッチングして、実質的に垂直なプロファイルを有するポリシリコン線を形成する、改良された方法を提供する。 - 特許庁

As one embodiment, the layer thickness of the cathode side reinforced layer becomes relatively thin, and as another embodiment, porosity of the cathode side reinforced layer becomes relatively large.例文帳に追加

その一実施例としては、カソード側の補強層の層厚が相対的に薄くなっているものであり、他の実施例としては、カソード側の補強層の気孔率が相対的に大きくなっているものである。 - 特許庁

The buffer thin film layer 3c is made to be composed of either a material whose electroconductivity is higher than that of the organic layer 6 among oxides of the metallic material constituting the metallic material layer 2c or an oxide of chromium.例文帳に追加

緩衝薄膜層３ｃは、金属材料層２ｃを構成する金属材料の酸化物のうち有機層６よりも導電性の高い材料か、クロムの酸化物からなることとする。 - 特許庁

The double-fitting copper structure uses a thin silicon nitride layer as a stop layer in the composite insulation layer, and also since copper having high conductivity is adopted RC delay is reduced effectively.例文帳に追加

二重嵌入銅構造は複合絶縁層内において薄い窒化ケイ素層を停止層として使用し、また、導電性がよい銅を採用することから、効果的にＲＣ遅延を低下させることができる。 - 特許庁

Moreover, by performing R-processing treatment on an upper end corner part of the convex part or the trench in contact with the semiconductor layer before the formation of the semiconductor layer, the thin semiconductor layer can be formed with excellent coverage.例文帳に追加

また、半導体層成膜前に、半導体層が接する凸状部またはトレンチの上端コーナー部に、Ｒ加工処理を行うことで、薄膜の半導体層を被覆性良く成膜する。 - 特許庁

A TFT configuration 70 included in the electron device or the thin-film transistor comprises a gate electrode 78, an insulating layer 74, a source electrode 80, a drain electrode 82, a semiconductor layer 72 and a barrier layer 86.例文帳に追加

電子デバイスまたは薄膜トランジスタに含まれるＴＦＴ構成７０は、ゲート電極７８と、絶縁層７４と、ソース電極８０と、ドレイン電極８２と、半導体層７２と、バリヤー層８６と、を備える。 - 特許庁