| 意味 | 例文 |
thin- layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9481件
The monocrystal thin film 6 consisting of LN or LT is formed by successively laminating a cubic silicon carbide layer 3 and a magnesium oxide monocrystal layer 4 on an Si (111) substrate 1, and epitaxally growing a thin film 5 consisting of the LN or LT on the magnesium oxide layer 4.例文帳に追加
Si(111)基板1上に、立方晶炭化ケイ素層3および酸化マグネシウム単結晶層4を順次積層させ、前記酸化マグネシウム層4の上に、LNまたはLTからなる薄膜5をエピタキシャル成長させることにより、LNまたはLTからなる単結晶薄膜6を形成させる。 - 特許庁
Further, by separating the complementary color thin film layer from a packaging layer of the light-emitting unit, the effect of heating by the light-emitting unit is not given to the phosphor in the complementary color thin film layer, and light emission efficiency of the white-color light obtained by mixing can be enhanced.例文帳に追加
また補色薄膜層を発光ユニットのパッケージング層から離すことで、発光ユニットによる発熱の影響を補色薄膜層内の蛍光体に与えることなく、混合によって得られる白光の発光効率を高めることができ、本発明の目的を達成できる。 - 特許庁
On at least one side of a base film 1 made of a plastic material, a vapor deposition thin film layer 2 made of an inorganic oxide or an inorganic nitride, a gas-barrier coating film 3, and a strong adhesion processed layer 4 are formed, and a translucent metal thin film layer 5 is further provided thereon to obtain the gas-barrier laminated film.例文帳に追加
プラスチック材料からなる基材フィルム1の少なくとも一方の面に、無機酸化物または無機窒化物からなる蒸着薄膜層2、ガスバリア性塗布膜3、強密着処理層4を形成し、さらにその上に半透明金属薄膜層5を設けてガスバリア性積層フィルムとする。 - 特許庁
A thin film layer 16 is made up by depositing an inorganic material such as Ni or the like on the probes 13 on the substrate 11 in a sputtering process or a vacuum evaporation process, and a support layer 17 is made up on the upper surface of the evenly formed thin film layer 16 by depositing the same inorganic material in an electroforming process.例文帳に追加
プローブ13の上から基板11状にNi等の無機物質をスパッタリングや真空蒸着によって堆積させて薄膜層16を形成し、平坦に形成された薄膜層16の上面に同じ無機物質を電鋳法により析出させて支持層17を形成する。 - 特許庁
This transducer is provided with a transparent front electrode film 12, a silicon-based thin-film photoelectric conversion unit 13 which contains are conductivity type layer 131, a photoelectric conversion layer 132 composed of crystalline silicon-based thin-film, and an opposite conductivity type layer 133, a transparent rear conducting film 14, and a rear metal electrode film 15.例文帳に追加
透明前面電極膜(12)と、一導電型層(131)、結晶質シリコン系薄膜からなる光電変換層(132)および逆導電型層(133)を含むシリコン系薄膜光電変換ユニット(13)と、透明裏面導電膜(14)と、裏面金属電極膜(15)とを備える。 - 特許庁
To enhance the carrier mobility of an organic semiconductor layer formed by a coating method, to suppress the fluctuations in the characteristics of the thin film of the organic semiconductor layer at the time of repeated use (measurement) and to achieve the lowering of a threshold value and the enhancement of the film forming properties of the thin film of the organic semiconductor layer on a substrate.例文帳に追加
塗布法により形成される有機半導体層のキャリア移動度を向上させ、また、有機半導体層薄膜の繰り返し使用(測定)時の特性変動抑制、又閾値の低下、更には基板上における有機半導体薄膜の成膜性の向上を図る。 - 特許庁
To provide a photosensitive composition and a photosensitive transfer material having high light shielding performance in a thin film state with which a light shielding layer for a display apparatus can be produced at a low cost, and to provide a method for manufacturing a light shielding layer for a display apparatus for producing the layer in a thin film state with high light shielding performance at a low cost.例文帳に追加
薄膜で遮光性能が高く、かつ低コストで表示装置用遮光層を作製することができる感光性組成物及び感光性転写材料、さらには、薄膜で遮光性能が高く、かつ低コストで作製しうる表示装置用遮光層の製造方法を提供する。 - 特許庁
The gas diffusion layer 20 is constituted of: a main body 21 formed from the non-conductive porous resin material; a carbon thin film layer 22 formed on a facing surface facing an MEA 10 of the main body 21; and a plurality of carbon rods 23 joined integrally with the carbon thin film layer 22.例文帳に追加
ガス拡散層20は、非導電性の多孔質樹脂材料から形成された本体21と、本体21のMEA10に対向する対向面に形成されたカーボン薄膜層22と、カーボン薄膜層22と一体的に接合された複数のカーボン棒23とで構成される。 - 特許庁
The plastic container has a compound thin film of gas barrier properties consisting of a plurality of layers of thin films 2 of gas barrier properties deposited on an inner surface of the container by a plasma chemical vapor deposition method and mainly comprising silicon oxide in which the degree of oxidation of each layer is successively increased from the first layer to the uppermost layer.例文帳に追加
プラスチック容器はその内面に、プラズマ化学気相成長法によって形成した、複数層の酸化珪素を主体とするガスバリア性薄膜からなり、第1層から最上層にかけて各層の酸化度が順次増加した、酸化珪素を主体とする複層ガスバリア性薄膜を備える。 - 特許庁
The transfer material is constituted by forming at least one-layer of an organic thin film layer on a temporary support, and the flow starting temperature of at least one component constituting the organic thin film layer is not lower than 40°C, and not higher than the transfer temperature.例文帳に追加
本発明の転写材料は、仮支持体上に少なくとも1層の有機薄膜層を形成してなる転写材料であって、有機薄膜層を構成する少なくとも1成分の流動開始温度が40℃以上で、かつ転写温度以下であることを特徴とする。 - 特許庁
A phenomenon that the carrier number of the detection layer 13 which is a lower layer is changed by an influence of gas or liquid permeating the thin film 14 is detected as the electric characteristic of the detection layer 13, to thereby quantitate and evaluate indirectly the permeability of the thin film 14 relative to the gas or the liquid.例文帳に追加
これにより、薄膜14を透過してきた気体または液体の影響によりその下層の検知層13のキャリア数が変化する現象を、検知層13の電気的特性として検出し、薄膜14の気体または液体に対する透過性を間接的に定量化し評価する。 - 特許庁
In a thin-film solar battery containing pin junction in which a non-single crystalline silicon thin film containing a crystal is used as an i- layer, the oxygen atom concentration on the interface between a p-type or an n-type conductive layer on a substrate side and the i-layer is suppressed to be 5×10^20 atoms/cm^3 or below.例文帳に追加
結晶質を含む非単結晶シリコン系薄膜をi層として用いたpin接合を含む薄膜太陽電池における基板側のpまたはn型導電層とi層との界面における酸素原子濃度を5×10^20atoms/cm^3以下に抑制する。 - 特許庁
To provide a transfer sheet in which white spots and blurs do not occur in a transfer layer under a high humidity environment even in the case a metal thin film is formed in a part of a sheet face of the transfer layer, by enhancing the adhesiveness of an epoxy resin used as an anchor layer of the metal thin film.例文帳に追加
金属薄膜のアンカー層として用いるエポキシ樹脂層の密着性を向上させて、金属薄膜が転写層のシート面の一部に形成されている場合でも、高湿度環境下で転写層に白斑や霞みが発生しない転写シートを提供する。 - 特許庁
This organic electroluminescent element is characterized by forming a luminescent part and a thin film transistor array part on substrates separated from each other, by forming the absorption layer on the luminescent part or the thin film transistor array part, and and by further forming a protection layer on the absorption layer by including it.例文帳に追加
本発明による有機電界発光素子は、発光部と薄膜トランジスタアレイ部とを別途の基板に構成して、発光部または薄膜トランジスタアレイ部に吸収層を構成し、吸収層の上部にこれを含む保護層をさらに構成することを特徴とする。 - 特許庁
To provide a solution for forming a black oxide layer on a thin metallic film, to provide a method for forming the black oxide layer on the thin metallic film of an electromagnetic shielding filter by using the solution, and to provide an electromagnetic shielding filter with the black oxide layer formed thereby.例文帳に追加
金属薄膜に黒色酸化層を形成させるための溶液、その溶液を用いた電磁波遮蔽フィルターの金属薄膜に黒色酸化層を形成する方法、及び、その方法により形成された黒色酸化層を備えた電磁波遮蔽フィルターを提供する。 - 特許庁
This laminate is structured of a transparent thin film layer of an inorganic or a metallic compound of a base sheet having the film and a polyolefin film containing an antiblocking agent laminated on the thin film layer using a dry lamination process or a non-solvent lamination process.例文帳に追加
無機または金属化合物の透明薄膜層を有する基体シートの該透明薄膜層上に、アンチブロッキング剤を含有するポリオレフィン系フィルムをドライラミネート法又はノンソルベントラミネート法にて積層してなる積層体。 - 特許庁
In the display device, a thin-film transistor for driving a pixel electrode 31 is formed on a substrate 11, and conductive light shielding layers 27, 28 are formed in the position corresponding to the upper layer of the thin- film transistor and to the lower layer of the pixel electrode 31.例文帳に追加
表示装置は、基板11上に画素電極31の駆動用の薄膜トランジスタが設けられ、この薄膜トランジスタの上層でかつ画素電極31の下層の位置に導電性の遮光層27,28が設けられている。 - 特許庁
To provide a technology for improving the adhesiveness of a thin layer derived to a molded article of a thin shape to a molded article layer derived to a resin composition without substantially increasing manufacturing cost, and without substantially deteriorating productivity.例文帳に追加
製造コストをほとんど増大させず、且つ生産性をほとんど低下させずに、薄い形状の成形体に由来する薄層と樹脂組成物に由来する成形体層との密着性を改善する技術を提供する。 - 特許庁
To provide a laminated ceramic capacitor which has higher insulating characteristics and reliability even when crystal particles are large and a ratio of a crystal grain boundary decreases, in a thin-layer laminated ceramic capacitor with a thin dielectric ceramic layer.例文帳に追加
誘電体セラミック層の薄い薄層の積層セラミックコンデンサにおいて、結晶粒子が大きくなり、結晶粒界の占める割合が減少しても、より高い絶縁性と信頼性を有する積層セラミックコンデンサを提供する。 - 特許庁
To enable the nose of a needle to surely contact with a thin-layer chromatography (TLC) plate without damaging a thin layer formed on the TLC plate, even in the case variations in thickness of the TLC plate or errors in positioning accuracy of the nose exist.例文帳に追加
TLCプレートの厚さのバラツキや、ニードルの位置決め精度に誤差があっても、TLCプレートの表面に形成された薄層を傷つけることなく、ニードル先端をTLCプレートに確実に接触できるようにする。 - 特許庁
To provide a thin film magnetic head with which the magnetic pole width can be greatly miniaturized highly accurately, its manufacturing method, and a magnetic layer pattern forming method with which a thin and long magnetic layer pattern can be formed highly accurately.例文帳に追加
磁極幅を高精度に極微小化することが可能な薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法、並びに細長い磁性層パターンを高精度に形成することが可能な磁性層パターンの形成方法を提供する。 - 特許庁
In the display apparatus, a thin film transistor driving a transparent pixel electrode 31 is provided on a substrate 11 and conductive light shielding layers 27 and 28 are provided in a position of an upper layer of the thin film transistor and a lower layer of the pixel electrode 31.例文帳に追加
表示装置は、基板11上に透明画素電極31を駆動する薄膜トランジスタが設けられ、この薄膜トランジスタの上層でかつ画素電極31の下層の位置に導電性の遮光層27,28が設けられている。 - 特許庁
The polymer material layer 7 and an inorganic material layer 8 are laminated on each of these electrode films 3, 6 and the organic thin film 5, protect the invasion of water and oxygen into the electrode films 3, 6 and the organic thin film 5, and prevent them from the deterioration.例文帳に追加
これらの各電極膜3,6及び有機薄膜5上には、ポリマー材料層7及び無機材料層8が積層され、電極膜3,6及び有機薄膜5に対する水や酸素の進入を防ぎ、劣化を防止する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a key top of a push button switch not damaging thin metal film layer, not requiring precise positioning of a resin key top and the thin metal film layer in a transferring process, of high quality, good yield and high productivity.例文帳に追加
金属薄膜層を損傷せず、転写工程で樹脂キートップと金属薄膜層との高精度の位置決めが不要であり高品位で歩留まりが高く、尚かつ生産効率も高い押釦スイッチ用キートップの製造方法の提供。 - 特許庁
A surface of the aluminum layer is formed with a thin film of Au or the like such that the thin film contacts with the Ni embedded layers, and bottom end parts of the nanoholes and the Al substrate are separated by a barrier layer of aluminum.例文帳に追加
そして、多孔質アルミナ層の表面に、Ni埋め込み層と接触するようにAuなどの薄膜が形成され、さらにナノホールの底端部とAl基板とは、アルミナから成るバリア層により隔てられた構造になっている。 - 特許庁
Further, the 2nd thin and long electrode layer 112 forms an inductor L2 which equivalently connects with the capacitor C2 in series and the 4th thin and long electrode layer 113 forms an inductor L3 which equivalently connects with the capacitor C3 in series.例文帳に追加
さらに、細長第2電極層112が、等価的にコンデンサC2と直列につながるインダクタL2を形成し、細長第4電極層113が、等価的にコンデンサC3と直列につながるインダクタL3を形成している。 - 特許庁
To provide a method capable of fabricating a thin semiconductor device without remodeling the facilities and capable of forming a thin and heavily doped P^+ type semiconductor layer, i.e. a collector layer, with high accuracy.例文帳に追加
設備を改造することなく薄型の半導体装置を形成することができ、また薄い高不純物濃度のP^+型半導体層であるコレクタ層を精度よく形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To obtain a manufacturing method of a substrate for thin film photoelectric conversion device capable of suppressing the occurrence of defects in a photoelectric conversion layer formed on an upper layer while enhancing the photoelectric conversion efficiency of a thin film photoelectric conversion device.例文帳に追加
上層に形成される光電変換層の欠陥発生を抑制するとともに薄膜光電変換装置の光電変換効率を向上可能な薄膜光電変換装置用基板の製造方法を得ること。 - 特許庁
The flexible multilayered substrate includes a first layer α with a first metal thin film pattern 21 formed on a flexible core material 10, and a second layer β with a second metal thin film pattern 22 formed on the core material 10.例文帳に追加
フレキシブル多層基板は、可撓性を有するコア材10上に形成された第1金属薄膜パターン21を含む第1層αと、コア材10上に形成された第2金属薄膜パターン22を含む第2層βとを備える。 - 特許庁
The deposition substrate 1 is provided in which a thin film layer 3 having an uneven structure is deposited in a flat part on the surface of a depositing substrate 2, and the uneven structure is formed by depositing the thin film layer 3 including indium oxide.例文帳に追加
成膜基板1は、被成膜基板2表面の平坦部に、凹凸構造を有する薄膜層3が成膜された基板であって、凹凸構造は、酸化インジウムを含んだ薄膜層3が成膜されることで形成されたものとする。 - 特許庁
To eliminate hysteresis of a thin toner layer remaining, after a developing process on a developing roller with the thin toner layer formed by a two- component magnetic brush, and to efficiently and surely return the removed toner into a developer storing part, using a simple constitution.例文帳に追加
2成分磁気ブラシによりトナー薄層を形成した現像ローラ上に現像工程後に残るトナー薄層の履歴を解消し、除去したトナーを簡単な構成で効率的かつ確実に現像剤収容部に戻す。 - 特許庁
Plasma processing is performed on the surface of a sheet-like substrate, composed of aromatic polyamide and then a metal thin film layer, principally comprising an alloy of nickel and chromium and a thin-film layer of copper are formed thereon to produce a substrate for flexible printed circuit.例文帳に追加
芳香族ポリアミドからなるシート状基材表面にプラズマ処理を行い、その上にニッケルとクロムからなる合金を主成分とする金属薄膜層、および銅の薄膜層を有するフレキシブルプリント回路用基板。 - 特許庁
The metal thin layer 114 includes a first surface and a second surface on opposite sides, wherein at least one semiconductor device is embedded in the first surface of the metal thin layer, and the semiconductor device has two electrodes with different conductivity types.例文帳に追加
金属薄層114は、互いに表裏の関係である第1の表面と第2の表面とを有し、第1の表面には、導電型が互いに反対の2つの電極を有する半導体素子が少なくとも1つ埋め込まれる。 - 特許庁
The surface of a light-emitting element 1 positioned between the light-emitting element 1 and a sealing layer 2 is coated with a thin-film 3 whose refractive index is higher than that of the sealing layer 2, and the surface of the thin-film 3 is given a ruggedness or a rounded shape.例文帳に追加
発光素子部1と封止層2との間に位置する発光素子部1の表面を封止層2よりも屈折率の大なる薄膜3で被覆し、この薄膜3の表面に凹凸または丸みを帯びた起伏を形成した。 - 特許庁
To provide an insulated wire using a porous body wherein a foaming degree of a thin-walled insulating layer is high in spite of the thin-walled insulating layer and its foaming state is uniform and productivity of the insulated wire is considerably high, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加
薄肉絶縁層でありながらその発泡度が高く且つその発泡状態が均一で、しかも絶縁電線の生産性が顕著に高い多孔質体を用いた絶縁電線及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
The silicon oxide thin layer horizontally aligns a liquid crystal thereon when the value of x is in the range from 1.0 to 1.5; and the silicon oxide thin layer vertically aligns the liquid crystal thereon, when the value of x is in the range from 1.5 to 2.0.例文帳に追加
酸化シリコン薄膜は、xが1.0と1.5の間の値であるとき、酸化シリコン薄膜上で液晶が水平に配列され、xが1.5と2.0の間の値であるとき、酸化シリコン薄膜上で液晶を垂直方向に配列する。 - 特許庁
In the method for producing the thin composite film comprising the nano-sheet and the polymer, after a positive charge layer is formed, a ruthenium oxide nano-sheet is adsorbed to the positive charge layer through the self-organization reaction to form the thin composite film comprising the nano-sheet and the polymer.例文帳に追加
ナノシートとポリマーとの複合薄膜の製造方法において、正電荷層を形成した後、正電荷層に自己組織化反応によって酸化ルテニウムナノシートを吸着させてナノシートとポリマーとの複合薄膜を形成する。 - 特許庁
With respect to the wiring substrate, each thin-film metal layer 4 is formed in the periphery of each via opening 2 of the surface of a ceramic substrate 1, and each wiring conductor 5 is formed so as to cover the surfaces of the thin-film metal layer 4 and each via conductor 3.例文帳に追加
配線基板は、セラミック基板1の表面のビア開口2の周囲に薄膜金属層4が形成され、薄膜金属層4および前記ビア導体3表面を覆うように配線導体5が形成されている。 - 特許庁
In a step (f), a metal thin film 7 that is a conductive thin film is formed on the front surface and the inside surface of the silicon oxide layer 4 and the front surface of the thermally oxidized porous polysilicon layer 6 by a deposition method through the use of a metal mask.例文帳に追加
酸化シリコン層4の表面および内側面と熱酸化された多孔質ポリシリコン層6の表面とに導電性薄膜たる金属薄膜7をメタルマスクを用いて蒸着法によって形成する(図1(f))。 - 特許庁
A thin-layer space is formed from a clearance t formed by disposing a pair of facing members 510 and 520 to face each other, and the thin-layer space is defined as a gas-liquid mixing section 530 that mixes liquid fixer 210 with air to generate bubble-like fixing liquid F.例文帳に追加
一対の対向部材510、520を対向配置して間隙tにより形成される薄層状空間を液状定着液210と空気とを混合して泡状定着液Fを生成する気液混合部530とする。 - 特許庁
In an n-type lower clad layer 4, thin buffer layers 5 of Al_xGa_1-xN (0≤x≤1) are formed, and in a p-type upper clad layer 7, thin buffer layers 8 of Al_xGa_1-xN(0≤x≤1) are formed.例文帳に追加
n型下部クラッド層4中に薄層のAl_xGa_1−xN(0≦x≦1)緩衝層5が形成され、p型上部クラッド層7中に薄層のAl_xGa_1−xN(0≦x≦1)緩衝層8が形成されている。 - 特許庁
The diffuse reflection plate is manufactured by a process of pressing the transfer film on the base so that the thin film layer faces the base, a process of peeling the temporary support and a process of forming a reflective film on the surface onto which the thin film layer is transferred.例文帳に追加
転写フィルムを基板に薄膜層が面するように押し当てる工程と、前記仮支持体を剥がす工程と、薄膜層の転写された表面に反射膜を形成する工程により拡散反射板を作製する。 - 特許庁
In the display apparatus, a thin film transistor for driving a transparent pixel electrode 31 is provided on a substrate 11, conductive light shielding layers 27, 28 are provided in a position of an upper layer of the thin film transistor and in a lower layer of the pixel electrode 31.例文帳に追加
表示装置は、基板11上に透明画素電極31を駆動する薄膜トランジスタが設けられ、この薄膜トランジスタの上層でかつ画素電極31の下層の位置に導電性の遮光層27,28が設けられている。 - 特許庁
At the interface between the welt part 1 and the hollow sealing part 3, a thin layer 7 constituted by an ethylene copolymer of which melting point is lower than that of a construction material is placed, and a similar thin layer 8 is placed along the outer side of a core material 5.例文帳に追加
ウエルト部1と中空シール部3との界面には、構成材料よりも融点が低いエチレン−酢酸ビニル共重合体からなる薄層7が設けられ、芯材5の外側の面に沿って、同様の薄層8が設けられる。 - 特許庁
When the PET film is peeled off the substrate after the irradiation with light for making the thin film layer react by an exposure machine, the sand-blasted unevenness is transferred on the thin film layer, and the unevenness of good light diffusibility is obtained.例文帳に追加
露光機で薄膜層が反応する光線を照射したのち、この基板からPETフィルムを剥がすと、薄膜層上にはサンドブラスト加工された凹凸が転写されており、光の拡散性にすぐれた凹凸形状であった。 - 特許庁
To provide a manufacturing method capable of obtaining a top-gate semiconductor device, where a gate insulating film and a gate electrode are provided on the semiconductor thin-film layer without damaging the semiconductor thin-film layer provided on a substrate.例文帳に追加
基板上に設けた半導体薄膜層に対してダメージを与えることなく、この半導体薄膜層上にゲート絶縁膜やゲート電極を設けたトップゲート型の半導体装置を得ることが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a thin film magnetic head preventing magnetic flux from being leaked from an end edge of a lower shield layer and/or an upper shield layer of a read head element, and to provide a magnetic head assembly, a magnetic disk drive and a manufacturing method of the thin film magnetic head.例文帳に追加
読出しヘッド素子の下部シールド層及び/又は上部シールド層の端縁からの磁束漏れを防ぐことが可能な薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ、磁気ディスクドライブ装置及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a substrate for a solar battery, which never disturbs the formation of a thin film of a photoelectric conversion layer having a predetermined crystal orientation when forming a thin-film solar battery where a fine crystal silicon film is applied to a photoelectric conversion layer.例文帳に追加
微結晶シリコン膜を光電変換層に適用した薄膜系の太陽電池を形成する場合に、所定の結晶方位配向性を有する光電変換層の薄膜形成を阻害しない太陽電池用基板を得ること。 - 特許庁
A ground layer 13 consisting of the LiNbO3 is formed on an LiNbO3 substrate 11 and the thin-film optical waveguide 12 consisting of the LiNbO3 is formed thereon, by which Li is made richer in the ground layer 13 than in the thin film optical waveguide 12.例文帳に追加
LiNbO_3 基板11上に、LiNbO_3 より成る下地層13と、これの上にLiNbO_3 よりなる薄膜光導波路12を形成して、下地層13を薄膜光導波路12に比し、Liリッチとする。 - 特許庁
To provide a developing device capable forming the uniform thin layer of toner on a toner carrier, while stably performing the triboelectrification of the toner in the midst of forming the thin layer, and stably maintaining such a function over a long term.例文帳に追加
トナー担持体上に均一なトナーの薄層を形成しながら該薄層形成中にトナーの摩擦帯電を安定に行うことができ、かつ、このような機能を長期に亘って安定に維持できる現像装置を提供する。 - 特許庁
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