「thin- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(55ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for manufacturing a capacitor of a semiconductor element includes steps of forming a lower electrode 26 on a conductive layer, forming an STO thin film 27 as a first dielectric material on the lower electrode, forming a BST thin film 28 as a second dielectric material on the STO thin film with the STO thin film used as a seed layer, and forming an upper electrode 29 on the BST thin film.例文帳に追加

半導体素子のキャパシタ製造方法は、導電層上に下部電極２６を形成するステップと、前記下部電極上に第１誘電体としてＳＴＯ薄膜２７を形成するステップと、前記ＳＴＯ薄膜上に前記ＳＴＯ薄膜をシード層にして第２誘電体としてＢＳＴ薄膜２８を形成するステップと、前記ＢＳＴ薄膜上に上部電極２９を形成するステップとを含む。 - 特許庁

In the manufacturing method of a thin-film transistor which uses an oxide semiconductor for an active layer, by having a precursor thin film 6' of the oxide semiconductor which is formed before the precursor thin film is heated into a pattern, as an active layer, with the oxide semiconductor 6 formed by removing the remaining precursor thin film 6', to have a pattern 6 of the oxide thin film formed.例文帳に追加

酸化物半導体を活性層に用いた薄膜トランジスタの製造方法において、酸化物半導体の前駆体薄膜６’を形成したのち、該前駆体薄膜をパターン状に加熱することで、酸化物薄膜のパターン６を形成し、残存した前駆体薄膜６’を除去し形成した、酸化物半導体６を活性層に用いたことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 特許庁

The laminated layer body is prepared by spin coating the substrate with the low-molecular weight PMMA thin layer, curing the layer, wetting the low-molecular weight PMMA layer with an MMA monomer, applying the PMMA preformed sheet for the wetted layer, bonding the preformed sheet on the wetted layer, and bonding the preformed sheet on the substrate.例文帳に追加

積層体は、基板上に低分子量ＰＭＭＡの薄層をスピン塗布し、該層を硬化し、該低分子量ＰＭＭＡ層をＭＭＡモノマーで湿潤させ、該湿潤した層にＰＭＭＡの予備成形シートを適用して、該予備成形シートを該湿潤した層に接着し、かつ該基板に接着することによって調製される。 - 特許庁

After two silicon wafers for the active layer and a support layer are laminated, the wafer for the active layer is turned into a thin film to manufacture the laminated wafer, wherein nitrogen ions are implanted from a surface of the wafer for the active layer prior to the lamination, and a nitride layer is formed in the wafer for the active layer.例文帳に追加

活性層用および支持層用の２枚のシリコンウェーハを貼り合わせたのち、活性層用ウェーハを薄膜化して貼り合わせウェーハを製造するに際し、 上記貼り合わせに先立ち、活性層用ウェーハの表面から窒素イオンを注入し、該活性層用ウェーハの内部に窒化層を形成する。 - 特許庁

The fixing roller that has an elastic layer with low heat conductivity inside and also has an elastic layer with high heat conductivity and the fluororesin layer, to which the highly heat-conductive filler is added, formed in order outside the former elastic layer is provided with a thin metal layer between the elastic layer with the high heat conductivity and the fluororesin to which the highly heat-conductive filler is added.例文帳に追加

内部に低熱伝導性の弾性層を有し、その外側に高熱伝導性の弾性層と高熱伝導性フィラが添加されたフッ素樹脂層が順次形成された定着ローラにおいて、高熱伝導性の弾性層と高熱伝導フィラが添加されたフッ素樹脂の間に薄い金属層を設ける。 - 特許庁

When a voltage is applied to be a reverse bias, the second semiconductor layer 4 is thin enough for a depletion layer 7 formed on an interface between a Schottky metal layer 5 and the second semiconductor layer 4 to extend in the thickness of the second semiconductor layer 4 to reach the first semiconductor layer 3.例文帳に追加

逆方向バイアスとなるように電圧を印加した場合に、ショットキー金属層５と第２の半導体層４との界面で生じる空乏層７が第２の半導体層４の厚み方向に延びて第１の半導体層３に達する程度に第２の半導体層４は薄い厚みを有している。 - 特許庁

The ceramic layer interposed between the laminated layers 24 functions as the insulating layer between the electrodes, has a thick ceramic layer 23 having a large thickness at a substantially central position of the electrode layer, and has a thin ceramic layer 22 as a dielectric of the opposed electrode layer 23 at the other position.例文帳に追加

この積層された電極層２４間のそれぞれに介在するセラミック層は、電極間の絶縁層として機能し、厚みの厚い厚肉セラミック層２３を電極積層のほぼ中央位置に有し、他の箇所では、対向する電極層２４の誘電体となる薄厚のセラミック層２２とされている。 - 特許庁

A boron added layer 42A resulting from adding boron (B) to a collector layer 42 is formed to part of the collector layer 42 in the thin film semiconductor epitaxial substrate 1 formed with the sub collector layer 41 and the collector layer 42 so as to thereby prevent the current amplification factor from being decreased even when the sub collector layer 41 is doped with a high concentration.例文帳に追加

サブコレクタ層４１及びコレクタ層４２が形成されている薄膜半導体エピタキシャル基板１において、コレクタ層４２の一部にホウ素（Ｂ）が添加されているＢ添加層４２Ａを形成し、これによりサブコレクタ層４１を高濃度にドーピングした場合であっても電流増幅率を低下させることがないようにした。 - 特許庁

The second semiconductor layer 4 is thin to the extent that a depletion layer 7 generated on the interface between the Schottky metal layer 5 and the second semiconductor layer 4 is extended in the thickness direction of the second semiconductor layer 4, for reaching the first semiconductor layer 3 when voltage is applied to cause the reverse bias.例文帳に追加

逆方向バイアスとなるように電圧を印加した場合に、ショットキー金属層５と第２の半導体層４との界面で生じる空乏層７が第２の半導体層４の厚み方向に延びて第１の半導体層３に達する程度に第２の半導体層４は薄い厚みを有している。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a bipolar transistor performing ultra-high speed operation with low power consumption, by allowing an insulator thin wire, for example, an SiO_2 thin wire having a wide wire width, to be embedded while reducing a final collector into a thin layer.例文帳に追加

最終的なコレクタを薄層化しつつ、広い線幅のＳｉＯ_２細線を例とする絶縁物細線の埋め込みを可能にし、低消費電力での超高速動作が可能なバイポーラトランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The thin substrate fixing jig 1 is composed of a plate 2 and a thin film 4 formed of a weak adhesive layer 3 and arranged such that the thin film 4 is applied removably to the plate 2.例文帳に追加

本発明の薄型基板固定治具は、平板２と弱粘着剤層３が形成された薄膜４からなる薄型基板固定治具１であって、前記平板２上に前記薄膜４が着脱自在に固定されていることを特徴とする。 - 特許庁

In the assembled layer of the nano structures 13, the vapor deposition material and air are mixed at a fixed rate as the whole thin film 11 and the refractive index of the whole thin film 11 is determined by the rate (film packing density of the thin film).例文帳に追加

また、ナノ構造体１３の集合層は、薄膜１１全体として、蒸着材料と空気とが一定割合で混合しており、この割合（薄膜の膜充填密度）により、薄膜１１全体の屈折率が決定される。 - 特許庁

In the joined body obtained by depositing a metallic thin film on a ceramic base material, the space between the ceramic base material and the metallic thin film is provided with an intermediate layer containing a metal capable of alloying with the thin film metal.例文帳に追加

金属薄膜をセラミックス基材上に形成させた接合体において、セラミックス基材と金属薄膜との間に薄膜金属と合金化し得る金属を含有する中間層を設けたセラミックスと金属との接合体。 - 特許庁

A thin film aperture part 33 is formed on the thin film 100 by dry etching through the aperture part of the resist film, the first recessed part is formed on the operating layer 111 by wet etching through the thin aperture part 33, and it is used as the first recessed groove.例文帳に追加

レジスト膜の開口部を通してドライエッチングにより薄膜１００に薄膜開口部３３を形成し、この薄膜開口部３３を通してウェットエッチングにより動作層１１に第１凹部を形成し第１リセス溝とする。 - 特許庁

A thin film capacitor 10 comprises a substrate 12, a lower electrode 14, a dielectric thin film 16 and an upper electrode 18, and if necessary, an antireaction layer 20 is arranged at the interface between the dielectric thin film 16 and the upper electrode 18.例文帳に追加

薄膜キャパシタ１０は、基板１２，下部電極１４，誘電体薄膜１６，上部電極１８からなり、必要に応じて誘電体薄膜１６と上部電極１８との界面に反応防止層２０が設けられる。 - 特許庁

And a supporting body hole is formed by partially etching the Si thin film 13 and the solid phase mixed layer 12, and a supporting body for covering and supporting the Si thin film 13 is formed from over the Si thin film 13 to the supporting body hole.例文帳に追加

そして、Ｓｉ薄膜１３と固相混合層１２とを部分的にエッチングして支持体穴を形成し、Ｓｉ薄膜１３を覆って支持する支持体を当該Ｓｉ薄膜１３上から支持体穴にかけて形成する。 - 特許庁

To obtain a thin film magnetic head which can reduce time constant and enable writing with a higher frequency by reducing specific resistance of a thin film coil and making an insulating resin layer between the thin film coils and between layers thereof smaller.例文帳に追加

薄膜コイルの比抵抗を小さくするとともに、薄膜コイルの間および層間の絶縁樹脂層を小さくすることによって、時定数を小さくできて、より大きな周波数での書き込みが可能となる薄膜磁気ヘッドを得る。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head, a thin film magnetic head assembly with the thin film magnetic head and a storage device which can reduce side reading at areas on both sides of a free layer and stabilize reproduction output.例文帳に追加

フリー層の両側領域における読みにじみを低減すると共に、再生出力を安定させることが可能な薄膜磁気ヘッド、並びに当該薄膜磁気ヘッドを備える薄膜磁気ヘッド組立体及び記憶装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin-film semiconductor element which can easily turn a semiconductor thin film into a p-type one even if the semiconductor thin film consisting of a zinc oxide or a zinc sulfide formed by epitaxial growth is used as a buffer layer.例文帳に追加

バッファ層としてエピタキシャル成長により形成される酸化亜鉛または硫化亜鉛の半導体薄膜を用いる場合にも前記半導体薄膜のｐ型化を容易にする薄膜半導体素子の製造方法の提供。 - 特許庁

This new specific structural aromatic amine derivative and the organic electroluminescent element nipping an organic thin membrane layer consisting of one or a multiple number of layers containing at least a luminescent layer between an anode and a cathode are provided with that at least one layer of the organic thin membrane layer, especially a hole-transporting layer is the organic electroluminescent layer containing the aromatic amine derivative singly or as the component of the mixture.例文帳に追加

特定構造の新規な芳香族アミン誘導体、並びに陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層、特に正孔輸送層が、前記芳香族アミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子である。 - 特許庁

A quantum semiconductor device has a quantum semiconductor structure provided with (a) a thin film crystal layer positioned on a base semiconductor layer and constituted of a material capable of growth in an S-K mode to the base semiconductor layer without constituting a quantum well to the base semiconductor layer and (b) a quantum dot positioned right above the thin film crystal layer and constituting type I energy band discontinuity to the base semiconductor layer.例文帳に追加

量子半導体装置は、（ａ）下地半導体層上に位置し、この下地半導体層に対して量子井戸を構成せず、かつ下地半導体層に対してＳ−Ｋモードでの成長が可能な材料で構成される薄膜結晶層と、（ｂ）薄膜結晶層の直上に位置し、下地半導体層に対してタイプＩ型のエネルギバンド不連続を構成する量子ドットとを備える量子半導体構造を有する。 - 特許庁

The diode (226) of the photodiode (226) array does not contact the first metalized layer (214) or the second metalized layer (218) directly but can contact the first metalized layer (214) and/or the second metalized layer (218) via a third metalized layer (222) added to the thin film transistor array.例文帳に追加

フォトダイオード（２２６）・アレイのダイオード（２２６）は、第一の金属化層（２１４）又は第二の金属化層（２１８）に直接接触せずに薄膜トランジスタ・アレイに加えられた第三の金属化層（２２２）を介して第一の金属化層（２１４）及び／又は第二の金属化層（２１８）に接触することができる。 - 特許庁

The packaging material laminate excellent in opening properties is obtained by laminating a thin film layer of a metal or an inorganic substance, a layer formed from a resin containing a resin having acrylic acid groups, an adhesive layer, and a heat-sealable resin layer or a protective layer in turn at least on one side of a plastic film.例文帳に追加

プラスチックフィルムの少なくとも一方の表面に金属あるいは無機薄膜層、アクリル酸基を有する樹脂を含む樹脂から形成される層、接着剤層、ヒートシール性樹脂層または保護層を順次積層して開封性に優れた包装材料積層体。 - 特許庁

In the organic thin-film transistor provided with a support, a gate electrode, a gate insulating layer, an organic semiconductor layer, a source electrode, a drain electrode and at least one electrode of a different kind, a protective layer is provided as a constituting layer and the protective layer contains a siloxane compound.例文帳に追加

支持体、ゲート電極、ゲート絶縁層、有機半導体層、ソース電極、ドレイン電極および少なくとも１つの別種の電極を有する有機薄膜トランジスタにおいて、 構成層として保護層を有し、該保護層がシロキサン化合物を含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 - 特許庁

The method for manufacturing the thin film magnetic head forms a first magnetic layer 29 as a part of the upper shield layer on a protection layer 28, and the upper surface of the protection layer 28 under the first magnetic layer 29 is not affected by ion milling when the ion milling is applied on each of tunnel magnetoresistive elements 34 and 35.例文帳に追加

保護層２８の上に、上部シールド層の一部となる第１磁性層２９を形成し、各トンネル型磁気抵抗効果素子３４，３５へのイオンミリング時に、前記第１磁性層２９を設けたことで、その下の保護層２８の上面が前記イオンミリングの影響を受けるのを抑制できる。 - 特許庁

The surface emitting laser is provided with a lower clad layer 120, an active layer 130, upper clad layer 140, a photonic crystal structure 145 which is optically coupled with the active layer 130, and a metal thin film 150, formed on the upper clad layer 140 having a periodically fine structure 155.例文帳に追加

面発光レーザであって、下部クラッド層１２０と、活性層１３０と、上部クラッド層１４０と、活性層１３０と光学的に結合するフォトニック結晶構造体１４５と、上部クラッド層１４０の上に設けられ、周期的な微細構造１５５を有する金属薄膜１５０とを備える。 - 特許庁

The polarizing plate structure has a black dye layer formed of black dye, and this black dye layer is disposed on a protection layer and absorbs light emitted by a polymer thin-film layer, the thickness of the black dye layer determines saturation of the absorption.例文帳に追加

偏光板構造は、黒色染料で形成された黒色染料層を具え、この黒色染料層が保護層の上に位置し、且つこの黒色染料層が高分子薄膜層が放射した光を吸収し、更に、この黒色染料層の厚さがその吸収の飽和度を決定する。 - 特許庁

This is the solid thin-film battery 1 which has a positive electrode layer 4, a negative electrode layer 6, a solid electrolyte layer 7 arranged between these layers, and a support body 2 on which these respective layers are laminated and supported, and is provided with chamfer parts 7, 7 at the side edge parts of the positive electrode layer or/and the negative electrode layer.例文帳に追加

正極層４と、負極層６と、これら層間に配置された固体電解質層７と、これら各層が積層保持される支持体２とを備える固体薄膜電池１であって、上記正極層又は／及び上記負極層の側縁部に面取り部７，７を設けて構成される。 - 特許庁

The thin film field-effect transistor includes at least a gate electrode, an insulating film, an active layer, etching stopper layer, a source electrode, and a drain electrode formed on a substrate, wherein the etching stopper layer is formed on the active layer, and the source electrode and the drain electrode are formed on the etching stopper layer.例文帳に追加

薄膜電界効果型トランジスタは、基板上に、少なくともゲート電極、絶縁膜、活性層、エッチングストッパ層、ソース電極、およびドレイン電極が形成されており、活性層上にエッチングストッパ層が形成され、エッチングストッパ層上にソース電極およびドレイン電極が形成されている。 - 特許庁

A transparent conductive film 3 comprises a first transparent resin layer 8 including a plurality of thin metallic wires 7, a second transparent resin layer 9 including a conductive polymer, and a third transparent resin layer 10 provided between the first transparent resin layer 8 and the second transparent resin layer 9.例文帳に追加

透明導電膜３は、複数の金属細線７を含む第１の透明樹脂層８と、導電性高分子を含む第２の透明樹脂層９と、第１の透明樹脂層８と第２の透明樹脂層９との間に設けられる第３の透明樹脂層１０と、を含む。 - 特許庁

This recording head has a lower magnetic pole layer 10, an upper magnetic pole layer 15, a magnetic gap layer 14 disposed between the respective magnetic pole parts of these magnetic pole layers and thin-film coils 12 disposed between the lower magnetic pole layer 10 and the upper magnetic pole layer 15 in the state of being insulated therefrom.例文帳に追加

記録ヘッドは、下部磁極層１０と、上部磁極層１５と、これらの磁極層の各磁極部分の間に設けられた記録ギャップ層１４と、下部磁極層１０および上部磁極層１５の間に、これらに対して絶縁された状態で配設された薄膜コイル１２とを有している。 - 特許庁

To provide a copper-clad plastic substrate in which a thin metal film layer to be a seed layer is simply formed by coating or a printing method on a plastic substrate and which is superior in adhesion between a copper layer and the seed layer, heat resistance, electric characteristics, and productivity and can be used appropriately as a two-layer CCL.例文帳に追加

コーティングや印刷法によって簡便にシード層となるべき金属薄膜層がプラスチック基板上に形成されてなる、銅層とシード層との接着力、耐熱性、電気特性、生産性に優れた、２層ＣＣＬとして好適に用いられる銅被覆プラスチック基板を提供すること。 - 特許庁

The vibration-proof material comprises a thick upper-layer material which is composed of a nonwoven fabric or a urethane foam, a thin lower-layer material which is composed of a nonwoven fabric thinner than the nonwoven fabric of the upper-layer material, and the spherical elastic body which is sealed in or inserted and fixed between the upper-layer and lower-layer materials.例文帳に追加

該防振材は、不織布またはウレタンフォームからなる厚肉の上層材と、該上層材の不織布よりも薄い厚さとした不織布からなる薄肉の下層材と、前記上層材と下層材との間に封入または挿入固定された前記球状弾性体とからなる。 - 特許庁

The multilayer wiring board is provided with a single wiring layer formed by using a thin film metal 11, the other wiring layer different from the single wiring layer and an interlayer insulating film which is installed between the single wiring layer and the other wiring layer and is formed of a prescribed insulating material.例文帳に追加

多層配線基板は、少なくとも、薄膜金属１１を用いて形成される単独配線層と、この単独配線層とは異なる他の配線層と、単独配線層と他の配線層との間に介在する所定の絶縁材からなる層間絶縁膜とを備える。 - 特許庁

The organic thin film transistor element includes an upper layer of an underlayer including a compound selected from an inorganic oxide and inorganic nitride on the underlayer including a polymer formed as the lower layer, an electrode in contact with the upper layer of the lower extending layer, and also an electrode via a gate insulation layer.例文帳に追加

ポリマーを含む下引き層を下層として、その上に無機酸化物及び無機窒化物から選ばれる化合物を含有する下引き層上層を有し、該下引き層上層に接して電極を有し、更にゲート絶縁層を介して電極を有する有機薄膜トランジスタ素子。 - 特許庁

At this time, the substrate formed by disposing an SiO_2 layer 102 on an Si substrate 101 and forming a Ti electrode layer 103 and a Pt electrode layer 104 thereon is used as a ground surface substrate and a ferroelectric seed layer 106 and a thin ferroelectric film layer 105 are successively formed on this substrate.例文帳に追加

その際、Ｓｉ基板１０１上にＳｉＯ__2層１０２を設け、その上にＴｉ電極層１０３、Ｐｔ電極層１０４を形成したものを下地基板とし、この基板上に、強誘電体シード層１０６と強誘電体薄膜層１０５を順次形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing substrate, having a strain layer/strain-applied crystal layer structure which reduces the crystallinity deterioration that occurs in the strain layer, due to crystal defects caused by the strain-applied crystal layer structure, and which is formed of a thin film on an insulating layer.例文帳に追加

歪み層／歪み印加結晶層構造において、歪み印加結晶層構造より発生する結晶欠陥による歪み層の結晶性劣化を低減し、かつ絶縁層上に歪み層／歪み印加結晶層構造を薄膜で形成した基板の形成方法を提供する。 - 特許庁

The coaxial cable structured so that the metal plating layer 5 is provided as shield layer on the periphery of the dielectric layer 2 of fluoro-resin covering the inner conductor 1 adopts a polyimide film 3 with a conductive metal thin film 4 precipitated as a plating medium layer of the electrolytic metal plating layer 5.例文帳に追加

内部導体（１）を被覆するフッ素樹脂誘電体層（２）の外周に電解金属メッキ層（５）をシールド層として配した同軸ケーブルにおいて、該電解金属メッキ層（５）のメッキ媒体層として、導電金属薄膜（４）を析出させたポリイミド皮膜（３）を採用する。 - 特許庁

The optical laminate comprises an antistatic layer 3, an antiglare layer 2 and a low refractive index layer 1 in this order on a light transmissive base material 4, wherein the antistatic layer 3 is a resin thin film layer containing antimony-doped tin oxide and a matting agent and having a rugged shape on its surface.例文帳に追加

光透過性基材上４に帯電防止層３、防眩層２及び低屈折率層１を順に備えてなる光学積層体であって、上記帯電防止層３は、アンチモンドープ酸化錫及びマット剤を含有し、表面に凹凸形状を有する樹脂薄膜層である光学積層体。 - 特許庁

The magnetic recording medium has a base layer and a magnetic recording layer formed in this order on a substrate, and has a thin-film layer essentially comprising an element having ≥1.4 and ≤1.7 for Pauling's electronegativity and ≤4.0 nm thickness between the substrate and the base layer and in contact with the base layer.例文帳に追加

基板上に、下地層と磁気記録層とをこの順に設けてなる磁気記録媒体であって、基板と下地層のあいだに、下地層に接して、ポーリングの電気陰性度が１．４以上１．７以下の元素を主成分とし厚さが４．０ｎｍ以下の薄膜層を設けてなる磁気記録媒体。 - 特許庁

The magnetic thin-film element has a structure of a face-centered cubic lattice as an foundation layer of a ferromagnetic metal layer between at least ferromagnetic metal layer and a base material, and is provided with the layer comprising metal having the electric resistance lower than that of the ferromagnetic metal layer.例文帳に追加

発明１の磁性薄膜素子は、少なくとも強磁性金属層と基材との間に、前記強磁性金属層の下地層として、面心立方格子の構造を持ち、かつ前記強磁性金属層よりも低い電気抵抗である金属からなる層が設けてあることを特徴とする。 - 特許庁

This is the thin film lithium battery in which a positive electrode layer 20, a negative electrode layer 50, the solid electrolyte layer 40 interposed between these both layers, and a current collector 10 electrically and connected respectively or to one of the positive electrode layer 20 and the negative electrode layer 50 are laminated.例文帳に追加

本発明薄膜リチウム電池は、正極層20と、負極層50と、これら両層の間に介在される固体電解質層40と、正極層20及び負極層50の各々又は一方に電気的に接続される集電体10とが積層された薄膜リチウム電池である。 - 特許庁

A multi-bonded thin film solar cell 20 is constituted by laminating a glass substrate 11a, a roughened surface layer 11b, an amorphous silicon photoelectric conversion layer 12, an intermediate layer 13, a crystalline silicon photoelectric conversion layer 14, a rear reflective layer 15, and a rear electrode 16 in this order.例文帳に追加

多接合型薄膜太陽電池２０は、ガラス基板１１ａ、凹凸表面層１１ｂ、非晶質シリコン光電変換層１２、中間層１３、結晶質シリコン光電変換層１４、裏面反射層１５、裏面電極１６が、この順番で積層されて構成されている。 - 特許庁

A diamond semiconductor device is constituted in a structure that a first diamond layer 1 consists of a high-orientation diamond film formed by a vapor synthesys and with a diamond layer 2 formed on the layer 1, a third diamond layer 3 and a thin insulating film 4 are selectively formed on this layer 2.例文帳に追加

気相合成により形成された高配向ダイヤモンド膜からなる第１ダイヤモンド層１からなり、該第１ダイヤモンド層１上にダイヤモンド層２が形成されると共に、この第２ダイヤモンド層２上には、第３ダイヤモンド層３および絶縁薄膜４が選択的に形成されている。 - 特許庁

The laminated magnetic thin film 10 comprises a granular layer 18 with a microscopic magnetic particle 14 wrapped around by an insulating material (or an insulating layer 16), a granular magnetic material layer 12 with a first insulating layer 20 laminated on the order of nanometer, and a second insulating layer 22 alternately laminated on a substrate 30.例文帳に追加

積層磁性薄膜１０は、微細な磁性粒子１４を絶縁体（ないし絶縁層１６）で包み込んだグラニュラ層１８と第１の絶縁層２０をｎｍオーダーで積層したグラニュラ磁性体層１２と、第２の絶縁層２２を、基板３０上に交互に積層した構造となっている。 - 特許庁