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total capacitanceの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 49



例文

A total capacitance value of a capacitance on the downstream side of the diode D and in parallel with the capacitive load is smaller than the capacitance value of the capacitive load, and larger than 10%.例文帳に追加

ダイオードDの下流側にあり容量性負荷と並列の容量の全容量値は、容量性負荷の容量値よりも小さく、10%よりも大きい。 - 特許庁

A total capacitance value, an interline capacitance value, and an interlayer capacitance value are calculated for a plurality of device structures having been changed by a statistical procedure for a parameter regarding respective wirings of a multilayer wiring.例文帳に追加

多層配線の各配線に関するパラメータを統計的処理で変化させた複数のデバイス構造に対する総容量値、線間容量値および層間容量値を算出する。 - 特許庁

To increase the ratio of the coupling capacitance between a floating gate and a control gate to the total capacitance, and to improve the reliability during the read-out operation.例文帳に追加

全容量に対するフローティングゲートとコントロールゲート間の容量比を向上させ、かつ、読み出し作動時の信頼性を向上させること。 - 特許庁

The ratio of a parasitic capacitance of the pixel to the total capacitance is obtained from the variation of the pixel voltage obtained by the computer 31.例文帳に追加

そして、コンピュータ31により求めた画素電圧の変化量から、画素における寄生容量の全容量に対する比を求めるようにした。 - 特許庁

例文

Since total auxiliary capacitance can be increased by a capacitance portion formed between the source region and the auxiliary capacitance lines in addition to auxiliary capacitance formed between the auxiliary capacitance lines and the pixel electrodes, the area of the auxiliary capacitance lines can be reduced by that portion, and the aperture ratio is improved.例文帳に追加

補助容量線と画素電極との間に形成される補助容量に加え、ソース領域と補助容量線との間で形成される容量分だけ総補助容量を増加させることが可能となるため、その分だけ補助容量線の面積を縮小することができ、開口率が向上する。 - 特許庁


例文

A cap electrode CAP is provided on an insulation layer 6 covering the capacitance electrode FGC2 of the capacitor C, so that the capacitor part C has total capacitance of a capacitance between the capacitance electrode FGC2 and a p-type well HPW1 and a capacitance between the cap electrode CAP and the capacitance electrode FGC2.例文帳に追加

容量部Cの容量電極FGC2を覆う絶縁層6上にキャップ電極CAPを設けることにより、容量部Cは、容量電極FGC2とp型のウエルHPW1との間の容量およびキャップ電極CAPと容量電極FGC2との間の容量を加算した容量を有する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device manufacturing method which can approximate a total value of electrostatic capacitance of a laminated MIM capacitor to intended electrostatic capacitance.例文帳に追加

積層したMIMキャパシタの静電容量の合計値を所望の静電容量に近づけることができる半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

The frequency tuning sensitivity control section adjusts the change rate of the total capacitance of the variable capacitance circuit with respect to a control voltage, depending on the band used.例文帳に追加

周波数感度制御部は、使用するバンドに応じて、制御電圧に対する可変容量回路全体の容量の変化率を調整する。 - 特許庁

To reduce the total electrostatic capacitance in a surge protecting circuit and an insertion loss to a communication line.例文帳に追加

サージ防護回路の全体の静電容量を小さくし通信回線への挿入損失を少なくする。 - 特許庁

例文

An adjusting capacitance line 50 crossing the drain lines is arranged, and a total superimposing area of the drain lines and data signal lines and that of the drain lines and this adjusting capacitance line 50 are equalized.例文帳に追加

ドレイン線と交差する調整容量線50を設け、ドレイン線とデータ信号線及びこの調整容量線50との重畳面積の合計を等しくする。 - 特許庁

例文

To reduce a chip area of a semiconductor integrated circuit by reducing the total capacitance of phase compensation capacitor.例文帳に追加

位相補償容量のトータル容量値を減少させることにより、半導体集積回路のチップ面積を減少させる。 - 特許庁

The total incident light quantity monitoring unit 20 includes an amplifier A_20, a capacitance element C_20, a switch SW_20 and a comparator circuit 22.例文帳に追加

入射光総量監視部20は、アンプA_20,容量素子C_20,スイッチSW_20および比較回路22を含む。 - 特許庁

Equalization conductors (EC 1, EC 2) may be connected to the substrate and spaced from S 2 and S 1, respectively, by electrically insulating material to create additional capacitances with values selected to substantially equalize the total parasitic capacitance on S 2 with the total parasitic capacitance on S 1.例文帳に追加

等化コンダクタ(EC1、EC2)は電気絶縁性素材によって基板に接続し、S2及びS1からそれぞれ切り離して、追加的な電気容量をつくりだし、S2上の総電気容量をS1上の総電気容量とほぼ等しくするように、それらの値を設定する。 - 特許庁

The coupling capacitor 33 is so set to a capacitance value that its reactance is smaller enough than the characteristic impedance of the microstrip line, and that a specified variation quantity of the total capacitance value is obtained with the change of the capacitance value of the element 22.例文帳に追加

結合コンデンサー33の容量値は、そのリアクタンスがマイクロストリップ線路の特性インピーダンスよりも十分に小さくなるように設定すると共に、可変容量素子22の容量値の変化に対して総合容量値に所定の変化量が得られるように設定する。 - 特許庁

The capacitor circuit (34) includes a control input section (33) for a control signal and its total capacitance changes dependently upon the control signal.例文帳に追加

容量回路(34)は、制御信号のための制御入力部(33)を有し、かつその総容量が制御信号に依存して変化する。 - 特許庁

A signal processing part 24 obtains the reciprocal of resultant impedance Z of a gap capacitance Cg and a plasma impedance Zp, obtains resultant capacitance which is the total of the gap capacitance Cg and a capacitance component included in the plasma impedance from the imaginary part of the reciprocal and obtains a resistance component included in the plasma impedance from the real part of the reciprocal.例文帳に追加

信号処理部24はギャップ静電容量CgとプラズマインピーダンスZpとの合成インピーダンスZの逆数を求めて、当該逆数の虚部からギャップ静電容量Cgとプラズマインピーダンスに含まれる静電容量成分との和である合成静電容量を求め、当該逆数の実部からプラズマインピーダンスに含まれる抵抗成分を求める。 - 特許庁

Since each electrostatic capacitance of total 19 pieces of unit capacitors UC1-UCn is progressively increased from both sides in the laminated direction to the central part, in actual measurement, the capacitance of the multilayer capacitor measured through external electrodes 4 can be approximate to the total value of the electrostatic capacitance of each unit capacitor individually measured in the state in which the external electrodes are removed.例文帳に追加

計19個の単位コンデンサUC1〜UCnの静電容量を積層方向両側から積層方向中央に向かって徐々に大きくすることにより、実測上において、外部電極4を通じて測定した積層コンデンサの静電容量を、外部電極4を取り除いた状態で個別に測定された単位コンデンサの静電容量の合計に近い値とすることができる。 - 特許庁

To provide a wiring method capable of increasing the total capacitance of wiring to be affected by crosstalk noise without adding a new wiring layer.例文帳に追加

新たな配線層を追加することなく、クロストークノイズの影響を受ける配線の総容量を増加させることのできる配線方法を提供する。 - 特許庁

To suppress a packet transfer time from a terminal device to a gateway equal with or less than an allowable value and to reduce total line capacitance all over the network.例文帳に追加

端末装置からゲートウェイまでのパケット転送時間を許容値以下に抑え、かつネットワーク全体における総回線容量を軽減すること。 - 特許庁

To obtain a plasma system having a capacitance compensator for keeping the total capacitance, between a chuck being set with a wafer and a ground terminal, at a constant value at all times, and a plasma system in which process variables can be kept at constant values at all times.例文帳に追加

ウェーハが置かれるチャックと接地端子間の全体チャックキャパシタンスを常に一定値に維持できるキャパシタンス補償機を備えるプラズマ装置及び工程変数を常に一定に維持できるプラズマ装置を提供する。 - 特許庁

Although an area where the well 102 faces the gate electrode 106 is made approximately half, a capacitance between end parts and side walls of the gate electrode 106, and the well 102 and a contact metal 120 increases and therefore a total capacitance hardly decreases.例文帳に追加

ウェル102とゲート電極106が対向する面積は約半分になるが、ゲート電極106の端部や側壁とウェル102やコンタクトメタル120との容量が増えるので、トータルとしての容量はほとんど減少しない。 - 特許庁

A design condition of at least one of the upper layer insulation film 7 and the overlaying metal film 8 is adjusted based on the measured thickness of the lower layer insulation film 4 such that a total value of electrostatic capacitance of the first MIM capacitor and electrostatic capacitance of the second MIM capacitor approximates intended electrostatic capacitance.例文帳に追加

第1のMIMキャパシタの静電容量と第2のMIMキャパシタの静電容量の合計値が所望の静電容量に近づくように、測定した下層絶縁膜4の厚みに基づいて、上層絶縁膜7及び上地金属膜8の少なくとも一方の設計条件を調整する。 - 特許庁

The switched capacitor voltage-controlled oscillation circuits are oscillated over a broadband frequency range by changing the capacitance of the variable capacitors C1, C2 with a control voltage and using a switched capacitor control signal to change the total capacitance of the tuning switched capacitors 24 to 27.例文帳に追加

そして、制御電圧により可変容量C1,C2の容量値を変化させ、スイッチトキャパシタ制御信号によりチューニング用スイッチトキャパシタ24〜27夫々の総キャパシタンス値を変化させることによって、広帯域の周波数範囲で発振する。 - 特許庁

Each sinusoidal carrier signal, having the same frequency where the sum total of phases becomes 0°, is applied to capacitance type displacement sensors 12, 22 from capacitance conversion parts 11, 21 with each grounding connected mutually, to thereby measure the thickness of the measuring object 30.例文帳に追加

互いの接地が接続された静電容量変換部11,21から、静電容量式変位センサ12,22に、位相の総和が0°となる、同一周波数の正弦波状のキャリア信号を印加して、測定対象物30の厚さを測定する。 - 特許庁

To provide an excellent capacitance type pressure sensor device that can be used at high temperatures, be miniaturized, be easily assembled, and reduce the total cost.例文帳に追加

高温用として使用可能でありながらも小型化や組立易さを改善でき且つトータルコストを削減できるといった優れた静電容量式圧力センサ装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electrostatic capacitance-type input device in which a first electrode, a second electrode, an inter-layer insulating film, a relay electrode, and peripheral wiring can be formed by three times in total of patterning formation and a method for manufacturing the capacitance-type input device.例文帳に追加

計3回のパターニング形成によって、第1電極、第2電極、層間絶縁膜、中継電極、および周辺配線を形成することのできる静電容量型入力装置、および当該静電容量型入力装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The capacitor 2 has a capacitance which outputs a voltage 28 V, by which the total with the output voltage 14 V of the storage battery 1 becomes the working voltage 42 V of the 42V-system load 11.例文帳に追加

キャパシタ2は、蓄電池1の出力電圧14Vとの合計が42V系負荷11の作動電圧42Vとなる電圧28Vを出力する静電容量を有する。 - 特許庁

In this electret making method, in the state of clamping a porous body to be processed with a pair of dielectrics whose total capacitance is 2×10-7 C/(m2.V) or more and total of thickness is 0.2 mm or more, a DC high voltage is applied between the dielectrics.例文帳に追加

本発明のエレクトレット化方法は、総静電容量が2×10^-7C/(m^2・V)以上、かつ厚さの合計が0.2mm以上の1対の誘電体により、多孔性被処理体を挟持した状態で、前記誘電体間に直流高電圧を印加する方法である。 - 特許庁

To provide an electronic ink display panel which can display colored images, wherein the electronic ink display panel has a plurality of sub-pixel units, and the total capacitance of each of the sub-pixel units (sum of a storage capacitor and a display capacitor) is the same.例文帳に追加

それぞれの総容量値(蓄積容量と表示容量との容量総和)が等しい複数のサブ画素ユニットを備え、カラー画面を表示することができる電子インク表示パネルを提供する。 - 特許庁

To provide a calculating method by which parasitic capacitance total to wiring can be obtained at a high speed with a high precision, and a high speed crosstalk delay calculating method by which an excess margin at predic tion can be cut.例文帳に追加

配線による寄生容量を高速・高精度に求めることができる配線容量計算方法、ディレイ予測時の余分なマージンを削ることができる高速クロストークディレイ計算方法を提供する。 - 特許庁

Since the CF film and the BN film which have low relative permittivities are used in the semiconductor device, relative permittivity of the semiconductor device as a whole is reduced, so that the total capacitance between wirings is reduced.例文帳に追加

このような半導体装置では比誘電率の低いCF膜とBN膜を用いているので、半導体装置全体の比誘電率が小さくなり、結果としてト−タルの線間容量が小さくなる。 - 特許庁

To reduce total capacitance between wirings by forming a semiconductor device, using a fluorine added carbon film (CF film) as an interlayer insulating film while using a boron nitride film(BN film) as a hard mask.例文帳に追加

層間絶縁膜としてフッ素添加カ−ボン膜(CF膜)を用いた半導体装置を、ハ−ドマスクとして窒化ホウ素膜(BN膜)を用いて形成することによりト−タルの線間容量を小さくすること。 - 特許庁

To provide a method that measures a total leakage current Igr of the phases of a power distribution system of a 200V class three-phase three-wire system, obtains a leakage current Igc of each phase that flows through ground capacitance, and thereby determines an error amount caused by an imbalance of the ground capacitance included in the Igr measurement value.例文帳に追加

200V級の3相3線式の配電系統における各相の合計漏れ電流Igrを測定し、対地静電容量を通じて流れる各相別の漏洩電流Igcを把握し、Igr測定値に含まれる対地静電容量のアンバランスに起因する誤差の量を知る。 - 特許庁

To provide a construction in which a storage capacitor with sufficient electrostatic capacitance can be formed, in a transflective or total reflective liquid crystal device and in an electronic apparatus equipped with the liquid crystal device.例文帳に追加

半透過反射型あるいは全反射型の液晶装置、および当該液晶装置を備えた電子機器において、十分な静電容量をもった保持容量を形成することのできる構成を提供すること。 - 特許庁

The electret making device is provided with a means capable of clamping the porous body with the pair of the dielectrics whose total capacitance is 2×10-7 C/(m2.V) or more and total of thickness is 0.2 mm or more, and a means capable of applying the high DC voltage between the dielectrics.例文帳に追加

本発明のエレクトレット化装置は、総静電容量が2×10^-7C/(m^2・V)以上、かつ厚さの合計が0.2mm以上の1対の誘電体により、多孔性被処理体を挟持することのできる手段、及び前記誘電体間に直流高電圧を印加できる手段、とを備えたものである。 - 特許庁

It is an object of the selection transistor to reduce total capacitance of the bit line or control gate line, or to reduce disturbing conditions to which a sub array in which cells are grouped may be subjected during programming and/or deleting.例文帳に追加

選択トランジスタの目的は、ビット線又はコントロールゲート線の全体的キャパシタンスを低減すること、又はセルをグループ化したサブアレーが、プログラム及び/又は消去の間に受けるうる擾乱条件を抑制することになるであろう。 - 特許庁

The antenna is structured such that power matching of a power feed part is achieved by canceling reactance of the power feed part generated by the total length of a radiation conductor smaller than wavelength by a resonance circuit composed of an inductance of the meander-shaped conductor and capacitance of the uneven structure.例文帳に追加

メアンダ形状導体によるインダクタンスと凹凸構造によるキャパシタンスからなる共振回路で、波長に比べて短い放射導体全長が生成する給電部リアクタンスを相殺して給電部の電力整合を取る構成とする。 - 特許庁

To enhance facility using ratio by maintaining a driving force sufficient to make an LSM vehicle travel and reducing a total capacitance of the inverters, in a feeder system for the LSM vehicle employing a ground primary linear synchrnous motor.例文帳に追加

地上一次リニアシンクロナスモータを採用するLSM式車両のき電システムにおいて、LSM式車両の走行を実現するための十分な駆動力を保持しつつ、インバータ装置の総容量を低減してその設備利用率を向上させる。 - 特許庁

To provide a method for increasing the total amount of injection of electric charges for a floating gate by preventing excessive large electric field from being applied to a tunnel oxide film and a capacitance insulation film in a test of an electric charges holding characteristic of a nonvolatile semiconductor memory.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置の電荷保持特性の検査において、トンネル酸化膜や容量絶縁膜に過剰に大きい電界が印加されないようにして、浮遊ゲートへの電荷注入総量を多くする方法を提供する。 - 特許庁

The space region 12c, which is located at the top of the copper wiring, can be considered that an insulating film of relative permittivity 1 is deposited thereon in appearance, the semiconductor device can be markedly reduced in wiring total capacitance, and an electronic device can be reduced in effective permittivity.例文帳に追加

また、銅配線の最上部に位置する空間領域12cは、みかけ上、比誘電率1の絶縁膜が堆積されていると考えることができ、配線トータル容量が大幅に低減し、電子デバイスの実効誘電率を下げることができる。 - 特許庁

When the total charge amount in the storage capacitance element Cp becomes a charge amount, corresponding to the charge amount of a second sub-data signal SD1b, the turn-off transistor Qo is turned ON, and supply of the driving current Id to the organic EL element 11 is intercepted.例文帳に追加

そして、蓄積容量素子Cpに蓄積された総電荷量が第2副データ信号SD1bに相対した電荷量になったときに消灯トランジスタQoをオンして有機EL素子11への駆動電流Idの供給を遮断するようにした。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device which can cope with both the reductions of the total parasitic capacitance of input output lines, noise, and the area of a sense amplifier driver for overdrive and the speed-up of the driver and the sensitivity deterioration prevention, speed-up, and size- reduction of a sense amplifier.例文帳に追加

入出力線の合計寄生容量の低減、ノイズの低減、オーバードライブ用センスアンプドライバの面積の縮小と高速化、センスアンプの感度悪化防止と高速化および微細化への対応とが両立できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Parasitic capacitance between a wiring metallic layer such as source wiring 1 and gate wiring 2 and an pixel electrode 6 is reduced by forming a transparent resin layer on a CF layer 9 so that a total thickness of the CF layer and the transparent resin layer is 3 μm to 6 μm.例文帳に追加

CF層9の上に透明性樹脂層をCF層と透明樹脂層の合計厚みが3μm以上6μm以下になるように形成してソース配線1やゲート配線2の配線金属層と画素電極6間の寄生容量を低減する。 - 特許庁

Furthermore, in this configuration, when an upper limit of a distance (electrode length l) between the end face electrodes 3a, 3a and the edge of the circumferential electrodes 10, 10 is less than 2L/10 (L; total length), the reduction in the Δf is small and the static capacitance Cx is increased, then the element offers a harmonized characteristic.例文帳に追加

また、この構成にあっては、端面電極3a,3aから周面電極端縁までの距離(電極長l)の上限が、2L/10未満(L;全長)であると、Δfの減少が小さく、かつ静電容量Cx も改善されており、調和のとれた特性を示す。 - 特許庁

Since the capacitance coupling section 15 acts as a size reduction capacitor, even when the total length of the 1st element 14 and 2nd element 16 are is in excess of λ/2, no current distribution of inverted phase currents appears in the 1st element 14 and the 2nd element 16 so that the antenna gain cannot be reduced.例文帳に追加

この容量結合部15は短縮コンデンサとして機能するので、第1のエレメント14と第2のエレメント16とを合わせた長さがλ/2を超える長さであっても、第1のエレメント14と第2のエレメント16には逆相の電流分布は現れず、アンテナ利得が低下することはない。 - 特許庁

The semiconductor device 100 is designed according to a method including the step of setting the numbers of first vias and second vias in such a way that a value obtained by dividing a capacitance value of the capacitor 112 by the total number of first vias (128) and second vias (130) included in the first via group and the second via group becomes less than or equal to a predetermined value.例文帳に追加

半導体装置100は、容量112の容量値を第1のビア群および第2のビア群に含まれる第1のビア(128)および第2のビア(130)の総数で除した値が所定値以下となるように第1のビアおよび第2のビアの数を設定する工程を含む方法で設計される。 - 特許庁

A driver IC has an electric characteristic measuring part for measuring the sum total value of capacitance between the inspection terminals 59a-59d and the common electrode 134, and a release determination part for determining the number of the inspection terminals 59a-59d is released from the inspection land 137 based on the measuring result of the electric characteristic measuring part.例文帳に追加

ドライバICが、検査端子59a〜59dと共通電極134との間の静電容量の合計値を計測する電気特性計測部と、電気特性計測部の計測結果に基づいて検査ランド137から剥離した検査端子59a〜59dの数を判断する剥離判断部とを有している。 - 特許庁

To provide a device for measuring a leakage current capable of acquiring currents Igc in each phase and as total flowing through a ground electrostatic capacitance of a distribution circuit of three-phase four wires or three-phase three wires of distribution system, and capable of determining the leakage current Igr including no error caused by an unbalanced state, and a phase where the leakage current Igr increases.例文帳に追加

3相4線、又は3相3線式の配電方式配電回路の対地静電容量を通じて流れる各相別及び合計の電流Igc、アンバランス状態に起因する誤差を含まない漏れ電流Igr及び漏れ電流Igrが増大している相の判定を行うことのできる漏洩電流測定装置を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a device for measuring a leakage current capable of acquiring current Igc values in each phase and as total flowing through a ground electrostatic capacitance of a distribution circuit of three-phase four wires or three-phase three wires of distribution system, capable of acquiring the leakage current Igr value including no error caused by an unbalanced state, and capable of determining a phase where the leakage current Igr value increases.例文帳に追加

3相4線、又は3相3線式の配電方式配電回路の対地静電容量を通じて流れる各相別及び合計の電流Igc値の把握、及び、アンバランス状態に起因する誤差を含まない漏れ電流Igr値の把握、及び漏れ電流Igr値が増大している相の判定を行うことのできる漏洩電流測定装置の提供を目的とする。 - 特許庁




  
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