「upper layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(100ページ目) - Weblio英語例文検索

In a manufacturing method, a circuit pattern 56 is formed on both side or single side copper-clad laminate plates at both faces of at a single face, a build-up layer 57 is laminated thereon, and then a solder resist layer 58 is formed on the upper face of the build-up layer 57.例文帳に追加

本発明の製造方法は、両面または片面の銅張積層板に回路パターン（５６）を形成し、その上部にビルドアップ層（５７）を積層した後、ビルドアップ層（５７）の上面にソルダレジスト層（５８）を形成する。 - 特許庁

A substrate 13 harder than the lower layer elastic body 12 is bonded to the under surface of the lower layer elastic body 12 by fitting between projections 121, 122 on the under surface of the lower layer elastic body 12 and recessed parts 131, 132 on the upper surface of the substrate 13.例文帳に追加

下層弾性体１２の下面に、下層弾性体１２より硬質の基板１３が、下層弾性体１２の下面の凸部１２１，１２２と基板１３の上面の凹部１３１，１３２との嵌合によって接合されている。 - 特許庁

Waste is charged in the furnace body 2 to be heated and melted and the upper layer melt is discharged from the slag discharge port 22 while the lower layer melt discharge port 101 is heated continuously or intermittently to guide the lower layer melt to discharge the same.例文帳に追加

廃棄物を炉体２に投入して加熱溶融し、出滓口２２から上層の溶湯を排出する一方、下層の溶湯排出口１０１を連続的又は間欠的に加熱することにより下層の溶湯を誘導して排出する。 - 特許庁

An inexpensive metal material is used as a substrate and, after the oxidized film layer on the surface of the substrate is removed, an intermediate layer having conductivity is provided on the surface of the substrate and a π-conjugated polymer film is formed on the upper surface of the intermediate layer.例文帳に追加

安価な金属材料を基体として、基体表層にある酸化皮膜層を取り除いた後に、導電性を有する中間層を設け、その表面の上層にπ共役導電性高分子膜を形成する。 - 特許庁

The recording head is provided with a lower magnetic pole layer and an upper magnetic pole layer 13, which include magnetic pole parts facing each other with a recording gap layer 12 between them, and a thin film coil which is arranged between them in the insulated state.例文帳に追加

記録ヘッドは、記録ギャップ層１２を介して互いに対向する磁極部分を含む下部磁極層および上部磁極層１３と、これらの間に絶縁された状態で配設された薄膜コイル１０とを有している。 - 特許庁

The dot marks 21 of the upper layer are formed in a self-alignment manner with the dot marks 11 of the lower layer by a rear surface exposure technique with the dot marks 11 of the lower layer as a mask at the time of formation of a channel protective film 22 of TFTs(thin-film transistors) 45.例文帳に追加

上層のドットマーク２１は、ＴＦＴ４５のチャネル保護膜２２を作成する際、下層のドットマーク１１をマスクとした裏面露光技術により、下層のドットマーク１１に対して自己整合（セルフアライメント）的に作成される。 - 特許庁

The emitting portion 10 and the dummy portion 20 include a lower semiconductor multilayer reflecting film 102 of n-type, an active layer 104, a p-type current constriction layer 106, a p-type upper semiconductor multilayer reflecting film 108, and a contact layer 110.例文帳に追加

発光部１０およびダミー部２０は、ｎ型の下部半導体多層反射膜１０２、活性層１０４、ｐ型の電流狭窄層１０６、ｐ型の上部半導体多層反射膜１０８及びコンタクト層１１０を含んでいる。 - 特許庁

In the organic FET, an insulation layer 4 and a first organic molecular layer 6 are inserted into the upper surfaces of a source electrode 3 and a drain electrode 5, and a second organic molecular layer 7 is inserted into the side surfaces of the source electrode 3 and the drain electrode 5.例文帳に追加

本発明の有機FETでは、ソース電極３およびドレイン電極５の上面に絶縁層４と第一の有機分子層６を、ソース電極３およびドレイン電極５の側面に第二の有機分子層７を挿入する。 - 特許庁

An infrared detector includes a light absorption layer 200 that absorbs infrared using an inter-subband transition of a quantum dot 24 that is laminated in a multi-layer, and a lower electrode 27 and an upper electrode 28 provided so as to interpose the light absorption layer 200.例文帳に追加

多層に積層された量子ドット２４のサブバンド間遷移を利用して赤外線を吸収する光吸収層２００と、光吸収層２００を挟むように設けられた下部電極２７及び上部電極２８を有する。 - 特許庁

The epitaxial lateral overgrowth substrate comprises a mother substrate, an island-like protective layer disposed on the mother substrate, and a GaNP layer disposed in contact with the upper faces and the sidewalls of the mother substrate and of the island-like protective layer.例文帳に追加

母材基板と、前記母材基板に設けられた島状保護層と、前記母材基板と前記島状保護層の上面および側壁とに接して設けられたＧａＮＰ層とを備えたエピタキシャル・ラテラル・オーバーグロース基板とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a two-dimensional photonic crystal laser without deteriorating performance of a two-dimensional photonic crystal layer as a resonator, in forming an upper layer on the two-dimensional photonic crystal layer by an epitaxial method.例文帳に追加

２次元フォトニック結晶層の上部層をエピタキシャル法により形成する方法であって、２次元フォトニック結晶層の共振器としての性能を低下させない２次元フォトニック結晶レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

The liquid crystal device 1 is formed with the first light-shielding layer 51 overlapping between pixels 2a and the second light-shielding layer 52 overlapping over the upper layer side, with respect to a thin-film transistor 1c on an element substrate 10.例文帳に追加

液晶装置１において、素子基板１０には、画素電極２ａの間に重なる第１の遮光層５１と、薄膜トランジスタ１ｃに対してその上層側で重なる第２の遮光層５２とを同層位置に形成する。 - 特許庁

The catalyst for cleaning exhaust gas includes: a base material 1 forming a gas passage where exhaust gas flows; a lower catalytic layer 2 formed on the surface of the base material 1; and an upper catalytic layer 3 formed on the surface of the lower catalytic layer 2.例文帳に追加

排ガス浄化用触媒は、排ガスが流通するガス流路を形成する基材１と、基材１の表面に形成された下触媒層２と、下触媒層２の表面に形成された上触媒層３と、をもつ。 - 特許庁

The metal hollow ball 4 includes a barrier layer 2 formed of barrier material on a surface of a metal hollow body 1 formed of metal material or metal oxide, and also includes a bonding layer 3 formed of bonding material on an upper surface of the barrier layer.例文帳に追加

金属材料または金属酸化物で形成される金属中空体１の表面にバリア材で形成されるバリア層２を有し、バリア層の上面に接合材で形成される接合層３を有する金属中空ボール４。 - 特許庁

In manufacturing the piezoelectric actuator, the anti-diffusion layer is formed on an upper face of a diaphragm by an AD method (S102), the anti-diffusion layer is heated at 750°C for 30 minutes (S103), and a residual stress of the anti-diffusion layer is relieved.例文帳に追加

圧電アクチュエータを製造するには、振動板の上面にＡＤ法により拡散防止層を形成し（Ｓ１０２）、拡散防止層を７５０℃で３０分間加熱して（Ｓ１０３）拡散防止層の残留応力を緩和させる。 - 特許庁

To provide an automatic analysis apparatus capable of preventing contamination without allowing a dispensing probe to penetrate to a necessary degree or above even when the layer other than the upper layer of a sample to be inspected separated into a plurality of layers is set as a sucking target layer.例文帳に追加

複数の層に分離する被検試料の上層以外を吸引の目的層とする場合であっても必要以上に分注プローブを侵入させずにコンタミネーションを防止することができる自動分析装置を提供する。 - 特許庁

A slot 12 has a lower layer insertion part 31 of a double-layered lap-wound coil 30 interposed on the back side thereof and also has an upper layer insertion part 32 interposed on an opening end side thereof away from the lower layer insertion part 31.例文帳に追加

スロット１２の奥側には、２層巻の重ね巻コイル３０の下層挿入部３１が挿入配置されるとともに、下層挿入部３１よりもスロット１２の開口端側には上層挿入部３２が挿入配置されている。 - 特許庁

To provide a radiation sensor that can suppress increase in crosstalk even when a distance between an upper surface of a scintillator layer and a light reflective layer is increased in order to form the light reflective layer without a defect.例文帳に追加

本発明は、光反射層を欠陥無く形成するためにシンチレータ層上面と光反射層の距離が離れた場合においてもクロストークの増加を抑制することが可能な放射線センサーを提供することを目的とする。 - 特許庁

Then, a second metal layer 150 bonded to the metal pillars 200 constituted by stacking the first and second metal pillars 60, 90 is formed on an upper surface of an insulating layer 10 constituted by laminating the first and second insulating layer 70, 100.例文帳に追加

その後、第１及び第２絶縁層７０、１００を積層してなる絶縁層１０上面に、第１及び第２金属柱６０、９０を連ねてなる金属柱２００に接合された第２金属層１５０を形成する。 - 特許庁

A first label 100-1 includes: an adhesive layer 110 mixed with microcapsules 114 where a repellent is enclosed and formed on a pasteboard 102; and a printing layer 116 formed on the upper part of the adhesive layer 110.例文帳に追加

第１ラベル１００−１は、台紙１０２の上部に形成される、忌避剤を封入したマイクロカプセル１１４を混合した粘着層１１０と、当該粘着層１１０の上部に形成される印刷層１１６からなる。 - 特許庁

In the tinned steel sheet, one side or both sides of a steel sheet is provided with a tinned layer in which pinholes are sealed by iron phosphate as the lower layer, and, a phosphoric acid based film containing magnesium ions is provided as the upper layer thereof.例文帳に追加

鋼板の片面または両面に、下層としてピンホールがリン酸鉄によって封孔された錫めっき層を有し、その上層としてマグネシウムイオンを含有するリン酸系皮膜を有することを特徴とする錫めっき鋼板。 - 特許庁

A carbon content insulating film(third insulating film 106) whose density or carbon density is continuously changing to a thickness direction is used as an inter-layer insulating film between lower layer metallic wiring 104 and upper layer metallic wiring 113.例文帳に追加

下層金属配線１０４と上層金属配線１１３との間の層間絶縁膜として、密度又は炭素濃度が厚さ方向に連続的に変化する炭素含有絶縁膜（第３の絶縁膜１０６）を用いる。 - 特許庁

The alignment mark 40 is opened on a inter-layer insulation film in a single etching process of opening the via hole for forming a metal contact for connecting lower layer wiring to upper layer wiring.例文帳に追加

本アライメントマーク４０は、下層配線に上層配線を接続するメタルコンタクトを形成するビアホールを層間絶縁膜に開口する際に、ビアホールを開口する同じエッチング工程で層間絶縁膜に開口するアライメントマークである。 - 特許庁

Because the adhesion transition layer exists between the upper low-k dielectric layer and the diffusion barrier cap dielectric layer, the possibility that the layers in the interconnection structure are separated in a packaging process is reduced.例文帳に追加

上部低誘電率（low-k)誘電体層と拡散障壁キャップ誘電体層との間に接着遷移層が存在するから、パッケージング工程の間に相互接続構造体が離層する機会を低減させることが可能になる。 - 特許庁

To provide a touch panel device which can prevent a metal layer from being melted or corroded to cause a deterioration in adhesion to a transparent conductive film, when the device has a structure which keeps the metal layer overlying the upper layer of the transparent conductive film.例文帳に追加

透明導電膜の上層に金属層が形成されている構造を有する場合に、金属層が溶けたり腐食したりして透明導電膜との接着性が低下することを防止できるタッチパネル装置を提供する。 - 特許庁

The method of forming the optical waveguide is characterized by the fact that the optical waveguide is composed of a lower clad layer, a core part, and an upper clad layer, and the lower clad layer and at least one of the core parts are formed by using a dry film.例文帳に追加

下部クラッド層、コア部分および上部クラッド層からなる光導波路であって、下部クラッド層およびコア部分の少なくとも１つをドライフィルムを用いて形成することを特徴とする光導波路の形成方法。 - 特許庁

The recording head has a lower part magnetic pole layer and an upper part magnetic pole layer 13 which include magnetic pole parts and face each other across a recording gap layer 12, and a thin film coil 10 arranged between them in an insulted state.例文帳に追加

記録ヘッドは、記録ギャップ層１２を介して互いに対向する磁極部分を含む下部磁極層および上部磁極層１３と、これらの間に絶縁された状態で配設された薄膜コイル１０とを有している。 - 特許庁

The method for forming the layer to prevent the infiltration of rain water comprises forming the layer to prevent the infiltration of rain water by covering the upper surface of the waste 16 in the waste disposal facility with the gas-permeable liner sheet 10 and a resin porous membrane layer 12 for reinforcement.例文帳に追加

雨水浸透防止層の施工方法は、廃棄物処分場の廃棄物１６の上面を該通気性遮水シート１０と補強用樹脂多孔膜層１２とを施工し被覆して雨水浸透防止層を形成する。 - 特許庁

A first conductor layer 20 is formed in such a way that a magnetic substance layer 40 is interposed on the upper surface of a dielectric substrate 10, and a second conductor layer 30 in a uniform pattern is formed on the lower surface of the dielectric substrate 10.例文帳に追加

誘電体基板１０の上面に磁性体層４０を介在させるようにして第１導電体層２０を形成し、誘電体基板１０の下面には一様パターンの第２導電体層３０を形成する。 - 特許庁

(3) The gate electrode 33 is constituted of a silicide layer 44a which is at the upper part of the groove and is disposed in the area between the side walls and a phosphorus doped polysilicon layer 44b installed between the groove wall of the groove and the silicide layer 44a.例文帳に追加

（３）ゲート電極が、溝部分の上部であって、サイドウォール間の領域に設けられたシリサイド層４４ａと、溝部分の溝壁とシリサイド層４４ａとの間に設けられたリンドープトポリシリコン層４４ｂとで構成されている。 - 特許庁

A large number of recessed faces 33b on the upper face 33a of the covered layer 33 function as concave lenses so that radiation distribution characteristics of light emitted from a light emission layer 27 via the covered layer 33 becomes superior.例文帳に追加

この際、被覆層３３の上面３３ａに凹レンズとして機能する多数の凹面３３ｂが形成されているので、発光層２７から被覆層３３を経て射出される光の放射分布特性が良好なものとなる。 - 特許庁

The diode comprises a first conductive type second semiconductor layer extending in a vertical direction to a substrate, and a second conductive type third semiconductor layer extending in a vertical direction to the substrate in contact with an upper surface of the second semiconductor layer.例文帳に追加

ダイオードは、基板に対して垂直方向に延びる第１導電型の第２半導体層と、第２半導体層の上面に接して基板に対して垂直方向に延びる第２導電型の第３半導体層とを備える。 - 特許庁

A mixture of an isocyanate component and a polyol component is jetted on the lower layer to form an upper polyurethane elastomer layer 13 of 100-700% elongation and 60-400 kg/mm2 tensile strength, and a multi-layer polyurethane waterproof material.例文帳に追加

この下層上にイソシアネート成分とポリオール成分との混和物を噴射して伸び１００〜７００％、引張強度６０〜４００ｋｇ／ｍｍ^2のウレタンエラストマーの上層１３を形成して、複層のウレタン防水材１２とする。 - 特許庁

A first wiring layer is composed of a storage wiring 20 which connects the upper electrode TE to the one impurity diffusion layer of the memory cell transistor and a bit line BL connected to the other impurity diffusion layer of the memory cell transistor.例文帳に追加

上部電極ＴＥとメモリセルトランジスタの一方の不純物拡散層とを接続するストレージ配線２０と、他方の不純物拡散層に接続されるビット線ＢＬとにより第１の配線層が構成されている。 - 特許庁

The catalyst for exhaust gas cleaning, generating hydrogen by decreasing the concentration of carbon monoxide, is prepared by covering a carbon monoxide shift catalyst layer with an upper layer consisting of a catalyst layer having an oxidation capacity capable of decreasing oxygen concentration.例文帳に追加

酸素濃度の低減可能な酸化性能を有する触媒層を、一酸化炭素シフト触媒層の上層として被覆することにより一酸化炭素濃度を低減して水素を生成する構成を有する排気ガス浄化用触媒。 - 特許庁

In such a case, the thickness A of the lower part Ti layer is ≥10 and ≤30 nm, the thickness B of the intermediate metal layer 4 is ≥35 and ≤65 nm, and the thickness C of the upper part Ti layer 5 is ≥10 and ≤30 nm.例文帳に追加

ここで、下部Ｔｉ層３の厚さＡは、１０ｎｍ以上、３０ｎｍ以下であり、中間金属層４の厚さＢは、３５ｎｍ以上、６５ｎｍ以下であり、上部Ｔｉ層５の厚さＣは、１０ｎｍ以上、３０ｎｍ以下である。 - 特許庁

This can achieve a structure in which no void occurs in a second conductive layer 8 when a second gate insulation film 7 or the second conductive layer 8 is formed on the upper part 6b of the gate of the first conductive layer 6.例文帳に追加

このため、第１の導電層６のゲート上部６ｂの上に第２のゲート絶縁膜７や第２の導電層８が形成されたときに第２の導電層８内にボイドを発生させることなく構成することができる。 - 特許庁

The upper DBR miller layer 16 is formed by laminating a low refractive index layer and a high refractive index layer alternately and has a pair of trenches 25, 25 formed so as to pinch a region opposed to the light emitting region 13A.例文帳に追加

上部ＤＢＲミラー層１６は、低屈折率層および高屈折率層を交互に積層して形成されると共に、発光領域１３Ａとの対向領域を間にして設けられた一対のトレンチ２５，２５を有する。 - 特許庁

Thus, a conductor circuit 72 for connecting the via-hole 50 of the lower layer to the via-hole of the upper layer can be placed, at a position directly above the via-hole 50 which has been a dead space in a prior art, resulting in a high-density multi-layer printed wiring board.例文帳に追加

このため、従来技術ではデッドスペースになっていた、該下層バイアホール５０の直上位置に上層バイアホールへの接続用の導体回路７２を配置できるため、多層プリント配線板の高密度化が可能となる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for inhibiting the generation of crystal defects and at the same time putting a quantum well layer into disorder even in a semiconductor device that has an arbitrary layer structure and at the same time an upper-cladding-layer thickness of 500 nm or less.例文帳に追加

任意の層構造を有し、かつ上クラッド層の厚さが５００ｎｍ以下の半導体装置においても、結晶欠陥の発生が抑制でき、かつ量子井戸層の無秩序化が可能となる製造方法を提供する。 - 特許庁

To eliminate occurrence of voids caused by an electromigration at a via contact for improved reliability in wiring, by forming a plug which connects a lower-layer wiring to an upper-layer wiring so as to directly connect to a wiring without going through barrier layer.例文帳に追加

下層配線と上層配線とを接続するプラグを、バリア層を介さず配線に直接に接続するように形成することで、ビアコンタクトでのエレクトロマイグレーションによるボイドの発生を無くし、配線の信頼性の向上を図る。 - 特許庁

An LD and an EA comprising an n-type lower side clad layer 12, a core layer 13, and a p-type upper side clad layer 14 are formed to an LD region and an EA region on an insulation board 11 with an isolation region inbetween.例文帳に追加

絶縁性の基板１１上に分離領域を挟んでＬＤ領域とＥＡ領域に、それぞれｎ型の下側クラッド層１２、コア層１３及びｐ型の上側クラッド層１４によるＬＤとＥＡを形成する。 - 特許庁

This interior finishing face plate 1 is so constituted that a finishing face exposed to the inside of a room is formed on the surface 1A, a conductive superheated layer is formed on the rear 1B, and a thermoplastic adhesion layer is formed on the upper surface of the conductive superheated layer.例文帳に追加

室内に露出する仕上げ面が表面１Ａに形成され、裏面１Ｂに導電性過熱層が形成され、導電性過熱層の上面に熱可塑性接着層が形成された内装仕上げ面材１とする。 - 特許庁

A protective film 36a is formed, in at least a part of the inner side of the track width direction on the lower terminal layer, and the upper terminal layer (35) is formed from the protective layer 36a to the lower terminal layers (32, 33, 34).例文帳に追加

下層の端子層上であって少なくともトラック幅方向の内側の一部に保護層３６ａが形成され、保護層３６ａ上から下層の端子層（３２、３３、３４）にかけて上層の端子層（３５）が形成されている。 - 特許庁

The impurities diffused into the second upper clad layer 106 are diffused again into the active layer 102, and a part 102B out of the active layer 102 located along the light exiting end face 150 and just under the ridge 105 is turned into mixed crystals (second annealing).例文帳に追加

第２上クラッド層１０６に拡散された上記不純物を、活性層１０２まで再拡散して、活性層１０２のうち光出射端面１５０に沿い、かつリッジ１０５直下の部分１０２Ｂを混晶化する（第２アニール）。 - 特許庁