「write-read」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a configuration of a small read/write circuit and thereby reduce an area and complexity of a read and write circuit used in a conventional array architecture.例文帳に追加

小型の読み出し／書込み回路の構成を提供し、これによって面積、および従来のアレイアーキテクチャにおいて用いられている読み出しおよび書込み回路に対する複雑性を低減する。 - 特許庁

A user moves the read/write device 1 so that the spot light 4 of the read/write device 1 can be located in the proper irradiation region, and confirms this by visualization 5, and operates the operation button 14.例文帳に追加

利用者は、読み書き装置１のスポット光４が適正照射領域にあるように読み書き装置１を移動し、これを目視５で確認して操作ボタン１４を操作する。 - 特許庁

In a request permutation circuit 12, the read requests or write requests held in the request hold circuit 12 are permuted so as to the read commands or the write commands are continued.例文帳に追加

リクエスト入れ替え回路１２で、リードコマンド同士或いはライトコマンド同士が続くように、リクエスト保持回路１２に保持されているリードリクエスト或いはライトリクエストの順番が入れ替えられる。 - 特許庁

When the read/write of the RFID tag is enabled, the target processing of the read/write of the RFID tag is operated, and when the processing ends, the radio output is returned to the minimum value.例文帳に追加

ＲＦＩＤタグのリード／ライトが可能になったところで、ＲＦＩＤタグのリード／ライト等の目的の処理を行い、処理が終了すると、電波出力を最小値に戻す。 - 特許庁

When there is a requested virtual block present in the virtual block area 104 at a read/write request from a host, a control part 106 makes a read/write response as to the virtual block.例文帳に追加

制御部１０６は、上位からのリード／ライト要求に応答して要求された仮想ブロックが仮想ブロック領域１０４にあればその仮想ブロックについてリード／ライト応答する。 - 特許庁

The read/write capability adjusting circuit 104 is provided with an operational state judging circuit for determining a unit time write-in frequency or a unit time read-out frequency according to an operational state of each circuit.例文帳に追加

読み書き能力調整回路１０４は、各回路の動作状態に応じて単位時間内の書き込み回数または読み出し回数を決定する動作状態判定回路を備える。 - 特許庁

Moreover, write and read controllers 33, 34 for FiFo memory stop read or write operation to the FiFo memory and also initialize the memory by the held overflow signal.例文帳に追加

また、ＦｉＦｏメモリへの書き込み・読み出しアドレスコントローラ３３，３４は、ホールドされたオーバーフロー信号によって、ＦｉＦｏメモリへの書き込み、あるいは読み出し動作を停止、かつ、初期化する。 - 特許庁

The data bus driving circuit 31 drives the data bus at the time of data-write based on write data, the data bus driving circuit 32 drives the data bus at the time of data-read based on read-out data.例文帳に追加

データバス駆動回路３１は、データライト時に、書込みデータに基づいて上記データバスを駆動し、データバス駆動回路３２は、データリード時に、読出しデータに基づいて上記データバスを駆動する。 - 特許庁

The write or read can be performed by simultaneous one time access for the plurality of bytes by replacing bit arrangement of the memory cell array by a write method or a read method.例文帳に追加

そして、メモリセルアレイのビット配列を、書込み方法又は読出し方法により入れ替えることにより、複数バイト同時に１回のアクセスで書込み又は読出しが可能とする。 - 特許庁

Furthermore, write and read timing to/from the data memory 4 can be independently controlled with a load signal to a write counter 8 and a read counter 9 so as to adjust the phase of frames.例文帳に追加

またデータメモリ４への書き込み、読み出しタイミングは書き込みカウンタ８、読み出しカウンタ９へのロード信号によって独立に制御でき、フレームの位相調整が行なわれる。 - 特許庁

When read is carried out in the backward direction and read reaches a field buffer located earlier by one field buffer in the write direction from the field buffer of the write object, the field buffers are reversed in the forward direction.例文帳に追加

また、逆方向に読み出しを行っているときに、書き込み対象のフィールドバッファから書き込み方向に一つ先となるフィールドバッファに到達したら正方向に反転させる。 - 特許庁

A memory array 4 is divided into a storage region of binary and a storage region of multi-level, and corresponding to the above, a multi-level write-in/read-out control circuit 12 and a binary write-in/read-out control circuit 13 are provided.例文帳に追加

メモリアレイ４を多値および２値記憶の領域に分割し、それに対応して多値書き込み／読み出し制御回路１２と２値書き込み／読み出し制御回路１３を設ける。 - 特許庁

Even when offset read/write is successful, rewriting for assuring the adjacent track is not immediately carried out, but it is decided from the movement of a head whether there is the possibility of a write fault, and when there is the possibility of write fault, a sector made difficult to read due to the write fault is detected, and only the sector is rewritten.例文帳に追加

オフセットリードリトライが成功しても、直ちに、隣接トラックの保証のリライトを行わずに、寄書き可能性があるかをヘッドの動きで判定し、寄書き可能性のある場合には、寄書きにより読みづらくなったセクタを検出して、そのセクタのみをリライトする。 - 特許庁

Electronic equipment equipped with a read/write unit for reading the information stored in the noncontact IC media is used, and an antenna part of the read/write unit is brought close to the noncontact IC media of the character card (S01), and thereby the read/write unit receives the stored additional information from the noncontact IC media (S03).例文帳に追加

非接触ＩＣメディアに記憶された情報を読み取るリーダ／ライタユニットを備えた電子機器を用い、リーダ／ライタユニットのアンテナ部と前記キャラクターカードの非接触ＩＣメディアを近づけることで（Ｓ０１）、リーダ／ライタユニットが非接触ＩＣメディアから記憶されている付加情報を受信する（Ｓ０３）。 - 特許庁

In a 2-transistor-type gain cell memory having a write transistor M2 and a read transistor M1, write word lines WWL, read word lines RWL, write bit lines WBL, and read bit lines RBL are separately prepared, and separately set with applied voltage, respectively.例文帳に追加

書込みトランジスタＭ２及び読出しトランジスタＭ１を有する２トランジスタ型ゲインセルメモリにおいて、書込みワード線ＷＷＬ、読出しワード線ＲＷＬ、書込みビット線ＷＢＬ、及び読出しビット線ＲＢＬをそれぞれ別に用意し、各々独立に印加電圧を設定する。 - 特許庁

A mode controlling part 112 switches a write mode into another write mode whenever the write processing of X-bit image data is performed Y times and also switches a read mode into another read mode whenever the read processing of image data in a Y-bit slice format is performed X times.例文帳に追加

モード制御部１１２は、Ｘビットの画像データの書込み処理がＹ回行われる度に当該書込みモードを他の書込みモードに切り替える共に、Ｙビットのスライス形式の画像データの読出し処理がＸ回行われる度に当該読出しモードを他の読出しモードに切り替える。 - 特許庁

The write/read registers are of the same number (m pieces) as the number of the memory cells connected to respective word lines WL1 to WLn like the write register Wreg-1 to Wreg-m constituting the write register group 17 and the read register Rreg-1 to Rreg-m constituting the read register group 20.例文帳に追加

ライト／リードレジスタは，ライトレジスタグループ１７を構成するライトレジスタＷｒｅｇ−１〜Ｗｒｅｇ−ｍおよびリードレジスタグループ２０を構成するリードレジスタＲｒｅｇ−１〜Ｒｒｅｇ−ｍと同様に，各ワード線ＷＬ1〜ＷＬｎに接続されているメモリセルと同数（ｍ個）である。 - 特許庁

The semiconductor memory device has the read word line, the write word line and the sub word driver selecting the read word line by a main word signal and a reverse read block signal and selecting the write word line by the main word signal and a reverse write block signal.例文帳に追加

読み出しワード線と、書き込みワード線と、メーンワード信号と反転読み出しブロック信号とにより前記読み出しワード線を選択し、前記メーンワード信号と反転書き込みブロック信号とにより前記書き込みワード線を選択するサブワードドライバーとを有することを特徴とする半導体記憶装置。 - 特許庁

To transmit write light or read light for read/write of a first recording layer 3 without decreasing thickness of a second recording layer 5 disposed in a side where the write light or the read light is incident in an optical recording medium having at least two recording layers.例文帳に追加

２層以上の記録層を有する光記録媒体において、記録光又は再生光が入射する側に配された第２の記録層５の膜厚を薄くすることなく、第１の記録層３の記録再生を行うための記録光又は再生光を高い透過率にて透過させる。 - 特許庁

The address control circuit includes a read column address control circuit to generate a read column address from an address during a first burst period for performing a read operation, and a write column address control circuit to generate a write column address from the address during a second burst period for performing a write operation.例文帳に追加

リード動作実行のための第１のバースト区間で、アドレスからリードカラムアドレスを生成するリードカラムアドレス制御回路と、ライト動作実行のための第２のバースト区間で、前記アドレスからライトカラムアドレスを生成するライトカラムアドレス制御回路と、を含むアドレス制御回路を提供する。 - 特許庁

The read memory and the write memory of each random access memory device are updated respectively in relation to a spare read memory in common to read memories of all parallel branches and a spare write memory in common to write memories of all parallel branches.例文帳に追加

本発明は、各ランダムアクセスメモリ装置の読取りメモリと書込みメモリが、それぞれ、並列な全てのブランチの読取りメモリに共通である予備読取りメモリおよび並列な全てのブランチの書込みメモリに共通である予備書込みメモリに関連して更新されることを特徴とする。 - 特許庁

The method also includes allocating a portion of space in the first type of storage to serve as a cache memory during a write operation and/or a read operation, and reducing a latency associated with the response to a write request and/or a read request through performing the corresponding write operation and/or the read operation through the first type of storage.例文帳に追加

第１のタイプのストレージの一部を、書き込み動作および／または読み取り動作の間にキャッシュメモリとして割り当て、第１のタイプのストレージを通じた書き込み動作および／または読み取り動作を実行することによって、各要求の応答待ち時間を削減する。 - 特許庁

In a medium information read/write device equipped with; an antenna 301 formed inside of a casing 1; and a medium information read/write face 150 provided in a casing face 101 close to the antenna 301, a medium information read/write face 150 is formed in a curved surface.例文帳に追加

筐体１の内部に設けられたアンテナ３０１と、このアンテナ３０１に近接する筐体面１０１に設けられた媒体情報読取書込面１５０とを備えた媒体情報読取書込装置において、媒体情報読取書込面１５０を湾曲面で形成する。 - 特許庁

Data transfer requests from decoders 7 and 8 are supplied from a read/write arbitrating circuit 15 to a read/write control circuit 6, and the read/write control circuit 6 reads corresponding packets from the data buffer 5, and supplies it to each of decoders 7 and 8 based on the information of each of pointers 11-14.例文帳に追加

デコーダ７，８からのデータ転送要求は、リード／ライト調停回路15からリード／ライト制御回路６に供給され、リード／ライト制御回路６は、各ポインタ11乃至14の情報に基づいて、対応するパケットをデータバッファ５から読出して各デコーダ７，８に供給する。 - 特許庁

Thus, it is possible to make the readable area and the writable area identical or close to each other, and the read area and the write area are controlled in this way so as to execute read/write only from/to the RF tag being the target of read/write.例文帳に追加

これにより、読み出し可能領域と書き込み可能領域とを同じか又は近づけることができ、このように読み出し領域と書き込み領域を制御することで、読み書き対象のＲＦタグに対してのみ読み取り及び書き込みを行うようにすることができる。 - 特許庁

To obtain a memory device which assures high-speed read operation and can reduce a delay of the read operation start timing of the read operation even when the write operation frequency is same as the read operation frequency.例文帳に追加

読み出し速度を高速化する上、書き込みの頻度が読み出しの頻度と同程度の場合でも書き込み動作による読み出し動作開始時期の遅れを低減し得るメモリ装置を実現する。 - 特許庁

To write and read, or only read a mark smaller than resolution limit, with high read performance (CNR), and high read durability.例文帳に追加

本願発明の目的は、解像限界よりも小さいマークを、追記記録及び再生、もしくは再生のみでき、かつ高い再生性能（ＣＮＲ等）が得られ、かつ高い再生耐久性を実現することである。 - 特許庁

On a read side, with a timing instructed from a write side and an intra-device FP 28 as references, stored multiplex data 31 are read from read data and demultiplexed in a demultiplex part 25.例文帳に追加

読み出し側では書き込み側から指示されたタイミングと装置内ＦＰ２８を基準に、読み出しデータから蓄積多重データ３１を読み出して分離部２５で分離する。 - 特許庁

When write commands are supplied, the parity data starts to be read from a parity memory cell after the read of the regular data is started and while the regular data is read.例文帳に追加

書き込みコマンドが連続して供給されるときに、レギュラーデータの読み出しが開始された後、レギュラーデータの読み出し中に、パリティメモリセルからパリティデータの読み出しが開始される。 - 特許庁

In an address timing controller 1 controlling read/write of data of DIMM 3, a write-enabling-period in which data is written and a write- prohibition-period in which data is not written are set in a write-enabling-period of picture data of one line, refreshing of DIMM 3 is performed during a write- prohibition-period.例文帳に追加

DIMM3のデータリードライトを制御するアドレスタイミングコントローラ1は、1ライン分の画像データのライトが可能な期間において、データライトが行われるライト可能期間と、データライトが行われないライト禁止期間とを設定し、ライト禁止期間にDIMM3のリフレッシュを実行する。 - 特許庁

A read timing generation counter 42 for elastic stores 43, 44 is loaded by a write timing pulse and a read timing initializing signal of the elastic stores 43, 44 so as to optimize write and read frame phase of the elastic stores 43, 44.例文帳に追加

エラスティックストア４３，４４の読出しタイミング生成カウンタ４２のロードを、エラスティックストア４３，４４の書込みタイミングパルス及び読出しタイミング初期化信号で行い、エラスティックストア４３，４４の書込み、読出しフレーム位相を最適化させる。 - 特許庁

To write title information on an MD of a read-out origin in the MD of a write-in destination by using a digital audio interface between a reproducing device and a storage device.例文帳に追加

再生装置と記憶装置間のデジタルオーディオインタフェースを利用して、読み出し元のMDのタイトル情報を書き込み先のMDに書き込む。 - 特許庁

When it is out of range, write data 41 are compared with read data 42, and dummy write is carried out in order to raise head temperature in the case of noncoincidence.例文帳に追加

範囲外の場合は、ライトデータ４１とリードデータ４２の比較を行い、不一致の場合はヘッド温度を上昇させるためにダミーライトを行う。 - 特許庁

During data write, only N of the M data read circuits RDV1 to RDVM operate to write N-bit data in parallel.例文帳に追加

一方、データ書込時には、Ｍ個のデータ読出回路ＲＤＶ１〜ＲＤＶＭのうちのＮ個のみが動作して、Ｎビットのデータが並列に書込まれる。 - 特許庁

A write control part 8 and the selector 9 perform write control of the data to the program memory 2 utilizing a period in which the commands are not read.例文帳に追加

書き込み制御部８およびセレクタ９は、命令読み出しが行われない期間を利用して、プログラムメモリ２へデータを書き込む制御を行う。 - 特許庁

However, when a write address catches up with a read address in the case of writing the signal, the write is stopped and the succeeding image signal is written in the same bank.例文帳に追加

ただし、書き込み時に、書き込み箇所が読み出し箇所に追いついた場合は、書き込みを停止し次の画像データは同じバンクに書き込む。 - 特許庁

A data bus driving circuit 31 in a write driver 24 and a data bus driving circuit 32 in a DQ buffer 14 are connected to a read/write data bus.例文帳に追加

リード／ライトデータバスには、書込みドライバ２４内のデータバス駆動回路３１と、ＤＱバッファ１４内のデータバス駆動回路３２とが接続される。 - 特許庁

To provide a data transfer device capable of writing data without performing read modify write processing with a memory which has no mask write function.例文帳に追加

マスクライト機能を有しないメモリに対して、リード・モディファイ・ライト処理を行うことなく、データの書き込みを行えるデータ転送装置を提供する。 - 特許庁

To efficiently transfer recording data among a host device, a buffer memory and a read/write head.例文帳に追加

ホスト装置、バッファメモリ、及び記録再生ヘッド間での記録データの転送を効率的に行う。 - 特許庁

An HDC/MPU 23 sequentially increases heater power to write and read data.例文帳に追加

ＨＤＣ／ＭＰＵ２３は、ヒータ・パワーを順次増加させて、データの書き込みと読み出しを順次行う。 - 特許庁

To perform write-in/read-out by a compact common circuit by using a resistance variation element as a storage element.例文帳に追加

抵抗変化素子を記憶素子とし、小型共通回路で書き込み・読み出しを実行する。 - 特許庁

A write node accessible to the memory is expressed as mem_w, whereas a read node is expressed as mem_r.例文帳に追加

メモリへのアクセスが可能な書込ノードはmem_wとして表現され、読出ノードはmem_rとして表現される。 - 特許庁

CLADDED READ-WRITE CONDUCTOR FOR PINNED-ON-THE-FLY SOFT REFERENCE LAYER例文帳に追加

オンザフライでピン留めされる軟らかいリファレンス層のためのクラッディングされた読出し−書込み導体 - 特許庁

CLUSTERED STORAGE SYSTEM, NODE DEVICE THEREOF, AND METHOD AND PROGRAM FOR CONTROLLING DATA READ/WRITE例文帳に追加

クラスタ型ストレージシステム、そのノード装置、データの読み出しおよび書き込み制御方法およびそのプログラム - 特許庁

To improve the data read/write processing efficiency in a library system, which uses a removable storage medium.例文帳に追加

リムーバブルな記憶媒体を用いたライブラリシステムにおけるデータ読み書き処理効率を向上する。 - 特許庁