「zn」に関連した英語例文の一覧と使い方(51ページ目) - Weblio英語例文検索

A phosphoric anion surface active agent 4 is adsorbed on the surface of solder powder 1, by which, in the process of reflowing, the surface active agent prevents the oxidation of Zn through flux, so that its solderability is improved and maintained.例文帳に追加

はんだ粉末１の表面に有機物であるリン酸系アニオン界面活性剤を４を吸着させることにより、リフロー中、有機物がはんだ粉末表面をカバーしＺｎの酸化を防止し、室温放置状態ではフラックスからのＺｎの酸化を防止することにより、はんだ付け性の向上および経時変化を少なくする。 - 特許庁

The ceramic electronic component includes: a first dielectric layer containing a second dielectric layer containing a composition different from the first dielectric layer as major components BaO, Nd_2O_3 and TiO_2; and a boundary layer containing Zn and Ti which is formed between the first dielectric layer and the second dielectric layer.例文帳に追加

本発明によるセラミック電子部品は、ＢａＯ、Ｎｄ_2Ｏ_3、及びＴｉＯ_2を主成分として含む第１の誘電体層と、第１の誘電体層と異なる材質である第２の誘電体層と、第１の誘電体層と第２の誘電体層との間に形成された、Ｚｎ及びＴｉを含む境界層と、を含むものである。 - 特許庁

The present invention can provide a polycrystalline zinc oxide sintered compact having crystal orientation in a c-axis direction, in which Zn existing in a crystal lattice of zinc oxide is replaced with a metal element functioning as a dopant by heat-treating the plate-like particles of a layered zinc hydroxide salt including the metal element functioning as a dopant.例文帳に追加

本発明では、ドーパントとなる金属元素を含む層状水酸化亜鉛塩の板状粒子を加熱処理することにより、ドーパントとなる金属元素が酸化亜鉛の結晶格子中に存在するＺｎと置換した、ｃ軸方向に結晶配向性を有する多結晶性の酸化亜鉛焼結体を提供できる。 - 特許庁

1,1,2,2,3,3,4-Heptafluorocyclopentane is produced by the hydrogenation of 1-chloroheptafluorocyclopentene in the presence of a hydrogenation catalyst where a group VIII metal is mixed with at least one kind selected from the group consisting of Ag, Cu, Au, Te, Zn, Cr, Mo, Tl, Sn, Bi and Pb.例文帳に追加

１−クロロヘプタフルオロシクロペンテンを周期律表第ＶＩＩＩ族金属に銀、銅、金、テルル、亜鉛、クロム、モリブデン、タリウム、錫、ビスマス、鉛から成る群から選ばれる少なくとも１種の金属を添加してなる水素化触媒の存在下に水素化して１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタンを製造する。 - 特許庁

The solder alloy has a composition containing one or more kinds selected from Sn and In by 50 wt.% at the maximum, and 0.0005 to <0.001 wt.% P, and the balance Zn with inevitable impurities, and further, soldering is performed in an inert atmosphere or in a reducing atmosphere using the solder alloy.例文帳に追加

ＳｎあるいはＩｎの１種以上を最大５０重量％含み、かつ０．０００５重量％以上、０．００１重量％未満のＰを含み、残部がＺｎおよび不可避不純物ではんだ合金を構成すると共に、このはんだ合金を用いて不活性雰囲気または還元性雰囲気中ではんだ付を行う。 - 特許庁

To provide a chemical processing method for forming a trivalent chromium chemically processed coating film having excellent heat corrosion-resistance similar to the initial make-up of an electrolytic bath even when metal ions of Zn and Fe or the like are dissolved in a trivalent chromium chemically processing liquid in a step of forming the trivalent chromium chemically processed coating film on zinc or zinc-alloy plating.例文帳に追加

本発明は、亜鉛又は亜鉛合金めっき上に３価クロム化成処理皮膜を形成する工程中に、３価クロム化成処理液中にＺｎ及びＦｅ等の金属イオンが溶解した場合においても、建浴初期と同様に加熱耐食性が良い３価クロム化成処理皮膜を得るための化成処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The first magnetic layer 16 eaten out by the phosphoric acid, the compound or mixture containing the phosphoric acid such as an Ni-Zn ferrite alloy is etched after a pattern of the resist layer through the etching by etching liquid including the phosphoric acid component to form a prescribed shape wherein e.g. an opening 16a or the like is formed.例文帳に追加

燐酸成分を含むエッチング液によってエッチングを行うことで、例えばＮｉ−Ｚｎフェライト合金など燐酸、または燐酸含む化合物もしくは混合物などで浸蝕される第１磁性層１６は、レジスト層のパターンに倣ってエッチングされ、例えば開口１６ａなどが形成された所定の形状とされる。 - 特許庁

Polyvinyl chloride resin stabilizers comprise (a) at least one of sodium perchlorate, magnesium perchlorate, lithium perchlorate and a perchloric acid-treated zeolite and (b) at least one of a trimethylol compound and/or a trimethylol compound condensation product and, at the same time, does not substantially contain a heavy metal such as Zn, Cd, Ba, Sn and Pb.例文帳に追加

（ａ）過塩素酸ナトリウム、過塩素酸マグネシウム、過塩素酸リチウム類過塩素酸処理ゼオライトの少なくとも一種以上と（ｂ）トリメチロール化合物類及び／またはトリメチロール化合物類の縮合物の少なくとも１種以上とから成り、且つ、Ｚｎ，Ｃｄ，Ｂａ，Ｓｎ，Ｐｂ等の重金属を実質上含まないポリ塩化ビニル樹脂用安定化剤およびポリ塩化ビニル樹脂系組成物。 - 特許庁

The copolyester resin comprises, as acidic components, 20-60 mol.% adipic acid and ≤55 mol.% terephthalic acid each based on the whole acidic components and, as glycol components, 20-40 mol.% neopentyl glycol and 10-25 mol.% triethylene glycol each based on the whole glycol component and contains each specific amount of Sb, Zn and Ti.例文帳に追加

酸成分として全酸成分に対して20〜60モル％がアジピン酸、55モル％以下がテレフタル酸からなり、グリコール成分として全グリコール成分に対して20〜40モル％がネオペンチルグリコール、10〜25モル％がトリエチレングリコールからなるポリエステル樹脂であって、かつ、アンチモン、亜鉛、チタンの各原子の添加量が特定量である。 - 特許庁

The SiO2-containing layer is obtained by forcibly reacting a main agent comprising organopolysiloxane having a methyl group or a phenyl group, a crosslinking agent comprising organosiloxane having a functional side chain, a curing catalyst comprising an organic compound containing a metal selected from Zn, Al, Ti and Sn and B3+ halogen by energy treatment.例文帳に追加

このＳｉＯ_2含有層は、メチル基もしくはフェニル基を有するオルガノポリシロキサンからなる主剤と、官能性側鎖を有するオルガノシロキサンからなる架橋剤と、Ｚｎ・Ａｌ・Ｔｉ・Ｓｎから選ばれる含金属有機化合物からなる硬化触媒と、Ｂ^3+ハロゲンとを、エネルギー処理により強制反応させて製造される。 - 特許庁

The ferrite composition includes 60-90 mol% of Fe_2O_3 and 10-40 mol% of MO (where M is at least one selected from Ni, Mg, Cu and Zn) and has a spinel structure.例文帳に追加

Ｆｅ_２Ｏ_３：６０〜９０モル％およびＭＯ（ただし、Ｍは、Ｎｉ、Ｍｇ、ＣｕおよびＺｎから選ばれる少なくとも１つ）：１０〜４０モル％、を含み、スピネル構造を有するフェライト組成物であって、前記スピネル構造中に存在するＦｅ^２＋イオンの存在割合を、ＦｅＯ量として換算した場合に、下記の式を満足することを特徴とするフェライト組成物。 - 特許庁

If the steel cord 1 is a galvanized steel cord, an adhesion accelerator comprising hydrate inorganic salt and metallic salt of organic acid including at least one metal selected from a group consisting of Zn, K, Al, and Ti is mixed in the adhesive rubber layer 2.例文帳に追加

スチールコード１が亜鉛めっきスチールコードの場合には、上記接着ゴム層２に、さらにｃ）Ｚｎ、Ｋ、Ａｌ、ＴｉおよびＺｒよりなる群から選択される少なくとも１種の金属を含有してなる有機酸の金属塩を含有してなる有機酸の金属塩と含水無機塩とを含有してなる接着促進剤が配合される。 - 特許庁

The light source for UV irradiation comprises: a UV irradiation lamp 1; and a silicate film 4 which absorbs a wavelength composition of a part of light generated by the UV irradiation lamp 1 and contains one or more types of oxide of Ce, Ti, Zn, Y, Zr, Mg, Al, Fe, Cu besides SiO_2.例文帳に追加

紫外線照射用光源は、紫外線照射ランプ１と、この紫外線照射ランプ１で生じた光のうちの一部の波長成分を吸収するケイ酸塩膜であって、Ｓ_ｉＯ_２の他にＣ_ｅ，Ｔ_ｉ，Ｚ_ｎ，Ｙ，Ｚ_ｒ，Ｍ_ｇ，Ａ_ｌ，Ｆ_ｅ，Ｃ_ｕのいずれかの酸化物の１種以上を含むケイ酸塩膜４とを備える。 - 特許庁

This magnesium oxide particle agglomerate comprises magnesium oxide particles agglomerated, where the magnesium oxide powder has ≤1 μm average particle diameter, contains ≤10 mass ppm each of Si, Al, Ca, Fe, V, Cr, Mn, Ni, Zr, B and Zn as impurities, and the total mass ratio of impurities is ≤100 mass ppm.例文帳に追加

酸化マグネシウム粒子が凝集してなる酸化マグネシウム粒子凝集体であって、酸化マグネシウム粒子が、平均粒径１μｍ以下であり、不純物としてＳｉ、Ａｌ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚｒ、ＢおよびＺｎのそれぞれを１０質量ｐｐｍ以下含み、不純物の合計質量比が、１００質量ｐｐｍ以下である、酸化マグネシウム粒子凝集体である。 - 特許庁

The inorganic antimicrobial agent 26 is inorganic, and the water glass 28, which fixes the inorganic antimicrobial agent 26 in the vitrified grinding wheel structure, is a combination (Na2O.SiO2) of sodium oxide and silicon dioxide, which provides an antimicrobial vitrified grinding wheel safer than oxide metal, such as silver Ag, zinc Zn and copper Cu, and having antimicrobial activity.例文帳に追加

この無機抗菌剤２６は無機物であり、その無機抗菌剤２６をビトリファイド砥石組織内に固着する水ガラス２８も酸化ナトリウムおよび二酸化珪素の結合体（Ｎａ_2 Ｏ・ＳｉＯ_2 ）であることから、銀Ａｇ、亜鉛Ｚｎ、銅Ｃｕなどの酸化物系金属よりも安全性が高く、抗菌力を備えた抗菌性ビトリファイド砥石が得られる。 - 特許庁

The synthesis gas production catalyst is used to produce a synthesis gas containing carbon monoxide and hydrogen as main components from a material gas containing 1-5C hydrocarbons and oxygen, and is characterized in that at least one second metal selected from the group of rhodium (Rh), cobalt (Co), zinc (Zn), molybdenum (Mo), and silver (Ag) is carried by a carrier containing magnesia.例文帳に追加

炭素数１〜５の炭化水素と酸素を含む原料ガスから、一酸化炭素と水素を主成分とする合成ガスを製造する際に使用される合成ガス製造用触媒であって、マグネシアを含む担体上に、ロジウム（Ｒｈ）と、コバルト（Ｃｏ）、亜鉛（Ｚｎ）、モリブデン（Ｍｏ）および銀（Ａｇ）からなる群より選択される少なくとも１種の第２金属とを担持したことを特徴とする触媒。 - 特許庁

By manufacturing the sintered magnetic core using the soft magnetic iron-based powder of which a cover layer includes an Mn-Zn spinel ferrite phase and contains Si and Ca, a compound oxide of a low fusing point containing Si and Ca is eccentrically formed on an insulation layer formed to separately cover soft magnetic iron particles, thereby holding high specific resistance even after sintering.例文帳に追加

この被覆層がＭｎ−Ｚｎ系スピネル型フェライト相を有し、かつ、ＳｉおよびＣａを含んでいる軟磁性鉄基粉末を用いて焼結磁芯を製造することにより、各軟磁性鉄基粒子をそれぞれ分離被覆するように形成された絶縁層に、Ｓｉ，Ｃａを含む低融点の複合酸化物が偏析形成されて焼結後にも高い比抵抗を保持することができる。 - 特許庁

In the storage element 10, a memory layer 4 and an ion source layer 3 are sandwiched between a first electrode 2 and a second electrode 6 wherein the ion source layer 3 contains an element selected from Cu, Ag and Zn, an element selected from Te, S and Se, and boron (or rare earth element and silicon).例文帳に追加

第１の電極２と第２の電極６との間に、記憶層４及びイオン源層３が挟まれて構成され、イオン源層３に、Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎから選ばれるいずれかの元素と、Ｔｅ，Ｓ，Ｓｅから選ばれるいずれかの元素とが含まれ、さらに、ホウ素（又は、希土類元素及びシリコン）が含有されている記憶素子１０を構成する。 - 特許庁

This scintillator for neutron comprises a borate containing at least Mg and a divalent transition element (compound obtained by adding a divalent transition element such as Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu and Zn to a borate represented by chemical formula Mg_mB_nO_m+3n/2 (where, m and n each represent a positive integer), or the like).例文帳に追加

少なくともＭｇ及び２価遷移元素を含むホウ酸塩（化学式Ｍｇ_ｍＢ_ｎＯ_ｍ＋３ｎ／２（ただし、ｍ及びｎは正の整数を表わす）で表わされるホウ酸塩に、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ及びＺｎ等の２価遷移元素が添加されたもの等）からなることを特徴とする中性子用シンチレーターである。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting device comprises: an n-type clad layer of AlGaInP; a luminous layer of undoped AlGaInP formed on the n-type clad layer; a p-type clad layer of Mg-added AlGaInP formed on the luminous layer; and a current diffusion layer of Zn-added p-type GaInP formed on the p-type clad layer.例文帳に追加

半導体発光装置は、ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層と、前記ｎ型クラッド層上に形成され、アンドープのＡｌＧａＩｎＰからなる発光層と、前記発光層上に形成され、Ｍｇを添加したＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型クラッド層と、前記ｐ型クラッド層上に形成され、Ｚｎを添加したｐ型のＧａＩｎＰからなる電流拡散層とを有する。 - 特許庁

This electrogalvanized steel sheet excellent in white rust resistance and blackening resistance has a galvanizing layer having an oxidized Zn film with a thickness of 10 to 200 Å, in which the cathode current density in the potential -1100 mV in an aqueous solution of NaCl (0.1 mol/L, 25°C) is ≤40 μA/cm2.例文帳に追加

耐白錆性及び耐黒変性に優れる本発明の電気Ｚｎめっき鋼板とは、厚さ１０Å以上２００Å以下の酸化Ｚｎ皮膜を有するＺｎめっき層であって、ＮａＣｌ水溶液（０．１ｍｏｌ／リットル，２５℃）中での電位−１１００ｍＶにおけるカソード電流密度が４０μＡ／ｃｍ^2以下であるＺｎめっき層を有することを特徴とする。 - 特許庁

A nitride-based semiconductor device 10 includes a substrate 11 consisting of an oxide single crystal having a wurtzite structure, an oxide interfacial layer 12 formed on the substrate and consisting of an oxide including zinc (Zn) and at least either an element of group II or an element of group III, and an InGaN semiconductor layer 13 formed on the oxide interfacial layer.例文帳に追加

窒化物系半導体素子１０は、ウルツ鉱型構造を有する酸化物単結晶からなる基板１１と、前記基板上に形成され、亜鉛（Ｚｎ）と、ＩＩ族の元素及びＩＩＩ族の元素の少なくとも一方とを含む酸化物からなる酸化物界面層１２と、前記酸化物界面層上に形成されたInGaN半導体層１３と、を備える。 - 特許庁

The zinc oxide-based transparent conductive film-forming material is an oxide sintered compact composed substantially of zinc, niobium and/or tantalum and oxygen, wherein niobium and/or tantalum is contained so as to be X/(Zn+X)=≥0.02 but ≤0.1 in atomic ratio (in the expression, X is niobium and/or tantalum).例文帳に追加

本発明の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料は、実質的に亜鉛、ニオブおよび／またはタンタルおよび酸素からなる酸化物焼結体であって、ニオブおよび／またはタンタルが原子数比でＸ／（Ｚｎ＋Ｘ）＝０．０２以上０．１以下（式中、Ｘはニオブおよび／またはタンタル）となるよう含有されている。 - 特許庁

As the zinc-doped yttrium oxide sintered compact has such a constitution that zinc (Zn) is segregated in each grain boundary (crystal interface) formed by an infinite number of yttrium oxide single crystal grains constituting the sintered compact, the sintered compact has such a dense structure that the relative density is ≥90%, approximately 90 to 99% or higher.例文帳に追加

本発明の亜鉛ドープ酸化イットリウム焼結体は、焼結体を構成する無数の酸化イットリウム単結晶体により形成される粒界（結晶界面）に亜鉛（Ｚｎ）が偏析している構成となるので、相対密度が９０％以上、概ね９０〜９９％あるいはそれ以上と緻密な構造となる。 - 特許庁

The oxynitride includes Zn and at least one element selected from In, Ga, Sn, Mg, Si, Ge, Y, Ti, Mo, W and Al, wherein an atomic composition ratio of N in the oxynitride, which is expressed by N/(N+O), is 7 atom% to 80 atom%.例文帳に追加

金属酸窒化物から構成され、前記酸窒化物がＩｎ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌから選択される少なくとも１つの元素と、Ｚｎと、を含み、且つ、前記酸窒化物中のＮ／（Ｎ＋Ｏ）で表されるＮの原子組成比率が、７原子％以上８０原子％以下であることを特徴とする酸窒化物半導体。 - 特許庁

The organic metal compound of the toners containing at least a binder resin, magnetic iron oxide and organic metal compound is an azo iron compound formed of a monoazo compound having ≥1 alkyl group and two hydroxyl groups bondable to iron atoms and the magnetic iron oxide contains at least Zn at 0.1 to 4.0 mass% based on the magnetic iron oxide.例文帳に追加

結着樹脂、磁性酸化鉄及び有機金属化合物を少なくとも含有するトナーであって、該有機金属化合物は、１つ以上のアルキル基と、鉄原子と結合可能な２個の水酸基とを有するモノアゾ化合物より生成され得るアゾ鉄化合物であり、該磁性酸化鉄は、少なくともＺｎを磁性酸化鉄を基準として０．１乃至４．０質量％含有することを特徴とする。 - 特許庁

A porous silicon particle includes a continuous hole and a three-dimensional mesh structure, characterized in that the hole penetrates the porous silicon particle and that a single body or an alloy of one or more of a conductive element Cu, Ni, Sn, Zn, Ag, or C is included within the hole.例文帳に追加

連続する空孔を有し、三次元網目構造を有する多孔質シリコン粒子であって、前記空孔が、前記多孔質シリコン粒子を貫通し、前記空孔内に、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｃのいずれか１つ以上の導電性元素の単体又は合金を有することを特徴とする多孔質シリコン粒子である。 - 特許庁

The manufacturing method of the layered double hydroxide having incorporated thereinto an ultraviolet- absorbing compound comprises adding to an aqueous solution containing the ultraviolet- absorbing compound the layered double hydroxide represented by formula (I) or the layered double hydroxide represented by formula (I) having been subjected to a heat treatment, mixing them by stirring and subsequently batching off and drying the resultant precipitate.例文帳に追加

[Zn(1-x)Al_x(OH)_2]_x^+[(CO_3)_x・yH_2O]_x^- (I) （式中、xは0.1≦x＜0.4、yは０より大きい実数を表す） または、紫外線を吸収する化合物を含有する水溶液に、式(I)で表される層状複水酸化物又は式(I)で表される層状複水酸化物を加熱処理したものを添加し、攪拌混合後、沈殿を分取乾燥することによる紫外線を吸収する化合物を取り込んだ層状複水酸化物の製造方法。 - 特許庁

Since high strength ferrite and small strength difference between the ferrite and martensite, are obtained by finely precipitating TiC etc., in the steel suitably containing C, Si and Mn, the local elongation of the molten Zn-Al-Mg based plated steel sheet using the high strength steel sheet having ≥590 MPa as a base steel, can remarkably be improved.例文帳に追加

Ｃ、Ｓｉ，Ｍｎを適宜含有する鋼に、ＴｉＣ等を微細に析出させるとフェライトの強度が高くなり、フェライトとマルテンサイトの強度差が小さくなるため、５９０ＭＰａ以上の高強度鋼板を下地鋼とする溶融Ｚｎ−Ａｌ−Ｍｇ系めっき鋼板の局部延性が大幅に改善できる。 - 特許庁

The surface-coated flame-retardant particle comprises a flame-retardant particle, which is comprised of a hydrate of a metal selected from among Mg, Ca, Al, Fe, Zn, Ba, Cu and Ni and has a volume-average particle size within the range of 1-500 nm, and, formed on the surface thereof, a coating layer containing a polyamino acid or a polysilicone.例文帳に追加

Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｂａ、Ｃｕ及びＮｉのうちから選択される金属の水和物からなり体積平均粒子径が１〜５００ｎｍの範囲である難燃性粒子の表面に、ポリアミノ酸またはポリシリコーンを含む被覆層が形成されてなることを特徴とする表面被覆難燃性粒子である。 - 特許庁

[The curable composition] contains (A) particles containing an oxide of at least one element selected from the group consisting of Si, Al, Zr, Ti, Zn, Ge, In, Sn, Sb and Ce as a main component and a polymerizable unsaturated group, (B) a compound having a methacryloyl group and an acryloyl group in a molecule, (E) a photo-polymerization initiator and (F) a solvent.例文帳に追加

［硬化性組成物］ （Ａ）ケイ素、アルミニウム、ジルコニウム、チタニウム、亜鉛、ゲルマニウム、インジウム、スズ、アンチモン及びセリウムよりなる群から選ばれる少なくとも一つの元素の酸化物を主成分とし、重合性不飽和基を有する粒子、 （Ｂ）１分子中にメタクリロイル基及びアクリロイル基を有する化合物、 （Ｅ）光重合開始剤、及び （Ｆ）溶剤 - 特許庁

The semiconductor device is formed in such a structure that a film 10 including an oxide of Zn and Al is formed on the front surface of a semiconductor assembly placed in contact with a polymer resin 12 by bonding a Si chip 5 and a metal lead frame 1 through metal coupling via a bonding layer 4A of a highly conductive porous metal using Ag having a three-dimensional mesh structure as a binding material.例文帳に追加

Ｓｉチップ５と金属リードフレーム１を、３次元の網状構造をもつＡｇを結合材としたポーラスな高導電性金属の接着層４Ａを介して金属結合により接合し、高分子樹脂１２と接する半導体組立体の表面にＺｎやＡｌの酸化物を含む皮膜１０を形成した半導体装置構造とする。 - 特許庁

The two-component developer includes a yellow toner and a carrier, and the yellow toner includes at least one of C. I. Pigment Yellow 155 or C. I. Pigment Yellow 185 and an azo pigment, and the carrier includes a resin and magnetic particles dispersed in the resin, wherein each of contents of elements of Cu, Zn, Ni and Mn in the carrier is ≤2,000 ppm.例文帳に追加

イエロートナーと、キャリアと、を含み、前記イエロートナーは、Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｙｅｌｌｏｗ １５５及びＣ．ＩＰｉｇｍｅｎｔＹｅｌｌｏｗ１８５の少なくとも一方と、アゾ系顔料と、を含み、前記キャリアは、樹脂と、前記樹脂に分散された磁性粒子と、を含んで構成され、かつ、前記キャリア中に含まれるＣｕ元素、Ｚｎ元素、Ｎｉ元素、及びＭｎ元素の含有量がそれぞれ２０００ｐｐｍ以下である、二成分現像剤である。 - 特許庁

To provide a hot dip galvanized steel sheet for hot press which is capable of sufficiently suppressing evaporation of Zn of a hot dip galvanized layer when the steel sheet is heated to the temperature above the Ac_3 point of steel, excellent in lubricity during the hot press, and also excellent in adhesion to a base steel sheet and a top-coating film, and excellent in corrosion resistance after the coating.例文帳に追加

鋼のＡｃ_３点以上の温度まで加熱したときの溶融Ｚｎめっき層のＺｎの蒸発を充分抑制することができ、ホットプレス時の潤滑性に優れており、素地鋼板や上塗り塗膜との密着性、および塗装後耐食性に優れたホットプレス用溶融Ｚｎめっき鋼板を提供する。 - 特許庁

The method for producing the compound oxide shown by general formula (1): A_xA'_wB_zN_yO_3±σ comprises the steps of: mixing organic salt of the noble metal shown by N in general formula (1) with alkoxides of elements shown by A, A' and B to prepare a precursor of the compound oxide; and heat-treating the prepared precursor.例文帳に追加

一般式（１） Ａ_xＡ'_wＢ_zＮ_yＯ_3±σ （１）で表される複合酸化物の製造方法において、一般式（１）の式中、Ｎで示される貴金属の有機貴金属塩と、Ａ、Ａ'およびＢの各元素のアルコキシドとを混合して、複合酸化物の前駆体を調製した後、その複合酸化物の前駆体を熱処理して、複合酸化物を製造する。 - 特許庁

For the spark plug 100 containing a resistor, the glazed layer 2d formed on a surface of insulator 2 of alumina series in made to have content of Pb component to be 1 mol% or less when converted into PbO, and contains Si component, B component, Zn component, Al component, and Ba and/or Sr component, and the content of F component is 1 mol% or less.例文帳に追加

抵抗体入りスパークプラグ１００は、アルミナ系の絶縁体２の表面に形成された釉薬層２ｄが、Ｐｂ成分の含有量がＰｂＯ換算にて１ｍｏｌ％以下とされ、Ｓｉ成分、Ｂ成分、Ｚｎ成分、Ａｌ成分、Ｂａ及び／又はＳｒ成分を含有し、Ｆ成分の含有量が１ｍｏｌ％以下である。 - 特許庁

In the transistor using the oxide layer containing Zn, an oxide semiconductor layer containing an insulating oxide is laminated on the oxide layer, and the transistor is so formed that the oxide layer and a source electrode layer or a drain electrode layer are brought into contact with each other via the oxide semiconductor layer containing the insulating oxide, and thereby; and variations in threshold voltage of the transistor is reduced, and the electrical properties are stabilized.例文帳に追加

Ｚｎを含む酸化物層を用いたトランジスタにおいて、酸化物層の上に絶縁性酸化物を含む酸化物半導体層を積層し、酸化物層とソース電極層又はドレイン電極層とが絶縁性酸化物を含む酸化物半導体層を介して接触するようにトランジスタを形成することによって、トランジスタのしきい値電圧のばらつきを低減し、電気特性を安定させることができる。 - 特許庁

The galvanized product having excellent uniform coating suitability and corrosion resistance is obtained by incorporating a 0.001 to 10 wt.% particulate compound with a particle diameter of ≤0.9 μm consisting of one or more kinds of metals selected from Al, Ba, Ca, Ce, Fe, Mg, Sr, Ti, W and Zr into a plating layer comprising Zn and Al or Al and Mg.例文帳に追加

ＺｎとＡｌもしくはＡｌ、Ｍｇを含有するめっき層中に、Ａｌ、Ｂａ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｚｒの一種もしくは二種以上からなる粒径が０．９μｍ以下の微粒子状化合物をを０．００１から１０重量％含有することを特徴とする均一塗装性と耐食性に優れた亜鉛めっき製品。 - 特許庁

This method comprises carrying out the oxidation of phenol, at 20-120°C, consisting of water and a 5-10C fatty alcohol or water, a 1-4C fatty alcohol and an aromatic hydrocarbon, in the presence of a catalyst system comprising a copper halide and a transition metal halide of a group consisting of Fe, Cr, Mn, Co, Ni and Zn or a rare earth element halide.例文帳に追加

反応を水および５〜１０個のＣ原子を有する脂肪族アルコールからなるかまたは水および１〜４個のＣ原子を有する脂肪族アルコールおよび芳香族炭化水素からなる反応媒体中で銅ハロゲン化物および付加的に鉄、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、亜鉛の群の遷移金属ハロゲン化物または希土類元素のハロゲン化物からなる触媒系の存在下に２０〜１２０℃の温度で実施する。 - 特許庁

The surface of a metallic material is subjected to dispersion plating, wherein nonmetal inorganic fine particles comprising, as composing elements, one or more kinds selected from Ag, Cu and Zn, and in which the maximum diameter in a single particle is ≤50 μm are dispersed by 1 to 30% in the sweeping area ratio of the surface (the surface area obtained by neglecting extremely fine ruggedness).例文帳に追加

金属材料の表面に、構成元素としてＡｇ、Ｃｕ、Ｚｎの内１種または２種以上を含む、単一粒子での最大径が５０μｍ以下の非金属無機質微細粒子を、表面の掃引面積率（非常に細かい凹凸を無視した表面積）で１％以上３０％以下含むように分散させた分散めっきを施す。 - 特許庁

To provide a hot dip galvanized steel which has high corrosion resistance and has excellent plating adhesion upon working by optimizing the structure of a plating layer in a two step plating process where the surface of a steel is subjected to hot dip galvanizing, and is thereafter subjected to hot dip Zn-Al-Mg alloy coating, and to provide a method for producing the hot dip galvanized steel.例文帳に追加

鋼材表面に溶融亜鉛めっきを施した後、溶融Ｚｎ−Ａｌ−Ｍｇ合金めっきを行う２段めっき方法において、めっき層の構造を最適化することにより、高耐食性を有し、加工時のめっき密着性に優れた溶融亜鉛めっき鋼材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the nonaqueous electrolyte secondary battery, a positive electrode contains a lithium cobalt nickel composite oxide represented by the general formula, LiCOxNi1-xO2 (0≤x≤1) and a spinel lithium manganese composite oxide represented by general formula, LiMxMn2-xO4 (M is at least one selected from the group comprising Cr, Fe, Co, Ni, Cu and Zn, and 0<x≤0.5).例文帳に追加

非水電解質二次電池において、正極中に、一般式ＬｉＣｏ_xＮｉ_1__—_xＯ_2（ただし、０≦ｘ≦１）で示されるリチウムコバルトニッケル複合酸化物と、一般式ＬｉＭ_xＭｎ_2_—_xＯ_4（ただし、ＭはＣｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎからなる群から選ばれた少なくとも１種、０＜ｘ≦０．５）で示されるスピネル型リチウムマンガン複合酸化物とを含む。 - 特許庁

To provide a welding method by which, when a Zn-Al-Mg-based alloy plated steel sheet is fusion-welded, there is no need of preremoving a plated layer, and further, even in fusion welding with little heat input, there is no occurrence of molten metal brittle cracks in a welding start point and a welding end point at which stress concentration is apt to occur.例文帳に追加

Ｚｎ−Ａｌ−Ｍｇ系合金めっき鋼板を溶融溶接する際に、めっき層を予め除去することなく、また入熱量が少ない溶融溶接においても、応力集中が発生しやすい溶接開始点及び終了点の熱影響部に溶融金属脆化割れが発生することのない溶接方法を提供する。 - 特許庁

The conductive film, the film having the n-type conductivity, and the oxide semiconductor film containing In, Ga and Zn are etched using the channel protective layer and gate insulating films as etching stoppers with the resist mask, so that source and drain electrode layers, a buffer layer, and a semiconductor layer are formed.例文帳に追加

このレジストマスクと共に、チャネル保護層及びゲート絶縁膜をエッチングストッパーとして利用して、導電膜と、ｎ型の導電型を有する膜と、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜をエッチングして、ソース電極層及びドレイン電極層と、バッファ層と、半導体層を形成する。 - 特許庁

The method includes: a step of removing a chemically stable first impurity-containing layer by performing dry etching to a Zn polar face (+c face) in the surfaces of the substrate; and a step of removing a second impurity-containing layer lying at a position deeper than the first impurity-containing layer.例文帳に追加

）」で表される組成を有する酸化亜鉛系基板の処理方法であって、前記基板の表面のうち、Ｚｎ極性面（＋ｃ面）をドライエッチングすることにより、化学的に安定な第一の不純物含有層を除去する工程と、前記ドライエッチング面をさらにウェットエッチングすることにより、前記第一の不純物含有層よりも深い位置にある第二の不純物含有層を除去する工程と、を有することを特徴とする酸化亜鉛系基板の処理方法。 - 特許庁