結晶成長導入欠陥を実質的に有さないエピタキシャルシリコンウエハ例文帳に追加

EPITAXIAL SILICON WAFER NOT SUBSTANTIALLY HAVING CRYSTAL GROWTH TRANSFER DEFECT - 特許庁

マスク層はそれ自身の表面からは実質的にＧａＮ系結晶が成長し得ない材料からなる。例文帳に追加

The masked layer is formed of a material where a GaN group crystal cannot substantially grow. - 特許庁

特に肝臓再生において、組織の本質的な構造成長を誘導するための方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for inducing substantial structural growth of tissues particularly in liver regeneration. - 特許庁

MBE法を用い、成長温度300℃〜500℃で成長させると、実質的に突起のないGaAs系キャップ層１３が形成できる。例文帳に追加

When the GaAs cap layer 13 is grown at a growth temperature of 300 to 500°C through an MBE method, the cap layer 13 substantially having no projection can be formed. - 特許庁

実質的に減少した欠陥密度は、横方向に成長した第１の段階の材料に基づく軸方向に成長した材料中で維持される。例文帳に追加

A substantially reduced defect density is maintained within the axially grown material that is based on the laterally grown first stage material. - 特許庁

この磨かれた表面４１は実質的にエピタキシャル表面３０と実質的に同一平面であるので、この第１のエピタキシャル層３は実質的に平坦化された結晶成長表面を有している。例文帳に追加

The polished surfaces 41 are substantially flush with the epitaxial surface 30 so that the first epitaxial layer 3 has a substantially planarized crystal growth surface. - 特許庁

結晶成長導入欠陥を実質的に有さないエピタキシャル層を有するウエハを有するエピタキシャルシリコンウエハのセットを提供する。例文帳に追加

To provide a set of epitaxial silicon wafers which has wafers having epitaxial layers not substantially having grown-in defects of crystal. - 特許庁

スギの伸長成長を実質的に阻害せず、かつ雄花形成抑制効果に優れたスギ花粉発生防止剤を提供する。例文帳に追加

To provide a Cryptomeria japonica pollen development-preventing agent which does substantially not inhibit the elongation growth of the Cryptomeria japonica and has an excellent male flower formation-inhibiting effect. - 特許庁

具体的には、前記鋼塊の実質的な凝固方向とデンドライト成長方向とのなす角が0〜40°、更には0〜20°である。例文帳に追加

Concretely, the angle between the substantial solidifying direction of the ingot and the growing direction of dendrite is 0 to 40°, and moreover 0 to 20°. - 特許庁

複数の実質的に平坦な領域は、前記光トラッピング層上で透明導電酸化物層の堆積及び成長を容易にする。例文帳に追加

The plurality of substantially flat areas facilitate deposition and growth of a layer of transparent conductive oxide over the light trapping layer. - 特許庁

凝集真性点欠陥を実質的に含まない軸対称領域を有する単結晶シリコンインゴットを成長させる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a process for growing a single crystal silicon ingot which contains an axially symmetric region which is substantially free of agglomerated intrinsic point defects. - 特許庁

修復布は、溶解及び再凝固する外縁を含み、外周エッジを組織の内方成長に対して実質的に不浸透性にすることができる。例文帳に追加

The repair fabric may include an outer margin that has been dissolved and resolidified to render the outer peripheral edge substantially impervious to tissue ingrowth. - 特許庁

本物品（１０）はＡＳＴＭ７よりも粗くない平均結晶粒径を有し、臨界結晶粒成長を実質的に含まない。例文帳に追加

The article (10) has an average grain size of not coarser than ASTM7 and is substantially free of critical grain growth. - 特許庁

それによって、めっき工程において、段差１２の部分で外部電極３となるめっき膜の成長を実質的に停止または遅延させる。例文帳に追加

By that, in a plating process, the growth of a plating film as the external electrode 3 is substantially stopped or delayed at the part of the step 12. - 特許庁

使用する機構に関わらず、酸化物成長／分解のほぼ同時の処理は、実質的に規則的な間隔で孔を配置する構造の形成をもたらす。例文帳に追加

Irrespective of the mechanisms used, an approximately synchronous process of growth/decomposition of an oxide yields a structure in which holes are arranged at a substantially regular interval. - 特許庁

シリコンの薄い層は、化学気相成長の間に絶縁体の表面から実質的に取り除かれてもよい。例文帳に追加

The thin silicon layer may be substantially removed from the surface of the insulator during a chemical vapor deposition. - 特許庁

酸化物の成長後、リキャスト部はケミカルミリングなどの化学的処理により実質的に除去される。例文帳に追加

After the growth of the oxide, the recast part is removed substantially by chemical treatment such as chemical milling. - 特許庁

一例示的な実施形態において、少なくとも１つの亜鉛酸化物のナノ構造の成長を引き起こすことは、実質的に、パターニングされたポリシリコン層の上において、各亜鉛酸化物のナノ構造の成長を引き起こす。例文帳に追加

In one exemplary embodiment, inducing the growth of at least one zinc-oxide nanostructure induces growth of each zinc-oxide nanostructure substantially over a patterned polysilicon layer. - 特許庁

別の例示的な実施形態において、少なくとも１つの亜鉛酸化物のナノ構造の成長が引き起こされるときにおいて、各亜鉛酸化物のナノ構造は、実質的に、エッチングされたシリコン基板層の上において、成長する。例文帳に追加

In another exemplary embodiment, when growth of at least one zinc-oxide nanostructure is induced, each zinc-oxide nanostructure grows substantially over an etched silicon substrate layer. - 特許庁

ＣＺ法により成長したシリコン単結晶に観察される全ての微小欠陥のパターンを実際の成長条件に対して、一組のモデル定数で実質的に再現する。例文帳に追加

To substantially reproduce a pattern of all minute defects observed in a silicon signal crystal grown by a CZ method with a couple of model constants against practical growth conditions. - 特許庁

変異バチルス株が前記変異及び非変異バチルス株を本質的に同じ成長条件下で成長させた場合、対応する非変異バチルス株と比較して目的タンパク質の発現レベルが増大している。例文帳に追加

The expression level of the object protein is increased in the mutated Bacillus strain compared with corresponding non-mutated Bacillus strains in the case of growing the mutated strain and the non-mutated strain under essentially the same growth conditions. - 特許庁

この方法により、前記成長膜の側面に形成されるファセット面にポリシリコン膜２９が接合し、前記成長膜のファセット形状が実質的に現れなくなる。例文帳に追加

By this method, the polyslicon film 29 joins the facet face made at the flank of the growth film, and the facet form of the growth film substantially ceases to appear. - 特許庁

転位及び他の材料欠陥は、軸方向に成長した材料中に伝播することがあるが、横方向に成長した材料中での欠陥の伝播及び発生は、なくらならないまでも実質的に減少する。例文帳に追加

Although dislocations and other material defects may propagate within the axially grown material, defect propagation and generation in the laterally grown material are substantially reduced, if not altogether eliminated. - 特許庁

また、領域α2およびβ2の範囲では、硬質被膜は、結晶粒の成長方向が、基材に対して実質的に垂直方向で、結晶粒の成長方向の２等分線に対して±2°超〜±40°以内の角度である。例文帳に追加

Additionally, the growing direction of the crystal grains is materially in the vertical direction against the base material and at an angle within more than ±2°-±40° against the bisector in the growing direction of the crystal grains on the hard coat in the range of the regions α2 and β2. - 特許庁

幾つかの実施形態において、該素子は、実質的に間隙の無い第１の成長領域と、第１及び第２の領域を覆って高品質の層を成長させることができるように材料品質を改善する第２の領域とを含む。例文帳に追加

In some embodiments, the device includes a first growth region substantially free of voids, and a second growth region that improves the material quality such that high quality layers can be grown over the first and second regions. - 特許庁

国内需要は、経済成長に伴って「物質的な豊かさ」が満たされ、「成熟した豊かさ」への社会的ニーズが高まりつつあり、新産業の成長の芽が存在している。例文帳に追加

Looking at domestic demand, as the Japanese people are satisfied in terms of “material wealth,” social needs for “wealth of maturity” have been growing, creating a germ for new industries. - 経済産業省

ＧａＮ系結晶が成長可能な結晶基板１の該基板面に、ＧａＮ系結晶が実質的に成長し得ない化合物材料（特に、シリコン窒化物）からなるマスク層２を反応性スパッタリングによって成膜し、必要なパターンとしてＧａＮ系結晶成長用基板を得る。例文帳に追加

The substrate for growing a GaN-based crystal is obtained by depositing a mask layer 2 comprising a compound material (especially, a nitride of silicon) on which the GaN-based crystal does not grow substantially by reactive sputtering and then fabricating a necessary pattern. - 特許庁

複数の窒化ガリウム系半導体素子を形成するため半導体基板であって、窒化ガリウム系化合物半導体とは異なる材料からなる異種基板上に、それぞれ横方向成長を伴って成長された第１の窒化物半導体層を含む複数の第１領域とそれぞれ実質的に縦方向のみの成長により成長された第２の窒化物半導体層を含む複数の第２領域とを有してなる。例文帳に追加

The semiconductor substrate for forming a plurality of gallium nitride semiconductor elements has a plurality of first regions grown with the transverse growth, including a first nitride semiconductor layer; and a plurality second regions grown substantially in the longitudinal direction, including a second nitride semiconductor layer, on a dissimilar substrate made of a material different from gallium nitride semiconductor. - 特許庁

店舗数を拡大したり、駐車しておくスペースを実質的に増加させず、実質的な店舗網の拡大をせずに、潜在的なユーザを発掘し、顕在的なユーザに成長させることができ、経済的にも有利である、新規なレンタカー配送システムの提供。例文帳に追加

To provide an economically advantageous novel rental car delivery system capable of growing a user to a potential user or scouting a potential user without expanding the number of stores or without substantially increasing the parking space, and without expanding the substantial store network. - 特許庁

積層凝固鋼塊を分塊するに際しては、まずその実質的な凝固方向とデンドライト成長方向とのなす角が50〜90°、好ましくは70〜90°になるように鍛造し、続いてその実質的な凝固方向に垂直な方向を主たる展伸方向とするように分塊鍛造してもよい。例文帳に追加

When the laminar solidified steel ingot is bloomed, firstly, the forging is applied so that the angle between the substantial solidified direction and the dendrite growing direction becomes 50-90°, desirably 70-90°, and successively, the bloom-forging can be applied so that the perpendicular direction to the substantial solidified direction is made to the main spreading direction. - 特許庁

触媒粒子は、ナノ構造体材料中に実質的に溶解することなく、ナノ構造体材料を含む細長のナノ構造体の成長を促進する触媒化合物と、ナノ構造体材料中に実質的に完全に溶解することにより、成長の間に細長のナノ構造体にドープされる少なくとも１種のドーパント元素とを備える。例文帳に追加

The catalyst particle comprises a catalyst compound for catalyzing the growth of an elongated nanostructure comprising a nanostructure material without substantially dissolving in the nanostructure material and at least a dopant element for doping the elongated nanostructure during growth by substantially completely dissolving in the nanostructure material. - 特許庁

本質的にカルシウム無機物からなる多孔性基質中に線維芽細胞成長因子の生物学的作用を有するひとつまたはそれ以上のポリペプチドを含むことを特徴とする、繊維芽細胞成長因子を装入した骨代替材料。例文帳に追加

The alternate bone material charged with the fibroblast growth factor is characterized by that it contains one or more polypeptide having a biological function of the fibroblast growth factor in a porous matrix primarily comprising calcium inorganic matter. - 特許庁

立方晶系基板の（１−１０）面と、該立方晶系基板の選択成長基準面から選択成長されたウルツ鉱構造の化合物半導体層の、前記立方晶系基板の前記（１−１０）面と実質的に等価な面とを共にへき開する。例文帳に追加

The (1-10) face of a cubic system substrate and a face that is substantially equivalent to the (1-10) face of the cubic system substrate in a compound semiconductor layer, in a wurtzite structure that is selected and grown from the selective growth reference surface of the cubic system substrate are cleaved. - 特許庁

スペーサ層（１５）はバリア層（１２）上で成長させられ、それによってスペーサ層（１５）は、量子ドット層によって生じる歪場を実質的に遮断するようになっており、したがって、次のバリア層（１２）に対する円滑な成長最前部が作り出される。例文帳に追加

A spacer layer 15 is grown on the barrier layer 12, such that the spacer layer 15 substantially blocks the strain field generated by the quantum-dot layer(s), and consequently, a smooth growth front is produced with respect to the next barrier layer 12. - 特許庁

半導体積層構造の結晶性を実質的に維持できる範囲の基板オフ角を有する成長基板上に成長した半導体積層構造を有し、光取り出し効率を向上させる粗面を形成できる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor light-emitting device with a semiconductor laminated structure having grown on a growth substrate with a substrate off-angle in the range of practically maintaining the crystallinity of the semiconductor laminated structure and can form a rough surface that can improve light extraction efficiency, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

ソース／ドレイン領域上に形成される金属シリサイド膜の犠牲層であるシリコンエピタキシャル成長膜に生じるファセットの影響を実質的になくすことができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To substantially remove the influence of the facet occurring in the silicon epitaxial growth film which is the sacrificial layer of a metal silicon film made on a source/drain region. - 特許庁

本発明はオルガノゾルを形成させる，実質的に非水性である液体キャリアで化学的に成長された両親媒性共重合成バインダー粒子に関する。例文帳に追加

The dry electrophotographic toner is amphipathic copolymeric binder particles chemically grown with an organosol-forming substantially nonaqueous liquid carrier. - 特許庁

気相−液相−固相法に基づいて、実質的に、基板の表面上のパターンの上において、触媒金属上に少なくとも１つの亜鉛酸化物のナノ構造の成長が引き起こされる。例文帳に追加

Growth of at least one zinc oxide nanostructure is induced on the catalyst metal substantially over the pattern on the surface of the substrate based on a vapor-liquid-solid technique. - 特許庁

バイオセラミックス粉体を含んだ生体内分解吸収性ポリマーからなるプレート２は、分解の速さが骨組織の成長の速さと実質的に均衡し、完全に骨組織と置換して生体骨と強固に結合する。例文帳に追加

The decomposition rate of the plate 2 which comprises the polymer with in-vivo decomposition absorbability is substantially balanced with the the growth rate of the bone tissue so that the plate is replaced by the bone tissue to connect firmly to the animate bone. - 特許庁

半導体材料、特に窒化物化合物半導体からなるエピタキシャル層を品質的に高価に成長させることができる半導体層構造並びに半導体層構造の経済的な製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor layer structure capable of growing an epitaxial layer of a semiconductor, particularly a nitride compound semiconductor at a high quality level, and to provide an economical method for producing the semiconductor. - 特許庁

単結晶インゴットの連続的な成長のためのチョコラルスキー法に基づく改良されたＣＺシステムは、結晶を囲む選択的な堰を有する、低アスペクト比で大きい直径の、実質的に平面状の坩堝を備える。例文帳に追加

An improved CZ system based on the Czochralski method for continuous growth of a single crystal ingot includes an essentially flat crucible having a small aspect ratio and large diameter and having a selective weir encircling the crystal. - 特許庁

配列番号２で表されるアミノ酸配列と同一もしくは実質的に同一のアミノ酸配列からなるタンパク質又はその部分ペプチドを有効成分として含有する、神経細胞の成長又は移動の制御剤。例文帳に追加

The controller for the growth or movement of nerve cells contains a protein composed of an amino acid sequence equal to or substantially equal to the amino acid sequence represented by sequence No.2 or its partial peptide as an active ingredient. - 特許庁

実質的に全てが１ｍｍ以上のサイズを有する金属フッ化物粒子を、溶融される直前に脱酸素剤により処理し、金属フッ化物単結晶を成長させるのに用いる。例文帳に追加

Metal fluoride particles, substantially all of which have a size of 1 mm or greater, are treated with an oxygen scavenger just prior to being melted, and used to grow a metal fluoride single crystal. - 特許庁

処理対象物の取出しに要する時間を短縮することで、実質的な稼働率を向上させることが可能なサセプタおよび気相成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a susceptor and a vapor deposition device that can improve substantial availability by shortening the time needed to take an object to be processed out. - 特許庁