研磨工具の弾性変形に起因する被研磨対象物の被研磨面の外周端部の過剰研磨を抑制することができ、かつ、研磨レートを安定化することができる研磨装置および研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing device and a polishing method, capable of restraining excessive polishing to the outer peripheral end of the surface to be polished of a polishing object caused by elastic deformation of a polishing tool and capable of stabilizing a polishing rate. - 特許庁

ウェーハの外周部の過剰な研磨（外周ダレ）を防止でき、高平坦度の研磨が可能なウェーハの研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide the polishing method of wafers that can prevent excessive polishing (outer-periphery sagging) of the outer periphery of the wafer, and can perform polishing with high degree of glanarization. - 特許庁

被研磨材料に生じている局所段差に起因する過剰研磨や研磨残りを生じることのない状態にして電解研磨を行うことを実現し、半導体製造プロセスに電解研磨を導入することを可能にする。例文帳に追加

To realize electrolytic polishing in the state where excessive polishing and unpolished remainder do not occur due to the local step produced in a material to be polished, and to introduce the electrolytic polishing into a semiconductor manufacturing process. - 特許庁

成膜した際に過研磨等の過剰な平坦化処理を受け難い耐性（研磨ストッパー性）を有する着色硬化性組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a colored curable composition having resistance (polishing stopper ability) hard to receive excessive flattening treatment, such as overpolishing upon film forming. - 特許庁

回転時に研磨層の円周方向の伸びをある程度確保して柔軟な研磨等を可能にし、且つ過剰な研磨や砥石の剥離を防止した研磨用砥石を提供する。例文帳に追加

To provide a grinding wheel for polishing in which circumferential elongation of a polishing layer is ensured to some degree at the time of rotation to realized flexible polishing or the like and excessive polishing and peeling off of the grinding wheel are prevented. - 特許庁

リテーナリングまたはウェーハの押圧力に対する研磨パッドの弾性回復応力の集中によるウェーハの過剰研磨を防ぎ、ウェーハ研磨量の均一性を向上させることができる研磨装置を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing device capable of improving uniformity of a wafer polishing amount by preventing excessive polishing of a wafer due to concentration of elastic recovery stress of a polishing pad against pressing force of a retainer ring or the wafer. - 特許庁

該抑制剤の構成物は化学機械研磨において応用し、金属層の高研磨除去率を維持すると同時に、金属エッチングの抑制の特性を兼ね備え、研磨過剰及び侵食等の研磨欠陥を減らすことができる。例文帳に追加

This constituent of inhibitor is applied to chemico-mechanical polishing; and while a high polishing removal rate of a metallization layer is being maintained, it has the property of suppressing metal etching, so that polishing failures, such as overpolishing and erosion, can be reduced. - 特許庁

次に、くぼみの外の過剰の金属を除去し、デバイスを平坦化するため、デバイスを研磨する。例文帳に追加

The device is then polished to remove excess metal in the outside of the recess and planarize the device. - 特許庁

ＣＭＰ加工による過剰研磨を防止した半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can prevent excessive polishing in CMP processing. - 特許庁

絶縁層の過剰な研磨を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor apparatus which can suppress the excess polish of an insulating layer. - 特許庁

ドリル研磨機を用いたドリル研磨において、研磨不能や研磨不足、過剰研磨等を未然に防止し、箇所のドリル先端面を適正かつ均等に研磨させるために必要な、ドリルチャックに対する前記ドリルの突出長さと研磨面の向きの位置決めを、簡単な操作で正確に行うことができるドリルの研磨位置決め器具を提供することにある。例文帳に追加

To provide a drill polishing positioning implement, preventing the occurrence of impossible polishing, insufficient polishing, excessive polishing or the like, and positioning a length of protrusion of the drill and a direction of polishing face required for polishing a tip face of the drill properly and uniformly for a drill chuck accurately by simple operation. - 特許庁

本発明は、ウェーハ外周縁の過剰研磨を防止することによりウェーハ全面を均一に研磨することができるウェーハ研磨装置を提供する。例文帳に追加

To provide a wafer polishing device capable of uniformly polishing the whole surface of a wafer by preventing the outer peripheral edge of the wafer from being excessively polished. - 特許庁

本発明は、ウェーハ外周縁の過剰研磨を防止することによりウェーハ全面を均一に研磨することができるウェーハ研磨装置を提供する。例文帳に追加

To provide a wafer polisher capable of uniformly polishing the whole surface of a wafer by preventing excessive polishing for the outer peripheral edge of the wafer. - 特許庁

研磨時間の設定方法に関し、化学機械研磨工程における終点検出エラーの発生による過剰研磨を防止するとともに、待機時間に伴うコロージョンの発生を回避する。例文帳に追加

To prevent excessive polishing caused by the generation of end point detection error in a chemimechanical polishing process and avoid generating corrosion which may be caused depending on a standby time in relation to a method for setting a polishing time. - 特許庁

絶縁体膜の過剰研磨（ディッシング）が小さく、かつ、スクラッチ（研磨後の絶縁体材料表面の傷）の発生が少ない、ＳＴＩ工程に用いる化学機械研磨用水系分散体を提供すること。例文帳に追加

To provide a water dispersion for chemical mechanical polishing, used for an STI step having mall excessive polishing (dishing) of an insulator film and low occurrence of scratches (surface damages of an insulator material, after polishing). - 特許庁

クリーナレスシステムであり、帯電補助手段６に研磨粒子を付着させて像担持体２の研磨を行なわせる画像形成装置において、画像形成に応じて帯電補助手段に研磨粒子の過剰な供給、供給の不足が生じても研磨粒子量を安定させる。例文帳に追加

To stabilize polishing particles amount even when excessive supplying or deficient supplying of polishing particles occurs in a charging auxiliary device according to image formation in an image forming apparatus with a no-cleaner system having an image carrier 2 polished by attaching the polishing particles to the charging auxiliary device 6. - 特許庁

研磨により確実に異物を除去して検査の信頼性を向上させるとともに、過剰な研磨を防止して高価なプローブピンの使用寿命を延ばすことができ、さらには除去された異物によりＩＣ素子が汚染されることのない研磨機構付きプローブ装置およびその研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a probing apparatus with a polishing mechanism and a method of polishing thereby which is capable of increasing a test reliability by surely removing contaminations by polishing, while extending the service life of an expensive probe pin by preventing excessive polishing, and which can also prevent an IC element from being contaminated by the removed contaminations. - 特許庁

半導体基板周縁部における層間絶縁膜の過剰研磨を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can control superfluous polish of an interlayer insulating film in a semiconductor substrate perimeter. - 特許庁

ウェーハの外周縁部の変形を抑制すると共に、該変形による過剰研磨等の欠陥を防止する。例文帳に追加

To suppress the deformation of the peripheral edge of a wafer and to prevent a failure such as the over polishing of the wafer caused by the deformation. - 特許庁

この場合、硬度が高くなりエアベアリング面の形成の際に過剰に研磨されることが防止される。例文帳に追加

In such a case, the hardness increases and the excess polishing of air bearing surfaces at the time of forming these surfaces is prevented. - 特許庁

ディッシングやエロージョンなどの過剰研磨を防止しつつ、コンタクトプラグや配線形成領域以外の導電膜を迅速に除去することができる電解複合研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a composite electrolytic polishing method capable of rapidly removing a conductive film in regions other than a contact plug or wiring line forming region while preventing excessive polishing, such as dishing or erosion. - 特許庁

ふるいを用いることなく、しかも、チップ素体や研磨用等の球状メディアに過剰な撹拌や移動をさせることなく、確実にチップ素体と研磨用等の球状メディアを分離可能にする。例文帳に追加

To make it possible to surely separate chip elements from spherical media such as those for grinding without using a sieve, moreover, without excessively stirring or moving the chip elements and the spherical media such as those for grinding. - 特許庁

半導体ウエハ表面に生じる過剰エッチングを抑制し、かつ高い研磨速度を維持しつつ、良好な表面粗さが得られる半導体ウエハの鏡面研磨用コロイダルシリカおよびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide colloidal silica for mirror surface polishing for a semiconductor wafer, which can obtain good surface roughness while suppressing excessive etching occurred on the surface of the semiconductor wafer and maintaining a high polishing speed, and to provide a method for producing the colloidal silica. - 特許庁

横溝加工後に表面研磨を行う際に、突板の過剰研磨を抑制し、床材の表面となる部分で木質基材が剥き出しになるのを防止する。例文帳に追加

To provide a floor material manufacturing method which avoids excessive grinding of a sliced veneer during front surface grinding carried out after machining of a transverse groove of a floor material, to thereby prevent exposure of a wooden substrate serving as a front surface of the floor material. - 特許庁

感光体を過剰に研磨することなく，感光体を適宜リフレッシュして，長期にわたり画像品質の良い状態を維持できる画像形成装置およびその感光体の研磨方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an image forming apparatus in which a state that image quality is satisfactory is maintained for over a long period by properly refreshing a photoreceptor without excessively polishing the photoreceptor and to provide a method for polishing its photoreceptor. - 特許庁

半導体ウエハ表面に生じる過剰エッチングを抑制し、かつ高い研磨速度を維持しつつ、良好な面粗さが得られる半導体ウエハの鏡面研磨用コロイダルシリカおよびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide colloidal silica for use in mirror surface polishing for a semiconductor wafer, which can obtain good surface roughness while suppressing excessive etching occurred on the surface of the semiconductor wafer and maintaining a high polishing speed, and to provide a method for producing the colloidal silica. - 特許庁

研磨清掃手順とライニング手順を代えて過剰研磨を無くし均質な研磨とライニングを行い、さらに新機能の塗料によるライニングにより付加価値を高め、更生時間を短縮し、労力およびコストを下げることのできる給水管更生方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for reviving a water supply pipe, in which excessive polishing is not done but uniform polishing and lining are done by varying a polishing/cleaning procedure and a lining procedure, the lining is done by using newly functional paint to make the added value higher and the time required for revival is shortened to reduce the labor and cost. - 特許庁

半導体装置の製造工程において、溝を設けた絶縁膜上に成膜した金属膜をＣＭＰ法により研磨してダマシン配線を形成するに当たり、上記金属膜の研磨時に発生する大面積パターンの過剰研磨（ディッシング）を防止する。例文帳に追加

To prevent excessive polishing (dishing) of a large-area pattern from occurring at polishing of a metal film, when in a process for manufacturing a semiconductor device, the metal film formed on an insulating film comprising a groove is polished by CMP method to form a damascene wiring. - 特許庁

絶縁膜の孔部を埋め込むように形成された銅膜を平坦化する際の研磨量を少なくすることができ、研磨残りの発生および過剰研磨によるディッシングやエロージョンを防ぐことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a semiconductor device capable of reducing the quantity of polishing for flattening a copper film formed to fill a hole in an insulating film, and occurrence of unpolished portion, and dishing and erosion due to excessive polishing can be prevented. - 特許庁

絶縁膜の凹部を埋め込むように形成された導電膜が膨出した部分を有していても、それに起因する研磨残りの発生および過剰研磨によるディッシングやエロージョンを防ぐことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for fabricating a semiconductor device in which occurrence of an unpolished part caused by the bulging part of a conductive film formed to fill the recesses in an insulating film, and dishing or erosion due to over polishing can be prevented. - 特許庁

金属パターン上のシリコン酸化膜などからなる層間絶縁膜をＣＭＰ法で平坦化研磨するとき、オリエンテーションフラット（ＯＦ）近傍において過剰研磨がなく、絶縁膜の膜厚均一性がよい半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which prevents excessive polishing in the vicinity of an orientation flat (OF) when an interlayer insulation film formed of a silicon oxide film on a metal pattern is flattened and polished by a CMP method, and excels in uniformity of the thickness of the insulation film. - 特許庁

タングステン、アルミニウム、銅等の金属配線加工した絶縁膜上の過剰な金属膜を取り除き、金属配線を含んだ絶縁膜を傷つけることなく平坦化することのできる、有機無機複合粒子と、水からなる研磨材およびこれを用いた研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide an abrasive which can remove an excessive metal film from an insulation film on which a metal such as tungsten, aluminum, and copper is wired, and flatten the insulation film having the metal wiring without damaging it and a method for polishing by using the abrasive. - 特許庁

また、化学的機械的平坦化法により１以上のアパーチャを含む半導体ウェーハを回転する研磨パッドと接触させ、それから過剰物質を除去する。例文帳に追加

The method also comprises removing an excess material from a semiconductor wafer containing one or more apertures, by contacting the wafer with a rotating polishing pad through a chemical mechanical planarization process. - 特許庁

これにより、リプレースメントゲート構造形成時の研磨を過剰に行うことができるので、ゲート電極部分以外の電極材料を完全に除去することができ、ゲート電極同士の短絡を防止できる。例文帳に追加

Thereby excessive polishing is enabled when the replacement gate structure is formed, and electrode material except a gate electrode part can be eliminated completely, so that the short circuit between gate electrodes can be prevented. - 特許庁

裏面を研磨すべき半導体ウエーハを吸着するのに好適に使用され、半導体ウエーハが過剰に加熱されるのを効果的に回避することができるチャックテーブルを提供する。例文帳に追加

To provide a chuck table suitably used for sucking a semiconductor wafer to be polished on a back surface thereof and capable of effectively avoiding excessively heating the semiconductor wafer. - 特許庁

埋め込まれた厚い酸化物領域と薄い酸化物領域の最上部の過剰なＳｉは厚い酸化物領域まで研磨して落として薄い酸化物領域の上に活性デバイス領域を形成する。例文帳に追加

The excessive Si at the uppermost portion of the embedded thick oxide region and the thin oxide region is ground and removed until the thick oxide region is reached and thus an active device region is formed on the thin oxide region. - 特許庁

基板表面に堆積させた過剰の銅膜を、製品の品質低下を防止しつつ、より効率的に研磨するようにして、ＥＣＰとＥＣＭＰの両方の欠点を解決する。例文帳に追加

To solve faults of both of an electrochemical polishing (ECP) process and an electrochemical and mechanical polishing (ECMP) process by efficiently polishing an excess copper film deposited on the surface of a substrate while preventing deterioration of quality of products. - 特許庁

フィルミング現象による不具合の発生を安定して抑制しつつも、過剰な研磨により潜像担持体の寿命が低下する事態の発生を抑制する。例文帳に追加

To suppress the occurrence of a situation such that service life of a latent image carrier is made shorter due to excessive polishing even while stably suppressing the occurrence of a failure due to a filming phenomenon. - 特許庁

画像流れを防止し、且つ、感光体表面保護層の過剰研磨やムラ削れを防止することで高耐久（長寿命）化を達成し得る画像形成方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an image forming method in which image deletion is prevented and excessive polishing and uneven scraping of a surface protective layer of a photoreceptor are prevented to achieve higher durability (longer lifetime). - 特許庁

低誘電率材料のウエハ上に損傷及び欠陥を引き起こさずにワークピース表面を均一に平坦化し、過剰な導電性皮膜を除去する半導体ウェハの電気化学機械研磨のためのシステムを提供する。例文帳に追加

To provide a system for electrochemical mechanical polishing of semiconductor wafers, which uniformly planarizes workpiece surfaces and removes excess conductive films from them without causing damage to and defects on wafers made of low-k materials. - 特許庁

研磨終点を的確に見いだすことで、過剰なオーバー研摩により発生するディッシング、エロージョン等を防止して、配線密度による配線抵抗のばらつきを低減し歩留りの向上を図る。例文帳に追加

To prevent dishing, erosion, or the like generated by excessive polishing, and to reduce the fluctuation of wiring resistance due to wiring density for improving a yield by accurately finding a polishing end point. - 特許庁

層間絶縁膜の膜厚バラ付き、ＣＭＰの研磨バラ付き、ドライエッチングのレートバラ付きなどを吸収し、半導体基板上への過剰なエッチング、ダメージを回避できる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein variation in film thickness of an inter-layer insulating film, variation in polishing of a CMP, variation in rate of dry-etching, and the like are absorbed, for avoiding excessive etching and damage to a semiconductor substrate. - 特許庁

モニタ中の周波数又は周波数帯域内においての過剰なノイズレベルが検知されると、研磨処理を停止し且つオペレータに対して警報を発生する。例文帳に追加

When an extreme noise level is detected in a frequency or a frequency band of a monitor, the polishing processing is stopped and an alarm is generated with respect to an operator. - 特許庁

過剰にアルミニウム合金板表面を研磨することなく高い得率を維持し、ラインスポット故障を発生させない平版印刷版用支持体を提供する。例文帳に追加

To provide a support for a lithographic printing plate which maintains a high yield without polishing the surface of an aluminum alloy plate excessively and does not generate line spot trouble. - 特許庁