「"にのん"」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

ノンリニア編集装置およびそのプログラム、ならびに、ノンリニア編集装置におけるデータ差し替え方法例文帳に追加

NONLINEAR EDITING DEVICE AND PROGRAM THEREOF, AND DATA REPLACING METHOD OF NONLINEAR EDITING DEVICE - 特許庁

LTC更新部２７９は、リアルタイムメタデータのLTCの更新に整合するように、ノンリアルタイムメタデータのLTC変化点テーブルを更新する。例文帳に追加

By an LTC update section 279, the LTC changed point table of the non-real time metadata is updated so as to match the updating of the LTC of real time metadata. - 特許庁

ｎ−ＩｎＰホールブロック層２３と、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層２５との間に、ノンドープＩｎＰ層２４を形成する。例文帳に追加

A non-doped InP layer 24 is formed between an n-InP hole block layer 23 and a p-InP upper clad layer 25. - 特許庁

その後、第１の配線層３及び下地絶縁膜２上にノンドープのＣＶＤＳｉＯ_2膜からなる第１の絶縁膜４を形成する。例文帳に追加

Then a 1st insulating film 4 is formed of an undoped CVD SiO_2 film on the 1st wiring layer 3 and base insulating film 2. - 特許庁

半絶縁性ＧaＡs基板１上に、ノンドープＡlＧaＡs層２およびｎ^+-ＧaＡs高濃度アノード層３をＭＢＥ法で順次積層形成する。例文帳に追加

An undope AlGaAs layer 2 and an n+-GaAs high-density anode layer 3 are successively laminated on a semi-insulating GaAs substrate 1. - 特許庁

また、ＳＯＩ層中のソース領域及びドレイン領域で挟まれた位置に、ノンドープ領域４２が設けられている。例文帳に追加

Further, a non-doped region 42 is formed in a position sandwiched between the source region and the drain region in the SOI layer. - 特許庁

まず、サファイア基板１０上にバッファ層１１、ノンドープＧａＮ層１２、ノンドープＡｌＧａＮ層１３を積層させた。例文帳に追加

Firstly, on a sapphire substrate 10, a buffer layer 11, a non-doped GaN layer 12 and a non-doped AlGaN layer 13 are stacked. - 特許庁

起動禁止部は、直前における第２ノンインバータ圧縮機（２Ｃ）の運転継続時間に応じて禁止時間を設定する。例文帳に追加

The start prohibiting part sets the prohibiting time corresponding to the operation duration of the second non-inverter compressor 2C right therebefore. - 特許庁

このようにして生成されたノンインターレースデータは、ＬＣＤやＣＲＴなどのディスプレイモニタにノンインターレース表示される。例文帳に追加

The non-interlace data thus formed is shown in a display monitor such as an LCD or CRT in a non-interlaced manner. - 特許庁

難燃性と耐熱性のいずれにおいても優れていると共にノンハロゲン化されているプリプレグを提供する。例文帳に追加

To provide a prepreg, which has a superior flame resistance and heat resistance and is made non-halogenated. - 特許庁

そして、錫酸亜鉛の含有量を樹脂固形分質量１００に対し５質量部以上とした実質的にノンハロゲンの樹脂組成物とする。例文帳に追加

The substantially nonhalogen resin composition is obtained by adjusting the content of the zinc stannate to ≥5 pts.mass based on 100 pts.mass of resin solid contents. - 特許庁

コントローラ（８０）は、空調負荷に応じて第２ノンインバータ圧縮機（２Ｃ）を起動させ又は停止させる。例文帳に追加

A controller 80 starts or stops the second non-inverter compressor 2C depending on the air conditioning load. - 特許庁

この場合、電池パック内に、ノンストップ自動料金収受システムに関連したデータを記憶するメモリをさらに内蔵してもよい。例文帳に追加

In this case, a memory for storing data relating to the nonstop automatic toll collection system may be further incorporated in the battery pack. - 特許庁

すれ違い部の通過時刻に誤差が生じても、その誤差を補正してすれ違い部上で停止待機させずにノンストップで運転させる。例文帳に追加

To make operation of non-stop with no stop standby on a passing- each-other part, by correcting an error even when causing the error at passing time in the passing-each-other part. - 特許庁

本発明は、耐摩擦性並びにノンスリップ性並びに耐パイリング性のバランスを向上させる為に、数種のワックスを効果的に配合するものである。例文帳に追加

Two or more waxes are effectively formulated to improve the balance of the friction resistance, nonslip properties and piling resistance. - 特許庁

半絶縁性ＧａＡｓ基板１に、ノンドープＧａＡｓ層２，ノンドープＩｎＧａＡｓ層３，ｎ型ＡｌＧａＡｓ層４，ｎ型ＧａＡｓ層５をエピタキシャル成長した半導体基板に活性層を形成し、ソース電極６及びドレイン電極７をＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ合金で形成している。例文帳に追加

An active layer is formed on a semiconductor substrate where non-doped GaAs and InGaAs layers 2 and 3, and n-type AlGaAs and GaAs layers 4 and 5 are subjected to epitaxial growth on a semi-insulating GaAs substrate 1, and source and drain electrodes 6 and 7 are formed by AuGe/Ni/Au alloy. - 特許庁

半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に、ノンドープＧａＡｓバッファ層２，ノンドープＩｎＧａＡｓチャネル層３，ｎ型ＡｌＧａＡｓ電子供給層４，ｎ型ＧａＡｓコンタクト層５がエピタキシャル成長により順次に積層されて、半導体基板（１，２，３，４，５）が形成されている。例文帳に追加

A semiconductor substrate (1, 2, 3, 4, 5) is formed laminating a non-doped GaAs buffer layer 2, a non-doped InGaAs channel layer 3, an n-type AlGaAs electron supply layer 4, and an n-type GaAs contact layer 5 on a semi- insulating GaAs substrate 1 in order by epitaxial growth. - 特許庁

それがあるときからそういうやり方は古いのではないか、人を育てていくなんてこのグローバル化の変化の激しい時代にのんびりしたことはできない、もっと自分自身で能力を高めていく、学校を卒業したらすぐに役立つ力を身に付けていなければならない、即戦力にならなければならない、そのことが特にこのバブル経済が崩壊したあとに強く言われるようになりました。例文帳に追加

However, the situation has changed now and various opinions have arisen. Here are some examples: those systems are outdated; amid intensifying globalization, we cannot afford to do time-consuming jobs like training personnel; workers need to make efforts to improve their capabilities by themselves; students need to master skills that can be used immediately after finishing school; new employees must contribute to the company right away. These ideas have been strongly expressed particularly after the bursting of the bubble economy. - 厚生労働省

そこへ帰った良医は薬を調合して子供たちに与えたが、半数の子供たちは毒気が軽減だったのか父親の薬を素直に飲んで本心を取り戻した。例文帳に追加

The excellent physician returned home, compounded a medicine, which was given to the children, and half of the children, due probably to low toxicity, took without reservation the medicine their father prepared and recovered their conscience.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

２つの商品はおそろいのパッケージで，企業の広告によると，この２つの商品を一緒に飲んで食べることで，アップルパイを食べているような感じになるという。例文帳に追加

The two products have matching packages and company ads claim that drinking and eating the two products together will make you feel like you are eating apple pie. - 浜島書店 Catch a Wave

金属箔面及びポリオレフィンシース材との接着性が良いノンハロゲン系のホットメルト剤を見出だし、これにノンハロゲン系接着剤を組み合わして、ノンハロゲン系電磁遮蔽用金属箔ラミネートテープを提供する。例文帳に追加

To provide a non-halogen metal foil laminate tape for electromagnetc shielding by finding a non-halogen hot melt compound that adheres readily to a metal foil surface and a polyolefine sheath material and combining this with a non-halogen adhesive. - 特許庁

ノンスロットルエンジン及び膨張比可変機構付きエンジン並びにノンスロットルエンジン及び膨張比可変機構付きエンジンの二次酸素供給方法例文帳に追加

NON-THROTTLE ENGINE AND ENGINE WITH EXPANSION RATIO VARIABLE MECHANISM, AND SECONDARY OXYGEN SUPPLY METHOD FOR NON-THROTTLE ENGINE AND ENGINE WITH EXPANSION RATIO VARIABLE MECHANISM - 特許庁

太陽電池モジュール１００の出力取出ケーブル１０７や太陽電池モジュール１００間の接続ケーブル２０１にノンハロゲンケーブルを用いた。例文帳に追加

A non-halogen cable is used as an output taking-out cable 107 of the solar cell module 100 and a connection cable 201 between solar cell modules 100. - 特許庁

接結糸はポリエステルマルチフィラメント仮撚加工糸を用いることが好ましく、実質的にノントルクであるかまたはＳ方向とＺ方向の残留トルクを有する糸を交互に配置させることが好ましい。例文帳に追加

As the binding yarn, it is preferable to use a polyester multifilament false twisted processed yarn and it is also preferable that the yarns having substantially no torque or a residual torque in S- and Z-directions are arranged alternately. - 特許庁

十分な流動性と硬化性とを確保すると共にノンハロゲン化を達成することができ、半導体封止用途に好適に用いられる封止用エポキシ樹脂組成物を提供する例文帳に追加

To obtain an epoxy resin composition for sealing in which sufficient fluidity and curability are secured and which is nonhalogenated and is suitably useful for semiconductor sealing. - 特許庁

銀イオンを担持したゼオライトを、クレープ紙５にノンバインダーでグラビアコートにより塗工量０．６ｇ／ｍ^２で塗工し、１５０℃で乾燥させた後、吸収性物品１を製造した。例文帳に追加

After zeolite carrying silver ions is applied on the crepe paper 5 by gravure coating with the coating amount of 0.6g/m^2 without using a binder and dried at 150°C, the absorbent article 1 is produced. - 特許庁

アルミニウム合金板にノンクロム化成処理被膜を付与し、更にその上を有機樹脂層で被覆した密着性及び耐食性を有するアルミニウム合金缶を提供する。例文帳に追加

To provide an aluminum alloy can lid having adhesion and corrosion resistance by applying a non-chromium chemical conversion coating to an aluminum alloy sheet, and coating the surface thereof with an organic resin layer. - 特許庁

この半導体装置では、Ｐ^—型の半導体基板４５上にノンドープの第１エピタキシャル層４６、ＮまたはＮ^-で積層した第２エピタキシャル層４７が形成される。例文帳に追加

In the semiconductor device, a non-doped first epitaxial layer 46 and an N- or N--type second epitaxial layer 47 laminated thereon are formed on a P--type semiconductor substrate 45. - 特許庁

半導体基板１上にフィールド酸化膜２を形成し、このフィールド酸化膜２上に、ノンドープのシリコン膜３をＬＰＣＶＤ法により形成する。例文帳に追加

A field oxide film 2 is formed on a semiconductor substrate 1 and a nondoped silicon film 3 is formed on the field oxide film 2 by LPCVD. - 特許庁

製麦、仕込み、醗酵、熟成の各工程を経るビールの製造方法を利用し、良好な味及び香りを失わせずにノンアルコールビールを得ること例文帳に追加

To obtain non-alcohol beer without losing favorable taste and flavor by utilizing a beer production process comprising the respective steps of malting, preparation, fermentation and aging. - 特許庁

半導体基板１上にゲート構造体Ａを形成し、さらにノンドープシリコン系絶縁膜１１と、不純物ドープ窒化シリコン膜１３と順に成膜する。例文帳に追加

A gate structure A is formed on a semiconductor substrate 1, and a non-doped silicon insulation film 11 and an impurity-doped nitride silicon film 13 are formed in this order. - 特許庁

枚葉紙供給装置にノンストップ装置３が設けられ、新たな枚葉紙積み紙Ｓを取り付ける際に残留積み紙Ｒを一時的に受け取るためにモータによって駆動される支持ロッド７が用いられる。例文帳に追加

This paper sheet feeding device comprises a nonstop device 3, and a support rod 1 driven by a motor is used in order to temporarily receive residual stacked papers R in the mounting of new paper sheet stacked papers S. - 特許庁

ここで、確認メッセージの出力から３０分後には、ユーザは、確実にノンレム睡眠の状態に入っているため、自動電源オフの処理に伴ってユーザが目を覚ましてしまうことを防げる。例文帳に追加

After the elapse of 30 minutes after the output of the confirmation message, since the user surely falls into non-rapid eye movement sleep, the user is prevented from being awaken in accordance with automatic power off processing. - 特許庁

シリコン基板４０上に形成されたゲート絶縁膜４０上にノンドープの導電性シリコンからなる第１導電性膜５２を形成する（図５（Ａ））。例文帳に追加

A first conductive film 52 consisting of non-doped conductive silicon is formed on a gate insulating film 43 formed on a silicon substrate 40 (Fig. 5(A)). - 特許庁

ノンハロゲン難燃性熱収縮シームレスチューブ、それからなる電池及びコンデンサー並びにノンハロゲン難燃性熱収縮シームレスチューブの製造方法例文帳に追加

NON-HALOGEN FLAME-RETARDANT AND HEAT-SHRINKABLE SEAMLESS TUBE, CELL AND CAPACITOR EACH BEARING THE SAME, AND METHOD FOR PRODUCING THE NON-HALOGEN FLAME-RETARDANT AND HEAT-SHRINKABLE SEAMLESS TUBE - 特許庁

アルミニウム合金板にノンクロム化成処理被膜を付与し、更にその上を有機樹脂層で被覆した密着性及び耐食性を有するアルミニウムシームレス缶を提供する。例文帳に追加

To provide a resin coated seamless aluminum can having adhesion and corrosion resistance obtained by applying a non-chromium chemical forming treatment film to an aluminum alloy sheet and coating the non-chromium chemical forming treatment film on the alloy plate with an organic resin layer. - 特許庁

第一導電型（ｎ型）の結晶シリコン基板１上に、ノンドープの水素化アモルファスシリコン層２を介して第二導電型（ｐ型）の水素化アモルファスシリコンオキサイド層３を備えた太陽電池である。例文帳に追加

The solar cell has a structure in which a second conductivity type (p-type) hydrogenated amorphous silicon oxide layer 3 is formed on a first conductivity type (n-type) crystal silicon substrate 1 via a nondoped hydrogenated amorphous silicon layer 2. - 特許庁

配線部は、クロック信号を複数の回路ブロックに供給するためのクロック配線を設計し、クロック配線の所定位置にノンインバータタイプのバッファを配置することにより、第１構成のクロック配線を設計する。例文帳に追加

A clock wiring for supplying a clock signal to a plurality of circuit blocks is designed at the wiring part and a first constitution clock wiring is designed by a buffer as a non-inverted type being provided at a predetermined position of the clock wiring. - 特許庁

そして、現在位置データに基づいて、ノンプレイヤオブジェクトの所定面がプレイヤオブジェクトの現在位置に向くようにノンプレイヤオブジェクトの姿勢が制御される。例文帳に追加

The posture of the non-player object is controlled on the basis of the current position data so that a predetermined face of the non-player object face the current position of the player object. - 特許庁

無線通信利用の入出場管理機能を有する駐車場管理装置において、入出場時にノンストップの通過を可能にすると共に、施設利用時の料金割引サービスも提供できるようにする。例文帳に追加

To enable a parking lot managing device having an entering/exiting managing function using wireless communication to allow a nonstop passage at the time of entering and exiting and provide a charge discount service for a use of facilities. - 特許庁

ソース領域１３０とドレイン領域１３１との間のＳＯＩ層に埋め込み絶縁膜１１４ａが形成され、埋め込み絶縁膜の上部のＳＯＩ層領域中にノンドープシリコン膜１１６が形成されている。例文帳に追加

A buried insulating film 114a is formed in an SOI layer between a source region 130 and a drain region 131, and a non-doped silicon film 116 is formed in the SOI layer region above the embedded insulating film. - 特許庁

繊維１１を撚ってなるロープ１３の周上にノンブリードアウト性潤滑樹脂被覆１４が設けられているケーブル延線用ロープ１０である。例文帳に追加

This rope for cable orientation has a coating 14 of a non- bleeding-out lubricant resin on the periphery of ropes 13 obtained by twisting fibers 11. - 特許庁

通信ケーブルのケーブルシースにケーブルシース内層と共にノンブリードアウト性潤滑性樹脂より成る最外層を一括ニ層押出しで被覆する構成。例文帳に追加

A cable sheath of the communication cable is coated with a cable sheath inner layer and an outermost layer made of non-bleed out type lubricative resin by en-bloc bilayer extrusion. - 特許庁

各種の金属表面に優れた耐食性、塗装下地性、塑性加工用潤滑下地性等を与え、しかも、簡易にノンクロムの処理をしうる化成処理液を提供する。例文帳に追加

To provide a chemically treating solution imparting excellent corrosion resistance, coating substrate properties, lubricating substrate properties for plastic working or the like to various metallic surfaces and capable of easily performing non-chromium treatment. - 特許庁

ただし、（４）各レイヤは３個の段からなり、その第１段および第３段はｍ×ｍスイッチからなり、第２段は（Ｎ／ｍ^２）×（Ｎ／ｍ^２）ノンブロッキングスイッチからなる。例文帳に追加

However (4) each layer consists of 3 steps, the 1st and 3rd steps consist of m×m switches and the 2nd step consists of (N/m2)×(N/m2) non blocking switches. - 特許庁