「いしいちょう４ちょうめ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

そして、その表面に、エッチピット１ｂの側壁部に成長した部分同士が互いに接触する条件にてＳｉＣ成長層４をエピタキシャル成長させることで、ＳｉＣ成長層４に転位が引き継がれないようにする。例文帳に追加

When an SiC growth layer 4 is epitaxially grown on the surface of the etch pit 1b in such a condition that portions grown in the side wall parts of the etch pit 1b are brought into contact mutually, the dislocation is prevented from being transferred to the SiC growth layer 4. - 特許庁

4月、歩兵第11連隊大隊長心得を拝命し萩の乱に出征する。例文帳に追加

In April, he received an official appointment as Daitaicho Kokoroe (Acting Battalion Chief) of the 11th Infantry Regiment, and departed for the front of Hagi-no-ran War (turmoil of dissatisfied warriors at Hagi).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

成長容器４内にＳｉＣ種結晶３を配置し、その成長面３５上にバルク状のＳｉＣ単結晶を成長させて、ＳｉＣ単結晶を製造する方法である。例文帳に追加

The method for producing a SiC single crystal is carried out by disposing a SiC seed crystal 3 in a growing chamber 4 and growing a bulk SiC single crystal on the growing surface 35. - 特許庁

シンガポール通貨庁は、1999年4月12日に、「アジアの成長と経済回復のためのイニシアティブ」(AGRI)について議論するための会合を主催した。例文帳に追加

The Monetary Authority of Singapore hosted a meeting to discuss the Asian Growth and Recovery Initiative (AGRI) on April 12, 1999.  - 財務省

ＧａＡｓ基板４上にＡｌＧａＡｓ層を液相エピタキシャル法によりエピタキシャル成長するに際し、上記ＡｌＧａＡｓ層の成長開始温度をＡｌ及びＡｓが飽和溶解する温度よりも１〜１０℃高めることで、基板４の表面を溶解しながら成長させる。例文帳に追加

When conducting the epitaxial growth of an AlGaAs layer on a GaAs substrate 4 with the liquid-phase-pitaxial method, the growth starting temperature of the AlGaAs layer made higher than the saturation melting temperature of the Al and the As by 1 to 10°C melts the surface of the substrate 4 to grow the epitaxial. - 特許庁

19歳の文明(日本)4年（1472年）8月には、奈良古市の祭礼で父の代演を務めるなど、金春座の後継者として順調に成長を遂げる。例文帳に追加

He achieved stable growth and took over Konparu-za, such as acting as a substitute for his father in a festival in Furuichi, Nara in September 1472 when he was 19 years old.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

例えば階調数４（階調出データ０、１、２、３、４）の印字データを多重印字するに際し、一画素の印字期間を４等分して１／４ライン目、２／４ライン目、３／４ライン目、４／４ライン目と四つの印字タイミングに分割する。例文帳に追加

At the time of multiplex printing of 4 gray scale print data (gray scale data 0, 1, 2, 3, 4), print period of one pixel is divided equally into four to obtain four print timings for 1/4-th line, 2/4-th line, 3/4-th line and 4/4-th line. - 特許庁

基台２に対して座体３を前後方向に調整移動する為の水平調整手段４を備えていても良い。例文帳に追加

A horizontal adjusting means 4 for adjusting and moving the seat body 3 in the longitudinal direction to the base 2 may also be mounted. - 特許庁

樋口信孝（ひぐちのぶたか、慶長4年12月24日(旧暦)（1600年2月8日）-明暦4年7月20日(旧暦)（1658年8月18日））は、江戸時代初期の公家。例文帳に追加

Nobutaka HIGUCHI (February 8, 1600 – August 18, 1658) was a court noble of the early Edo period.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

成膜工程では、基板２０と半導体膜４の界面に空間２４が散在している状態で半導体膜４を成長させる。例文帳に追加

The film-forming process makes the semiconductor film 4 grow while spaces 24 scatter on the interface between a substrate 20 and the semiconductor film 4. - 特許庁

レイアウトフローにおけるＣＴＳの工程が終了した後、各々のＣＴＳについて、ＣＴＳ最終段バッファからＦＦまでの最長配線長を調べ、最長配線長の平均値ｌを求める。例文帳に追加

After the process of CTS in a layout flow is completed(2), longest wiring lengths from a CTS final stage buffer to FF concerning each CTS are inspected(3) and the average l of the lengths is obtained(4). - 特許庁

表面に酸化膜が形成されたシリコン基板などの基板４上に触媒ＣＶＤ法により窒化シリコン層１０を成長させる場合に、少なくとも成長初期に成長雰囲気の全圧を１．３３×１０^-3Ｐａ以上４Ｐａ以下に設定し、あるいは、少なくとも成長初期に成長雰囲気における酸素および水分の分圧を６．６５×１０^-10 Ｐａ以上２×１０^-6Ｐａ以下に設定する。例文帳に追加

When a silicon nitride layer 10 is formed on a substrate 4 like a silicon substrate with an oxide film on its surface in a catalytic CVD method, the total pressure of growth atmosphere is set from 1.33×10^-3 Pa to 4 Pa in at least an early stage. - 特許庁

今朝発表された4月－６月のGDP、9か月連続のマイナス成長ということですけれども、マイナス幅等を含め、受止めをお願いします。例文帳に追加

According to GDP data for April-June announced this morning, the Japanese economy recorded negative growth for nine consecutive months. Could you comment on the data, including the margin of the negative growth?  - 金融庁

通し矢の記録を記した『年代矢数帳』（慶安4年〈1651年〉序刊）に明確な記録が残るのは慶長11年（1606年）の浅岡平兵衛が最初である。例文帳に追加

The Heibei ASAOKA in 1606 that first appeared in "Nendai Yakazu Cho" (the chronicle of arrow number records, published in 1651) was the first source to record the score of Toshiya.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

これにより、矩形長辺のみにパッド４が存在していても、短辺方向のアライメント調整を容易に行うことができる。例文帳に追加

Thus, even if the pad 4 exists only at the rectangular long side it is possible to easily adjust the alignment in the direction of the short side. - 特許庁

各非縦方向成長部４の上面では、ｘｙ平面に平行にｒ面が結晶成長し、これらの個々のｒ面は、側壁面１ｂの近傍に若干のボイド５を形成しつつも、ストライプ溝Ｓを完全に覆い隠すまで結晶成長して、最終的には略一連の平坦面が形成される。例文帳に追加

An r-plane is grown in parallel to xy-plane on the upper surface of each growing section 4 growing in the non-vertical direction. - 特許庁

濃姫（のうひめ、天文(元号)4年（1535年）？-慶長17年7月9日(旧暦)（1612年8月5日）？）は、斎藤道三の娘で、織田信長の正室。例文帳に追加

Nohime (1535 - August 5, 1612), was the daughter of Dosan SAITO and lawful wife of Nobunaga ODA.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

北京議定書で清朝に定められた賠償金4億5000万両（利払いを含めると8億5000万両になる）という額は、年間予算1億両足らずであった当時の清朝にはまさに天文学的な要求であった。例文帳に追加

The amount of the reparations of 450 million taels specified in the Peking Protocol (850 million taels in total with the interest) was a really astronomical demand to the Qing Dynasty whose annual budget was less than 100 million taels.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

GDP成長率は、2009 年第3 四半期に2.2％、第4 四半期に5.6％の伸びを示したが、失業率は依然として高水準で推移している。例文帳に追加

While U.S. real GDP growth registered a 2.2% increase in the third quarter of 2009 and was up 5.6% in the fourth quarter of the same year, the unemployment rate remains high. - 経済産業省

一方江戸幕府は御定相場として慶長14年（1609年）に、金1両は、銀50匁（約187グラム）、銭4貫文（4,000文(通貨単位)）に等価と布告し、後の元禄13年（1700年）に、金1両は、銀60匁（約225グラム）、銭4貫文と改正した。例文帳に追加

Meanwhile, Edo bakufu set the mint par of exchange, proclaiming in 1609 that 1 ryo of gold was equalized to 50 monme of silver (about 187 grams), or to 4 kanmon (or 4000 mon) of copper, then later in 1700, proclaimed again that 1 ryo of gold became 60 monme of silver (about 225 grams), or 4 kanmon of copper.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

通帳類１は、表紙３内部にメモリＩＣ１３およびアンテナを予め組み込んだ未使用の通帳類の反対側の表紙４の内面に通帳類の所有者の個人情報を印刷し、フィルム５を加熱および加圧してラミネートして形成される。例文帳に追加

The bankbook or the like 1 is formed by printing the personal information of an owner of the bankbook or on an inner surface of the cover 4 at an opposite side of the unused bankbook or the like with the memory IC 13 and an antenna previously assembled within the cover 3, heating and pressurizing the film 5 and laminating the film. - 特許庁

このようなＧａＮまたはＳｉＣ基板（１１０１）において、(４ ４ −８ ｍ)（ただしｍは１または−１）面上に結晶を成長させることによって、良質な結晶を安定して成長させることができる。例文帳に追加

A good crystal is stably grown by growing a crystal on the (4 4-8 m) (wherein m is 1 or -1) plane in the GaN or SiC substrates (1101). - 特許庁

2006年の実質GDP成長率は10.7%と4年連続で10％を超える高成長を遂げたが、その成長は、GDPの約半分を占める固定資本形成と拡大する純輸出がけん引するものであり、投資過熱や国際収支不均衡等の課題を抱えている（第1-1-34図）。例文帳に追加

The real GDP growth rate was 10.7% in 2006, marking high growth of over 10% for the fourth consecutive year, but this growth has been driven by fixed capital formation, which accounts for approximately half of GDP, and expanding net exports, and issues exist including investment overheating and imbalances in international payments (Figure 1-1-34). - 経済産業省

4 つめは、参加国・地域間でのマクロ経済バランスの不均衡を解消しながらの「均衡ある成長（Balanced Growth）」である。G20 とも連携をしながら、バランスのとれた経済成長を目指して、国内の構造改革にも取り組む。例文帳に追加

Fourth, balance while eliminating macroeconomic imbalances among countries and regions participating. "Balanced Growth" is cooperation with G20 and aims to balance economic growth, structural reforms to tackle the country. - 経済産業省

これにより、貫通らせん転位１ａが存在しない表面を有するＳｉＣ成長層４を得ることが可能となる。例文帳に追加

In this way, the SiC growth layer 4 having the surface including no threading screw dislocation 1a can be obtained. - 特許庁

GaAs基板１上に半導体層２を成長させ、半導体層２を耐熱性紫外光剥離テープ５を介して透明支持体４に貼り付ける。例文帳に追加

A semiconductor layer 2 is grown on a GaAs substrate 1 and the semiconductor layer 2 is stuck to a transparent support 4 by means of a heat-resisting ultraviolet-light peeling tape 5. - 特許庁

清朝の歳入が8800万両強であったにもかかわらず、課された賠償金の総額は4億5000万両、利息を含めると9億8000万両にも上った。例文帳に追加

While the annual revenue of the Qing Dynasty was slightly more than 88 million taels, the reparation was 450 million taels, rising to 980 million taels with interest.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

引き続き、アンドープMQW層４の成長温度と等しい温度でアンドープAlGaN埋め込み層１０を形成した。例文帳に追加

Then, undoped AlGaN burying layers 10 are formed at a temperature equal to the growing temperature of the undoped MQW layer 4. - 特許庁

非免疫抑制型［γ−ヒドロキシ−メチルロイシン４］シクロスポリンＡ、毛髪成長刺激剤とこれを使用する皮膚用外用薬例文帳に追加

NON-IMMUNOSUPPRESSING [γ-HYDROXY-METHYLLEUCINE 4]CYCLOSPORINE A, HAIR-GROWTH STIMULATING AGENT AND SKIN CARE PREPARATION CONTAINING THE AGENT - 特許庁

その結果、2007年第4四半期のEUの実質GDP成長率は前年同期比0.5％に減速しており、今後、個人消費や固定資本形成が低迷を続ける場合には、EUの成長は不安定化する可能性が高まると考えられる。例文帳に追加

As a result, during the fourth quarter of 2007, the real GDP growth rate in the EU, had slowed 0.5% compared to the same period of the previous year, and it is thought that, if personal consumption and fixed capital formation continue to flag, the likelihood of growth in the EU becoming unstabilized will increase. - 経済産業省

半導体基板１上に半導体層２を介して、磁性混晶半導体３をエピタキシャル成長させ、前記エピタキシャル成長中または成長後に熱処理することにより、半導体中に強磁性微粒子が埋め込まれた磁性体微粒子／半導体複合材料４を形成する。例文帳に追加

On a semiconductor substrate 1, a magnetic mixed crystal semiconductor 3 is formed through epitaxial growth across a semiconductor layer 2, and a heat treatment is carried out in or after the epitaxial growth to form a magnetic body particulate/semiconductor compound material 4, having ferromagnetic particulates embedded in the semiconductor. - 特許庁

接続端子４のＳｎめっき膜１２上にウイスカ１８が発生して成長した後、ウイスカ１８を観察して発生及び成長の程度を評価する。例文帳に追加

The method evaluates the degree of the generation and growth of the whisker 18, by observing it after the whisker 18 has been formed and grown on the Sn-plated film 12 of the connecting terminal 4. - 特許庁

慶長14年（1609年）、丹波亀山藩3万2000石に加増移封された（のち、2000石加増を受け、合計4万石）。例文帳に追加

In 1609, Nagamori was transferred to the Tanba-Kameyama Domain with an increased estimated yield of 32,000 koku (his territory was later increased by 2,000 koku to a total of 40,000 koku).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

そして、埋込層６の外周部でエピタキシャル成長層２の表面側にｐ^+ 形のガードリング４が形成されている。例文帳に追加

A p+-type guard ring 4 is formed on the surface side of the epitaxial growth layer 2 at the outer peripheral part of the embedded layer 6. - 特許庁

ガイド部材２４の内底面に種結晶４を固定し、ガイド部材２４の周囲に温度勾配調節部材２６を配置する。例文帳に追加

A seed crystal 4 is fixed on the inner bottom surface of a guide member 24, and a temperature gradient adjusting member 26 is arranged in the circumference of the guide member 24. - 特許庁

背景画像メモリ３中の背景画像は、解像度変換部４で出力解像度に変換後、階調補正部５で網点処理前後の階調をほぼ一致させるように階調補正処理を行い、網点処理部６で出力線数よりも荒い線数で網点処理を行う。例文帳に追加

A background image stored in a background image memory 3 is converted into the output resolution at a resolution converter 4, screen processes at a gradation corrector 5 so as to secure substantial coincidence between the gradation set before and after the screen processing and screen processes at a screen processor 6 into the number of lines larger than the number of the output lines. - 特許庁

シリコン基板２の表面にたとえばシリコンの酸化物による第１の無機膜４を形成し、つづいてシリコン基板２をシリコン・エピタキシャル成長炉に導入してエピタキシャル成長によりシリコン層６を形成する。例文帳に追加

A first inorganic film 4 of, e.g. silicon oxide is formed on a surface of a silicon substrate 2, then, the silicon substrate 2 is introduced into an epitaxial growth chamber to form a silicon layer 6 by epitaxial growth. - 特許庁

大腸菌の場合、メンブレンフィルタ１で回収した大腸菌２を事前に核酸染色試薬で染色し、核酸３に結合蛍光試薬４が存在する状態とする。例文帳に追加

In the case of Escherichia coli, the E. coli 2 recovered with a membrane filter 1 is stained beforehand with a nucleic acid staining reagent to effect the inclusion of a binding fluorescent reagent 4 in the nucleic acid 3, and the product is washed with a Tris-HCl buffer. - 特許庁

回路基板１の導電用貫通孔４に絶縁性感光剤３で核９を露光・現像して形成し、該核９と貫通孔４内壁によりメッキを成長させ、貫通孔4にメッキを充填する回路基板１の貫通孔４に核９を形成するメッキ方法。例文帳に追加

A plating method for forming a nucleus 9 in a through hole 4 of a circuit board 1 includes forming the nucleus 9 in the through hole 4 for electric conduction in the circuit board 1 by exposure and development using insulating photosensitizer 3, growing plating by the nucleus 9 and an inner wall of the through hole 4, and filling the through hole 4 with the plating. - 特許庁

出願が第19条(1)，(2)及び(4)から(6)までの要件を満たしていない場合，庁は出願人に対して所定期間内に瑕疵を是正するよう求めるものとする。是正のための期間は15日未満であってはならない。例文帳に追加

If the application does not satisfy the requirements as laid down in Section 19 paragraph 1, 2, 4 to 6, the Office shall request the applicant to remedy the deficiencies within the prescribed time limit, which cannot be shorter than 15 (fifteen days).  - 特許庁

登録意匠の所有者がその意匠権の存続期間が第43条(2)又は(4)に従って延長されるよう合理的な配慮をしていたと長官が認める場合，長官は，末納付の更新手数料及び所定の追加手数料が納付されることにより，失効した意匠権の回復を命じる。例文帳に追加

Where the Controller is satisfied that the proprietor took reasonable care to see that the period for which the design right subsisted was extended in accordance with subsection (2) or subsection (4) of section 43, the Controller shall, on payment of any unpaid renewal fee and any prescribed additional fee, order the restoration of the design right. - 特許庁

納付された手数料が第19条(4)の規定による金額に不足する場合，庁は，第19条(3)に定める期限の経過後，出願人に対して不足額を支払うよう要求し，そのための15日の期間を設定する。例文帳に追加

If the administrative fee is not paid in the amount as laid down in Section 19 paragraph 4, the Office shall request the applicant after the expiry of the time limit as laid down in Section 19 paragraph 3 to pay the outstanding amount of the fee and the Office can set a time limit of 15 (fifteen days) for the payment of the outstanding amount.  - 特許庁

これにより、下地層４上でのめっき電流の流れが保証され、めっき成長膜６の形成を抑制しながら、外皮層５を確実に下地層４上に形成することができる。例文帳に追加

Thus, the flow of plating currents on the base layer 4 can be guaranteed, and the outer layer 5 can be positively formed on the base layer 4, while the formation of the plated growing layer 6 can be suppressed. - 特許庁

指定領域ドライブ調整回路５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂは、逆ガンマ補正回路４より出力されたＲ，Ｇ，Ｂ信号における予め設定した階調レベル以上の領域のゲインをＲ，Ｇ，Ｂ信号それぞれで調整する。例文帳に追加

Designated area drive adjustment circuits 50R, 50G, 50B respectively adjust the gains of R, G, B signals in an area with a preset gradation level or higher for the R, G, B, signals outputted from an inverse gamma- correction circuit 4. - 特許庁

磁石４に対して貼り付け可能な低誘電率のシート６の貼り付け面に、鉄等で構成した磁界調整用パターン５を設け、磁石４の上面にシート６を貼り付けて構成する。例文帳に追加

A pattern 5 for magnetic field control, composed of iron or the like, is provided on the sticking face of a sheet 6 of low dielectric constant to be stuck to a magnet 4, and the sheet 6 is stuck on the upper surface of the magnet 4. - 特許庁