「いんきょくかいほうくろーぬす」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

第一基地局１１０は、移動局１３０へ下りデータＤＡＴＡ＿ｄｏｗｎを送信するとともに、下りデータＤＡＴＡ＿ｄｏｗｎのフィードバック情報ＦＢ＿ｄｏｗｎを、第二基地局１２０を経由する迂回経路により移動局１３０から受信する。例文帳に追加

The first base station 110 transmits the down data DATA_down to the mobile station 130, and receives feedback information FB_down of the down data DATA_down from the mobile station 130 through a bypassing route passing through the second base station 120. - 特許庁

磁極１００は、下方に向けてスリーブ９２の法線方向の磁界の強さが最大となる方向ｎ２を含む方向に磁界を形成する。例文帳に追加

The magnetic pole 100 forms a magnetic field downward in directions including a direction n2 in which the magnitude of a magnetic field in the direction of the normal of the sleeve 92 is maximum. - 特許庁

第２の駆動回路２１〜２ｎは放電灯３１〜３ｎの電極Ｅ２１〜Ｅ２ｎに接続される第２の出力端子Ｔ４１〜Ｔ４ｎを備え、第２の出力端子Ｔ４１〜Ｔ４ｎに第２の高周波交流電圧Ｖ２１〜Ｖ２ｎを供給する。例文帳に追加

Second driving circuits 21-2n comprise second output terminals T41-T4n connected to electrodes E21-E2n of discharge lamps 31-3n, and second high frequency alternating current voltages V21-V2n are impressed to the second output terminals T41-T4n. - 特許庁

半導体素子用電極の製造方法、トランジスタの製造方法、ＰＩＮダイオードの製造方法、回路基板、電気光学装置、電子機器例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF ELECTRODE FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT, MANUFACTURING METHOD OF TRANSISTOR, MANUFACTURING METHOD OF PIN DIODE, CIRCUIT BOARD, ELECTRO-OPTICAL DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS - 特許庁

熱陰極型の放電灯Ｌａにインバータ回路ＩＮＶから高周波電力を供給する。例文帳に追加

High-frequency electric power is supplied to the hot cathode type electric-discharge lamp La from an inverter circuit INV. - 特許庁

駆動回路１０は、ＭＯＳＦＥＴＮ１、Ｎ２のゲートに駆動電圧を与えるフォトダイオードアレイＦＤ１と、ＭＯＳＦＥＴＮ１、Ｎ２のゲート・ソース電極間に接続され、それぞれのゲート電極に蓄積される電荷を放電するための放電回路１１と、を含む。例文帳に追加

The drive circuit 10 comprises a photodiode array FD1 for applying a drive voltage to the gates of the MOSFETs N1 and N2, and a discharge circuit 11 connected to between the gate-source electrodes of the MOSFETs N1 and N2 for discharging the charges accumulated in respective gate electrodes. - 特許庁

１対の走査電極ＳＣＮ_i（ｉは１〜２Ｍの整数）および維持電極ＳＵＳ_iの引き出し線は同じ方向に引き出され、走査電極ＳＣＮ_iは走査電極駆動回路２ａ（または２ｂ）に接続され、維持電極ＳＵＳ_iは維持電極駆動回路３ａ（または３ｂ）に接続されている。例文帳に追加

In this panel, leader lines of one pair of the scanning electrode SCNi (i is integeres of 1 to 2M) and the sustaining electrode SUSi are drawn out to the same direction and the scanning electrode SCNi and the sustaining electrodes SUSi are connected respectively to a scanning electrode driving circuit 2a (or 2b) and a sustaining electrode driving circuit 3a (or 3b). - 特許庁

機能性物質がＣＮＴ適所にのみコートされ、被測定対象の局所的測定に関して高分解能を具備したＣＮＴプローブ、その製造方法及びそのＣＮＴプローブを用いた測定方法を提供する。例文帳に追加

To provide a CNT probe, in which only a proper place of CNT is coated by functional material, possessing high resolution in local measurement of measured objects as well as manufacturing method and measuring technique thereof. - 特許庁

厚み方向に積層される縦型の電界効果トランジスタにおいて、半導体層とゲート電極４との配設位置によって、論理回路のうちＮＯＲ回路およびＮＡＮＤ回路の少なくともいずれか一方を実現する。例文帳に追加

In this vertical field effect transistor laminated in its thickness direction, at least either an NOR circuit or an NAND circuit among logical circuits is realized according to the arrangement positions of a semiconductor layer and a gate electrode 4. - 特許庁

この結果、屈曲部ｎ１は回動部材４０ｅを中間転写ユニット１５方向に押圧する。例文帳に追加

Consequently, a bent part n1 presses a turning member 40e toward the intermediate transfer unit 15. - 特許庁

無線基地局ｅＮＢ１０−１は、自局である無線基地局ｅＮＢ１０−１の消費電力レベルを複数段階のレベルの何れか設定し、当該消費電力レベルを示す消費電力レベル情報メッセージを、無線基地局ｅＮＢ１０−２へ送信する。例文帳に追加

A wireless base station eNB10-1 selects a power consumption level of its own wireless base station eNB10-1 among a plurality of levels, and transmits a power consumption level information message showing the power consumption level to a wireless base station eNB10-2. - 特許庁

ピコ基地局ＰｅＮＢ＃１は、マクロ基地局ＭｅＮＢに対して、マクロ基地局ＭｅＮＢが使用を制限するコンポーネントキャリア又は使用制限を解除するコンポーネントキャリアをマクロ基地局ＭｅＮＢが決定するための情報を送信する。例文帳に追加

The pico base station PeNB#1 transmits the macro base station MeNB information for the macro base station MeNB to determine which component carrier to restrict the use thereof or which component carrier to remove the use restriction thereof. - 特許庁

ロータ２１の各ロータ磁石２１ｂの外面はロータ磁極２１ｃを構成し、ロータ磁極２１ｃはロータ２１の回転方向に交互にＮ極、Ｓ極が配列されるように設定されている。例文帳に追加

The outside of each rotor magnet 21b of the rotor 21 constitutes the magnetic pole 21c of the rotor, and the magnetic rotor 21c of the rotor is set so that N poles and S poles may be arranged alternately in the rotational direction of the rotor 21. - 特許庁

入力セル自局着信判断部１１は、ＮＮＩ（中継）／ＵＮＩ（自局）回線からの入力セルをＶＰＩ／ＶＣＩ登録テーブル１６の情報により識別し、自局着のセルはＶＰＩ／ＶＣＩの乗せ替えを行い自局回線へ出力する。例文帳に追加

An input cell own station arrival discrimination section 11 identifies an input cell from an NNI (relay)/UNI (own station) channel on the basis of information of a VPI/VCI registration table 16 and transfers a VPI/VCI to a cell arrived in its own station and outputs the resulting cell to its own station channel. - 特許庁

インターネットＮｔを通じて世界中の端末局１０ａ〜１０ｄからレシピ情報を基地局１１で収集する。例文帳に追加

Recipe information is collected from terminal stations 10a to 10d in the world by a base station 11 through an internet Nt. - 特許庁

無線基地局装置１００の受信回路１は、ＩＰ伝送路網１２を介してＮＴＰサーバ１１から時刻情報を受信する。例文帳に追加

In a frequency correcting method, a receiving circuit 1 of a radio base station device 100 receives time information from an NTP server 11 via an IP transmission line network 12. - 特許庁

一方、無線基地局ｅＮＢ１０−２は、第２負荷情報の送信開始を要求するためのResource Status Requestメッセージを受信した場合に、無線基地局ｅＮＢ１０−１に対して、第２負荷情報を含んだResource Status Updateメッセージを送信する。例文帳に追加

Meanwhile, when the wireless base station eNB10-2 receives the Resource Status Request message requesting to start transmitting the second load information, it transmits to the wireless base station eNB10-2 a Resource Status Update message including the second load information. - 特許庁

エミッタの製造方法では、ガラス基板1０上に、複数のカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を含みエミッタ電極を構成するＣＮＴ膜１２を形成し、ＣＮＴ膜１２上に絶縁膜１３を介してゲート電極１６を形成し、ゲート電極１６及び絶縁膜１３に複数のゲート開口１７を形成し、ゲート開口１７内のＣＮＴを直立配向させる。例文帳に追加

In the method of manufacturing the emitter, a CNT film 12 is formed which contains a plurality of carbon nanotubes (CNTs) to structure an emitter electrode on a glass substrate 10, a gate electrode 16 is formed through an insulating film 13 on the CNT film 12, a plurality of gate openings 17 are formed on the gate electrode 16 and the insulating film 13, and the CNTs in the gate openings 17 are upright-oriented. - 特許庁

複数の画素電極２２と、その走査方向に分離されている複数ｎ個の対向電極４３と、液晶層６と、ｎ個の対向電極４３の各々との間に静電容量Ｃ１が形成される検出電極４４と、垂直駆動回路と、Ｖｃｏｍ駆動回路９と、検出回路８とを有する。例文帳に追加

The display device includes: a plurality of pixel electrodes 22; n counter electrodes 43 which are disposed separately from one another in a scanning direction; a liquid crystal layer 6; detection electrodes 44 forming respective electrostatic capacitances C1 between the n counter electrodes 43 and the detection electrodes; a vertical driving circuit, a Vcom driving circuit 9, and a detection circuit 8. - 特許庁

ロータリースクリーン３を用いて電極合剤を含有した電極合剤塗液２を帯状基材１上に塗布して、非水電解質リチウムイオン二次電池の電極活物質層を形成する電池の電極製造方法であって、電極合剤塗液２の粘度を制御する。例文帳に追加

In a method of manufacturing the electrode of a battery for forming an electrode active material layer of a non-aqueous electrolyte lithium ion secondary battery by coating a band-shaped base material 1 with the electrode mix coating liquid 2 including an electrode mix by using the rotary screen 3, the viscosity of the electrode mix coating liquid 2 is controlled. - 特許庁

ＭＭＥ（Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ Ｅｎｔｉｔｙ）の再開後の移動局への着信の到来に対して即時に通信サービスの復帰を可能とする移動端末と登録方法を提供する。例文帳に追加

To provide a mobile terminal and a registration method thereof which can immediately recover a communication service for a call coming into a mobile station after a restart of a Mobility Management Entity (MME). - 特許庁

下位局１０Ａ−１、…、１０Ａ−ｎ１、１０Ｂ−１、…は、防災情報をマルチキャストネットワーク４０により上位局２０Ａ、２０Ｂ、…、及び最上位局３０に系統単位にマルチキャスト配信する。例文帳に追加

Lower-order stations 10A-1 to 10A-n1, 10B-1, etc., deliver disaster prevention information to higher-order stations 20A, 20B, etc., and the highest- order station 30 via a multicast network 40 in the unit of system by multicasting. - 特許庁

高いｐｎ電極解像度、薄い基板対応、低い製造プロセスの裏面接合型太陽電池の低コストな製造方法が求められている。例文帳に追加

To provide an inexpensive method for manufacturing a back junction type solar cell having high pn electrode resolution, thin substrate correspondence, and low temperature manufacturing processes. - 特許庁

ＩＧＢＴとＮＭＯＳとを持つ半導体集積回路装置が形成された基板５０上にダイオード４４を形成し、ＮＭＯＳのソース電極６６とバックゲート電極７０及びＩＧＢＴのエミッタ電極５７との間に、順方向になるようにダイオード４４を接続する。例文帳に追加

A diode 44 is formed on a substrate 50, where a semiconductor integrated circuit device having IGBT and NMOS is formed, and the diode 44 is connected between the NMOS source electrode 66 and a backgate electrode 70, and the NMOS source electrode 66 and an emitter electrode 57 of the IGBT in the forward direction. - 特許庁

高粘度で且つ、チクソトロピック性の高いペーストの塗着方法において、従来のダイコート塗工方式では困難であった集電体上に均一な厚みで塗着できる電池用極板の連続製造設備を提供する。例文帳に追加

To provide a continuous manufacturing facility for battery pole plates, using a method of coating a high-viscosity and high-thixotropy paste on a collector at a uniform thickness rather than the conventional die-coating method, in which it was difficult to obtain the same result. - 特許庁

スケジューラ１０は無線フィードバック情報受信部１２を介してフィードバック情報を取得し、フィードバック情報が示すＲ_ｊ（ｎ）およびｂ_ｊ（ｎ）に基づいて、タイムスロットを割り当てる受信局２を決定する。例文帳に追加

A scheduler 10 acquires the feedback information through a wireless feedback information reception part 12 and determines a receiving station 2 which allocates time slots according to the R_j(n) and b_j(n) that the feedback information indicates. - 特許庁

マクロ基地局ＭｅＮＢは、ピコ基地局ＰｅＮＢ＃１に対して、ピコ基地局ＰｅＮＢ＃１がマクロ基地局ＭｅＮＢに使用制限を要求するコンポーネントキャリア又はピコ基地局ＰｅＮＢ＃１がマクロ基地局ＭｅＮＢに使用制限解除を要求するコンポーネントキャリアをピコ基地局ＰｅＮＢ＃１が決定するための情報を送信する。例文帳に追加

The macro base station MeNB transmits information to the pico base station PeNB#1 information for the pico base station PeNB#1 to determine which component carrier the pico base station PeNB#1 requests the Macro base station MeNB to restrict the use thereof and which component carrier the pico base station PeNB#1 requests the macro base station MeNB to remove the use restriction thereof. - 特許庁

ｎＭＯＳトランジスタ１０３のドレイン電極１４に接続されるｎ^＋不純物領域７の下方においては、ｎ^−半導体層２とｐ^−半導体基板１との界面にｎ^＋埋め込み不純物領域４が形成されている。例文帳に追加

An n^+-buried impurity region 4 is formed in an interface between an n^--semiconductor layer 2 and a p^--semiconductor substrate 1 below an n^+-impurity region 7 connected to the drain electrode 14 of the nMOS transistor 103. - 特許庁

カソード電極２０上に形成されるものであって、ＣＮＴを含む電子放出物質５０と、電子放出物質５０から電子を抽出するゲート電極４０と、を備え、電界放出物質５０上にＣＮＴ５０ａを保護し、ＣＮＴ５０ａから電子放出を安定化するＲｕＯｘまたはＰｄＯｘ５１がコーティングされている電界放出素子である。例文帳に追加

The field emission element, formed on a cathode electrode 20, provided with an electron emission matter 50 containing the CNT, and a gate electrode 40 extracting electron from the electron emission matter 50, has RuOx or PdOx51 coated for protecting CNT50a and stabilizing electron emission from the CNT50a on the field emission matter 50. - 特許庁

移動局３００にハンドオーバの必要が生じると、センタ装置１００が移動局３００の現在の位置情報と過去の位置情報に基づいて、ハンドオーバの可能性が高い基地局の候補リストを作成し、これをハンドオーバする前に接続していた基地局ＮＧＰ−ＣＳ１に送信する。例文帳に追加

If necessity of handover occurs in the mobil station 300, a center device 100 creates a candidate list of base stations whose possibility of handover is high, based on current position information and past position information of the mobile station 300, and transmits it to a base station NGP-CB1 to which the mobile station is connected before handover. - 特許庁

回転子用コア１０は、複数の永久磁石２０によって軸Ｐの周りで交互に異なる極性の磁極を径方向に向かって呈する２Ｎ（Ｎは３以上の自然数）個の磁極面と、永久磁石２０に対して磁極面側に設けられる（２Ｎ＋１）個の磁気障壁部１１１とを備える。例文帳に追加

A core 10 for rotors includes 2N (N is a natural number of not less than 3) magnetic pole surfaces each showing a magnetic pole of alternately different polarity toward a radial direction around the axis P by the plurality of permanent magnets 20, and (2N+1) magnetic barrier sections 111 provided at the side of the magnetic pole surface to the permanent magnet 20. - 特許庁

回転子用コア１０は、複数の永久磁石２０によって軸Ｐの周りで交互に異なる極性の磁極を径方向に向かって呈する２Ｎ（Ｎは３以上の自然数）個の磁極面と、永久磁石２０に対して磁極面側に設けられる（（Ｎ−１）×２）個の磁気障壁部１１１とを備える。例文帳に追加

A rotor core 10 includes 2N (N is a natural number of 3 or more) pole faces for generating magnetic poles oriented toward the radial direction and having alternately different polarities around the axis P by using the permanent magnets 20 and ((N-1)×2) magnetic barrier parts 111 provided on the pole face side with respect to the permanent magnets 20. - 特許庁

無線基地局３０１〜３０ｎは、シグナリングプロトコルのメッセージの有無を監視する監視部３１１〜３１ｎと、メッセージを解析する解析部３２１〜３２ｎと、端末情報を作成し、集中管理装置２０に送信する端末情報作成部３３１〜３３ｎとを備える。例文帳に追加

The radio base stations 301 to 30n include monitoring units 311 to 31n which monitor whether there is a message of signaling protocol, analyzing units 321 to 32n which analyze messages, and terminal information generating units 331 to 33n which generate and transmit terminal information to the central management device 20. - 特許庁

第１の駆動回路１１〜１ｎは、放電灯３１〜３ｎの電極Ｅ１１〜Ｅ１ｎに接続される第１の出力端子Ｔ３１〜Ｔ３ｎを備え、第１の出力端子Ｔ３１〜Ｔ３ｎに第１の高周波交流電圧Ｖ１１〜Ｖ１ｎを供給する。例文帳に追加

First driving circuits 11-1n comprise first output terminals T31-T3n connected to electrodes E11-E1n of discharge lamps 31-3n, and first high frequency alternating current voltages V11-V1n are impressed to the first output terminals T31-T3n. - 特許庁

Ｌｉ_Ｘ＋ａＮｉ_ＹＭｎ_２−Ｙ−ａＯ_４−δ（但し、０＜Ｘ≦１．０、０≦ａ≦０．１、０．４５≦Ｙ≦０．５５、０≦δ≦０．４）を含有する正極を備えた非水電解液二次電池の製造方法である。例文帳に追加

There is provided a manufacturing method of a non-aqueous electrolytic solution secondary battery having a positive electrode containing Li_X+aNi_YMn_2-Y-aO_4-δ (provided that, 0<X≤1.0, 0≤a≤0.1, 0.45≤Y≤0.55, 0≤δ≤0.4). - 特許庁

ローカル交換局３１はＰＳＴＮ３とアクセスネットワーク２との間のインタフェースとして用いられるＶ５．２の標準信号を受信したら、従来のＰＳＴＮの論理によって呼を即時解放するか否かを判断する。例文帳に追加

At the time of receiving the standard signal of V5.2 used as an interface between the PSTN 3 and the access network 2, the local exchange 31 judges whether or not to immediately release the call by conventional PSTN logic. - 特許庁

しかも、画形剤搬送ロール１２における磁石ロール１３の振動電界形成用電極３０と対向する部分に、Ｎ極の磁極とＳ極の磁極をスリープ１４の回転方向Ａに対して交互に複数繰り返した状態で配置した。例文帳に追加

Furthermore, N magnetic poles and S magnetic poles are provided alternately for a plurality of times in the rotation direction A of a sleeve 14 at a part of a magnet roll 13 in the imaging agent conveyance roll 12 facing the electrode for forming a vibration electric field 30. - 特許庁

検出装置は、検出ノードＮＤと第１の電源ノードＶＳＳとの間に直列に設けられる第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の焦電素子ＰＹ１〜ＰＹｎと、検出ノードＮＤに接続される検出回路２０と、第１〜第ｎの焦電素子ＰＹ１〜ＰＹｎの分極方向を個別に設定するポーリング処理を行うポーリング回路３０とを含む。例文帳に追加

A detector includes first to n-th (n is an integer of two or more) pyroelectric elements PY1 to PYn serially provided between a detection node ND and a first power node VSS, a detection circuit 20 connected to the detection node ND, and a polling circuit 30 that performs polling processing for separately setting polarization directions of the first to n-th pyroelectric elements PY1 to PYn. - 特許庁

各端末装置が、基地局からランダムビームで送信されたパイロット信号を受信し、信号対干渉雑音比（ＳＩＮＲ）が最も高いビームの識別子と、そのビームのＳＩＮＲの値を基地局に報告する。例文帳に追加

Each terminal device receives a pilot signal transmitted from a base station by a random beam and reports an identifier of a beam with highest signal to interference noise ratio (SINR) and a value of the SINR of that signal to the base station. - 特許庁

再成長したアンドープＧａＮ半導体層１０５及びｎ＋型ＧａＮコンタクト半導体層１０６は横方向に成長した部分であり、開口部の面積よりも電極のコンタクト面積を大きくできる。例文帳に追加

The regrown undoped GaN semiconductor layer 105 and the n^+-type GaN contact semiconductor layer 106 form a portion grown in a longitudinal direction, thus making a contact area of an electrode more enlarged than the area of the opening. - 特許庁

磁極数が異なる２つのロータを有し、それぞれのロータを独立に駆動する回転電機において、前記２つのロータのうち前記磁極数が多い方のロータは、Ｎ極磁石とＳ極磁石のうち一方の磁石の容積に対して他方の磁石の容積が小さい。例文帳に追加

In the rotating electrical machine including two rotors, differing in number of magnetic poles which are driven independently driven, in the rotor larger in the number of magnetic poles of the two rotors, either an N-pole or an S-pole magnets is smaller in the volume of each magnet with respect to the other. - 特許庁

ｎ型ＴＦＴ領域１２ｎのゲート電極３２の形状のエッチングストッパ層３５ａを介して、反応性熱ＣＶＤ法によって、ｎ型ソース・ドレイン層４０を成膜する。例文帳に追加

An n-type source/drain layer 40 is film-formed by the reactive thermal CVD method via an etching stopper layer 35a in a shape of the gate electrode 32 of the n-type TFT region 12n. - 特許庁

本発明は、プローブＤＮＡと試料ＤＮＡとを、インターカレータ存在下に接触させ、電極の電流を測定することによって、特定の配列を有するＤＮＡを検出する方法を応用し、より検出感度の高い方法を提供することにある。例文帳に追加

To apply a method for detecting a DNA having a specific sequence to provide a method having high detection sensitivity, by making a probe DNA contact with a sample DNA under the presence of an intercalator to measure a current in an electrode. - 特許庁

電子交換機における局給電対応ＩＳＤＮ加入者回路の消費電力低減方法および電子交換機システム例文帳に追加

POWER CONSUMPTION REDUCING METHOD OF ISDN SUBSCRIBER CIRCUIT DEALING WITH STATION POWER SUPPLY IN ELECTRONIC SWITCHBOARD AND ELECTRONIC SWITCHBOARD SYSTEM - 特許庁

ＫＮｂＯ_3 結晶を所定の結晶軸方向に切り出し、主面上に電極対３０，３１を形成し、電極間に電界を加えることにより、分極制御領域の分極方向が９０°回転すると、ＴＥ偏光とＴＭ偏光が感じる屈折率の結晶軸が相違する。例文帳に追加

A KNbO_3 crystal is cut out in a prescribed direction of crystal axis, a pair of electrodes 30, 31 are formed on a principal plane, an electric field is applied between the electrodes and, thereby, crystal axes of refractive index worked by TE polarization and TM polarization differ from each other when the polarization direction of polarization control region is rotated by 90°. - 特許庁