「どいちょう１ちょうめ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

トナー円形度（ＳＦ）＝［トナー面積／（トナー周囲長）^2］×４π＜０．９５ …（１）例文帳に追加

(1):toner circularity (SF)=[toner area/(circumference length of toner)^2]×4π<0.95. - 特許庁

上記半導体基板１のエピタキシャル成長面が上下方向に向くように、半導体基板１を成長室３内に保持する。例文帳に追加

The semiconductor substrate 1 is held in each growth chamber 3 so as to direct the epitaxial growth surface of the semiconductor substrate 1 upward. - 特許庁

成長用基板１上に配置した無機粒子２が、３−５族窒化物半導体層の成長時においてマスクとして作用し、成長用基板１の表面１Ａにおいて無機粒子２の無いところが成長領域１Ｂとなる。例文帳に追加

Wherein the inorganic particles 2 disposed on the substrate 1 for growing act as a mask at a growing time of a 3-5 group nitride semiconductor layer and areas where the inorganic particles 2 do not exist on the surface 1A of the substrate 1 for growing become growing areas 1B. - 特許庁

主制御部１は、輝度変更前の画像の階調数ｉから、輝度変更後の画像の階調数としてｉの階調数より小さいｊの階調数の範囲で画像を表示するために、［（ｉ−ｊ）／２］＋ｎ （但し、ｎは０〜ｊ−１の階調値）の条件を満足するように階調値を変更する。例文帳に追加

In order to display an image, after the luminance change within a range of j gradations whose number is smaller than i being the number of gradations of the image before the luminance change, a main control part 1 changes the gradation values so as to satisfy the condition: [(i-j)/2]+n (n is a gradation value of 0 to j-1). - 特許庁

果樹に散布される成長調整のための化学物質で、1度に作物全部が収穫可能になる例文帳に追加

a chemical sprayed on fruit trees to regulate their growth so the entire crop can be harvested at one time  - 日本語WordNet

現金自動取引装置１０の通帳吸入／排出口部１より通帳５を吸入し、通帳印刷機構部２にて金融取引記録を印刷中に通帳繰越しが発生した場合、届出印読取部３にて通帳５の届出印を読取り、その通帳５を通帳吸入／排出口部１より排出後、新規ホルダー部４より新通帳６を通帳印刷機構部２へ送り、通帳印刷機構部２にて届出印、および氏名、口座番号等印刷後、金融取引記録を印刷し、通帳吸入／排出口部１より新通帳６を排出する。例文帳に追加

A bankbook 6 is inserted through a bankbook insertion/ejection hole part 1 of an automatic teller machine 10, and financial transaction records are printed on the bankbook by a bankbook print mechanism part 2. - 特許庁

江戸時代初期の慶長小判は京目一両を基準として量目が定められた。例文帳に追加

As for Keicho koban (oval coin in Keicho era) produced in the early Edo period, the value was defined based on the mass of Kyome 1 ryo.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

勘定帳（かんじょうちょう）とは、米や大豆、金・銀などの収支決算を行うために作成した会計帳簿の1つ。例文帳に追加

Kanjosho is a kind of account book prepared for settlement of balances on rice, soy beans, gold, silver and others.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

サファイヤ基板1は、半導体をエピタキシャル成長させる際に用いるサファイヤ基板であって、エピタキシャル成長させる面をｑ面2とする。例文帳に追加

This sapphire substrate is used for subjecting the semiconductor to epitaxial growth and a face for carrying out epitaxial growth is used as q face 2. - 特許庁

超音波内視鏡１の湾曲ノブを止めた状態では、湾曲部７は殆ど撓むことがない。例文帳に追加

Under a state wherein a curved knob of the ultrasonic endoscope 1 is stopped, the curved part 7 hardly warps. - 特許庁

エピタキシャル層２が十分厚く成長して、トレンチ底部がｎ型半導体基板１の表面より高くなれば成長を終了する。例文帳に追加

When the epitaxial layer 2 is grown to be sufficiently thick, and a trench bottom part becomes higher than the surface of the substrate 1, the growth is ended. - 特許庁

サファイア基板１の最表面にシリコン層２を成長し、その上に窒化物半導体層３を成長する。例文帳に追加

The method of manufacturing the nitride semiconductor is so carried out that a silicon layer 2 is formed on the outermost surface of the sapphire substrate 1, and then a nitride semiconductor layer 3 is grown thereon. - 特許庁

そして、輝度分布量の少ない階調側より輝度分布量の多い階調側に向かって、順に頻度の和を算出して行き、その頻度の和が、上記平均輝度に達した階調を求める。例文帳に追加

Then, the luminance expansion processing part 1 sequentially calculates the sum of frequencies from a gradation side having a smaller luminance distribution amount toward a gradation side having a larger luminance distribution amount and finds a gradation in which the sum of frequencies reaches the average luminance. - 特許庁

次に、演算装置３が、光電変換装置１の温度と光電変換装置１により入力が保証される階調数との関係に基づいて、階調数入力装置６で決定された階調数に応じた階調数保証温度を求める。例文帳に追加

Next, an arithmetic operation device 3 obtains a tone number guarantee temperature corresponding to the tone number decided by the device 6 on the basis of the relation between the temperature of the device 1 and the tone number for which input is guaranteed by the device 1. - 特許庁

ボート１（液相成長用治具）は、半導体基板２の主表面に成長溶液５を接触させ半導体基板２の主表面にエピタキシャル層を形成する液相エピタキシャル成長に用いられ、基体１ａが主にグラファイトにてなる液相成長用治具である。例文帳に追加

A boat 1 (the holder for liquid phase growth) is used for in a liquid phase epitaxial growth process comprising bringing a growth liquid 5 into contact with the main surface of a semiconductor substrate 2 and forming an epitaxial layer on the main surface of the semiconductor substrate 2, and the base body 1a of the boat 1 is made of graphite. - 特許庁

超電導コイル１が磁気的なほぼ中心にあるため右にも左にも動こうとしない。例文帳に追加

Because there is the superconducting coil 1 approximately in the magnetic center, the coil is not moved right nor left. - 特許庁

それは体長が35センチメートルほどのトカゲのようなもので、頭には1本の角があった。例文帳に追加

It was an about 35 centimeter-long lizard-like roundworm, having an antenna in the head.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

ダイヤモンドの成長速度が１時間当たり１マイクロメートルより大きい。例文帳に追加

Here, the growth rate of the diamond is greater than 1 μm per hour. - 特許庁

明治5年（1872年）1月には大阪鎮台司令長官に就任、明治7年（1874年）4月に名古屋鎮台司令長官に移るが、明治10年（1877年）5月には大阪鎮台司令長官を兼ねた（同年中に兼職を免ぜられる）。例文帳に追加

He was appointed Commander of Osaka Garrison in February 1872 and transferred to Commander of Nagoya Garrison in April 1874, though he served concurrently as Commander of Osaka and Nagoya Garrisons in May 1877 (he was relieved from serving as Commander of Osaka Garrison later the same year).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

半導体結晶２は所謂ドーム型の断面形状を有するＥＬＯマスク３がマスキングされた結晶成長基板１の結晶成長面１ａ上に成長したものであり、転位４はＥＬＯマスク３の上面略中央から半導体結晶２の結晶成長面２ａまで伸びている。例文帳に追加

The semiconductor crystal 2 is a crystal grown on the crystal growth surface 1a of a crystal growth substrate 1 masked with an ELO mask 3 having so-called dome shaped cross section, and transition 4 extends from about the center of the top of the ELO mask 3 to a crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2. - 特許庁

そして、中間階調である場合は４画素中の所定の斜め２画素をｎ＋１階調のドットに置換し、残りの２画素をｎ−１階調のドットに置換する。例文帳に追加

In the case of the intermediate tone, two predetermined slantwise pixels among the four pixels are substituted by dots of an n+1 tone, and the two remaining pixels are substituted by dots of an n-1 tone. - 特許庁

摩擦部材１を貼付部品３の端部に位置決めしてから移動させ、擦り動作を行い、貼付部品３の先端を剥がして丸める。例文帳に追加

The frictional member 1 is positioned on an end part of the sticker member 3 and then moved to perform the rubbing operation to separate and round a tip of the sticker member 3. - 特許庁

1通目の手紙（最澄あて）の冒頭の「風信雲書」という句にちなんで「風信帖」と通称される。例文帳に追加

The first letter (to Saicho) is called "Fushinjo" after the section at the beginning that says "Fushinunsho".  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

久世郡淀町の区域は、明治22年（1889年）の市制町村制施行時には以下の1町2村であった。例文帳に追加

The area of Yodo town, Kuse County included the following one town and two villages at the time of the enforcement of the Municipal Government Act in 1889.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

猶予は，1度に3年間まで与えることができるが，最長でも特許付与後3年目までとする。例文帳に追加

Respite may be granted for up to three years at a time, but at most up to the third year that has elapsed following grant of the patent.  - 特許庁

窒化物半導体結晶２は、ＳｉＣ基板１の非極性面上に、結晶成長させる。例文帳に追加

A nitride semiconductor crystal 2 is grown on a non-polar surface of an SiC substrate 1. - 特許庁

これにより、転位密度１×１０^5個／ｃｍ^2以下で単結晶が成長する。例文帳に追加

Thereby a single crystal having a dislocation density of ≤1×10^5 cm^2 can be grown. - 特許庁

この半導体照明調光装置１は、電流制御部２２および周波数制御部２３を備える。例文帳に追加

The dimming unit 1 has a current controller 22 and a frequency controller 23. - 特許庁

空海が最澄に送った書状3通を1巻にまとめたもので、1通目の書き出しの句に因んで風信帖と呼ばれる。例文帳に追加

This is a volume of the three letters sent to Saicho, and is called after the initial phrase on the first letter.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

量目は1匁2分（4.5グラム）程度、金品位も五十二匁二分位（84.3%）程度とみられ、これも慶長一分判に継承されていると考えられる。例文帳に追加

Its ryome is likely to be only 1 monme 2 bu (4.5gram) and gold carat is approximately 52 monme 2 bu (84.3%), and it was also inherited by Keicho Ichibuban.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

これは、半導体結晶２の成長に伴って半導体結晶２の結晶成長面２ａが結晶成長基板１の結晶成長面１ａ付近から上方に移動する間にも、半導体結晶２はＥＬＯマスク３の傾斜面付近でこの傾斜面に沿って横方向にも成長できるためである。例文帳に追加

This is because the semiconductor crystal 2 also can grow laterally along the tilted surface of the ELO mask 3 near the surface, while, as the semiconductor crystal 2 increases, the crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2 moves upward from the vicinity of the crystal growth surface 1a of the crystal growth substrate 1. - 特許庁

チョクラルスキー法により炭素をドープしてシリコン単結晶１を製造する方法において、結晶成長時に、結晶成長方向に対して垂直面内の結晶中心部１５が成長する平均速度と結晶周辺部１６が成長する平均速度との差を±０．１ｍｍ／ｍｉｎ以内となるようにして結晶１を成長する。例文帳に追加

The production method of a silicon single crystal 1 by Czochralski method by doping with carbon is disclosed, wherein the crystal 1 is grown by controlling the difference between an average growing rate of the crystal center portion 15 within a plane perpendicular to the crystal growth direction and an average growing rate of the crystal peripheral portion 16 to be within ±0.1 mm/min during growing the crystal. - 特許庁

第二十二条　気象庁長官、管区気象台長、沖縄気象台長、地方気象台長又は測候所長は、気象の状況が火災の予防上危険であると認めるときは、その状況を直ちにその地を管轄する都道府県知事に通報しなければならない。例文帳に追加

Article 22 (1) When the Director-General of the Meteorological Agency, the Director of a District Meteorological Observatory, the Director of the Okinawa Meteorological Observatory, the Director of a Local Meteorological Observatory or the head of a Weather Station finds the meteorological conditions in a certain area to be dangerous from a fire prevention perspective, he/she shall immediately report such condition to the prefectural governor who has jurisdiction over said area.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

半導体素子が、部分的に内部に後退した凹部８が表面に形成された結晶成長面を有する基板１と、上記結晶成長面上に成長された、窒化物半導体からなる単層または複数層の半導体層２とを備えてなり、上記結晶成長面において、上記結晶成長面の原子配列構造と上記半導体層２の原子配列構造が同じである。例文帳に追加

The semiconductor element comprises a substrate 1 having a crystal grown face in which partial setback recesses 8 are formed, and a single or a plurality of nitride semiconductor layers 2 grown on the crystal grown face wherein the atomic arrangement structure is identical to that of the semiconductor layer 2 on the crystal grown face. - 特許庁

そして、水平調整用座板２は、ガイドレール載置面２ａと、主梁１の両端部上面とのなす角度を調整可能に構成されている。例文帳に追加

The horizontal adjustment seat plate 2 is constructed so as to be capable of adjusting the angle formed by the guide rail placing surface 2a and the both end upper faces of the main beam 1. - 特許庁

複数の種基板１０を、種基板１０の側部１１側にずらして配置する配置工程と、ハイドライド気相成長法により、複数の種基板１０の各々の表面１２上にＡｌ_xＩｎ_yＧａ_(1-x-y)Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）結晶を成長させる成長工程とを備えている。例文帳に追加

The method is provided with an arranging process for arranging a plurality of seed substrates 10 by shifting the seed substrates 10 to the side part side 11, and a growing process for growing a crystal Al_xIn_yGa_(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, x+y≤1) by hydride vapor phase epitaxy. - 特許庁

また、通常調湿運転モードと、通常調湿運転モードより調湿能力が小さい調湿減少モードとの切換が可能な調湿ユニット１を備える。例文帳に追加

The system is also provided with a humidity control unit 1 which enables switching between a normal humidification operation mode and a humidification reduction mode in which humidification capacity is lower than the normal humidification operation mode. - 特許庁

(2)特許登録局は，同局に対してなされた国際出願以外の特許出願を，第78L条(1)に定める国際調査機関による国際調査に服せしめることができるものとする。例文帳に追加

(2) The Patent Registration Office may subject an application, other than an international application, for the grant of a patent filed with it to an international search to be carried out by the International Searching Authority which is specified under subsection 78L(1). - 特許庁

第百十五条の三十一　指定調査機関は、調査事務を行うときは、厚生労働省令で定める方法に従い、調査員に調査事務を実施させなければならない。例文帳に追加

Article 115-31 (1) A Designated Investigative Agency shall, when implementing Investigation Affairs, act in compliance with the method as determined by an Ordinance of the Ministry of Health, Labour, and Welfare and assign investigator to Investigation Affairs.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

基板１０２の成長面１０２ａに窒化物半導体層がエピタキシャル成長される発光素子１００において、基板１０２は窒化物半導体層と熱膨張係数が異なり、基板１０２の成長面１０２ａは１μｍ以下の周期で形成された複数の凹部１０２ｃを有し、窒化物半導体層は横方向成長を利用して成長される。例文帳に追加

In the light emitting device 100 where the nitride semiconductor layer is grown epitaxially on the growth side 102a of a substrate 102, the substrate 102 has a thermal expansion coefficient different from that of the nitride semiconductor layer, a plurality of recesses 102c are formed in the growth side 102a of a substrate 102 with a period of ≤1 μm, and the nitride semiconductor layer is grown using lateral overgrowth. - 特許庁

本発明の調理用防汚シート１は、繊度が２〜２５デニールで繊維長が２〜２０ｍｍの繊維を主体とする不織布２を有している。例文帳に追加

The stain resistant sheet 1 for cooking has nonwoven fabric 2 mainly composed of fiber with fineness of 2-25 denier and a fiber length of 2-20 mm. - 特許庁

両ユニット１、２の調湿方向が相反する運転モードにおいては、室内調湿ユニット２による運転を優先させる。例文帳に追加

In the operation mode with the humidity control directions of the two units 1 and 2 being opposite to each other, priority is given to an operation by the indoor humidity control unit 2. - 特許庁

親水性長繊維は１０〜６０％の捲縮率を有し、且つ該長繊維のウエブ２が吸収体１の平面方向に高度に配向している。例文帳に追加

The hydrophilic long fiber has a crimp percentage of 10-60%, and the web 2 of the long fiber is highly oriented in the planar direction of the absorber 1. - 特許庁

ＧａＮ系単結晶基板１の成長主面はｍ面となっており、ＧａＮ系単結晶基板１上に形成されたＧａＮ系半導体層２の成長主面もｍ面となる。例文帳に追加

A growth main surface of the GaN-based single crystal substrate 1 is an (m) plane and a growth main surface of the GaN-based semiconductor layer 2 formed on the GaN-based single crystal substrate 1 is also an (m) plane. - 特許庁

懲戒審判所は，登録特許弁護士が任命に同意しない限り，当該人を(1)又は(2)に基づく登録特許弁護士に任命してはならない。例文帳に追加

The Disciplinary Tribunal must not appoint a registered patent attorney under subregulation (1) or (2) unless the registered patent attorney consents to the appointment.  - 特許庁