「ぱわーとらんじすた」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

スリーブ材２５は両端部に洗面ボウル１の外側面１ｂと内側面１ｃを挟持するフランジ２５ａ、２５ｂを備えてテーパー筒状に形成され、外側面１ｂ側のフランジ２５ａにおけるスリーブ材２５の外径Ｓが前記開口部５の直径Ｄと同じ大きさに形成される。例文帳に追加

The sleeve material 25 is formed in tapered cylinder shape comprising flanges 25a, 25b at both ends to hold the outer side face 1b and an inner side face 1c of the washbowl 1, and the outer diameter S of the sleeve material 25 at the flange 25a on the outer side face 1b side is formed in the same size as the diameter D of the opening 5. - 特許庁

寄生ダイオードを有する電界効果トランジスタを電源開閉器として適用した場合に、電界効果トランジスタの異常を検出することができる電動パワーステアリング装置を提供する。例文帳に追加

To provide an electric power steering device capable of detecting an abnormality of a field effect transistor, when the field effect transistor including a parasitic diode is applied as a power supply switch. - 特許庁

トランジスタやＩＣ等の半導体チップ、特にパワートランジスタの耐熱性に優れたダイボンディングを、容易な温度管理のもとで行い得るはんだ付け方法を提供する。例文帳に追加

To provide a soldering method for doing a die-bonding superior in heat resistance for a semiconductor chip such as transistors, IC, etc., especially, power transistors under easy temperature control. - 特許庁

上方から見てトレンチ５で囲まれている領域を１つのトランジスタセルとし、同一半導体基板上に互いに異なるセルサイズのパワーＭＯＳトランジスタが形成されている。例文帳に追加

A region surrounded by a trench 5 as viewed from above is a transistor cell and the power MOS transistors having various cell sizes differing from each other are formed on an identical semiconductor substrate. - 特許庁

１燃焼サイクル中にパワートランジスタ４２のオン／オフを繰り返すことで多重放電が実施される。例文帳に追加

By repeating on/off switching of the power transistor 42 in the period of one combustion cycle, multiple-electric discharge is performed. - 特許庁

外部部品の数を少なくし、かつ、効率の良い小形パワートランジスタを制御要素に採用することで、安価で、より望ましい制御を行う。例文帳に追加

To perform a more desired control at a low cost by lessening the number of external parts and by adopting a high-efficiency small-sized power transistor as a control element. - 特許庁

ヒューズに代えてパワーＭＯＳＦＥＴ等のトランジスタを用いることによって、さらなる小型軽量化を図るとともに、トランジスタによる電気負荷への電流の誤遮断防止を実現し、また、ワイヤハーネスの線径を小さくすること。例文帳に追加

To achieve further miniaturization and light weight, to prevent erroneous interruption of a current to an electric load due to a transistor by using a transistor such as a power MOSFET instead of a fuse, and to reduce the diameter of a wire harness. - 特許庁

パワーコンバータはスイッチングマトリックスと共にリング発振器を用いてパルス幅変調信号を作り出し、バッファを通してトランジスタを駆動して、複数のタイプが異なるスイッチングパワーコンバータの動作を同時に調整するコントロールシステム。例文帳に追加

The control system has a configuration in which a power converter generates a pulse width modulation signal together with a switching matrix by using a ring oscillator, a transistor is driven via buffers, and the operations of a plurality of switching power converters of different types are simultaneously controlled. - 特許庁

パスワード入力画面２を表示する場合に、乱数アルゴリズムを用いて各文字をその文字とは異なる文字にランダムに変換するための文字変換ルールを生成して文字変換テーブル４１に設定し、パスワード入力画面２において受付けた各文字に対して、文字変換テーブル４１を用いて受付けた文字とは異なる文字に変換し、パスワード入力画面２に表示する。例文帳に追加

When displaying a password input image 2, a character conversion rule for randomly converting respective characters to characters different from the characters is generated using a random number algorithm and is set to a character conversion table 41, the respective characters received on the password input image 2 are converted to the characters different from the received characters using the character conversion table 41 and are displayed on the password input image 2. - 特許庁

電流制御トランジスタＭ１は、オーバーフロードレインキャパシタＣｏｖの電荷が流入する側の端子に接続され、カソード容量Ｃｐｄから溢れた電荷をオーバーフロードレインキャパシタＣｏｖに蓄えるとき、その電荷の一部を打ち消す電流を流す。例文帳に追加

A current control transistor M1 is connected to a terminal at a side where the charge of the overflow drain capacitor Cov flows in, and allows a current for partially canceling a charge to flow, when the charge overflowing from the cathode capacitor Cpd is accumulated in the overflow drain capacitor Cov. - 特許庁

本半導体集積回路は、横方向に配置されたパワー・トランジスタ、トランジスタ上に分布する電力供給コンタクト・パッドの配列、コンタクト・パッドからトランジスタへ主として垂直方向の分散した電流を提供するための手段、および電源を各コンタクト・パッドへ接続するための手段を含む。例文帳に追加

This semiconductor integrated circuit comprises a power transistor arranged in a transverse direction, an array of the contact pads for power supply distributed on the transistor, means for providing current which is dispersed mainly vertically from the contact pads to the transistor, and means for connecting the power supply to each contact pad. - 特許庁

通電制御部３２は、位置検出部３１の位置信号に応動してパワートランジスタの通電区間を決め、スイッチング制御部２２のスイッチングパルス信号に応動してパワートランジスタをオン・オフの高周波スイッチング動作させる。例文帳に追加

A power supply control unit 32 determines the power feeding section of the power transistor in response to the position signal of the position detecting unit 31, and controls the power transistor to conduct high frequency ON/OFF switching in response to the switching pulse signal of the switching control unit 22. - 特許庁

液体冷却剤６４は、パワー電子回路を備えるインバータ回路内のパワートランジスタ５２から熱を吸収するとき、相転移して蒸発する。例文帳に追加

The liquid cooling agent 64 exhibits a phase transition and evaporates when absorbing heat from a power transistor 52 within the inverter circuit equipped with the power electronic circuit. - 特許庁

内燃機関Ｅの休筒運転時（ステップＳ０７のＹＥＳ側）において、パワープラント（Ｐ／Ｐ）目標トルクが、休筒上限ＥＮＧトルクからＢ＿ＣＯＭＰトルクを減算して得たトルクよりも大きい場合（ステップＳ０８のＹＥＳ側）には、Ｅ＿ＣＯＭＰ駆動を選択する。例文帳に追加

In a rest cylinder operation (YES side of the step S07) of an internal combustion engine E, an E-COMP drive is selected when power plant (P/P) target torque is larger (YES side of the step S08) than torque obtained by subtracting B-COMP torque from rest cylinder upper limit ENG torque. - 特許庁

本システムは、ＡＣ／ＤＣ変換器、専用集積回路（ASIC）、ゲートドライブ／パワートランジスタ回路、およびＤＣ／ＤＣステップダウン・チョッパによって構成され、３相ＡＣモータを駆動する。例文帳に追加

The system may includes an AC to DC converter, an application specific integrated circuit (ASIC), a DC to DC step-down chopper, and a gate drive and power transistor circuitry to drive a three phase AC motor. - 特許庁

パワーＭＯＳＦＥＴ５２のソース端子とゲート端子との間にはブレークダウンする電圧が絶縁ゲート型トランジスタのゲート耐圧よりも低く、ツェナーダイオード群５５のブレークダウン時のゲート電圧をクランプするツェナーダイオード群５６が接続されている。例文帳に追加

Between the source terminal and the gate terminal of the power MOSFET 52, Zener diode group 56 are connected, which is with a breakdown voltage lower than the gate breakdown-strength of an insulating gate type transistor, clamps a gate voltage at the breakdown of the Zener diode group 55. - 特許庁

金属ケース１１の内側底面にセラミック基板１２とＤＣ／ＤＣコンバータのパワーＭＯＳトランジスタ４２とが取り付けられ、金属ケース１１の開口側にパワーＭＯＳトランジスタ４２およびセラミック基板１２から放電灯装置１０の厚み方向に離れプリント基板１３が取り付けられている。例文帳に追加

A ceramic substrate 12 and a power MOS transistor 42 of a DC/DC converter are mounted on the bottom face of the inside of the metal case 11, the power MOS transistor 42 is mounted on the opening side of the metal case 11, and a printed circuit board 13 is mounted in the thickness direction of the discharge lamp device 10 apart from the ceramic substrate 12. - 特許庁

先行技術のパワーゲーティング回路で引起こされる、パワーゲーティングのスイッチングトランジスタに印加される過剰電圧による信頼性の問題に対処するような、集積回路で使用するための簡潔なパワーゲーティング回路を提供する。例文帳に追加

To provide a simplified power gating circuit for use in an integrated circuit, which deals with the problem of reliability caused by an excessive voltage applied to a power gating switching transistor incurred by a power gating circuit of prior art. - 特許庁

記録制御部１００は、入力端子ＩＰ２から入力したバスパワー電圧が一定の電圧以上である間は、トランジスタＱ１をＯＮ制御して電圧制御端子ＰＳＣを０Ｖに短絡した状態を保持し、バスパワー電圧が一定の電圧未満に低下したことを検出した後、トランジスタＱ１をＯＦＦ制御して電圧制御端子ＰＳＣをハイインピーダンスに保持する。例文帳に追加

A record control section 100 maintains the voltage control terminal PSC in a 0V short-circuited state by turning on a transistor Q1 when the bus power voltage entered from an input terminal IP2 is regular voltage or higher, and also maintains the voltage control terminal PSC at high impedance by turning off the transistor Q1 after detecting that the bus power voltage decreased to less than the regular voltage. - 特許庁

差動増幅回路にスイッチドキャパシタＳＣ４１１を、差動対を構成するトランジスタＮ４１１とカレントミラーの入力側トランジスタＰ４１１の接続点（ドレイン）に接続する。例文帳に追加

A switched capacitor SC411 is connected to a connection point (drain) of a transistor N411 and a transistor P411 at the input of a current mirror which form a differential pair in a differential amplifier circuit. - 特許庁

そして、ペルチェ素子５１は、パワートランジスタＱ１に流される電力の一部を分岐線ＢＬから受けて電極板１０８へ出力する。例文帳に追加

The Peltier element 51 receives a part of the electric power that has flowed to a power transistor Q1 from the branch line BL and outputs to the electrode plate 108. - 特許庁

パワートランジスタ１，２は支持部６の一方表面に接合されており、裏面電極８，９は支持部６にオーミック接続されている。例文帳に追加

The power transistors 1 and 2 are bonded on the one surface of the support 6, and the back electrodes 8 and 9 are connected to the support 6 in an ohmic manner. - 特許庁

これで、パワートランジスタ４ＵＰ，４ＶＮをスイッチングさせる場合に比し、スイッチング損失は見かけ上半分になる。例文帳に追加

In this way, a switching loss is halved apparently in comparison with that in switching the power transistors 4UP, 4VN. - 特許庁

強誘電体キャパシタの電荷がビット線ＢＬｉに読み出される場合、ダミーワード線ＤＷＬ１が選択され、ダミーキャパシタの電荷は、トランジスタ を経由してビット線／ＢＬｉに読み出される。例文帳に追加

In this case, the dummy word line DWL1 or DWL0 is selected. - 特許庁

簡単な回路構成で制御用トランジスタのパワーロスを少なくし、回路の信頼性を向上させた高圧安定回路を提供する。例文帳に追加

To provide a high-voltage stable circuit having improved reliability of a circuit by reducing the power loss of a controlling transistor by a simple circuit configuration. - 特許庁

パワートランジスタの自己発熱に起因した熱影響を抑制して信頼性の高い高精度な空気流量測定装置を実現する。例文帳に追加

To provide a device for measuring air flow rate which is high in reliability and precision, by restraining a thermal influence caused by a self heat generation of a power transistor. - 特許庁

送信機を構成するＤ級電力増幅器は、互いに逆相のタイミングでスイッチングを行うハイパワートランジスタＱ１０とＱ１２のゲート側に、音声信号によって増幅器出力のオン／オフを制御する小電力用のトランジスタＱ１４を備え、トランスのＧＮＤ側に音声信号によってオン／オフし、電荷を高速に抜く小電力用のトランジスタＱ１５、Ｑ１６を備える。例文帳に追加

A class D amplifier constituting a transmitter has a small-power transistor Q14 which performs ON/OFF control over an amplifier output with a voice signal on a gate sides of high-power transistors Q10 and Q12 switching in mutually opposite-phase timings and small-power transistors Q15 and Q16 which turn ON/OFF with the voice signal to pull electric charges fast on an GND side of a transformer. - 特許庁

車両を走行させるためのパワープラント２を車体１に支持するためマウント装置Ｍは、車体１またはパワープラント２のどちらか一方に固定されるハウジング４１と、車体１またはパワープラント２のどちらか他方に固定される連結棒４２と、車両の衝突を予知する衝突予知手段と、を備えている。例文帳に追加

This mount device M for supporting a power plant 2 traveling a vehicle to a vehicle body 1 comprises a housing 41 fixed to any one of the vehicle body 1 and the power plant 2, a connection rod 42 fixed to the other of the vehicle body 1 and the power plant 2, and collision prediction means predicting the collision of the vehicle. - 特許庁

ＲＦ入力電力の振幅変動によるパワートランジスタの効率又は直線性の悪化を防止する。例文帳に追加

To prevent degradation in an efficiency or linearity of a power transistor(TR) due to amplitude fluctuation in an RF input power. - 特許庁

本発明のスイッチング電源回路は、パワートランジスタＴＲ２に流れる電流を検出するパワー抵抗値を切替えスイッチＳＷ１により切替えることで、間欠発振時において、パワートランジスタＴＲ２に流れる電流が、通常動作設定時よりも少ない電流値にて過電流保護回路が動作するように構成したことを特徴とする。例文帳に追加

This switching power circuit is formed so that an overcurrent protective circuit operates with the current passing through the power transistor TR2, which is lower than that when ordinary operation is set at intermittent oscillation times by switching a power resistance detecting the current passing through the power transistor TR2 with a switching device SW1. - 特許庁

電流コラプスを抑制し、パワートランジスタに適用可能なノーマリーオフ型の窒化物半導体トランジスタ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a normally off-type nitride semiconductor transistor which can be applied to a power transistor for suppressing current collapse, and its manufacturing method. - 特許庁

電極パッド下にドライバートランジスタを配置し、ドライバートランジスタのソース及びドレイン間の短絡を防止し、かつメタル配線層における電流集中を緩和する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which a driver transistor is arranged under electrode pads so as to prevent shortage between the source and the drain of the driver transistor and relax current crowding in a metal wiring layer. - 特許庁

多段構成の電力増幅用トランジスタの各増幅段の入力を検波入力とし、ぞれぞれピークホールド検波を行い、基準信号との比較を行った出力電圧を電流に変換し、各段の検波出力を足し合わせることで検波出力の線形性が向上する。例文帳に追加

Inputs of amplification stages in multi-stage power amplification transistors are defined as detection inputs, peak hold detection is performed, respectively, an output voltage compared with a reference signal is converted into a current, and detection outputs of the stages are summed up, thereby the linearity of the detection output is improved. - 特許庁

プラント監視パラメータをトレンド情報で表示するに当り、このトレンドグラフの表示レンジを該パラメータの変動幅に合わせて自動的に適応させることにある。例文帳に追加

To automatically adapt the display range of a trend graph to the fluctuating width of a plant monitoring parameter in the display of the parameter by trend information. - 特許庁

略円筒状のリテーナ本体２２には、被取付部材であるキャップ１８を取り付けるためのキャップ保持部２６と、シールパッキン２０の反対側からボデーパネル１４に接触して、フランジ部２４との間でボデーパネル１４を挟持するパネル挟持片３２とが形成される。例文帳に追加

A roughly cylindrical retainer body 22 includes a cap retainer 26 for attaching a cap 18 as an attached member, and a panel sandwiching strip 32 sandwiching a body panel 14 with a flange 24 by contacting the body panel 14 from an opposite side of a seal packing 20. - 特許庁

フルモールド型パワートランジスタ（ＦＭ−ＰＴＲＳ）のようなパッケージ上下面（表裏面）のレジン厚が異なるフルモールド型パッケージにおいて、ウエルドマークを発生しない半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び該樹脂組成物にて封止した半導体装置を提供すること。例文帳に追加

To obtain an epoxy resin composition for sealing a semiconductor without generating weld mark and a semiconductor device sealed with the resin composition in a full mold type package, having different resin thickness regarding upper and lower sides (front and back sides) of the package, such as a full mold type power transistor (FM-PTRS). - 特許庁

各パワートランジスタ３９が実装されている駆動回路用基板３２をハウジング１１に組み付けるときに、隔壁３１ｂに固定した固定部材４２の各保持片４３がパワートランジスタ３９によって弾性変形するようにする。例文帳に追加

When a drive circuit board 32, on which the respective power transistors 39 are mounted, is incorporated in the housing 11, respective holding tongues 43 of fixing members 44 fixed to the circumferential wall 31b are elastically deformed by the power transistors 39. - 特許庁

"alwaysUseMods (class AlwaysUseMods)"numLock リソースを上書きし、Alt モディファイアと Meta モディファイアがトランスレーションリソース内に現われていても、これらのモディファイアがファンクションキーシーケンスのパラメータを作るようにxterm に指示する。例文帳に追加

alwaysUseMods (class AlwaysUseMods) Override the numLock resource, telling xterm to use the Alt and Meta modifiersas to construct parameters for function key sequences even if those modifiersappear in the translations resource.  - XFree86

すなわち、画素回路を構成するサンプリングトランジスタのチャネル層よりも上層に位置する金属配線材料の一部パターンを、サンプリングトランジスタのチャネル領域を塞ぐようにレイアウトする。例文帳に追加

Specifically, a portion of pattern of a metal wiring material located on a layer above a channel layer of a sampling transistor making up a pixel circuit is so laid out as to block a channel region of the sampling transistor. - 特許庁

すなわち、画素回路を構成する薄膜トランジスタのチャネル層よりも上層に位置する金属配線材料の一部パターンを、薄膜トランジスタのチャネル領域を塞ぐようにレイアウトする。例文帳に追加

That is, a portion of a pattern of a metal wiring material above the channel layer of the thin-film transistor constituting a pixel circuit is so laid out as to shield the channel region of the thin-film transistor. - 特許庁

放熱板２３を、パワートランジスタ２４の本体部に面接触するようにして、回路基板２２に取り付ける。例文帳に追加

The heat radiation plate 23 is mounted on the circuit substrate 22 so as to be brought into surface contact with the body part of the power transistor 24. - 特許庁

電源パッドから電流出力用ＭＯＳトランジスタまでの距離に関わらず、各電流出力用ＭＯＳトランジスタから定電流が出力できるようにすること。例文帳に追加

To enable a constant current to be output from each MOS transistor for current output, without reference to distance from a power supply pad to the MOS transistor for current output. - 特許庁

電源パッドから電流出力用ＭＯＳトランジスタまでの距離に関わらず、各電流出力用ＭＯＳトランジスタから定電流が出力できるようにすること。例文帳に追加

To enable a constant current to be output from each MOS transistor for current output, without reference to a distance from a power supply pad to the MOS transistor for current output. - 特許庁

クッションパッド１２上にブランクホルダ１４を有し、クッションパッド１２を上方付勢することによりブランクホルダ１４とプレス上型１との間にワークＷ周縁部を保持する。例文帳に追加

The surface of a cushion pad 12 is provided with blank holders 14, and by energizing the cushion pad 12 to the upper part, the peripheral part of a work W is held between the blank holders 14 and a press upper die 1. - 特許庁

バイアス電圧によってＡ級動作するトランジスタを直列に接続し、このトランジスタ間に負荷が接続されるパワーアンプ回路に改良を加えたものである。例文帳に追加

This is a power amplifier circuit improved by connecting transistors performing Class A operation by a bias voltage in series and connecting a load between the transistors. - 特許庁