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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > ぱわーとらんじすたに関連した英語例文

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ぱわーとらんじすたの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1456



例文

パワートランジスタの温度変化によるアイドル電流の変化を抑制するバイアス回路およびそれを有する半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a bias circuit to control an idle current change generated by temperature change of a power transistor and a semiconductor device having it. - 特許庁

始動時に出力端に異常がある場合における電力増幅回路内のパワー・トランジスタの破壊を防止する。例文帳に追加

To prevent destruction of a power transistor in a power amplifier circuit when a defect exists in an output terminal at start. - 特許庁

電流制御用パワートランジスタの使用数量が少なく構造が簡単なラジアル磁気軸受を提供する。例文帳に追加

To provide a radial magnetic bearing of simple structure worked with a small number of current control power transistors. - 特許庁

そして、電流がしきい値を超える過電流状態にある場合、パワートランジスタ20〜26のスイッチング動作を停止・禁止する。例文帳に追加

Then, when the current is in an overcurrent state exceeding the threshold, the switching operation of the power transistors 20 to 26 is stopped and inhibited. - 特許庁

例文

スイッチング制御IC3は、スイッチングトランスTの二次側から出力される出力電圧が一定に保たれるように、トランジスタQ1の駆動パルスのパルス幅を制御する。例文帳に追加

A switching control IC 3 controls the pulse width of a drive pulse to the transistor Q1 so as to keep an output voltage output from a secondary side of a switching transformer T constant. - 特許庁


例文

メモリセル35は、キャパシタ32に蓄えられた容量に基づいて記憶状態を判定するものであり、トランスファーゲートトランジスタ23と、キャパシタ32と、互いにクロスカップル接続された第1および第2のインバータ26、29とを有している。例文帳に追加

A memory cell 35 judges memory condition based on capacity stored in a capacitor 32, and has a transfer gate transistor 23, the capacitor 32 and first and second inverters 26, 29 subjected to cross couple connection mutually. - 特許庁

電界効果型トランジスタ上には、電界効果型トランジスタに引っ張り応力F1´を印加するゲートキャップ膜15が形成され、ゲートキャップ膜15に起因する応力は、半導体基板11の折り曲げによってトランジスタに印加される応力よりも大きくする。例文帳に追加

A gate cap film 15 for applying a tensile stress F1' to a field effect transistor is formed on the field effect transistor, and the stress caused by the gate cap film 15 is set larger than the stress to be applied to the transistor by bending of a semiconductor substrate 11. - 特許庁

キャパシタ(画素容量)の容量と駆動トランジスタのゲート・ソース間容量との和がスイッチングトランジスタの寄生容量よりも小さいと、駆動トランジスタのソース電位の変化量により当該駆動トランジスタのゲート・ソース間電位の値が変化してしまい、所望の発光が望めない。例文帳に追加

To resolve the problem that desired light emission cannot be expected when the sum of capacity of a capacitor (pixel capacity) and capacity between gate-source of a driving transistor is smaller than a parasitic capacity of a switching transistor, because the value of a potential between gate-source of the driving transistor is varied by the variation of a source potential of the driving transistor. - 特許庁

p型MOSトランジスタのしきい値の温度依存性及び、p型MOSトランジスタのしきい値のばらつきを低減するパワーオン電源電位検知回路を提供する。例文帳に追加

To provide a power-on power supply voltage detection circuit that reduces the temperature dependence of a threshold of p-type MOS transistors and variations in the thresholds of the p-type MOS transistors. - 特許庁

例文

選択ワード線に直交する方向に隣接する2つのセルトランジスタで通過ワード線を共有させ、各セルのワード線を1.5本にすることにより、キャパシタの形状を正方形に近づける。例文帳に追加

A shape of capacitor is made to be almost a quadrate, by: making two neighboring cell transistors in the direction perpendicular to a selected ward line share a passing word line; and making the number of the word line of each cell one and half. - 特許庁

例文

ランク軸4と変速機5を収納するクランクケース6を上下に2分割し、そのクランクケースアッパ7とクランクケースロワ8の分割面9上で、前記クランク軸4と、変速機5のインプット軸10またはアウトプット軸11とを支持する。例文帳に追加

In this engine, a crankcase 6 containing a crankshaft 4 and a transmission 5 is divided into a crankcase upper 7 and a crankcase lower 8, and the crankshaft 4 and the input shaft 10 or output shaft 11 of the transmission 5 are supported on the face 9 which divides the crankcase 6 into the crankcase upper 7 and a crankcase lower 8. - 特許庁

ハーネス5、6を収納するための収納枠体1と、収納枠体1内にハーネス5、6を仮保持する補助ストッパー2と、収納枠体1内にハーネス5、6を最終保持する係合部3とを形成したハーネス用クランプユニット。例文帳に追加

The clamping unit for harness comprises the housing frame body 1 for housing harnesses 5 and 6, auxiliary stoppers 2 which temporarily hold the harnesses 5 and 6 in the housing frame body 1, and the engaging portion 3 which ultimately holds the harnesses 5 and 6 in the housing frame body 1. - 特許庁

ランジスタQ1〜Q8のオン/オフによって、容量性素子駆動回路10に発生する電流パスに加わる抵抗を変化させることにより、当該抵抗とピエゾ素子C1からなる時定数CRを変化させることができる。例文帳に追加

When a resistance being imposed to a current path appearing in a capacitive element drive circuit 10 is varied by turning transistors Q1-Q8 on/off, a time constant CR determined by that resistance and a piezoelectric element C1 can be varied. - 特許庁

本発明は、二次元ランダムパターンに対してレジストに結ばれる像の解像度の向上をさせることができ、併せてレジストに露光される二次元ランダムパターンの寸法精度を向上させることができる露光方法および位相シフトマスクを提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a method for exposure and a phase shift mask in which the resolution of an image formed on a resist according to a two-dimensional random pattern can be improved and the dimensional accuracy of the two-dimensional random pattern projected onto the resist can be improved. - 特許庁

たとえばパソコン用のCPU、MPU、パワートランジスター等の電子部品、或いはその他の発熱体の放熱に好適に使用できる放熱用オイルコンパウンドを挟持した挟持体に関し、放熱用オイルコンパウンドの保存や配送に便利であり、しかもCPUやパワートランジスター等の発熱体の表面に均一な膜厚に形成できるとともに、発熱体に対して簡易に貼着することができ、且つその貼着作業の作業性が良好な放熱用オイルコンパウンドの挟持体を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a sandwich body of oil compound for heat radiation which is convenient when an oil compound for heat radiation is stored or delivered, can be formed on the surface of a heat generating body such as a CPU and a power transistor to uniform thickness, and stuck on the heat generating body with ease, and is excellent in the operability of the sticking operation. - 特許庁

ディスプレイパネルの画素に3トランジスタ1キャパシタ回路構造を採用し、更に画素アレイ区域外に、発光画素に接続したデータキャパシタセットを付け加える。例文帳に追加

A three-transistor, one-capacitor circuit structure is employed for the pixels of a display panel and further a data capacitor set connected to a light emitting pixel is added outside a pixel array area. - 特許庁

回路立ち上がり時にアンプ6の出力をリファレンス電圧に固定することで出力OUTをグランドレベルから安定に立ち上げ、さらに回路立ち上がり時に出力のパワートランジスタのサイズを小さくしておいて、出力のDC電圧が安定してからパワートランジスタのサイズを大きくするオーバーシュート低減回路を提供する。例文帳に追加

This overshoot reduction circuit stably starts up an output OUT from a ground level by fixing the output of an amplifier 6 to a reference voltage at the start up of a circuit and further makes the size of a power transistor for output small first at the start up of the circuit and then enlarges the size of the power transistor, after the DC voltage of the output has been stabilized. - 特許庁

液晶表示パネルの一対のガラス基板のうち裏面側のガラス基板3の薄膜トランジスタ等形成領域には、1つのゲート電極91を備えた薄膜トランジスタ及び画素電極98が形成されている。例文帳に追加

In an area for forming a thin film transistor, etc., on a rear face side glass substrate 3 of a pair of glass substrate in a liquid crystal display panel, a thin film transistor with one gate electrode 91 and a pixel electrode 98 are formed. - 特許庁

CPU11はトランス2の二次側に電圧を生じさせるために、所定のバースト周期毎に所定数ずつバースト形式でスイッチングパルスを出力するようパルス発生部20を制御し、そのスイッチングパルスによりトランジスタ4をスイッチング動作させる。例文帳に追加

A CPU 11 controls a pulse generator 20 so that it may output switching pulses in burst form by a specified number at a time in every specified burst cycle so as to generate voltage on the secondary side of the transformer 2, for switching the transistor 4 by the switching pulses. - 特許庁

また、第2の電源端子T2と入力部IPとの間には、第2の電源端子T2側から抵抗素子R2およびキャパシタC1が順に直列に接続されており、抵抗素子R2とキャパシタC1との接続ノードにPチャネルMOSトランジスタQ2のゲート電極が接続される。例文帳に追加

In addition, a resistive element R2 and a capacitor C1 are connected in series between the second power terminal T2 and the input part IP in order from the side of the second terminal T2, and a gate electrode of the P channel MOS transistor Q2 is connected to a connection node between the resistive element R2 and the capacitor C1. - 特許庁

熱暴走対策としてエミッタバラスト方式を採用するRF信号増幅用のパワーバイポーラトランジスタ(HBT)を採用したRF電力増幅器全体の電力利得と電力効率とを改善すること。例文帳に追加

To raise power gain and power efficiency in a whole RF power amplifier where a power bipolar transistor (HBT) for amplifying an RF signal is adopted and which adopts an emitter ballast system as countermeasures for thermorunaway. - 特許庁

ぱちんこ遊技機10において、パターン記憶手段130は、停止図柄組合せの一部となる複数種類の停止図柄候補と、停止図柄組合せの一部とならない複数種類のブランク図柄を変動表示させるパターンを保持する。例文帳に追加

In the Pachinko game machine 10, a pattern storing means 130 holds patterns for variably displaying a plurality of stop symbol candidates to be a part of a combination of stop symbols and a plurality of blank symbols not to be a part of the combination of stop symbols. - 特許庁

そして、トランジスタM2のドレイン電流がパワートランジスタM1のドレイン電流に比例した電流信号として検出用端子13から出力される。例文帳に追加

The drain current of the transistor M2 is outputted from a detection terminal 13 as the current signal proportional to the drain current of the power transistor M1. - 特許庁

このときさらに、関連する回路の多くは、典型的にはパワーゲーティングトランジスタに負のゲート−ソース電圧(V_GS)を与える昇圧されたレベルを有する信号によって、電力を保存するためパワーゲーティングされることができる。例文帳に追加

At this time, many of the associated circuit can be power-gated to conserve power, typically by signals that have boosted levels to provide negative gate-to-source voltages (V_GS) to the power-gating transistors. - 特許庁

パワーMOSFETトランジスタのゲート容量が変わっても、指示された回転数と、モータの実際の回転数とを容易に一致させることができる指示回転数変更機能付きブラシレスモータ及びブラシレスモータコントローラを得る。例文帳に追加

To obtain a brushless motor with instructed changing function for number of revolutions which can easily make its actual number of revolutions match with an instructed number of revolutions, even if the gate capacity of a power MOSFET transistor changes and a brushless motor controller. - 特許庁

隣接する画素の薄膜トランジスタを構成する半導体膜ASIの短絡欠陥を分離するために、基板SUBと反対側すなわち絶縁膜PASの上方からレーザ光Lを照射する。例文帳に追加

A short circuit defect of a semiconductor film ASI constituting the thin-film transistors of adjacent pixels is irradiated with laser light L from the opposite side of a substrate SUB, i.e. from above an insulating film PAS to separate the short circuit defect. - 特許庁

この積層シートトランス1の表裏両側の最外層のコイルパターン6は一次と二次の何れか一方の同じ次数のコイルパターンと成している。例文帳に追加

The outermost coil pattern 6 on the front and rear of the laminated sheet transformer 1 serve as a coil pattern of the same order with either the primary side or the secondary side. - 特許庁

第1のハーフブリッジ回路と第2のハーフブリッジ回路におけるハイサイドトランジスタ及びローサイドトランジスタのオンまたはオフを制御する信号のパルス幅を小さくする、すなわちデューティ比の小さい信号とするものである。例文帳に追加

The pulse width of a signal for turning on or off a high-side transistor and a low-side transistor of a first half-bridge circuit and a second half-bridge circuit is narrowed, that is, the duty ratio of the signal is reduced. - 特許庁

この液晶表示装置(表示装置)100は、表面上に薄膜トランジスタ3が形成されたTFT基板1と、薄膜トランジスタ3を挟むように、TFT基板1と対向するように配置されたCF基板2と、CF基板2の薄膜トランジスタ3側とは反対側の表面上に直接形成された視差バリアパターン40とを備える。例文帳に追加

The liquid crystal display device (a display device) 100 includes: a TFT substrate 1 having a thin-film transistor 3 formed on the surface; a CF substrate disposed to face the TFT substrate 1 to sandwich the thin-film transistor 3; and the parallax barrier pattern 40 directly formed on the surface of a CF substrate 2 opposite to the thin-film transistor 3 side. - 特許庁

500メガヘルツを越える周波数で動作し、5ワットを超える電力を放散する無線周波数への応用に利用でき効率的に動作することができるようなパワートランジスタダイおよびパッケージを提供する。例文帳に追加

To provide a power transistor die and a package which can operate efficiently in an application operating at a radio frequency exceeding 500 MHz and radiating power exceeding 5 W. - 特許庁

フルジャンプ動作時のキックパルス時間終了時、すなわちキックパルスとブレーキパルスとの切替タイミングは、トラッキングエラー信号のゼロクロスタイミングで決まるので、ゼロクロスタイミングでは、レーザビームはほぼランドの中央に位置している。例文帳に追加

Since the time when the kick pulse time at the full jump operation is finished, i.e., the changeover timing of the kick pulse and brake pulse is determined by the zerocross timing of a tracking error signal, a laser beam is positioned nearly at the center of the land in the zerocross timing. - 特許庁

拡散領域あるいはゲート配線の角部内側に発生する丸まりとマスクの位置合わせ誤差とに起因するトランジスタ特性の変動を防止し得るパターンレイアウトを提供する。例文帳に追加

To provide a pattern layout that can prevent changes in transistor characteristics caused by rounding which generates inside a corner of a diffusive region or a gate wiring and by an alignment error of a mask. - 特許庁

出力回路70には、入力パルス信号の入出力を制御するトランスファーゲート回路をなすトランジスタp4,n4を設け、出力回路70を駆動するクロックパルスCK2を、このトランスファーゲート回路の入力側に入力する。例文帳に追加

In the output circuit 70, transistors p4 and n4 constituting the transfer gate circuit for controlling the input/output of the input pulse signal are disposed, and the clock pulse CK2 for driving the output circuit 70 is input to the input side of the transfer gate circuit. - 特許庁

従って、各発光ダイオード及び各フォトトランジスタを基板60上の配線パターンで結線することになり、各発光ダイオードのリード線及び各フォトトランジスタのリード線を引き回す必要がなく、配線が複雑化することはなく、接点不良等を減少させることができる。例文帳に追加

Therefore, each light-emitting diode and each phototransistor are connected in a wiring pattern on the substrate 60, thus dispensing with guiding for the lead wire of each light-emitting diode and guiding for each phototransistor, preventing wirings from becoming complicated, and reducing contact failure, or the like. - 特許庁

ドライバトランジスタ33をパルスでON/OFF駆動することで、ヘッドコイル59に駆動電流iを流して印字ワイヤを駆動する。例文帳に追加

A driving current i is sent to a head coil 59 to drive a printing wire by turning on/off a driver transistor 33 by pulses. - 特許庁

ドライバトランジスタ33をパルスでON/OFF駆動することで、ヘッドコイル59に駆動電流iを流して印字ワイヤを駆動する。例文帳に追加

A drive current (i) is fed to a head coil 59 by driving a driver transistor 33 on/off with a pulse thus driving a print wire. - 特許庁

オンライン回線により閲覧者がハイパーリンクを選択した際にリンク先のウェブページが存在しないとき、代わりのウェブページの候補を選択して提示することを特徴とする。例文帳に追加

When the web page of a linking destination is not present when a reader selects a hyperlink by an on-line channel, the candidates of substituting web pages are selected and presented. - 特許庁

CPU3は、室内制御装置6からワイパの作動オフ信号が送られており、ワイパ位置検出部2aによりワイパが停止位置にあることが検出されると、トランジスタTr3のオン/オフを繰り返し行う間欠制御を行う。例文帳に追加

A CPU 3 performs an intermittent control repeating ON/OFF of the transistor Tr3 when operation off signal of the wiper is fed from an indoor control device 6, and it is detected that the wiper is at the stop position with the wiper position detection part 2a. - 特許庁

エミッタフォロワトランジスタTr1とエミッタ負荷抵抗RE1を含むエミッタフォロア回路において、トランジスタTr1のベース端子とエミッタ端子の間にバイパス回路CIR1を設け、このバイパス回路CIR1の入力インピーダンスによってエミッタフォロワ回路の入力キャパシタンスを低減させることにより、周波数特性のピーキングを抑制する。例文帳に追加

In an emitter/follower circuit including an emitter/follower transistor Tr1 and an emitter load resistance RE1, a by-pass circuit CIR1 is provided between the base terminal and emitter terminal of the transistor Tr1, and the input capacitance of the emitter/follower circuit is reduced by the input impedance of the by-pass circuit CIR1 so that the peaking of frequency characteristics can be suppressed. - 特許庁

パワートランジスタ111は、オペアンプ110の出力を増幅して、電力増幅器12に電圧を供給する。例文帳に追加

A power transistor 111 amplifies an output of the operational amplifier 110, and supplies a voltage to the power amplifier 12. - 特許庁

ESD保護回路(20)は、静電電荷による損傷からパワートランジスタ(16)を保護するように動作する。例文帳に追加

The ESD protecting circuit 20 is operated so that a power transistor 16 can be protected from damages due to an electrostatic charge. - 特許庁

放熱フィンを廃止して空気抵抗の増加を招かずにパワートランジスタを冷却可能な車両用空調装置を提供する。例文帳に追加

To provide an air conditioner for a vehicle cooling a power transistor without increasing air resistance by dispensing with a radiation fin. - 特許庁

電力供給部20のパワートランジスタは高周波スイッチング動作しながら、3相のコイル12〜14への電流路を形成する。例文帳に追加

A power transistor of a power supply unit 20 forms current paths to the 3-phase coils 12 to 14 while it is conducting high frequency switching. - 特許庁

モータ駆動回路は、出力段に三対のパワートランジスタ(QH、QL)の直列接続(7U、7V、7W)を含み、三相同期モータ(3)の三つのステータ巻線(3U、3V、3W)と共に三相ブリッジ回路を構成する。例文帳に追加

This motor drive circuit includes series connections (7U, 7V, 7W) of three pairs of power transistors (QH, QL) at an output stage, and forms a three-phase bridge circuit together by three stator windings (3U, 3V, 3W) of a three-phase synchronous motor (3). - 特許庁

パソコンの表示部12にホームページ閲覧ソフトに対応する表示画面31を表示し、インターネットを介して受信した表示データに基づいて前記表示画面31の表示領域に合わせてコンテンツを表示する。例文帳に追加

A display screen 31 corresponding to home page browsing software is displayed on a display part 12 of a personal computer, and a content is displayed in accordance with the display region of the display screen 31 based on display data received via the Internet. - 特許庁

このトランジスタ30は、第1ワード線21に接続されたゲート32と、第1ビット線23に接続されたドレイン2aと、キャパシタ40に接続されたソース2bとを有する。例文帳に追加

The transistor 30 includes a gate 32 connected to the first word line 21, a drain 2a connected to the first bit line 23 and a source 2b connected to the capacitor 40. - 特許庁

第1のパワー増幅器や第2のパワー増幅器への入力電流に滑らかな傾斜部分をもたせて電流路の切換を滑らかにし、かつ、パワー増幅器への入力電流を所要区間大きくしてパワートランジスタのオン電圧を十分に小さくし、パワー増幅器の電力損失を低減する。例文帳に追加

A smooth inclined portion is given to the input current into the first power amplifiers 11 to 13 and the second power amplifiers 15 to 17 for smooth switching a current path, and input current into the power amplifiers is increased greatly within a prescribed period to sufficiently decrease the on-voltage of a power transistor and suppress the loss in the power amplifier. - 特許庁

前記除去スペーサ及び絶縁膜を順次に除去した後、前記トランジスタ部の深いソース/ドレーン領域に隣接して前記ゲートパターンの両側の半導体基板に浅いソース/ドレーン領域を形成する。例文帳に追加

After sequentially the removal spacer and the insulating film are removed, shallow source/drain regions are formed on the semiconductor substrate on both sides of the gate pattern adjoining the deep source/drain regions of the transistor part. - 特許庁

NOR回路16は、第1パルス信号S1、第2パルス信号S2の否定論理和に応じた信号をローサイドトランジスタM2の他方のゲートに与える。例文帳に追加

An NOR circuit 16 supplies signals corresponding to the negative OR of the first pulse signal S1 and the second pulse signal S2 to the other gate of the low side transistor M2. - 特許庁

例文

光ファイバを保持するフェルールと、該フェルールに接するフランジとを有する光コネクタであって、少なくとも受光側のコネクタのフェルールは透明なガラスから構成され、且つフランジは赤外光に対して透明な材料から構成されたことを特徴とするハイパワー用光コネクタ。例文帳に追加

The optical connector for high power has ferrule holding optical fibers and a flange brought into contact with the ferrules, and is characterized in that ferrules of at least a reception-side connector are made of transparent glass and the flange is made of a material which is transparent to infrared light. - 特許庁

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