「イオン加速電圧」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

道沿いの電極の上で電圧の違いで直線沿いにイオンが加速する例文帳に追加

ions are accelerated along a linear path by voltage differences on electrodes along the path  - 日本語WordNet

２価イオンを用い、その２価イオンを注入する際の２価用引出電圧及び２価用加速電圧の合計値を、その２価イオンと同一イオン種の１価イオンを注入する際の１価用引出電圧及び１価用加速電圧の合計値の半分の値に設定し、かつ、２価用加速電圧を１価用加速電圧よりも小さく設定して被処理体へのイオン注入を行なう。例文帳に追加

Ion implantation into the treating object is carried out using bivalent ions and establishing the total value of the bivalent extraction voltage and the bivalent acceleration voltage in implantation of the bivalent ions at a half value of the total value of a monovalent extraction voltage and a monovalent acceleration voltage in implantation of monovalent ions of the same ion species as the bivalent ions, and establishing the bivalent acceleration voltage smaller than the monovalent acceleration voltage. - 特許庁

試料３に高電圧源１３からの高電圧を印加して、この原子をイオン化して加速する。例文帳に追加

A high voltage from a high voltage source 13 is impressed on the sample 3 to ionize and accelerate the atoms of the sample 3. - 特許庁

高圧電源は、重粒子イオンを加速管にて加速するための高電圧を加速管に対して印加する。例文帳に追加

The high-voltage power source applies a high voltage for accelerating the heavy particle ions in the acceleration tube to the acceleration tube. - 特許庁

イオン源から取出されたイオンビーム５１を、加速管３内に収められた加速電極５に電圧を印可して加速電場を生成することにより加速し、イオン注入対象物へイオン注入するイオン注入装置に、加速管３内の真空中にイオンビーム５１の軌道を覆うようにＸ線遮蔽材６を設置する。例文帳に追加

The ion implanter for implanting ions into an object of ion implantation, by impressing a voltage on an acceleration electrode 5 contained in an accelerating tube 3 to accelerate an ion beam 51 taken out from an ion source by generating an acceleration electric field, is provided with an X-ray shielding material 6 in vacuum in the accelerating tube 3 so as to cover an orbit of the ion beam 51. - 特許庁

このイオン注入装置は、イオン８を引出し電圧Ｖ_E で引き出すイオン源２と、それからのイオンを加速電圧Ｖ_A で加速する加速管１２と、それからのイオンの内の特定の運動量を有するイオンを選別する運動量分離マグネット１４とを備えていて、目的のイオンをターゲット１６に入射させる構成をしている。例文帳に追加

This ion implantation device is provided with an ion source 2 for extracting ions 8 by extraction voltage VE, an accelerating tube 12 for accelerating the ions from the ion source by accelerating voltage VA, and a momentum separating magnet 14 for selecting the ion having specific momentum in the ions from the accelerating tube, and is constituted so as to make the objective ion incident on the target 16. - 特許庁

典型的には、集束イオンビーム(FIB)システムで使われる加速電圧は5〜30keVにわたる。例文帳に追加

Typically, the accelerating voltage used in focused ion beam (FIB) systems ranges from 5 to 30 keV.  - 科学技術論文動詞集

バイアス電圧Ｖは、プラズマ中のイオンをワークＷの内面に向けて加速する。例文帳に追加

The bias voltage V accelerates ions in the plasma toward the inner surface of the work W. - 特許庁

加速電圧３ＭＶ、注入量１．０×１０^15／ｃｍ^2の条件でイオン注入を行った。例文帳に追加

The ion implantation is performed under conditions of 3MV acceleration voltage and 1.0×10^15/cm^2 implantation rate. - 特許庁

イオン群は所定の加速電圧によって分離空間１７へ導入される。例文帳に追加

An ion group is introduced to a separation space 17 by a predetermined acceleration voltage. - 特許庁

イオン検出手段の耐電圧性能に左右されない垂直加速型TOFMSを提供する。例文帳に追加

To provide a vertical acceleration type TOFMS which cannot be affected by withstand voltage performance of an ion detecting means. - 特許庁

その後、ウェル形成などの加速電圧２００ｋＶ以上の高エネルギーイオン注入をおこなう。例文帳に追加

Thereafter, high-energy ion implantation such as well formation, etc., is performed by an acceleration voltage of 200 kV or higher. - 特許庁

半導体基板１１の表面領域に、所定の加速電圧、所定のドーズ量で、ゲルマニウムイオン１４Ａをイオン注入する。例文帳に追加

Germanium ions 14A are ion-implanted to the surface region of a semiconductor substrate 11 at a prescribed acceleration voltage and in a prescribed dose amount. - 特許庁

また、軸対称静電レンズ群の前半部ではイオンを加速し、後半部ではイオンを減速するようにレンズ電極電圧を設定した。例文帳に追加

Also lens electrode voltages are set up, so as to accelerate ions in the first half of the axially symmetrical electrostatic lens group and decelerate ions in the latter half. - 特許庁

ミリング工程におけるイオンビームを照射する際のイオンビームの加速電圧は、４００〜１４００Ｖである。例文帳に追加

Acceleration voltage of the ion beam when irradiation with the ion beam is performed in the milling step is in the range of 400 to 1,400 V. - 特許庁

イオンミリング装置を用い加速電圧１ＫＶ以下にてアルゴンイオン５をｎ型窒化ガリウム基板１に向けて照射する。例文帳に追加

The n-type gallium nitride substrate 1 is irradiated with argon ions 5 by an acceleration voltage not higher than 1 kV by using an ion milling device. - 特許庁

イオン質量分離装置にイオンビームを加速して導入する際の電圧印加を安定させるようにする。例文帳に追加

To see to it that voltage impression at the time of accelerating ion beams and leading them to an ion mass separation device be stabilized. - 特許庁

層間絶縁膜１４０に対して第１の加速電圧でイオン注入を行い第１イオン層３１０を形成する。例文帳に追加

Ion injection is performed by a first acceleration voltage with respect to the inter-layer insulating film 140, thereby to form a first ion layer 310. - 特許庁

更に別の態様では、加速管６に加える加速電圧を振幅変調しながらイオン注入を行う。例文帳に追加

Furthermore, in another embodiment, while amplitude-modulating acceleration voltage added to an accelerating tube 6, the ion implantation is carried out. - 特許庁

試料分析の時に試料にイオンビームが照射されないように、ＣＰＵ２１は、イオン加速電圧オフの信号をイオン加速電源制御部１５に送る。例文帳に追加

A CPU 21 sends a signal for turning off an ion acceleration voltage to an ion acceleration power control part 15 so that an ion beam is not irradiated to a sample when the sample is analyzed. - 特許庁

ガスクラスターイオンビームを照射してワークを加工するイオンビーム加工方法であって、ガスクラスターイオンビームを加速する加速電圧の値を段階的に又は連続的に減少させながら加工を行う。例文帳に追加

In an ion beam processing method for irradiating gas cluster ion beams to process works, the processing is performed by stepwise or continuously decreasing a value of an acceleration voltage which accelerates the gas cluster ion beams. - 特許庁

所定の加速電圧で加速された水クラスターイオンビーム、若しくは、酸素クラスターイオンビーム及びモノマーイオンビームを固体表面に照射することによって、該表面に接触角１５°以下の超親水性を付与する。例文帳に追加

The surface of the solid is irradiated with a water cluster ion beam, an oxygen cluster ion beam or a monomer cluster ion beam accelerated by predetermined accelerated voltage to impart super-hydrophilicity of a contact angle of 15° or above to the surface of the solid. - 特許庁

更に放電容器の開放端部（５）に、放電容器から出ていくイオン集束の形態の放電容器において発生したイオンを加速するために、加速電圧源（１２）に接続された加速格子（１１）が配置されている。例文帳に追加

Furthermore, an accelerating grid 11 connected to an accelerating voltage source 12 to accelerate ion generated in the discharge container in a form of collecting ion that is going out of the discharge vessel 2 is disposed at the open end part 5 of the discharge vessel 2. - 特許庁

レジストをマスクに、ボロン原子を窒化膜４を貫通する加速電圧でイオン注入を行い、また、リン原子を窒化膜４を貫通しない加速電圧でイオン注入を行いう。例文帳に追加

Boron atoms are implanted by an accelerating voltage passing atoms through a nitride film 4 by using a resist film as a mask, and phosphorus atoms are implanted by an accelerating voltage which does not allow atoms to pass through the nitride film 4. - 特許庁

基体としてのＣｕ１上に窒素イオンの加速電圧を高くし、Ａｌ，Ｃｕ，Ｎのミキシング層２を形成し、そのミキシング層２上に窒素イオンの加速電圧を低くしてＡｌＮ膜３を形成する。例文帳に追加

By raising the acceleration voltage of nitrogen ions on the Cu 1 as a base body, a mixing layer 2 of Al, Cu, and N is formed, and an AlN film 3 is formed on the mixing layer 2 by lowering acceleration voltage of the nitrogen ions. - 特許庁

続いて、レジスト２を溶解除去し、新しいレジスト２を塗布して、別の場所に開口部を設け、先に行ったイオン注入における加速電圧とは別の加速電圧でイオン注入を行う。例文帳に追加

Subsequently, the resist 2 is dissolved and eliminated, a new resist 2 is applied, an opening part is formed on another place and the ion implantation is performed with another acceleration voltage different from the acceleration voltage in the ion implantation performed previously. - 特許庁

イオン加速電圧が１００Ｖ以下の低電圧でも、イオンビームの収束性により優れ、高感度で長時間安定して動作する電子衝撃型イオン源を提供する。例文帳に追加

To provide an ion source which is excellent in convergence of the ion beam even when the ion acceleration voltage is as low as 100 V, high in sensitivity, and stably operated for a long time. - 特許庁

多段加速場によりイオン溜からイオンを飛行させ、イオン検出器近傍で再加速して検出する飛行時間型質量分析計であって、再加速電圧に応じて２次収束条件を満たす各加速場の電圧を設定するようにして、再加速しない場合と同等の分解能が得られるようにしたものである。例文帳に追加

In a time of flight type mass spectrometer wherein an ion is flown from an ion reservoir with the multistage acceleration field and re- accelerated for detecting near the ion detector, the voltage in each acceleration field meeting secondary convergence condition corresponding to re-acceleration voltage is to be set so as to obtain resolution equivalent to that in the case of non re-acceleration. - 特許庁

イオンビームをオフする側の分割加速グリッドに正電圧を印加し、更に減速グリッド１１７に負電圧を印加する。例文帳に追加

A positive voltage is applied to the split acceleration grid on the side for turning off an ion beam, and a negative voltage is applied to a deceleration grid 117. - 特許庁

後段四重極６には前段四重極３に印加されるRF電圧よりも小さなRF電圧を印加してイオンガイドモードで動作させるとともに、イオンを加速するような直流バイアス電圧を印加する。例文帳に追加

A post-stage quadrupole 6 is operated under an ion guide mode by applying thereto an RF voltage smaller than the RF voltage applied to the pre-stage quadrupole 3, and such a DC bias voltage as accelerating ions is applied. - 特許庁

従来の高加速イオンビームを用いるイオンビーム露光装置における、光学系の大規模化の問題、また高加速電圧ではレジスト感度が低いことや、マスクやウェハの損傷の問題を解決するため、イオンビーム近接投影露光方式として低加速電圧のイオンビーム露光装置を提供する。例文帳に追加

To provide a low acceleration voltage ion beam projection aligner as an ion beam proximity projection exposure system for solving the problem of increase in the scale of an optical system, the decrease in resist sensitivity at a high acceleration voltage, and the problem of damage in masks and wafers in the ion beam projection aligner using the conventional high-acceleration ion beam. - 特許庁

イオン源１で引出電圧をかけて引き出したイオンのうち目的とするイオンのみを選別する質量分析を質量分析器２で１回のみ行ない、ビームライン３にてイオンビームの整形及び走査をし、加速管４にて加速電圧をかけてエンドステーション５にて被処理体にイオン注入する。例文帳に追加

Mass spectrometry in which only target ions are selected out of the ions extracted by applying an extraction voltage by an ion source 1 is carried out only one time by a mass spectrometer 2, and ions are implanted into a treating object in an end station 5 by making shaping and scanning of ion beams in a beam line 3 and applying acceleration voltage in an acceleration tube 4. - 特許庁

プラズマイオンを発生させたのち、高電圧にて加速されたイオン流を基板にドーピングするイオンドーピング方法において、大面積表示素子用基板に一度に均一性を維持しながらドーピングを行うこと。例文帳に追加

To dope a substrate for large-area display elements at once while keeping uniformity in an ion doping process of doping the substrate with an ion flow accelerated by a high voltage after generating plasma ions. - 特許庁

また、注入電流が０．０５μＡ／ｃｍ^２〜５０μＡ／ｃｍ^２の範囲でイオン注入を行い、イオン注入時の加速電圧を連続的に変化させて、イオン注入層の厚みを変える。例文帳に追加

The ion-implantation is carried out at 0.05-50 μA/cm^2 ion current and the thickness of the ion implanted layer is changed by continuously changing the acceleration voltage in the ion-implantation. - 特許庁

イオン源と試料Ｐとの間に加速電圧を生じさせ、イオン源から放出されるイオンビームＢを集束し所定の加工位置Ｐ３に照射させて、試料Ｐの表面を加工する。例文帳に追加

An accelerated voltage is generated between an ion source and a sample P, and ion beam B released from the ion source are focused and irradiated on a given processing position P3 to process the surface of the sample P. - 特許庁

２回目に不純物イオンを注入するときには、イオン濃度を比較的低く高加速電圧の条件でイオン注入し、第１の多結晶シリコン膜６の抵抗値を調整する。例文帳に追加

When implantation of the impurity ions is performed for the second time, ion implantation is performed under the condition where ion concentration is comparatively low and acceleration voltage is high, and the resistance value of a first polycrystalline silicon film 6 is adjusted. - 特許庁

ＳＲＡＭセルの製造時において、１回目に不純物イオンを注入するときにはイオン濃度を比較的高く低加速電圧の条件でイオン注入し、ソース／ドレイン拡散層１３を形成する。例文帳に追加

In a case of manufacturing the SRAM cell, when implantation of impurity ions is performed at first time, ion implantation is performed under the condition where the ion concentration is comparatively high and acceleration voltage is low, and a source/drain diffusion layer 13 is formed. - 特許庁

高い電圧によって加速されたＨ_３^＋イオンは、半導体ウェーハ表面で分離されて３つのＨ^＋イオンとなり、それぞれのＨ^＋イオンは深く侵入することはできない。例文帳に追加

Thus, the respective H^+ ions cannot penetrate deeply. - 特許庁

イオン化ターゲット物質９１は、イオンビーム引き出し部３０の高電圧により、イオン化器２０から引き出され、加速されて、プラズマ発生用チャンバ６０に供給される。例文帳に追加

The ionized target material 91 is led out of the ionizer 20 by high voltage of an ion beam-leading section 30 and accelerated to be supplied to a plasma generating chamber 60. - 特許庁

高アスベクト比の筒内での圧力勾配を利用して、筒の両端に印加した電圧によって気体及び液体を効率よく電離し、同じ電圧によって電離の結果生じたイオンを加速し、指向性をもって効率よくイオンを放出する装置。例文帳に追加

Thereby, the ions are efficiently emitted with directivity. - 特許庁

シンクロトロン３内を周回するイオンビームは、加速空胴１０への高周波電圧の印加によって加速され、高周波印加装置６への高周波電圧の印加により出射される。例文帳に追加

The ion beam circuiting inside the synchrotron 3 is accelerated by impressing a high frequency voltage on the accelerating cavity 10 and is emitted by impressing high frequency voltage on a high frequency impression device 6. - 特許庁

そして、チャネル保護膜２５をマスクとしてリンイオンを加速電圧１０〜１５ｋｅＶ程度の低加速電圧で注入し、チャネル保護膜２５下以外の領域における半導体層２４をｎ^+シリコン層２７とする。例文帳に追加

Sulfuric ions are implanted at a low acceleration voltage such as 10-15 keV with the channel protective film 25 as a mask and a semiconductor layer such as in a region other than under the channel protective film 25 is an n+ silicon layer 27. - 特許庁

また加速電圧として１０ｋＶ以下の低加速電圧を用いることで、高スループット、低損傷でかつ簡単な装置構成を実現し、低コストなイオンビーム露光装置を提供できる。例文帳に追加

Also, by using a low-acceleration voltage of 10 kV or less as an acceleration voltage, a high throughput, low-damage, and simple device configuration can be realized, thus providing a low-cost ion beam projection aligner. - 特許庁

半導体層の膜厚は、ＳＩＭＯＸ法での絶縁層形成時のイオンの加速電圧によって調整することができる。例文帳に追加

The film thickness of the semiconductor layer can be adjusted by the ion accelerating voltage applied during forming the insulating layer by the SIMOX method. - 特許庁

構造が簡単で且つ電圧分布を滑らかにすることができる加速管を備えた電子源又はイオン源を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an electron source or an ion source equipped with an accelerating tube of a simple structure and for smoothing a voltage distribution. - 特許庁