「イオン加速電圧」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

第一の通過孔２３ａから第一、第二の電極２１ａ、２１ｂ間に進入した二次イオンはパルス電圧により加速される。例文帳に追加

The secondary ions entered between first and second electrodes 21a and 21b from a first passage hole 23a are accelerated by the pulse voltage. - 特許庁

ビーム引出開始時の加速電源の電圧低下を抑制し、質の高いビームを放出できるイオン粒子電源を提供する。例文帳に追加

To provide an ion particle power source capable of emitting high-quality beams through restraint of voltage fall of an accelerated power source at starting of beam extraction. - 特許庁

この際、加速電圧によって生じるイオンビームＢのエネルギー範囲を１ｋｅＶ以上２０ｋｅＶ未満に設定する。例文帳に追加

Here, the energy range of the ion beam B, generated by the accelerated voltage, is to be set at 1 keV or higher and lower than 20 keV. - 特許庁

放電電極に高電圧を印加することにより、コロナ放電によって生成されたイオンを加速電極で加速し、吹出し口から放出するマイナスイオン発生装置において、前記加速電極はこれにアノード側を接続した高圧ダイオードを介して接地した。例文帳に追加

In the negative ion generator which generates ions by corona discharge by applying high voltage on discharge electrodes and accelerates the speed of the ions with an acceleration electrode to emit through a blowing port, the acceleration electrode is grounded through a high voltage diode with its anode connected to the electrode. - 特許庁

液体保持容器２１０から液体の分子種を針状部材２０６の先端部分まで供給させ、引出電極２０２に負極の電圧を印加して分子種からトンネル効果により陽イオンをビーム状に発生させ、加速電極２０４に負極の電圧を印加して陽イオンを加速させる。例文帳に追加

Molecular species of liquid are provided from a liquid retainer 210 to the front end part of a spicular member 206 and the cathode voltage is applied to a draw-out electrode 202 so as to generate a positive ion in beam shape from the molecular species with the tunnel effect, then the cathode voltage is applied to an accelerating electrode 204 to accelerate the positive ion. - 特許庁

イオンビーム１の注入動作により、演算回路にてパラメータ信号に変換したイオンビーム電流量、イオンビーム電流検出板２がイオンビーム１を受けた時間、イオンビーム１の加速電圧値およびイオンの質量数から、積算回路１１にてイオンビーム電流検出板２の削れ量を積算する。例文帳に追加

By implanting operation of an ion beam, an amount of wear of the ion beam current detecting plate is integrated in an integrating circuit 11 from ion beam current amount converted into a parameter signal in an arithmetic circuit 9, time when the ion beam current detecting plate receives the ion beam, an accelerating voltage value of the ion beam and an atomic mass number of ion. - 特許庁

高エネルギーイオン分析装置や半導体製造用のイオン注入装置等における電荷粒子を加速するための高電圧の発生を主目的とする高電圧発生装置の高電圧を高精度で測定できる高電圧測定装置を提供する。例文帳に追加

To provide a high voltage measuring device capable of measuring high voltage of a high voltage generating device generating high voltage to accelerate charged particles in a high-energy ion analyzer, an ion injector for manufacturing a semiconductor and the like as its main purpose. - 特許庁

前記プラズマ処理は、照射イオン量を調整してＤＬＣ皮膜にプラズマ照射する処理であり、照射イオン量は１．３０×１０^１６〜１．８５×１０^１７イオン／ｃｍ^２であり、バイアス（イオン加速）電圧は８０〜１４０Ｖである。例文帳に追加

In the plasma treatment, the DLC coating film is irradiated with plasma with an adjusted amount of ions of 1.30×10^16 to 1.85×10^17 ions/cm^2 at a bias (ion acceleration) voltage of 80-140 V. - 特許庁

MS分析時に、質量走査を行うように前段四重極３を駆動するとともに、イオンガイド５にはイオンを加速させる直流バイアス電圧を印加することで、前段四重極３で選択されたイオンをCIDガスに衝突させプロダクトイオンを生成する。例文帳に追加

In the case of MS analysis, a pre-stage quadrupole 3 is driven to perform a mass scan and by applying to an ion guide 5 a DC bias voltage for accelerating ions, the ion selected by the pre-stage quadrupole 3 collides with a CID gas, thereby producing a product ion. - 特許庁

エミッタ領域２ｅ及びコレクタ領域２ｃの形成に当たっては、二次イオン質量分析器（ＩＭＡ）により加速電圧を２０ｋＶ、イオン電流を１０μＡとして、希ガス元素のイオンであるＡｒ^+及びＨｅ^+を２時間程度、Ｓｉ基板１の２箇所にイオン照射する。例文帳に追加

When forming the emitter region 2e and the collector region 2c, the acceleration voltage is set at 20 kV and the ion current is set at 10 μA by a secondary ion microanalyzer (IMA) and the two points on the Si substrate 1 are irradiated with Ar^+ and He^+, which are rare gas element ions, for about two hours. - 特許庁

セクターサイクロトロンの電磁石配列において、誘導電圧により荷電粒子ビームを加速する誘導加速セクターサイクロトロンを提供し、さらにクラスターイオンも効率的かつ現実的に繰り返し加速できる荷電粒子ビームの加速方法を提供する。例文帳に追加

To provide an induction acceleration sector cyclotron which accelerates charged particle beams by an induced voltage in the electromagnet arrangement of sector cyclotron, and to provide the acceleration method of the charged particle beams capable of efficiently and realistically conducting the repeated acceleration of also cluster ions. - 特許庁

次に、２つ分割された構成を有する、分割加速グリッド１１６ａ、１１６ｂに、イオンを射出する方向に電圧勾配を与えて、イオンを射出させる。例文帳に追加

Then, a voltage gradient is given to divided acceleration grids 116a and 116b having two divided structures in a direction for emitting ions to emit ions. - 特許庁

電子サイクロトロン共鳴によるプラズマ源と引き出し電極でイオン源を構成することで、広い面積にわたり均一で平行性のよい低加速電圧のイオンビームを引き出すことができる。例文帳に追加

By composing an ion source by a plasma source due to electron cyclotron resonance and an extraction electrode, a low-acceleration voltage ion beam that is uniform and has improved parallelism over a wise area can be drawn. - 特許庁

イオンビーム走査装置のイオンビームの加速電圧、大きさ及び入射時間とを調節して半導体基板に所望の直径及び深さを有するクアンタムホールを形成する。例文帳に追加

The accelerating voltage, the size and the incident time of an ion beam of an ion beam scanning device are adjusted to form quantum holes having a desired diameter and depth in a semiconductor substrate. - 特許庁

核融合装置の中性粒子入射装置における電極間放電破壊による異常電圧の抑制装置を備えたイオンビーム加速部付きイオン源例文帳に追加

ION SOURCE WITH ION BEAM ACCELERATING PART INCLUDING SUPPRESSOR FOR ABNORMAL VOLTAGE DUE TO INTERELECTRODE BREAKDOWN IN NEUTRAL PARTICLE INJECTION DEVICE OF NUCLEAR FUSION APPARATUS - 特許庁

水素イオン２３及び希ガスイオン２２を含むプラズマを生成し、スズ付着部材２１に負の電位が与えられるように部材と接地の間にプラズマを加速するための電圧を印加する。例文帳に追加

A voltage is applied between a member and a ground for plasma acceleration in a way that plasma including hydrogen ions 23 and rare gas ions 22 is generated and a negative potential is applied to a tin-attached member 21. - 特許庁

そのため、矩形波電圧の印加が停止され加速電場が形成された際のイオンのターンアラウンドタイムが短くなり、同一質量電荷比のイオンの飛行時間のばらつきが小さくなる。例文帳に追加

Accordingly, a turnaround time of ions in which the application of square wave voltage is halted and an acceleration electric field is thereby formed is shortened, and a variation in flight times of ions with the same mass-to-charge ratio is reduced. - 特許庁

又は、イオン電流密度を５μＡ／ｃｍ^２以上、２０μＡ／ｃｍ^２以下、加速電圧５０Ｖ以上、３００Ｖ以下でイオンビーム発生装置２３から酸素イオンビームを基板に向けて出射すると共にニュートライザー２４により酸素イオンビームを無帯電気体化し、気化させた成膜材料を無帯電気体化した酸素で加速して基板に付着させる。例文帳に追加

Oxygen ion beams are emitted against the substrate from an ion beam generator 23 with the ion current density of ≥5 μA/cm^2 and ≤20 μA/cm^2 and the acceleration voltage of ≥50 V and ≤300 V, oxygen ion beams are non-charge gasified by a neutralizer 24, and the vaporized film deposition material is accelerated by non-charge gasified oxygen and deposited on the substrate. - 特許庁

ウェルの形成を、第１の方向からの所定の入射角度および加速電圧、ドーズ量による第１の不純物イオン注入と、第１の方向と平面視で１８０度異なる第２の方向からの、第１の不純物イオン注入と同じ入射角度および加速電圧、ドーズ量による第２の不純物イオン注入の２回に分けて行う。例文帳に追加

The well is formed in two times of first impurity ion implantation by the prescribed incident angle from a first direction, an acceleration voltage and a dosage; and second impurity ion implantation by the same incident angle, acceleration voltage and dosage as the first impurity ion implantation from a second direction different from the first direction by 180 degrees in plane view. - 特許庁

針状部材２０６の先端部分に液体の分子種が供給され、引出電極２０２に負極の電圧を印加して分子種からトンネル効果により陽イオンをビーム状に発生させ、加速電極２０４に負極の電圧を印加して陽イオンを加速させ、中和電極２０５が発生する電子により陽イオンを中性の分子ビームに中和する。例文帳に追加

Molecular species of liquid are provided to the front end part of a spicular member 206 and the cathode voltage is applied to an extraction electrode 202 to generate a positive ion in beam shape from the molecular species with the tunnel effect then the cathode voltage is applied to an accelerating electrode 204 to accelerate a positive ion, the positive ion is neutralized into a neutral molecule beam by an electron to be generated from a neutralizing electrode 205. - 特許庁

閉じた電子ドリフトプラズマ加速器は、環状イオン化チャンバ(2)、イオン化チャンバ(2)と同軸上の加速チャンバ(3)、環状アノード(7)、中空カソード(8)、第1直流電圧源(82)、環状ガスマニフォールド(11)、磁気回路、および磁界発生器を含んでいる。例文帳に追加

This closed electron drift plasma accelerator comprises an annular ionization chamber 2, an acceleration chamber 3 on the same axis as the ionization chamber 2, an annular anode 7, a hollow cathode 8, a first DC voltage source 82, an annular gas manifold 11, a magnetic circuit, and magnetic field generators. - 特許庁

イオン源用加速管の内部で負イオンが残留ガスと衝突することにより生じた正イオンがシールド電極に流入して、シールド電極と引出電極との間の電圧を上昇させるのを防いで、両電極間で絶縁破壊が生じるのを防止すること。例文帳に追加

To avoid generation of inter-electrode dielectric breakdown by making cations generated by impacting anions to flow and residual gas in an acceleration tube into a shield electrode to prevent rise of voltage between the shield electrode and a drawing electrode. - 特許庁

そのため、m/zが大きなイオンほど試料２近傍に残ることになり、遅延時間ｔ経過後に試料プレート１への印加電圧がステップ状に上げられたとき（ｃ）、m/zの大きなイオンはm/zが小さなイオンに比べて相対的に大きな加速エネルギを受ける。例文帳に追加

Thereby, the ions with larger m/z remain the more in the vicinity of the sample 2, and when an impressing voltage on the sample plate 1 is raised in step wise after passage of a delay time t (c), the ions with larger m/z receive a relatively larger acceleration energy than the ions with smaller m/z. - 特許庁

加速器が、折り返し型タンデム加速器であるため、高電圧ターミナル部に１８０°分析電磁石を置き、高エネルギー側の加速管の入口部にエネルギー分析及び発散制限スリット機能を有するスリットを設置し、再度、単孔レンズ効果を有する加速管によりビームを加速するとともに、集束を行い、ＭｅＶ領域高エネルギーイオンナノビームを形成する。例文帳に追加

Since the accelerator is a folding type tandem accelerator, a 180° analysis electromagnet is arranged at a high voltage terminal part, and a slit having an energy analysis and diffusion restricting slit function is installed at the entrance part of the acceleration tube on high energy side, and once again the beam is accelerated by the accelerator having a single hole lens effect, and by focusing, an MeV region high energy ion nano beam is formed. - 特許庁

素子の製造等においてクラスターイオンを加速するに際し、加速電圧を変えることなくクラスターを構成する原子１個当たりのエネルギーを向上させることが可能となるクラスターのイオン化方法および装置、これらによりイオン化されたクラスターを用いた膜形成方法、エッチング方法、表面改質方法、洗浄方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for ionizing cluster capable of increasing the energy per atom constituting the cluster without changing the acceleration voltage when accelerating cluster ions in manufacturing elements or the like, and a method for forming a film using the cluster ionized thereby, an etching method, a surface modification method and a cleaning method. - 特許庁

このマスクを用いて、高ドーズ量および低加速電圧で行うイオン注入と、低ドーズ量および高加速電圧で行うイオン注入を連続して行うことによって、低耐圧横型トレンチＭＯＳＦＥＴのＬＤＤ領域と、トレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴのＬＤＤ領域とを同時に形成する。例文帳に追加

Ion implantation with a high dosage and a low acceleration voltage and ion implantation with a low dosage and a high acceleration voltage are successively performed using the mask to form an LDD (Lightly Doped Drain) region of the low-breakdown-voltage lateral trench MOSFET and an LDD region of the trench lateral power MOSFET at the same time. - 特許庁

イオン注入装置１０において、荷電粒子加速器３０を構成する高圧タンク（密閉容器）１８とその内部の高電圧発生部（高電圧ターミナル２０、高電圧発生装置２１）との間を電気的に絶縁するために、圧縮乾燥空気を高圧タンク１８内に充填する。例文帳に追加

In an ion implanting apparatus 10, compressed dry air is filled inside a high-pressure tank (sealed vessel) 18, in order to carry out electrical insulation between the high-voltage tank (sealed vessel) 18 constituting the electrically-charged particle accelerator 30 and the high-voltage generating sections (high voltage terminal 20, high-voltage generating device 21). - 特許庁

プラズマ（イオン）を発生させて、これを高電圧で加速してイオン流を形成し、これを基板に照射し、更に基板に線状レーザー光を照射するドーピング装置において、特に大面積基板を処理するのに適した装置を提案する。例文帳に追加

To provide a doping system generating plasma (ion), accelerating it by high voltage to form an ion current, irradiating a substrate with it and furthermore, irradiating the substrate with a linear laser beam, and especially suitable for treatment of a wide area substrate. - 特許庁

ＥＣＲによってアルゴンガスがイオン化されて生成したプラズマ中のアルゴンイオンがターゲット電圧による電界によってスパッタカソード方向に加速され、スパッタカソード５に入射すると、アルミから成るスパッタ粒子がスパッタカソード５から基板６方向へと放出される。例文帳に追加

Argon ions in plasma generated through ionization of argon gas by an ECR are accelerated in the sputter cathode direction by the electric field by the target voltage, and made incident in the sputter cathode 5 to emit sputter particles consisting of aluminum from the sputter cathode 5 in the direction of a substrate 6. - 特許庁

プラズマイオンを発生させたのち、高電圧にて加速されたイオン流が基板にドーピングされる装置において、大面積表示素子用基板、あるいは小面積表示素子が連なった一枚の基板を一度に大量にドーピングすることが困難である。例文帳に追加

To solve the problem that it is difficult to massively dope at once a substrate for large-area display elements or a substrate having connected small-area display elements in an apparatus for doping the substrate with an ion flow accelerated by a high voltage after generating plasma ions. - 特許庁

シリコン基板にβ鉄シリサイド領域をスパッタ法を用いて作製する際、スパッタリング収率を２．４以上に設定するような、イオンの種類及びその加速電圧、装置内の圧力、イオンの入射角、またはその組み合わせの条件を設定する。例文帳に追加

When the β iron silicide region is manufactured on the silicon substrate by using a sputtering method, the conditions of the type of ion and its accelerating voltage, a pressure in an apparatus, an incident angle of ion or their combination are set to set a sputtering yield to 2.4 or more. - 特許庁

集束イオンビームでＴＥＭ観察用の薄片化試料を作製し、低加速電圧の気体イオンビームで試料表面のダメージ層を除去する装置において、電子顕微鏡と試料とを最適な距離に配置すること。例文帳に追加

To arrange an electron microscope and a sample so that the distance therebetween is optimum, in a device which prepares a thin sample by focused ion beam for use in observation by a transmission electron microscope (TEM) and removes a damaged layer on the sample surface using a gaseous ion beam at a low acceleration voltage. - 特許庁

高電圧にて加速したイオン流の形状を断面が縦横比で１以上10000（10000対１）以下の線状とし、基板を前記イオン流の長手方向と概略垂直な方向に10mm/sec以上1000mm/sec以下の速度で移動させることにより、ドーピングをおこなうことを特徴とする。例文帳に追加

An ion flow accelerated by a high voltage is formed into a linear shape of an aspect ratio of 1-10000 (10000:1) in section, and a substrate is moved at a speed of 10-1000 mm/sec approximately vertically in the lengthwise direction of the ion flow to dope the substrate. - 特許庁

オン状態では電流を流すとともに、オフ状態では空乏化するｎドリフト領域２２ａ、ｐ仕切り領域２２ｂのうち少なくとも一方、例えばｐ仕切り領域２２ｂを、イオン注入、特に加速電圧を連続的に変えたイオン注入で形成する。例文帳に追加

In this manufacturing method, in an on-state, a current flows, and in an off-state, at least one of a depleting n drift region 22a and p partition region 22b, for example, the p partition region 22b is formed with ion implantation, in particular, ion implantation in which an accelerating voltage continuously changes. - 特許庁

オン状態では電流を流すとともに、オフ状態では空乏化するｎドリフト領域２２ａ、ｐ仕切り領域２２ｂのうち少なくとも一方、例えばｐ仕切り領域２２ｂを、イオン注入、特に加速電圧を連続的に変えたイオン注入で形成する。例文帳に追加

At least one of n drift 22a and a p partition 22b, for example, the p partition 22b in which a current flows in an on-state while being depleted in an off-state is formed by ion implantation, more particularly, by ion implantation in which an accelerating voltage is continuously changed. - 特許庁

前記浮上面保護膜101の一部を除去する工程において、イオンビームの照射角が、磁気ヘッドスライダ浮上面法線から60度以上であり、イオンビームの加速電圧が300Ｖ以下であるとき、高い緻密性及び被覆性を得ることができる。例文帳に追加

In the process of removing a part of the floating plane protection film 101, when the irradiation angle of the ion beams is ≥60° from the normal line of the floating face of the magnetic head slider and acceleration voltage of the ion beams is ≤300 V, high denseness and covering properties can be obtained. - 特許庁

常温および常圧で気体状の酸素の塊状原子集団または分子集団であるガスクラスターを形成し、これに電子を浴びせて生成したクラスターイオンを加速電圧によって加速し、基板表面に照射して基板と反応させ基板表面に反応薄膜を形成する。例文帳に追加

This method of forming the reacted thin film comprises forming gas clusters at ordinary temperature and under normal pressure, which are atomic or molecular assembly of gaseous oxygen, accelerating the cluster ions generated by means of bombarding the gas clusters with electrons by accelerating voltage, irradiating the surface of the substrate with the cluster ions, and reacting them with the substrate to form a reacted thin film on the surface of the substrate. - 特許庁

チャネル保護膜下以外の領域における真性アモルファスシリコンからなる半導体層の深さ方向にリンイオンを低加速電圧で十分に注入する。例文帳に追加

To sufficiently implant sulfuric ions at a low acceleration voltage in the depth direction of a semiconductor layer of intrinsic amorphous silicon, in a region other than a channel protective film. - 特許庁

プラズマ中のイオンは，処理室１０２中の電界の変化に追従せずに，自己バイアス電圧によって加速されて下部電極１０６上のウェハＷにのみに衝突する。例文帳に追加

Ions in plasma will not follow to changes in electric field but is accelerated by self-bias voltage to collide with only the wafer W on the electrode 106. - 特許庁

電離させた軽イオンを電圧で加速させて半導体基板に注入し、半導体基板の選択的ライフタイム制御をおこなう遮蔽マスク、およびそのような遮蔽マスクを用いた半導体製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a shielding mask wherein ionized light ions are accelerated by a voltage and implanted in a semiconductor substrate, and selective life time control of a semiconductor substrate is performed, and a semiconductor manufacturing equipment using the shielding mask. - 特許庁

そして、高電圧をかけることによって加速したアルゴンプラスイオン（Ａｒ^＋）をバフ研磨後の金属製建具の表面に照射してシリコン等からなるバフ研磨剤（バフかす）を除去する。例文帳に追加

Then, the surface of the metallic fittings after buffing is irradiated with the argon plus ion (Ar^+) accelerated by applying a high voltage to remove the buffing compound (buffing grouts) made of silicon or the like. - 特許庁

Ｓi(111)基板（下地基板）１０に、略常温で水素イオン（Ｈ^+ ）を１×１０^16／cm^2 のドーズ量で、加速電圧１０ｋｅＶのエネルギーで注入する。例文帳に追加

Hydrogen ions (H+) are implanted into an Si(111) substrate (ground substrate) 10 in a dose amount of 1×1016/cm2 at nearly ordinary temperature with an energy of 10 keV acceleration voltage. - 特許庁

ガラス基板表面から異物を除去する方法であって、前記ガラス基板表面に対して、加速電圧５〜１５ｋｅＶでガスクラスタイオンビームエッチングを施すことを特長とするガラス基板表面から異物を除去する方法。例文帳に追加

The method for removing foreign matter from a glass substrate surface includes subjecting the glass substrate surface to gas cluster ion beam etching at an accelerating voltage of from 5 to 15 keV. - 特許庁

イオンビーム加速器の高電圧ターミナル内の負荷の駆動及び非駆動の選択を、外部から光信号を用いることなく行い得るようにすること。例文帳に追加

To enables it to perform selection of driving or not driving of a load in a high-voltage terminal of an ion beam accelerator without using an optical signal from outside. - 特許庁

その際、厚さ方向に金属イオンの濃度勾配を加速電圧及び注入量を制御することにより意図的にもうけて、バンドギャップもしくは電位勾配を厚さ方向に変化させた構造を有する薄膜を提供する。例文帳に追加

The concentration gradient of the metal ion in the thickness direction is intently generated by controlling the acceleration voltage and injection amount of the metal ion so that the thin film has a structure in which a band gap or potential gradation is changed in the thickness direction. - 特許庁