「コンタクト検層」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

センサは、２つの第一コンタクト電極及び２つの第二コンタクト電極を含み、第一コンタクト電極は、抵抗層上に配置されて、感応性領域内で第一コンタクト電極間に第一検出領域を画定し、第二コンタクト電極は一部が本体の底面の感応性領域内に配置され、感応性領域内の第二電極の表面が、第一検出領域にオーバーラップする第二検出領域を画定する。例文帳に追加

The sensor includes two first contact electrodes and two second contact electrodes, wherein the first contact electrodes are placed on the resistive layer to define a first detection area in the sensitive area between the first contact electrodes, and the second contact electrodes are placed partially in the sensitive area on the bottom surface of the body, and the surfaces of the second electrodes in the sensitive area define a second detection area that overlaps with the first detection area. - 特許庁

電子放出層４に達した検出光の一部は、コンタクト層５の貫通孔５ａに向かって進む。例文帳に追加

A part of the detecting light reaching the electron emitting layer 4 advances toward a through hole 5a of a contact layer 5. - 特許庁

ウエハ一括コンタクトボード用多層配線基板、該多層配線基板に接続するコネクタ、及びそれらの接続構造、並びに検査装置例文帳に追加

MULTILAYER INTERCONNECTION BOARD FOR WAFER COLLECTIVE CONDUCT BOARD, CONNECTOR CONNECTING TO IT, CONNECTION STRUCTURE FOR THEM, AND INSPECTING DEVICE - 特許庁

この検査パッド１４上にも同様に不導体層１０を形成し、その形成良否をプローブカードのコンタクト前に検査する。例文帳に追加

The method also includes a step of forming the non-conductor layer 10 similarly on the inspecting pad 14, and inspecting of whether the formation is good or not before the contact with the probe card. - 特許庁

光検出器は、光が電気的出力に変換される光検出器活性層３６を含むほぼ平面状の半導体層の組合せを含むとともに、第１外側電気的コンタクト層３４と第２外側電気的コンタクト層４２とを含む。例文帳に追加

The light detector 20 includes the combination of almost plane-shaped semiconductor layers including a light detector activating layer 36 in which lights are converted into electric outputs, and also includes a first outside electric contact layer 34 and a second outside electric contact layer 42. - 特許庁

そして、発熱部と検出電極との間に介在される層間絶縁膜に、基板及び層間絶縁膜よりも熱伝導率の高い材料が充填された複数のコンタクトホールが設けられ、各検出電極は互いに異なる発熱素子とコンタクトホールを介して接続されている。例文帳に追加

Furthermore, in an interlayer insulating film interposed between the heating section and the detection electrode, a plurality of contact holes filled up with a material having a thermal conductivity higher than those of the substrate and the interlayer insulating film are disposed, and respective detection electrodes are connected through the heating elements and the contact holes different from each other. - 特許庁

ニードルカード１が検査ヘッド５に対するコンタクトインタフェースとして用いられる基板３に接続されている、ニードルカードのニードルセット６をコンタクト形成すべきウェハ８に関連して平坦化するためのニードルカード調整装置を一層簡単に調整できるようにする。例文帳に追加

To adjust a needle card adjusting device for flattening, in relation to a wafer 8 to be contactedly formed with the needle set 6 of a needle card 1, connected with a substrate 3 which is used as a contact interface to an inspection head 5, more simply. - 特許庁

アバランシェ光検出器は、基板Ｓ上に積層されたコレクター層Ｃとエミッタ層(トップコンタクト層)Ｅ間にエミッタ光吸収層１０２を備え、光吸収層１０２とコレクター層Ｃ間に電荷層１０３，１０７、増幅層１０４、１０８及び電子コンタクト層１０５で構成されたアバランシェ利得構造層が２層設けられている。例文帳に追加

The avalanche photodetector has an emitter light absorption layer 102 between a collector layer C and an emitter layer (top contact layer) E formed on a substrate S wherein two avalanche gain structure layers comprising charge layers 103 and 107, amplification layers 104 and 108 and an electron contact layer 105 are formed between the light absorption layer 102 and the collector layer C. - 特許庁

導電膜と絶縁膜が交互に積層された積層体に形成されたコンタクトホールの異常を検出できる検査装置及び検査方法を提供する。例文帳に追加

To provide an inspection device and an inspection method, capable of detecting abnormality of a contact hole arranged in a laminate body formed by alternately laminating a conductive film and an insulating film. - 特許庁

層間絶縁層におけるコンタクトホールを形成した領域での膜残りを検出し、且つ層間絶縁層の膜残りの厚みを精度良く求める。例文帳に追加

To detect residue of film in a region in which a contact hole is formed in an interlayer insulation layer, and to accurately obtain thickness of residue of film of the interlayer insulation layer. - 特許庁

第１層間膜形成及びコンタクトホール形成工程（Ｓ１）後に、検査用マスクの第１金属配線を形成（Ｓ８）し、プローブを用いたインライン検査（Ｓ７）によりリーク電流検査や機能検査を行う。例文帳に追加

Following to a step (S1) for forming a first interlayer film and making contact holes, a first metallization for inspection mask is formed (S8) and leak current test or function test is conducted by inline test using a probe (S7). - 特許庁

絶縁性基板１上には、格子状に形成されたゲート電極２およびデータ電極３に接続され、格子毎に設けられたＴＦＴ９と、ＴＦＴ９上に形成され、コンタクトホール１２が貫通した層間絶縁膜１０と、層間絶縁膜１０上に配され、コンタクトホール１２を貫通する検出電極１１とが形成されている。例文帳に追加

A TFT 9 which is connected to a gate electrode 2 and a data electrode 3 formed in a grid shape and which is arranged at each grid, an inter-layer insulating film 10 which is formed on the TFT 9 and penetrated by a contact hole 12 and a detection electrode 11 which is disposed on the inter-layer insulating film 10 and penetrates the contact hole 12 are formed on an insulating substrate 1. - 特許庁

ウェハプロセス投入前に、デバイスを形成するウェハのコンタクト層６の一部を除去して開口部１１を形成し、開口部１１から励起レーザ９を入射して活性層３のＰＬ波長検査を行う。例文帳に追加

Prior to putting the wafer into the wafer process, one part of a contact layer 6 of the wafer forming a device is eliminated to form an opening 11, and an excitation laser 9 is applied from the opening 11 to perform PL wavelength inspection for the active layer 3. - 特許庁

絶縁層へのコンタクトホール形成時における、導電層の浸食や破損の抑制された電界効果型トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、表示装置、及び電磁波検出器を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a field-effect transistor which suppresses erosion or damage of a conductive layer upon formation of a contact hole to an insulating layer, and to provide the field-effect transistor, a display device, and an electromagnetic wave detector. - 特許庁

ここで、コンタクト層の上面のうち、入射側電極Ｐ１に覆われていない部分に凹部４を設け、受光対象光Ｌを光検出層１に好ましく到達させる構造とする。例文帳に追加

A part of the upper surface of contact layer which is not covered with the incident side electrode P1 is provided with a recessed part 4, so that the light L which is received is preferably made incident to the optical detection layer 1. - 特許庁

所定の電極材間（２２と２０との間、２０と２１との間及び２１と２３との間）の抵抗値を検出し、これら検出結果に基づいて、コンタクト抵抗、拡散層１６〜１８のシート抵抗及び幅寸法の誤差を算出する。例文帳に追加

Resistances between specific electrode materials (between 22 and 20, 20 and 21, and 21 and 23) are detected and based on these detection results, contact resistance, sheet resistance of diffusion layers 16-18 and error of width dimension thereof are calculated. - 特許庁

ウエハ上における非導通コンタクト孔２や突抜け欠陥位置と大きさ及び欠陥層の厚さが明確なサンプルを作成し、これを評価することによって、検査装置の検査条件を適正化する。例文帳に追加

Inspection conditions of an inspection apparatus are made proper by creating a sample where a nonconductive contact hole 2 on a wafer through defect position and size thereof, and the thickness of a defect layer are clear, and by evaluating the sample. - 特許庁

本発明は金属膜と保護用導電膜の積層膜でなるFPCコンタクトの構造であって、異方性導電膜に含まれる導電性粒子が前記金属膜と電気的な接続に必要な幅よりも広く、検査装置の電極の幅よりも狭い間隔を有するスリット状の保護用導電膜で構成され、前記透明電極膜と前記金属膜の双方で前記FPCと電気的に接続できることを特徴とするコンタクト構造と前記コンタクト構造を有する表示装置。例文帳に追加

In this contact structure, electrical connection can be made with the FPC by both a transparent electrode film and the metallic film, and this display device has the contact structure. - 特許庁

フィルタ部３および半導体光検出器２はｐ型コンタクト層１の表面にこの順に重ね合わせて面発光型半導体レーザ１と共に一体に形成されている。例文帳に追加

The filter 3 and the semiconductor photodetector 2 are formed superimposed with the surface-emitting semiconductor laser 1, in this order, on the surface of the p-type contact layer 17. - 特許庁

層間絶縁膜３を開口してコンタクトホール４を形成する際、位置検出溝１０と、その内側に平坦化抑制溝２０とを形成する（図２（ａ））。例文帳に追加

When an interlayer insulation film 3 is made open to form a contact hole 4, a position detection groove 10 is formed and a planarization suppressing groove 20 is formed inside it (Fig. 2 (a)). - 特許庁

半導体光検出器１０はｎ型半導体基板１１上に、光検出層１２、多層膜半導体層１３およびｐ型コンタクト層１４をこの順に積層して構成されており、面発光型半導体レーザ２０と共に一体に形成されている。例文帳に追加

A light detecting layer 12, a multilayered film semiconductor layer 13, and a p-type contact layer 14 are laminated in this sequence on an n-type semiconductor substrate 11 for the formation of a semiconductor photodetector 10, and the semiconductor photodetector is formed integrally with a surface-emission semiconductor laser 20. - 特許庁

絶縁層２０は、半導体光検出素子１０のｐ型コンタクト層１３上に形成されたＡｌＡｓ層に含まれる高濃度のＡｌを酸化することにより形成されたものであり、金属層３０によって半導体レーザ素子４０に貼り合わされている。例文帳に追加

The insulating layer 20 is formed by oxidizing Al of high concentration contained in an AlAs layer formed on a p-type contact layer 13 of the semiconductor light detecting element 10, and stuck on the semiconductor laser element 40 with the metal layer 30. - 特許庁

検査パターン５０１は、複数の下層配線５０２と、複数の上層配線５０３と、下層配線５０２と上層配線５０３との間に備えられた絶縁層５０４と、上層配線５０３と下層配線５０２とが交互に直列に接続されたコンタクトチェーンを構成するように上層配線５０３と下層配線５０２とを電気的に接続する複数のコンタクトユニット５０５と、１対の電極端子５０６，５０７とを有する。例文帳に追加

The inspection pattern 501 is provided with multiple lower wirings 502, multiple upper wirings 503, an insulating layer 504 disposed between the lower wring 502 and upper wiring 503 and multiple contact units 505 with electrically connect upper wiring 503 and lower wiring 502, so that a contact chain where upper wirings 503 and lower wirings 502 are mutually connected in series and a pair of electrode terminals 506 and 507. - 特許庁

感圧抵抗体及び感温抵抗体を備えるＳｉ半導体基板を用いた圧力検出素子において、コンタクトホールを介した、抵抗体と配線層とを確実に接続するとともに、信頼性の高い配線層を形成した圧力検出素子を提供する。例文帳に追加

To provide a pressure detecting element using a Si semiconductor substrate equipped with a pressure-sensitive resistor and a temperature-sensitive resistor wherein the resistor and a wiring layer are properly connected through a contact hole and a reliable wiring layer is formed. - 特許庁

検査用パッド３は複数のメタル層からなっており、各メタル層同士を接続するコンタクト５は、少なくとも一対の相対向するメタル層において回路領域１から遠い領域である先端部３ｂのみに形成されている。例文帳に追加

The inspection pad 3 comprises a plurality of metal layers, and a contact 5 connecting the metal layers is formed on only an edge part 3b being an area remote from the circuit area 1 in at least a pair of the opposite metal layers. - 特許庁

水素を検出可能な半導体ダイオードが、半導体基板と、この半導体基板上に形成された、式：ＸＹＺ（式中、ＸはIII族の元素、YはX以外のIII族の元素、ZはV族の元素である）を有する化合物からなるドープト半導体活性層と、活性層上に形成されたオーミックコンタクト層と、ショットキーバリアを提供するように活性層上に形成されたショットキーバリアコンタクト層と、を含む。例文帳に追加

The semiconductor diode capable of detecting hydrogen includes a semiconductor substrate, a doped semiconductor active layer, consisting of a compound having the formula XYZ (where X is a group III element, Y is a group III element other than X, and Z is a group V element), an ohmic contact layer formed on the active layer, and a Schottky barrier contact layer formed on the active layer so as to provide the Schottky barrier. - 特許庁

この半導体基板は、下地膜１１上に下層配線１３を有し、その上面に形成された層間絶縁膜１２には、コンタクトホール１４とともにその加工パターンの基準位置を示す位置検出溝１５がパターン形成されている。例文帳に追加

This semiconductor board includes an underlayer wire 13 on a base film 11, and a position detecting channels 15 indicating a reference position of the processing pattern as well as a contact hole 14 is pattern-formed on an interlayer insulation film 12 formed on the upper surface. - 特許庁

ＭＯＳトランジスタＭ１及び第１層配線ＩＬ１及びコンタクトホール群Ｈ１０及び第２層配線ＩＬ２とを備えたプラズマダメージ検出装置ＰＤ１を、製品ウェハの一部に製品ウェハの製造と同時に作り込む。例文帳に追加

A plasma damage detecting device PD1 provided with a MOS transistor M1, first-layer wiring IL1, a contact hole group H10, and second-layer wiring IL2 is simultaneously formed in part of a product wafer at the time of manufacturing the wafer. - 特許庁

圧力検出素子１００は、感圧抵抗体１１３及び感温抵抗体１１４と、コンタクトホール１１５Ｃ，１１５Ｄが穿孔された絶縁層と、抵抗体の上面１１３Ｕ，１１４Ｕに接続する配線層１１６と、を有するＳｉ半導体基板を備える。例文帳に追加

The pressure detecting element 100 has the Si semiconductor substrate including the pressure-sensing resistor 113 and the temperature-sensitive resistor 114, an insulating layer in which contact holes 115C, 115D are bored, and a wiring layer 116 connected to upper surfaces 113U, 114U of the resistors. - 特許庁

このような方法を採ることで、検出素子４を持ち上げる必要がなくなることから、他の部材（セラミックスリーブ６、粉末充填層１０８、主体金具１０２など）が一体に組み付けられた検出素子４についても、コンタクト挿通孔８４の内部に配置させることが可能となる。例文帳に追加

Since the detecting element 4 is not required to be lifted up by adopting a method herein, even the detecting element 4 assembled with the another member (ceramic sleeve 6, powder filled layer 108, main metal 102 or the like) can be arranged in the inside of the contact through hole 84. - 特許庁

有機高分子からなる微粒子４ａの層４を形成する工程と、前記微粒子４ａの周りに導電性高分子のモノマーを含む電解液６を存在させ、前記モノマーを電解重合する工程とを含む配線基板１４の検査用コンタクトピン１の製造方法である。例文帳に追加

This manufacturing method includes the step of forming a layer 4 of fine particles 4a made of an organic polymer, and a step of carrying out the electrolysis polymerization of a monomer while an electrolytic solution 6 containing a monomer of a conductive polymer 5 around the fine particles 4a exists. - 特許庁

検査では、電極端子５０６，５０７間に電圧を印加し、コンタクトチェーンに流れる電流を測定して印加電圧対測定電流特性を取得し、これを予め決められた基準特性と比較することによって、多層配線構造の潜在不良の有無を判定する。例文帳に追加

In inspection, voltage is applied between the electrode terminals 506 and 507, current flowing into the contact chain is measured, and an applied voltage couple measurement current characteristic is obtained; it is compared with a reference characteristic which is previously decided, and thus, the presence of the latent failure in multilayer wiring structure is determined. - 特許庁

ここでは、ダミー電極８と配線層５を繋げるコンタクト孔６１の段差を反映させた絶縁膜９の被覆状態が、検出電極７上部の絶縁膜の厚さＴ３０よりも、ダミー電極８上部の絶縁膜の厚さＴ３１が小さくなるように構成されている。例文帳に追加

The covering state of an insulating film 9 reflecting a step in a contact hole 61 linking the dummy electrode 8 to a wiring layer 5 is such that the thickness T3 of the insulating film on top of the dummy electrode 8 is smaller than the thickness T30 of the insulating film on top of the detecting electrode 7. - 特許庁

本発明の竹の子状コンタクトの製造方法は、電子機器または検査装置の電極と電気的に導通するコンタクトの製造方法であって、金型により樹脂型を形成する工程と、樹脂型に金属材料からなる層を電鋳により形成する工程と、金属材料からなる層に凸加工を施すことにより、外部に竹の子状に突出するスパイラルスプリングを形成する工程とを含むことを特徴とする。例文帳に追加

In the method for manufacturing the contact electrically conducted to an electrode of an electronic instrument or an inspection device, there are provided a process to form a resin mold by a metal mold, a process to form layers composed of metal materials by electrocasting and a process to form a spiral spring protruding outside in a telescopic state by applying projection processing to the layer composed of the metal material. - 特許庁

入出力セル３０１において、距離Ｌ２を十分に取り、第１の電源幹線１２３を下げて、プローブ検査用パッドの一部を積層化するための第２層プローブ検査用パッドメタル３００と、そのプローブ検査用パッドの第３層と第２層とを接続するためのコンタクト３１０とを配する。例文帳に追加

A second layer probe inspection pad metal 300 for laying a part of probe inspection pad in layer by lowering a first power supply main line 123 while ensuring a sufficient distance L2, and a contact 310 for touching the third and second layers of that probe inspection pad are arranged in an I/O cell 301. - 特許庁

本発明は、検査基板上の上層から下層に達する開口の内部を表示する検査装置に関し、試料にバイアス電圧をかけることによりアスペクト比が高く、直径の小さい２次電子像では観察不可能なコンタクトホールの像を下層電流像から高分解能、かつ安定に観察することを目的としている。例文帳に追加

To observe, at high resolution and stability, the image of a contact hole from a lower-layer current image which can not be observed using a secondary electron image of high aspect ratio and small diameter, related to an inspecting device which displays the inside of an opening reaching to a lower layer from an upper layer on an inspection substrate. - 特許庁

光励起によって光電流に係るキャリアを発生するＧａＮ系結晶層を光検出層１として、受光対象光Ｌが入射する側には、ＧａＮ系結晶からなりオーミック電極を形成し得るコンタクト層３を介して、入射側電極Ｐ１をオーミック電極として設ける。例文帳に追加

With a GaN crystal layer, which generates a carrier related to an optical current under optical excitation as an optical detection layer 1, an incident side electrode P1 is provided as an ohmic electrode on the side irradiated with a light L which is received through a contact layer 3 composed of GaN crystal and capable of forming an ohmic electrode. - 特許庁

前面板１の表示材料側に接着層を介して導電性フィルム１７を具備する剥離フィルムを張り合わせて検査プレート４の上に載置し、プローブ２とプローブ３をそれぞれ透明電極部１３と導電性フィルム１７に電気的にコンタクトさせ、駆動電圧発生装置６より、駆動電圧を電極間に印加することにより欠陥検査を行う。例文帳に追加

The peeling film having a conductive film 17 is stuck on a display material side of the front plate 1 across an adhesive layer and the front plate 4, is mounted on an inspection plate 4; and a probe 2 and a probe 3 are brought into electric contact with the transparent electrode 13 and conductive film 17, and a driving voltage generating device 6 applies a driving voltage between electrodes to perform defect inspection. - 特許庁

導電性を持つシリコン層と、その上に積層された酸化シリコン膜と、を備えた基板に対して電子線を照射し、当該基板から放出される２次電子の数を検出すると共に、基板を水平方向に移動させることにより、酸化シリコン膜内のコンタクトホールに埋め込まれた金属配線と前記シリコン層とが電気的に接続されているか否かを検査するにあたり、酸化シリコン膜のチャージアップを抑えることのできる技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technology capable of suppressing charge-up of a silicon oxide film when inspecting whether metal wires embedded in contact holes in a silicon oxide film are electrically connected to a conductive silicon layer by irradiating electron beams to a substrate equipped with the conductive silicon layer and a silicon oxide film placed on it, detecting the number of secondary electrons emitted from the substrate, and horizontally moving the substrate. - 特許庁