「スパター」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

開口パターンを連続的に離散配置したマスクレイアウトにおいて、パターンピッチＰを０．６９λ／ＮＡ≦Ｐ≦０．８５λ／ＮＡ（ここで、λは露光光波長、ＮＡは投影レンズの開口数）とすることで、選択的に大開口部を有するシェブロンパターンを有するデバイスパターンを制御性よく形成することができる。例文帳に追加

In a mask layout having aperture patterns continuously and discretely disposed, a device pattern having a chevron pattern selectively having a large aperture part can be formed with high controlling property by specifying the pattern pitch P to satisfy 0.69λ/NA≤P≤0.85λ/NA, wherein λ is the exposure light wavelength and NA is the numerical aperture of a projection lens. - 特許庁

パルスパターンプレートに摺接する回転角度検出用のグランド用ブラシ４６と、モータ２０の駆動制御を行う制御基板６０と、を備えるモータアクチュエータ１０において、グランド用ブラシ４６は、制御基板６０に接続されると共に、グランド用ブラシ４６には放熱面積を増加させるための放熱用孔４６ｅ、放熱用フィン４６ｆが設けられた。例文帳に追加

In the motor actuator 10 comprising: a brush 46 for grounding to detect a rotation angle brought into slide contact with a pulse pattern plate; and a control board 60 for drive-controlling a motor 20; the brush 46 is connected to the board 60, and the brush 46 has a heat sink hole 46e for increasing a heat sink area and fins 46f for the heat sink. - 特許庁

プリント板４にアースパターン４４を有するスルーホール４１を設け、ケーブル側コネクタ２をプリント板側コネクタ１へ挿入して嵌合した状態で、ロック用ランス２２がアース接触片１４を押してスルーホール４１へ落ち込んでケーブル用コネクタ２をロックすると同時にシールドアースの接触を確実にする。例文帳に追加

A printed board 4 is provided with a through-hole 41 having an earth pattern 44, and a locking lance 22 is led to fall into the through-hole 41 pushing an earth contact piece 14 to lock a cable connector 2 as well as to secure contact of shielding earth, in a state where a cable side connector 2 is insertion-coupled with a printed board side connector 1. - 特許庁

電子メールを配信するサーバ１は、各ユーザのための送信先として、ユーザが任意に決められる部分を持つ複数の送信先を受信する事ができ、伝送路からメールを受信すると、メール受け付け部３において、メールから送信アドレスを抽出し、それを処理内容記憶部２のテーブル２ａに記憶されているアドレスあるいはアドレスパターンと照合する。例文帳に追加

Plural transmitting destinations with parts which can be optionally decided by a user are received as the transmitting destinations for each user, when a mail is received from a transmission line, a transmitting address is extracted from the mail at a mail accepting part 3 and collected with an address or an address pattern stored in a table 2a of a processed contents storage part 2 by a server 1 to distribute an electronic mail. - 特許庁

画像処理部３内のＣＰＵ３１により、画像撮像部２で撮像された半導体ウェハのデバイスパターンである画像データの明るさのばらつきを計算し、明るさの分布幅Ｄと中央値Ｍを求め、所定の分布幅Ｄ２と中央値Ｍ２となるように補正し、画像データの明るさのばらつきを補正する。例文帳に追加

A CPU 31 in an image processing section 3 calculates variation in the brightness of image data, i.e. the device pattern of a semiconductor wafer picked up at an image pickup section 2, finds the distribution width D and the central value M of brightness, and corrects them to have specified distribution width D2 and central value M2, thus correcting variation in the brightness of the image data. - 特許庁

空気熱交換器の吹出側に空気熱交換器を通過する空気に対して障害物となるものを設置する構成とした場合に、風速分布を詳細に調べることなく、決めることが可能な空気熱交換器のパスパターンを設定して、熱交換効率を向上させることを可能にしたヒートポンプ給湯機及び冷凍機器を提供する。例文帳に追加

To provide a heat pump water heater and a refrigerating apparatus, capable of improving heat exchange efficiency by setting a path pattern of an air heat exchanger which can be determined without examining wind speed distribution precisely when adopting a configuration in which an obstacle to air passing through the air heat exchanger is installed on the blowout side of the air heat exchanger. - 特許庁

そして、この不揮発性メモリ１８に書き込まれた操作情報に基づいてＣＰＵ１１がＲＯＭ１３からシ-ケンスパターンを読み出す、あるいはサンプラを備える音源１５に対して音源用ＲＡＭに楽音波形を録音、あるいは音源用ＲＡＭ１６から再生を行って楽音を生成するように指示を与える。例文帳に追加

A CPU 11 reads a sequence pattern from a ROM 13, or indicates a sound source 15 equipped with a sampler to record musical sound waveforms in a RAM for a sound source, or to reproduce from a RAM 16 for a sound source to create musical sounds, on the basis of operation information written in the nonvolatile memory 18. - 特許庁

光反射型マスク１００は、基板１０１上に設けられ、かつ光を反射する反射層１０２と、反射層１０２上に設けられ、かつ光を吸収する吸収層１０５と、吸収層１０５の第１の領域に形成されたデバイスパターンと、吸収層１０５の第２の領域に形成された反射率測定パターンとを含む。例文帳に追加

A light reflecting mask 100 includes a reflecting layer 102 which is provided on a substrate 101 and reflects light, an absorbing layer 105 which is provided on the reflecting layer 102 and absorbs light, a device pattern which is formed in a first region of the absorbing layer 105, and the reflectance measuring pattern which is formed in a second region of the absorbing layer 105. - 特許庁

アクセスログの収集機能に加えて不正アクセスパターンを設定・管理する機能を加えてアクセスログから不正ユーザを検出するとともに、当該不正アクセスユーザの操作に対してさらに詳細のログ出力を実施したりアクセスごとに運用管理者にメール通知する機能を加える事で機密情報漏洩の拡大防止・未然防止につなげる事ができる。例文帳に追加

Expansion of confidential information leakage is prevented by detecting an unauthorized user from an access log by adding a function for setting/managing an unauthorized access pattern to a collecting function of the access log and adding a function for executing more minute log output to an operation by the unauthorized access user and informing an operation manager of the unauthorized access by every access by e-mail. - 特許庁

これらのモニタパターン１３ａ〜１３ｄは、ＳＴＩ表面１１上と活性領域表面１２上とにそれぞれ、ラインアンドスペースパターン及び孤立パターンとして形成され、また、ＳＴＩ表面１１と活性領域表面１２との境界線に対して幅方向のエッジをずらした状態で配列形成される。例文帳に追加

These monitor patterns 13a-13d are formed on both of the STI surface 11 and the active area surface 12 as a line and space pattern and an isolated pattern, and are also arrayed and formed with the edges in the width direction shifted with respect to the borderline between the STI surface 11 and the active area surface 12. - 特許庁

デバイス製造工程において、フォトリソグラフィー工程における露光装置のウエーハチャックの形状にバラツキがあっても高い歩留りでウエーハにデバイスパターンを形成することができるとともに、ＣＭＰを行う際にウエーハを均一な研磨代で研磨することができる半導体ウエーハを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor wafer in which a device pattern can be formed with a high yield even if the shape of a wafer chuck in an aligner varies in a photolithography process, and which can be polished with a uniform polishing margin at the time of performing CMP in a device manufacturing process. - 特許庁

最大波長が３５０ｎｍ〜４２０ｎｍのレーザー発振光源を用いたレーザー・ダイレクト・イメージング装置のみならず光源として超高圧水銀灯を用いた場合にも適し、精細なブラックマトリックスパターンを効率良く形成するのに有用で、かつ分散安定性に優れた黒色ペースト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a black paste composition suitable not only for a laser direct imaging device using a laser oscillation light source having a maximum wavelength of 350-420 nm but also for a case using an ultrahigh-pressure mercury lamp as a light source, useful for efficiently forming a fine black matrix pattern, and excellent in dispersion stability. - 特許庁

更に、第１の絶縁膜パターン９上に第４の絶縁膜１０を堆積させ、再びレジストパターン形成、スペーサ加工、及び異方性エッチング処理を施すことで、第１の絶縁膜パターン９のライン部にＦ／２の幅のスペース部を形成してパターンピッチＦのラインアンドスペースパターンを形成する。例文帳に追加

Further, a fourth insulating film 10 is deposited on the first insulating film pattern 9, a resist pattern is formed again, and spacer processing and anisotropic etching processing are performed to form a spacer part with the width F/2 on a line part of the first insulating film pattern 9 and form a line and spacer pattern with a pattern pitch F. - 特許庁

本発明によれば、第１の記録マークを形成するためのレーザビームのパルスパターンを、直後に設けられるブランク領域の長さや次の記録マークの長さの影響を考慮して最適化することができるので、高い線速度でデータの記録を行う場合であっても、再生時に良好な信号特性を得ることが可能となる。例文帳に追加

According to the invention, since the pulse pattern of the laser beam for forming the first recording mark is optimized in consideration of the effects of the length of the blank area disposed immediately after, and the length of the next recording mark, good signal characteristics are made obtainable during reproduction even when data is recorded at a high linear velocity. - 特許庁

２値の画像データに従って面積階調法による濃度表現を行う記録システムにおいて、量子化された画像データそれぞれに対し写像を行うことによって不規則データを発生する不規則データ発生手段３−５を設け、量子化後の画像データの値と、発生された不規則データに基づいて、ＩＮＤＥＸ手法による複数種類のマトリクスパターンのうちの１つを選択する。例文帳に追加

The recording system for performing density expression by an area gradation method according to a binary image is provided with irregular data generating means 3-5 for generating irregular data by performing mapping for each quantized image data, and one of a plurality types of matrix data is selected by the INDEX technique on the basis of values of the image data after quantization and the generated irregular data. - 特許庁

通常濃度のアルカリ現像液に適用でき、かつ通常のライン・アンド・スペースパターンにおいて、高解像度で矩形のレジストパターンを形成することができ、現像後にレジストパターン欠陥(橋架け(ブリッジング)、欠け）がなく、感度、現像性、寸法忠実度等にも優れる化学増幅型ネガ型レジストのためのネガ型感放射線性樹脂組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a negative type radiation sensitive resin composition for a chemical amplification type negative type resist applicable to an alkali developing solution of ordinary concentration, capable of forming a high resolution rectangular resist pattern with respect to an ordinary line-and-space pattern, free of resist pattern defects (bridging and chipping) after development and excellent also in sensitivity, developability, dimensional faithfulness, etc. - 特許庁

基板に供給される液体の力が小さい場合であっても基板の表面に付着したパーティクル等を十分に除去することができ、基板のデバイスパターンの破壊を抑制しつつ基板に対する洗浄性能を向上させることができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate cleaning device and a substrate cleaning method capable of sufficiently removing particles or the like adhering to a surface of a substrate even if a power of liquid supplied to the substrate is small and capable of improving cleaning performance for the substrate while preventing a substrate device pattern from being damaged. - 特許庁

ウイルスチェック装置は、通信ネットワーク或いはストレージデバイスから上記情報処理端末への入力データから、ウイルスをチェックするハードウェア回路を備え、該ハードウェア回路は、上記サーバ装置からの制御データに基づいて、該入力データと照合されるウイルスパターンを更新する制御部を有する。例文帳に追加

A virus check device is provided with a hardware circuit for checking the virus, from an input data from the communications network or the storage device to the information processing terminal, and the hardware circuit has a control part for updating a virus pattern collated with the input data, based on the control data from the server device. - 特許庁

交流電圧を生成するフルブリッジ構成の第２の電力変換器１４のパルスパターンを変更することで直流出力を生成可能とし、さらに第２の電力変換器１４の出力に切換手段を接続し、必要に応じて交流電力と直流電力を切り換えて出力することができるバッテリ内蔵型電力変換装置を提供する構成としたものである。例文帳に追加

There is provided a structure to form built-in battery type power converter which enables generation of a DC output by changing a pulse pattern of the second power converter 14 of the full-bridge structure to generate an AC voltage, and providing an output by switching the AC power and DC power depending on the requirement by connecting the switching means to the output of the second power converter 14. - 特許庁

エンボスパターンは、中央領域においては、前側領域側の所定の位置から長さ方向に延びる、物品の幅方向中心線に対向して形成される一対の前方サイドエンボスと、該前方サイドエンボスからわずかに離間した位置から、後側領域方向に延びる、中心線に対向して形成される一対の後方サイドエンボスとを有する。例文帳に追加

The embossed pattern, in its central region, is provided with a pair of front-side embosses extending from a predetermined position in the front side region in the length direction and formed to face the width directional center line of the article; and a pair of rear-side embosses extending from a position slightly separated from the front-side embosses and formed to face the center line. - 特許庁

入力された描画命令をビットマップに展開する際に、描画命令が指定する論理演算処理を、その対象となるソース、パターンおよび論理演算コードにより解析し、該解析結果に基づいて、前記ビットマップの各ピクセルに対応する付加情報用オペレートを作成し、これに基づいてピクセル毎の付加情報を作成する。例文帳に追加

In developing an inputted plotting instruction on a bit map, the logical operation processing specified by the plotting instruction is analyzed by a source, a pattern and a logical operation code which are objects of logical operation, additional information operation corresponding to each pixel on the bit map is prepared on the basis of the analysis results and the additional information of each pixel is prepared on the basis of the additional information operation. - 特許庁

第１の配線２の第１のパッド５と第２の配線３の第２のパッド６とに挟まれた第３の配線４に、予め絶縁体からなるシルク印刷部８が設けられているので、第１のパッド５と第２のパッド６とを半田等で接続することによって、第１の配線２と第２の配線３とのクロスパターン配線を容易にできる。例文帳に追加

Since a silk printing portion 8 made of an insulator is formed beforehand in a third wiring 4 sandwiched between a first pad 5 of a first wiring 2 and a second pad 6 of a second wiring 3, a cross pattern wiring between the first wiring 2 and the second wiring 3 can be easily formed by connecting the first pad 5 and the second pad 6 with solder or the like. - 特許庁

複数の露光パターンを有する露光データを光近接補正処理し，当該補正した補正露光データに従って試料を露光する露光方法において，光近接補正処理にて，補正対象露光パターン（10,20）を，マイナス対象パターン（10L,20L）と当該マイナス対象パターンから削除されるマイナスパターン（10M,20M）とに変換して補正露光データを生成することを特徴とする。例文帳に追加

The exposing method of processing the exposure data having a plurality of exposure patterns by optical proximity correction and exposing a sample according to the corrected exposure data generates the corrected exposure data by converting exposure patterns (10, 20) to be corrected into subtracted object patterns (10L, 20L) and subtracted patterns (10M, 20M) deleted from the subtracted object patterns through the optical proximity correction processing. - 特許庁

サーマルプリンタは、ホストコンピュータから受信した1ドットあたり1ビットの白黒データをビットレート変換処理により8ビットデータに変換するとともにメモリ上にドットパターンを展開し、アウトラインの各ドットを中心としてその周囲8ドットを含む9ドットマトリックスパターンを複数の参照ドットパターンと比較する。例文帳に追加

The thermal printer converts monochromatic data of one bit per one dot received from a host computer into 8-bit data through bit rate conversion processing, develops a dot pattern on a memory, and compares a 9-dot matrix pattern including 8 dots surrounding each dot of outline with a plurality of reference dot patterns. - 特許庁

エッチング加工がなされる被加工体上に形成されたレジスト膜に対して、ライン・アンド・スペース・パターンを含む所定の転写パターンを転写させ、レジスト膜を前記エッチング加工におけるマスクとなるレジストパターンとなすフォトマスクにおいて、透明基板上に形成されるライン・アンド・スペース・パターンのラインパターンを半透光部で設け、スペースパターンを透光部で設ける。例文帳に追加

The photomask is to be used for transferring a predetermined transfer pattern including a line-and-space pattern onto a resist film formed on a process object to be etched to obtain a resist pattern in the resist film, which functions as a mask in the etching process, wherein the line pattern of the line-and-space pattern formed on a transparent substrate comprises a translucent portion while the space pattern comprises a light-transmitting portion. - 特許庁

ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用される感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法であって、ラインエッジラフネス、パターンプロファイルが改善され、且つＥＵＶ光露光に於ける感度、溶解コントラストが改良された感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a photosensitive composition which is improved in line edge roughness, pattern profile, EUV light exposing sensitivity, and dissolution contrast, and is used in manufacturing processes of semiconductors such as ICs, circuit boards for such as liquid crystals and thermal heads, and in other photofabrication processes, and also provide a pattern forming method using this composition. - 特許庁

本発明は、第１基板及び第２基板と、前記第１基板上の所定領域に形成された薄膜トランジスタと、前記第１基板上の画素領域に形成された画素電極と、前記画素電極上に形成されたカラーフィルター層と、前記画素電極を除外した領域に形成されたブラックマトリックスパターンと、前記第１基板と第２基板との間に形成された液晶層とを有する液晶表示装置を提供する。例文帳に追加

The liquid crystal display device has a first substrate and a second substrate, thin film transistors formed on a specified region on the first substrate, pixel electrodes formed on a pixel region of the first substrate, a color filter layer formed on the pixel electrodes, a black matrix pattern formed on regions excluding the pixel electrodes and a liquid crystal layer formed between the first substrate and the second substrate. - 特許庁

デバイスパターンを含むデバイス構造を構成する膜を備え、結晶欠陥を有することがある半導体ウェーハを検査する方法において、上記デバイス構造膜を薬液で除去して半導体ウェーハの結晶表面を露出させる工程と、選択エッチングにより半導体ウェーハの表面層を選択的に除去して上記結晶欠陥を顕在化する工程と、上記結晶欠陥を定量的に評価する工程と、を備える。例文帳に追加

A method for inspecting a semiconductor wafer which has a film to form device structures, including device patterns and may have crystal defects, comprises a process of exposing the crystal surface of the semiconductor wafer, by removing the device structure film with a chemical solution, a process of making apparent any crystal defects by selectively removing the surface layer of the semiconductor wafer through selective etching, and a process of quantitatively evaluating the crystal defects. - 特許庁

１６０ｎｍ以下、特にＦ２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、デフォーカスラチチュードが広く、ラインエッジラフネスが発生し難く、現像液で現像した際にレジスト膜が実質的に完全に溶解してネガ化の懸念がなく、ラインアンドスペースパターンの裾引きが小さいポジ型レジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a positive resist composition having satisfactory transmittance when a source of light with 157 nm is used, having a wide defocus latitude, less liable to cause line edge roughness, free of concern for negative formation because a resist film is substantially thoroughly dissolved when developed with a developer and ensuring slight trailing of a line-and-space pattern. - 特許庁

本発明は、ブラックマトリックスパターンが形成された第１マスクを利用してカバーフィルム、ブラックマトリックスドライフィルム及びベースフィルムを含む第１グリーンシートを露光するステップと、前記カバーフィルムを除去して基板上に前記第１グリーンシートをラミネーティングするステップと、前記ベースフィルムを除去して前記基板上にブラックマトリックスを形成するステップと、を含むことを特徴とする。例文帳に追加

The manufacturing method of a plasma display panel and the green sheet include a step exposing a first green sheet containing a cover film using a first mask on which a black matrix pattern is formed, a black matrix dry film and a base film, a step removing the cover film and laminating the first green sheet on a substrate, and a step removing the base film and forming a black matrix on the substrate. - 特許庁

演算処理装置は、予め定められたアクセスパターンに基づいて、メモリにアクセスして、データを順次読み出すメモリアクセス回路と、前記メモリアクセス回路が読み出したデータを格納するための格納部であって、当該格納部の空き容量が無くなるまで、前記メモリアクセス回路が前記メモリからデータを順次読み出し、この読み出したデータが格納される、格納部と、前記格納部に格納されているデータを取得する、プロセッサと、を備えて構成されている。例文帳に追加

The processor controller comprises; a memory access circuit for accessing a memory according to a predetermined access pattern to sequentially read data; a storage part for storing the data read by the memory access circuit which stores the data sequentially read by the memory access circuit from the memory until free space in the storage part disappears, and a processor for acquiring the data stored in the storage part. - 特許庁

リソグラフィ装置は、放射ビームを条件付けるようになされた照明システムと、パターニング・デバイス（パターン化された放射ビームを形成するべく放射ビームに断面パターンを付与するように構築されている）を支持するように構築されたサポートと、基板を保持するように構築された基板テーブルと、パターン化された放射ビームを基板の目標部分に投射するようになされた投影システムとを備えている。例文帳に追加

A lithographic apparatus comprises: an illumination system configured to condition a radiation beam; a support formed to support a patterning device (formed to impart a cross-sectional pattern to the radiation beam to form a patterned radiation beam); a substrate table formed to hold a substrate; and a projection system configured to project the patterned radiation beam onto a target portion of the substrate. - 特許庁

本発明の露光方法は、レチクルのデバイスパターンをウエハに露光する露光方法であって、前記レチクルを第１の角度で配置して該レチクルの第１の平面度を測定する工程と、前記レチクルを第２の角度で配置して該レチクルの第２の平面度を測定する工程と、前記第１の平面度及び前記第２の平面度の測定結果に基づいて露光時における該レチクルの設定角度を決定する工程とを有する。例文帳に追加

The exposure method of exposing a wafer to a device pattern of a reticle includes the steps of: arranging the reticle at a first angle and measuring first flatness of the reticle; arranging the reticle at a second angle and measuring second flatness of the reticle; and determining a setting angle of the reticle during exposure based upon measurement results of the first flatness and second flatness. - 特許庁