「レーザ反応」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

レーザーレベルはアーム本体に子器を固定して計測し、鋼管掛け（A）を軸にアームが３６０度回転するのでレーザーに正確に反応する事が出来る。例文帳に追加

In the laser level, the slave unit is fixed to an arm body to carry out measurement, and since the arm is rotated by 360° around a steel pipe hanger A, accurate reaction to the laser can be secured. - 特許庁

本発明は、金属ミラーの表面におけるレーザ光の光反射率を向上させて、光化学反応におけるレーザ光の利用効率を高めることの可能な金属ミラーの表面の改質方法を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a method for modifying the surface of a metal mirror which enhances the light reflectivity of laser light on the surface of a metal mirror, and can enhance a use efficiency of the laser light in a photochemical reaction. - 特許庁

バーコード読み取り装置において、半導体レーザ装置をスキャンユニットの近くに配置すると、半導体レーザ装置の構成部品がスキャンユニットのマグネット磁界に反応して正常な動作を行えなくなる。例文帳に追加

To solve the problem that, when a semiconductor laser device is arranged nearby a scanning unit, a constitution component of the semiconductor laser device reacts to the magnet magnetic field of the scanning unit and a bar code reader does not operate normally. - 特許庁

また干渉光学系により、加工レーザ光１による被加工物３の表面近傍の反応場の形態変化４ａにより変調を受けた計測レーザ光と、参照光との干渉縞を発生させる。例文帳に追加

Interference fringes between the measuring laser beam that is modulated by a change 4a of the shape of an reaction field in the vicinity of the surface of the work 3 caused by the machining laser beam 1 and a reference beam are generated by an interference optical system. - 特許庁

第３，第４ステップにて、フォトレジスト層１３にレーザ光を照射した後、現像液でレーザ反応跡１４を除去してフォトレジスト層１３に２値化データを表すピット列１５を形成する。例文帳に追加

In the third and fourth steps, the photoresist layer 13 is irradiated with laser light, and subsequently laser reaction marks 14 are removed with a developer so as to form a pit line 15 expressing binary data on the photoresist layer 13. - 特許庁

電子供与性呈色化合物と電子受容性化合物との間の発色反応を利用した感熱記録媒体において、半導体レーザー、特に波長７８０ｎｍのレーザー光で画像記録ができかつ地肌濃度が低いレーザー感熱記録媒体を提供すること。例文帳に追加

To provide a laser thermal recording medium which can record an image by a semiconductor laser, especially a laser beam of 780 nm in wavelength and is low in a texture density in the thermal recording medium utilizing a coloring reaction between an electron donative coloration compound and an electron receptive compound. - 特許庁

レーザチップに悪影響を与えることなく、レーザ動作時における光出射端面への反応物質の堆積を抑制することにより、動作電流の経時的上昇による劣化を防止することのできるレーザ装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a laser device by which deterioration caused by the raise with time in an operating current is prevented by suppressing the deposition of a reactant on a light-emitting end surface in laser operation without having an infavorable effect on a laser chip. - 特許庁

ＡｌＡｓ層１５の酸化させる領域へマスク層１８のパターンに従ってレーザ光を照射し、レーザ光照射部と非照射部に生じる反応性の違いを利用して酸化速度に差をつけ、レーザ光照射境界において酸化を自己停止させる。例文帳に追加

An area of an AlAs layer 15 to be oxidized is irradiated with laser light according to the pattern of a mask layer 18 and the difference in reactivity between the laser irradiated part and an unirradiated part is used to generate a difference in oxidation speed, thereby making the oxidation stop at a laser light irradiation boundary. - 特許庁

パルスレーザー光によって発生した超高密度のＳｉプラズマ（１０^１４／ｃｍ^３）１を、シランガス、水素ガス等を用いた別のプラズマ反応で生成されたプラズマ２と衝突反応させる。例文帳に追加

The ultra-high density Si plasma (10^14/cm^3) 1 generated by a pulsed laser beam is subjected to collision reaction against the plasma 2 generated through a different plasma reaction using a silane gas, a hydrogen gas, etc. - 特許庁

未反応で残ったままの金属膜を除去した後、第２アニールとしてレーザー照射を行うことによりシリサイド化反応が進み、低抵抗なメタルシリサイド層が形成される。例文帳に追加

After the unreacted and remaining metal layer is removed, the laser irradiation is performed as a second annealing to progress silicide reaction, and to form a low-resistance metal silicide layer. - 特許庁

磁気記録媒体をレーザー加工する際に発生する排ガスを排ガス中のイソシアネートと反応する反応性気体と接触させることを特徴とする排ガスの処理方法。例文帳に追加

The method for treating the exhaust gas is characterized in that the exhaust gas generated at the time of laser beam machining of the magnetic recording medium comes into contact with a reactive gas which reacts with isocyanate in the exhaust gas. - 特許庁

ここでは、処理される皮膚部分に屈折率整合（index-matching）応用を使用することが望ましく、可視的な指示剤は、熱または光の反応物、あるいは目に見える変化を生成するレーザ光パルスに対する他の反応物である。例文帳に追加

Here, it is desirable to employ index-matching application in the skin part to be treated and visible indicators are the reactant of heat and light or other reactants to the pulse of laser beams producing visible changes. - 特許庁

第２の記録層は金属イオン溶液で構成され、レーザー光が照射されると、第２の記録層は第１の記録層に反応し、結晶反応が引き起こされ、第１の記録層と第２の記録層の界面に記録ポイントが形成される。例文帳に追加

The second layer, when irradiated with a laser beam, reacts with the first recording layer and a crystal reaction is induced and recording points are formed at the boundary between the first recording layer and the second recording layer. - 特許庁

例えば、ＬＡＬとエンドトキシンとの反応による試料溶液の濁度変化を、レーザー光の光透過率の変化によって測定し、光透過率の減少量の積分値が閾値Ｓ２を超えた時点を反応開始時とする。例文帳に追加

For example, turbidity change in a sample solution, caused by a reaction of LAL and endotoxin, is measured by the change in the light transmission of laser light, and its initiation timing is detected as the timing when an integrated value of a reduction amount of the light transmission exceeds a threshold S2. - 特許庁

ＯＢＩＲＣＨ反応を検出した反応点にレーザをスポット照射し、テスタ３がモニタするδＩＤＤＱをテスタ制御部４が算出する。例文帳に追加

The reaction point where OBIRCH reaction is detected is spot-irradiated by the laser, and a tester control part 4 calculates a δIDDQ monitored by a tester 3. - 特許庁

加工レーザ光を被加工物表面に照射して加工を行うレーザ加工装置において、該加工レーザ光を被加工物表面に照射したときの、該被加工物表面の加工点近傍の反応場における三次元情報、又は三次元情報と二次元情報を取得する反応場情報取得手段を有することである。例文帳に追加

In the laser beam machining apparatus which performs machining by irradiating a workpiece surface with a machining laser beam, there is provided a means for acquiring reaction field information, a means by which three-dimensional information or three- and two-dimensional information is obtained pertaining to the reaction field near the machining point on the workpiece surface when it is irradiated with the machining laser beam. - 特許庁

光透過性反応用容器２１を囲むように配置され、かつ光化学反応に用いるレーザ光を反射する金属ミラー１９の表面１９ａの改質方法であって、金属ミラー１９の表面１９ａに、炭酸ガスレーザまたはチタンサファイヤレーザを照射して、金属ミラー１９の表面１９ａをアニーリングするアニーリング工程を有する。例文帳に追加

The method for modifying a surface 19a of a metal mirror 19 which is arranged so as to surround a light-transmitting container 21 for reaction, and reflects laser light that is used in a photochemical reaction includes an annealing step of irradiating the surface 19a of the metal mirror 19 with a carbon dioxide gas laser or a titanium sapphire laser, and annealing the surface 19a of the metal mirror 19. - 特許庁

そして、被反応物Ｓの照射位置Ｐにおいて、パルスレーザ光Ｌによって共役環状化合物を光重合反応させるとともに、照射位置Ｐを制御することにより、電気伝導性の共役高分子を含む反応生成物を所定のパターンで形成する。例文帳に追加

The conjugated cyclic compound is caused to photopolymerize by the pulsed laser light L at the irradiation position P of the material S to react while controlling the irradiation position P thereby to form the reaction product containing the conductive conjugated polymer in the predetermined pattern. - 特許庁

Ｈ^- ビームを中性粒子ビームに中性化し、この中性粒子ビームをＨ^^+ ビームに荷電変換する中性原子ビーム光電離装置において、レーザービームを発生させるレーザービーム発生装置１１と、この発生したレーザービームを多重回反射させ、かつこのレーザービームを前記中性粒子ビームの入射に合わせて反応させる多重反射光学系１３ａ，１３ｂとを備えた。例文帳に追加

A neutral atom beam photo-ionization device for neutralizing H- beams into neutral particle beams and charge-converting the neutral particle beams into H+ beams has a laser beam generator 11 for generating laser beams; and multiple reflecting optical systems 13a, 13b which make reflect laser beams generated multiple times and make react the laser beams according to incidence of the neutral particle beams. - 特許庁

紫外線波長のレーザ光(21)を発振する紫外線レーザ装置において、レーザ光(21)が通過する光路空間(72A-72C)に酸素を含まない低反応性のパージガスを注入する、ステンレス製のパージガス配管(56A-56C)を備え、配管の接続を、溶接又はメタルシールによって行なうことを特徴とする紫外線レーザ装置。例文帳に追加

The ultraviolet laser apparatus for oscillating a laser beam (21) having an ultraviolet wavelength has purge gas pipes (56A to 56C) that inject a low-reactive purge gas without containing oxygen into light path space (72A to 72C) where the laser beam (21) passes, and are made of stainless steel, and connects the piles by welding or a metal-sealing. - 特許庁

反応容器１２に収納された、金属錯体または金属塩を含有する前駆体溶液１１に、紫外レーザー光発生装置１３により、波長４００ｎｍ以下の紫外レーザー光を照射して、磁性酸化物ナノ粒子を析出させる。例文帳に追加

To a precursor solution 11 containing metal complex or metal salt housed in a reaction container 12, an ultraviolet laser light of the wavelength less than 400 nm is irradiated by an ultraviolet light generating apparatus 13 to deposit magnetic oxide nanoparticle. - 特許庁

第２アニールにおいて下地金属膜がレーザー照射による熱を蓄積するので、半導体層にはレーザー照射に加え、下地金属膜からも熱供給が行われ、ソース・ドレイン領域のシリサイド化反応の効率を高めることができる。例文帳に追加

Since the front-end metal film accumulates heat by the laser irradiation in the second annealing, heat is supplied to the transistor layer also from the front-end in addition to the laser irradiation, thereby enhancing the silicide reaction efficiency of the source/drain regions. - 特許庁

第１の金属膜にレーザ光を照射して、第２の金属膜が形成された領域においてレーザ光を反射させ、且つ、一対の不純物領域において選択的に島状の半導体膜と第１の金属膜とを反応させる。例文帳に追加

The first metal film is irradiated with laser light, the laser light is reflected in a region where the second metal film is formed and an island-like semiconductor and the first metal film are made to react with each other selectively in the pair of impurity regions. - 特許庁

基材１上に剥離層２、機能層、接着剤層５を有する転写箔において、該剥離層がレーザーを照射することにより分解又は変質するレーザー反応性材料を含むことを特徴とする転写箔により剥離性の調整が従来に比べて格段に向上する。例文帳に追加

In the transfer foil having a stripping layer 2, a functional layer and an adhesive layer 5 on a base material 1, adjustability of the strippability is greatly increased than ever by the transfer foil containing a laser reactive material decomposed or modified by irradiating the stripping layer with laser. - 特許庁

好ましい一実施形態では、レーザ・アブレーション中に放出された試料粒子が試料室のガス雰囲気中の前駆体ガスと反応するように高圧の前駆体ガス（エッチング・ガス）が充填された室内で、レーザ・アブレーションが実行される。例文帳に追加

In a preferred embodiment, laser ablation is performed in a chamber filled with high pressure precursor gas (etching gas) so that sample particles ejected during laser ablation will react with the precursor gas in a gas atmosphere of the sample chamber. - 特許庁

レーザ光の光強度が充分小さく、ウエハ２表面のエッチング反応に影響を及ぼさなくなると判別した場合、レーザ光の光強度を一定に保ち（Ｓ１０７）、ウエハ２表面のエッチングをモニタリングし続ける。例文帳に追加

When the intensity of the laser beams is determined to be sufficiently small and thus the etching reaction on the surface of the wafer 2 is determined not to be affected thereby, the intensity of the laser beams is kept at a constant level (S107) and monitoring on etching of the surface of the wafer 2 is continued. - 特許庁

ディスクドライブ制御装置及び方法、特にディスクドライブの記録倍速によるＡＰＣの反応速度差などの要因により生じるレーザパワーの変動を防止するためのディスクドライブのレーザパワー制御装置及び方法を提供する。例文帳に追加

To provide a control apparatus and a method for a disk drive a particularly an apparatus and a method for controlling laser power for the disk drive for preventing a variation in the laser power caused by a cause such as the reaction speed difference of APC (automatic power control) due to the multiplied-speed recording of the disk drive. - 特許庁

反応容器２内の原料４にレーザ光を照射して加熱することで昇華させ、昇華した原料を下地基板３上で再結晶化させて化合物半導体単結晶を成長させ、その後にレーザ光を利用して化合物半導体単結晶を下地基板３から分離する。例文帳に追加

The raw material 4 in the reaction chamber 2 is heated by irradiation with a laser beam to sublimate; the sublimated raw material is re-crystallized on the base substrate 3 to grow a compound semiconductor single crystal; and then the compound semiconductor single crystal is separated from the base substrate 3 by using the laser beam. - 特許庁

少なくとも有機ガリウム化合物含むと窒素源とを反応させて窒化ガリウム系粒子を製造する方法において、前記有機ガリウム化合物と前記窒素源とを含む原料ガスにレーザを照射して、前記レーザを熱源として前記反応を行う窒化ガリウム系粒子の製造方法を用いることにより、上記課題を解決できる。例文帳に追加

In the method of manufacturing a gallium nitride based particle by making at least an organic gallium compound and a nitrogen source react, a raw material gas including the organic gallium compound and the nitrogen source is irradiated by laser, and the reaction is performed by making the laser as a heat source. - 特許庁

綿などの布帛に対し、反応染料とアルカリ性化合物を含有する染液を含浸させて水分率を調整してから、当該布帛の表面にレーザー光線をスキャニングして所望の領域にレーザー光を照射することによって、照射領域において選択的に反応染料を染着させる。例文帳に追加

A dyeing liquid containing a reactive dye and an alkaline compound is impregnated in a fabric such as cotton fabric, and the surface of the fabric is irradiated with laser light after adjusting the water content of the fabric by scanning the surface with laser beam to selectively fix the reactive dye at the irradiated area. - 特許庁

反応チャンバーと、前記反応チャンバー内にシランガスを供給するためのガス供給部と、前記ガス供給部で供給されるシランガスにレーザービームを照射し、前記シランガスを熱分解してポリシリコン粒子を形成するためのレーザー照射部と、前記ポリシリコン粒子を収容するためのポリシリコン粒子収容部とを含んでポリシリコンの製造装置を構成する。例文帳に追加

The apparatus comprises: a reaction chamber; a gas supplier for supplying a silane gas to the reaction chamber; a laser irradiator for generating polysilicon grains through a pyrolysis of the silane gas by irradiating a laser beam to the silane gas supplied from the gas supplier; and a polysilicon-grain receiver for receiving and storing the polysilicon grains. - 特許庁

ダイヤモンド表面１ａの研磨方法において、炭素と易反応性の金属または浸炭性金属からなる表面を有する研磨部材３ａを使用し、研磨部材３ａでダイヤモンド表面１ａを研磨するに先立って、ダイヤモンド表面１ａにレーザー光５を照射し、レーザー光５の照射に続いて、レーザー光照射部に研磨部材３ａを摺擦せしめて研磨を行う。例文帳に追加

In the polishing method for the diamond surface 1a, the polishing member 3a having a surface made of metal easily reactive with carbon or carburization metal is used, the diamond surface 1a is irradiated with a laser beam 5 prior to polishing of the diamond surface 1a by the polishing member 3a, and subsequent to irradiation of the laser beam 5, the polishing member 3a is slid/rubbed to a laser beam irradiation part to perform polishing. - 特許庁

特定の波長を有する光を吸収して熱を発生する光吸収熱変換物質１とその熱によって化学反応する熱感応性物質２とを含む混合物３が塗布された基板４を用い、レーザ光源５から出射されたレーザ光６を収束手段７によって収束した後、基板４にレーザ光６を照射することによって、基板上にパターンを形成する。例文帳に追加

A substrate 4 coated with a mixture 3 containing a light-absorbing heat conversion substance 1 which absorbs light at a specified wavelength to generate heat and a thermosensitive substance 2 which chemically reacts by the heat, is used and irradiated with laser light 6 emitting from a laser light source 5 and converged by a converging means 7 to form a pattern on the substrate. - 特許庁

本発明のカーボンナノ材料の製造方法は、カーボンターゲットＣにレーザＬ_1 を照射して発生させたカーボンの蒸発ガスと、金属ターゲットＭにレーザＬ_1 とは異なる波長をもつレーザＬ_2 を照射して発生させた金属の蒸発ガスと、を気相中で反応させて金属を担持したカーボンナノ材料を生成する。例文帳に追加

The method for producing the carbon nano-material comprises a step for reacting a vaporized gas of carbon generated by irradiating a carbon target C with a laser L_1 and a vaporized gas of a metal generated by irradiating a metal target M with a laser L_2 of a wavelength different from that of the laser L_1 in a vapor phase to produce the carbon nano-material carrying the metal. - 特許庁

熱反応型レジスト材料として銅の酸化物を用いてレーザー光で露光した場合、特に、ＣｕＯ(ＩＩ)を熱反応型レジスト材料として、その露光・未露光部を選択的にエッチングすることのできる酸化銅用エッチング液及びエッチング方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an etchant for copper oxide and an etching method, wherein when copper oxide, particularly CuO (II), as a thermal reaction type resist material is exposed to a laser beam, the etchant can selectively etch the exposed and unexposed parts thereof. - 特許庁

金属微粒子と標的化合物とを反応させてなる、金属と標的化合物とを含む金属複合体の製造方法であって、金属微粒子と、標的化合物と、を含む反応液に、レーザを照射することにより、金属複合体を製造する金属複合体の製造方法である。例文帳に追加

This method for producing the metal complex containing the metal and target compound by performing the reaction of the metal fine particles with the target compound is provided by irradiating a laser beam to reaction liquid containing the metal fine particles and the target compound to produce the metal complex. - 特許庁

レーザ同位体分離法において逆反応や副反応を抑制して同位体濃縮率を向上させることであり、特にケイ素について従来より同位体シフトが大きい材料を利用してより容易に濃縮率の高い同位体分離を行えるようにする。例文帳に追加

To enhance the concentration ratio of an isotope by suppressing an inverse reaction or side reaction in a laser isotope separation method and to more easily separate the isotope in a high concentration ratio by utilizing a material large in isotope shift than before especially with respect to silicon. - 特許庁

（ａ）２以上の架橋性基を有する架橋剤、（ｂ）前記架橋性基と反応して架橋構造を形成可能な反応性基を有するポリマー、及び、（ｃ）周期表第１族〜第１５族からなる群より選択される金属原子を含む金属化合物、を含有するレーザー彫刻用樹脂組成物。例文帳に追加

The resin composition for laser engraving includes (a) a cross-linking agent having two or more of cross-linkable groups, (b) a polymer having reactive groups capable of reacting with the cross-linkable groups and forming a cross-linked structure, and (c) a metal compound including metal atoms selected from a group comprising group-1 elements to group-15 elements in a periodic table. - 特許庁

錯体を輸送しレーザー照射領域を通過させて分解し、基材へのRuPtの被覆反応領域に到達させ、上記の触媒原子との間で被覆反応を起こさせることにより、基材と整合する(100)または(010)または(001)面を持つ触媒を作製する。例文帳に追加

By transporting a complex, making it pass through a laser irradiation region, making it decomposed, and making it reach a covered reaction region of RuPt to the base material and making a covering reaction occur between the catalyst atom, the catalyst having (100) or (010) or (001) faces aligned with the base material is fabricated. - 特許庁

この手順に基き、レーザ加工装置により取得される反応場データと被加工物の加工品質データとの相関関係をあらかじめ取得して記憶したデータベースと、加工工程中でその場計測した反応場データとを比較する。例文帳に追加

Based on this procedure, the reaction field data, which are obtained by the on-the-spot measuring in the middle of machining, are compared with a data base, where the correlation, obtained previously, between the reaction field data obtained by the laser beam machining apparatus and the machining quality data of the work, is stored. - 特許庁

本発明は、大気中で実用的な処理速度でレジスト剥離を行なうことが可能であり、また、反応ガスを用いるないために反応ガスの除害装置が不要であり、さらに、残渣の無いレジスト剥離を可能とするパルスレーザを用いたレジスト剥離装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a resist releasing apparatus using a pulse laser in which a resist is released at a practical processing speed in the atmosphere, a reaction gas excluding apparatus is not required since a reaction gas is not used and further, the resist is released without residue. - 特許庁

本膜形成方法は、気体物質を含む原料成分を基板方向に導入しながらレーザー光を基板表面に照射し、基板の加熱と同時に原料成分の反応によって反応生成物からなる膜を基板の表面に形成するものである。例文帳に追加

In the film deposition method, a film of a reaction product is formed on the surface of a substrate by irradiating the surface of the substrate with a laser beam so as to heat the substrate and react raw material components while introducing the raw material components containing a gaseous substance in the direction of the substrate. - 特許庁

ポリアリルアミンと、該ポリアリルアミンと錯形成能を有する金属含有塩とを反応させて得ることができるレーザーマーキング用金属化合物である。例文帳に追加

This metallic compound for laser marking can be obtained by chemically reacting a polyallylamine with a metal-containing salt having a complex forming power with the polyallylamine. - 特許庁

又、レーザ加工装置は、光触媒層２４ａに光触媒反応を起こさせるための紫外光を出射可能な紫外光出射ユニット３１を備える。例文帳に追加

And the laser beam machining device is equipped with a UV-light emitting unit 31 emitting UV-light for inducing the photocatalyst layer 24a to initiate a photocatalytic reaction. - 特許庁

共役ポリエン分子の光異性化反応において、単一波長短パルスレーザーのチャーピングによって異性体生成比率を変化させる。例文帳に追加

The method for controlling photoreaction of the conjugated polyene molecule comprises changing an isomer production ratio by chirping of short pulse laser having a single wavelength in a photoisomerization reaction of the conjugated polyene molecule. - 特許庁