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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 希ガス原子の意味・解説 > 希ガス原子に関連した英語例文

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希ガス原子の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 39



例文

空間的にガス原子を隔てるために、不活性ガスを用いて原子ガス釈されてもよい。例文帳に追加

For spatially separating gas atoms, atomic gas may be diluted with an inert gas. - 特許庁

ヘリウムという,原子番号2のガス元素例文帳に追加

a rarely extractable gaseous element whose atomic number is 2, called helium  - EDR日英対訳辞書

クリプトンという原子番号36のガス元素例文帳に追加

a gaseous element whose atomic number is 36, called krypton  - EDR日英対訳辞書

ガスプラズマは金属膜103を構成する金属原子原子量に最も近い原子量を有するガスを含む。例文帳に追加

The rare gas plasma includes rare gases having an amount of atom closest to that of the metal atom for composing the metal film 103. - 特許庁

例文

原子炉から出るオフガス中のガスを高精度に検出する。例文帳に追加

To accurately detect a rare gas in an off gas being emitted from a reactor. - 特許庁


例文

さらに、希ガス原子が膜中に取り込まれるようにFSG膜のCVDあるいはPVDを続けて、希ガス原子含有層3を形成する。例文帳に追加

Further, the CVD or PVD of the FSG film is continued so that rare gas atoms can be taken into the film and a rare gas atom containing layer 3 is formed. - 特許庁

容器内における少なくとも上記ガス中の被測定原子を含むガス及びガスを所定の圧力にする。例文帳に追加

A current is applied to both electrodes, and noble gas and gas of a predetermined pressure containing measured atoms are made into plasma in the hole 37a to emit light. - 特許庁

次に、希ガス原子含有層3上に形成したレジスト4をマスクに用いて、希ガス原子含有層3及びFSG膜2をこの順にエッチングする。例文帳に追加

Next, the rare gas atom containing layer 3 and the FSG film 2 are etched in this order while using a resist 4, which is formed on the rare gas atom containing layer 3, for a mask. - 特許庁

炭素濃度が99.5原子%以上、水素濃度が0.5原子%以下、ガス元素濃度が0.5原子%以下、ヌープ硬度が2000〜6000であることが好ましい。例文帳に追加

Preferably, the concentration of carbon is controlled to ≥99.5 atomic%, the concentration of hydrogen is controlled to ≤0.5 atomic%, the concentration of rare earth elements is controlled to ≤0.5 atomic%, and the knoop hardness is controlled to 2,000 to 6,000. - 特許庁

例文

ガス釈または電源周波数を上げる等の方法により高電子密度のプラズマを生じさせ、高密度の酸素原子または窒素原子を生じさせることにより高品質の誘電体膜を形成する。例文帳に追加

Plasma of a high electron density is generated by a method such as diluting with a rare gas or raising the frequency of a power supply, and a high-quality dielectric film is formed by generating oxygen atoms or nitrogen atoms in a high density. - 特許庁

例文

又は、表面が研磨された高配向性ダイヤモンド膜に対して、負のバイアス電圧を印加せずに、水素ガス中若しくは水素ガス釈された炭素原子を含むガス中でマイクロ波プラズマ処理した後、負のバイアス電圧を印加しながら、水素ガス釈された炭素原子を含むガス中でマイクロ波プラズマ処理し、更に、負のバイアス電圧を印加せずに、水素ガス中若しくは水素ガス釈された炭素原子を含むガス中でマイクロ波プラズマ処理する。例文帳に追加

Alternatively, the method comprises treating the above untreated diamond film with microwave plasma in a hydrogen gas or the gas containing carbon atoms diluted by hydrogen gas without applying the negative bias voltage, treating the resultant film with microwave plasma in the gas containing carbon atoms diluted by hydrogen gas while applying the negative bias voltage, and further treating with microwave plasma in the above hydrogen or carbon atoms-containing gas without applying the negative bias voltage. - 特許庁

負電荷酸素原子が、ガス、窒素及び乾燥空気から選ばれる少なくとも1種以上の気体によって搬送される。例文帳に追加

The negatively charged oxygen atoms are carried by at least one kind or more gas selected from noble gas, nitrogen and dry air. - 特許庁

炭素を除去したシリコン基板を、ガス雰囲気中において熱処理し、シリコン基板表面のシリコン原子を移動させる。例文帳に追加

The silicon substrate, where carbon is removed is heat-treated in a rare gas atmosphere, thus making silicon atoms move on the silicon substrate surface. - 特許庁

次に、CMP法により、希ガス原子含有層3の上面が露出するまで銅膜7及びバリアメタル6をこの順に研磨除去する。例文帳に追加

Next, the copper film 7 and the barrier metal 6 are ground and removed in this order by a CMP method until the upper surface of the rare gas atom containing layer 3 is exposed. - 特許庁

Kr以上の原子量を有するガスを導入して、導入ガスより重い金属元素を含む金属酸化物ターゲットを用い、LaHfO、LaAlO、ZrAlOのように導入ガスより重いLaまたはHfなどの金属元素を含む金属酸化物絶縁膜をスパッタ成膜する。例文帳に追加

A noble gas having an atomic weight above Kr is introduced, and a metal oxide target containing a metal element which is heavier than the introduced noble gas is used to form, by sputtering, the metal oxide insulating film containing a metal element of La, Hf, etc., heavier than the introduced noble gas like LaHfO, LaAlO, and ZrAlO. - 特許庁

これにより、放電時に電子と希ガス原子と衝突するエネルギ−量を調整可能となり、ガス管1による発光量をアナログ的に制御することができる。例文帳に追加

Owing to this, quantity of energy with which electrons and rare gas atoms collide in discharge becomes adjustable and emission quantity from the rare gas tube 1 can be analog controlled. - 特許庁

その後、ガス15中の原子や分子と高エネルギー粒子と衝突が起こり、ガス15が空間に均一な低温プラズマPとなった状態で誘電体管の吹出口からトーチ状に放出される。例文帳に追加

Thereafter, collision occurs between atoms and molecules in the rare gas and the high energy particles, and the rare gas 15 becomes uniform low temperature plasma P in the space and is emitted from the nozzle of the dielectric tube in torch shape. - 特許庁

原子炉上部空間の気体をオフガス処理系15へ吸引することにより、破損燃料棒中に存在する放射性ガスを、原子炉上蓋開放時以前に原子炉内に放出させ、その放出速度が設定値以下になった時点より前記破損燃料棒からの放射性ガスの漏洩を防止する。例文帳に追加

The radioactive rare gas existing in a broken fuel rod is released into the nuclear reactor by sucking the gas in an upper space of the nuclear reactor, before the top cover of the nuclear reactor is opened, and the leakage of the radioactive rare gas from the broken fuel rod is prevented from the time when its releasing speed becomes lower than a predetermined value. - 特許庁

シリコンウエハ26の酸化されていない部分をエッチングする場合、放電ユニット12からフッ素単原子を含む処理ガスを処理室24に導入するとともに、窒素ガス源38から窒素ガスを処理室24に導入して処理ガス釈し、釈した処理ガス中のフッ素単原子によってシリコンをエッチングする。例文帳に追加

When a non-oxidized part of the silicon wafer 26 is etched, the process gas containing the hydrofluoric acid mono-atoms is led from an electrical discharge unit 12 into the process chamber 24, and also the nitrogen gas is led from the nitrogen gas source 38 to the process charge 24 to dilute the process gas, with the result that silicon is etched by the hydrofluoric acid mono-atoms in the diluted process gas. - 特許庁

一方、ゲート酸化膜露出時点以降は、引き続き同じチャンバ内でCl以上の原子量を持つハロゲンとAr以上の原子量を持つガスを含むプラズマガスを用いて表面処理工程を行なうこととしたことにより、熱処理では回復できない欠陥の発生を抑制したこと。例文帳に追加

Meanwhile, the generation of defects which can not be restored by heat treatment is prevented by performing the surface treatment process continuously in the same chamber using a plasma gas including a halogen having an atomic weight not less than Cl and a rare gas having an atomic weight not less than Ar after the gate oxide film exposure time. - 特許庁

極微量の水分子を除去した標準ガス雰囲気下で、放射性核種を放射性壊変させることにより、放射性ガスから生じる原子イオンを発生させる。例文帳に追加

Atomic ions generated from the radioactive rare gas are generated by the radioactive disintegration of the radioactive nuclide under the reference gas atmosphere with a trace of water molecules removed therefrom. - 特許庁

表面が研磨された高配向性ダイヤモンド膜に対して、負のバイアス電圧を印加しながら、水素ガス釈された炭素原子を含むガス中でマイクロ波プラズマ処理する。例文帳に追加

This method comprises treating a surface-polished highly oriented diamond film with microwave plasma in a gas containing carbon atoms diluted by a hydrogen gas while applying a negative bias voltage. - 特許庁

この結果、たとえば、原子力燃料再処理設備において、再処理操作工程中のオフガス10中に含まれているキセノン(Xe)やクリプトン(Kr)などのガスを効率よくかつ確実に回収することができる。例文帳に追加

As a result, in a reprocessing facility of an atomic fuel, for example rare gases such as xenon (Xe) and krypton (Kr) contained in an off-gas 10 of the reprocessing process can be efficiently and reliably recovered. - 特許庁

原子炉で発生する放射性ガス又は使用済核燃料の再処理工程で発生する放射性ガスを、天然ゼオライト岩からなる吸着剤、特に天然ゼオライト岩をイオン交換法により水素型に調整した吸着剤に接触吸着させて回収する。例文帳に追加

Radioactive rare gas generated from a reactor and a reprocessing process or spent nuclear fuel is recovered by contacting rock adsorbing in adsorbents consisting or natural zeolite rock especially an adsorbent which natural zeolite rock is controlled in hydrogen type by ion exchanging method. - 特許庁

原子力発電用排ガス処理装置は、タービン主復水器1内に滞留する放射性気体廃棄物を排ガスとして抽出する空気抽出器2、その排ガスを処理する側に順次、排ガス予熱器3、再結合器4、復水器5、除湿装置6、ガスホールドアップ塔7、排ガス抽出器8、及び排気塔9を備える。例文帳に追加

An exhaust gas processor for reactor power generation is provided with an air extractor 2 for extracting as exhaust gas the radioactive gas waste stagnating in a turbine main condenser 1, an exhaust gas preheater 3, a recombiner 4, a condenser 5, a dehumidifier 6, a rare gas hold-up tower 7, an exhaust gas extractor 8 and an exhaust tower 9 in turn in the exhaust gas processing side. - 特許庁

触媒の活性温度の領域が広くかつ触媒原子当たり活性が向上した、薄燃焼排気ガスを浄化するのに適した触媒およびその製造を得る。例文帳に追加

To obtain a catalyst having wide activity temperature rang and improved activity per catalyst atom and suitable for cleaning lean burnt exhaust gas and a manufacturing method thereof. - 特許庁

水分子を破壊して電子励起した酸素原子を形成できる高エネルギーのEUVフォトン(E>20eV)を放射するガスプラズマ(例えば、He)が、吸着された水を除去するために用いられる。例文帳に追加

A noble-gas plasma (e.g. He) that emits high-energy EUV photons (E>20 eV) which is able to destruct water molecules forming electronically excited oxygen atoms is used to remove the adsorbed water. - 特許庁

燃料棒破損から原子炉上蓋の開放までの時間短縮を図り、かつ環境の放射能汚染を低減することができる放射性ガス処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a radioactive rare gas treatment method capable of shortening a time from the breakage of a fuel rod to the opening of a top cover of a nuclear reactor, and reducing the radioactive contamination of the environment. - 特許庁

安全性に優れると共に、原子炉や使用済核燃料の再処理工程で発生する放射性ガスを効率良く、確実且つ迅速に回収する方法を提供する。例文帳に追加

To attain a method superior in safety and efficiently, surely and quickly recovering radioactive rare gas generated from a reactor or in reprocessing process of spent nuclear fuel. - 特許庁

本実施の形態におけるPDPは保護膜8として、母材となるMgOに対し、He, Ne, Ar, Kr, Xe, Rnから選択された少なくとも1種類の希ガス原子を10ppm〜1000ppmの範囲で分散させた構造とする。例文帳に追加

A PDP has, as a protection membrane 8, a structure in which at least one kind of rare gas atoms selected from He, Ne, Ar, Kr, Xe, and Rn is dispersed in the range of 10 ppm to 1,000 ppm against MgO that becomes a base material. - 特許庁

ガスとフッ素原子を含むガスとが封入されたエキシマランプを、十分に高い照度を長時間の間にわたって維持することのできる長い光出力減衰寿命を有するものとして構成することのできるエキシマランプ装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an excimer lamp device for forming an excimer lamp filled with a noble gas and a gas containing fluorine atoms as one having a long decay lifetime of optical output during which sufficiently high illuminance is maintained for a long period of time. - 特許庁

プラズマ処理による改質のみ、熱アニール処理のみによる改質による効果を向上する為に、ガスと酸素原子を含む処理ガスに基ずくプラズマを用いて、絶縁膜にプラズマ処理と熱アニール処理を組み合わせた改質処理を施すことで、該絶縁膜を改質する。例文帳に追加

In order to enhance an effect by only a modification by a plasma processing and only a modification by a thermal annealing processing, a plasma based on a processing gas containing a rare gas and an oxygen atom is used, and a modification processing which combines the plasma processing with the thermal annealing processing is performed on the insulating film, to modify the insulating film. - 特許庁

塩素原子、−CO_2R、−COX、−CH_2OCOR、及び−CH_2OSO_2Rからなる群から選択された少なくとも一つの置換基(Rは炭化水素基を表し、Xはハロゲン原子を表す。)を有する炭素数2以上の炭化水素化合物を不活性ガス釈されたフッ素ガスとともにペルフルオロカーボン中に導入することを特徴とする炭化水素化合物のフッ素化方法。例文帳に追加

The method for fluorinating a hydrocarbon compound comprises introducing a ≥2C hydrocarbon compound containing at least one substituent group selected from the group consisting of a chlorine atom, -CO_2R, -COX, -CH_2OCOR and -CH_2OSO_2R (R is a hydrocarbon group; X is a halogen atom) and fluorine gas diluted with inert gas into a perfluorocarbon. - 特許庁

このレジスト剥離方法により、ガスと酸化性ガスを含むガス混合物に光子エネルギー又はイオンエネルギー又は電子エネルギーを供給して原子状酸化性種かラジカルを生成し、次いでレジスト成分を酸化して揮発性成分を生成し、これらを除去することによりレジストのない表面を形成することが可能になる。例文帳に追加

In this method of stripping a resist material, atomic oxidizing species or radicals are generated by supplying photon energy, ion energy, or electron energy to a gas mixture containing noble gas(es) and oxidizing gas(es), and thereby the resist components are oxidized to form volatile components, which are then removed to form resist-free surface. - 特許庁

土類金属をRとしてR:5〜10原子%、Ta:5〜10原子%を含有し、残部:Coおよび不可避不純物からなるターゲット組成となる割合で、CoとRとの合金粉末であるR−Co合金粉と、Ta粉と、の混合粉末を作製する工程と、該混合粉末を真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程と、を有している。例文帳に追加

This manufacturing method includes the steps of: preparing a mixture powder of an R-Co alloy powder which is an alloy powder of Co and R that is a rare-earth metal and a Ta powder so that the composition of the target comprises 5-10 atom% R, 5-10 atom% Ta and the balance Co with unavoidable impurities by a ratio; and hot-pressing the mixture powder in a vacuum or an inert-gas atmosphere. - 特許庁

1〜3個の炭素原子を有する含塩素化合物を含むペンタフルオロエタンを水素化触媒の存在下、水素と気相で150〜400℃で反応させて、前記含塩素化合物を水素化する工程(1)、および工程(1)の生成物をガスの存在下、フッ素と気相で反応させて、ヘキサフルオロエタンを製造する工程(2)を含む製造方法。例文帳に追加

This method for producing the hexafluoroethane comprises (1) a step of reacting pentafluoroethane containing a chlorine-containing compound having 1-3 carbon atoms with hydrogen in the presence of a hydrogenating catalyst in the vapor phase at 150-400°C and hydrogenating the chlorine- containing compound and (2) reacting the resultant product in the step (1) with fluorine in the presence of a diluting gas in the vapor phase and producing the hexafluoroethane. - 特許庁

調理鍋の主原材料にラジウム鉱石を添加すると、調理鍋を用いて調理をするとき、また調理鍋を囲んで食事をするときに、ラジウム鉱石から半永久的に放出されるガスの一種であるラドン(Rn;原子番号86)を、調理鍋の近傍にいる人は直接に又は調理鍋から立ち上がる湯気とともに呼吸器系を通して体内に吸引する。例文帳に追加

When radium ore is added to the principal raw material of the cooking pot, radon (Rn: atomic number 86) which is a kind of rare gas semi-eternally emitted from radium ore is sucked into the body by a person near the cooking pot directly or through the respiratory system together with steam generated from the cooking pot during cooking using the cooking pot or while having a meal sitting around the cooking pot. - 特許庁

原子炉施設より環境に放出される気体廃棄物を取り込み、これに放射性物質の特徴的な波長を励起させるレーザ光を照射することで、蛍光が得られる蛍光を分析して、トリチウム、よう素、ガスの放射性物質とその濃度を測定するようにしたレーザ式放出放射性物質濃度測定装置。例文帳に追加

The laser-type concentration measurement apparatus for released radioactive materials takes off gasses discharged from a nuclear reactor facilities to the environment, analyzes fluorescence by irradiating a laser light which stimulates a specific wavelength of the radioactive materials, and measures tritium, iodine, and the radioactive materials in noble gases and concentrations thereof. - 特許庁

例文

多孔質酸化アルミニウム及び水酸化物を含有する少なくとも1つ以上のインク受理層を被覆した支持体からなるインクジェット印刷用記録シートであり、該水酸化物が原子番号57〜71をもつ周期系の土類金属系列元素の1つ以上を含むことを特徴とするインクジェット印刷用記録シートは、耐光性や耐ガス性などの耐候性に優れているが、インクのにじみや乾燥性が悪いという欠点を有している。例文帳に追加

To solve defects such as development of bleeding and poor drying properties of ink under a state of the excellent weatherability such as the light resistance and gas resistance of an ink jet printing recording sheet consisting of a support covered by at least one or more ink accepting layer including a porous aluminum oxide and a hydroxide, which includes one or more of rare earth metal series element of a periodic table having the atomic numbers of 57 to 71. - 特許庁

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