「成長圧力」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

食用部Ｓには成長度合いに応じた適度な圧力が常に加えられる。例文帳に追加

Proper pressure is constantly added to the edible part S in accordance with the degree of its growth. - 特許庁

混合比、ガス圧力および温度を制御してＩＩＩ族窒化物結晶を結晶成長する結晶成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a crystal growth apparatus which grows a group III nitride crystal by controlling mixing ratio, gas pressure and temperature. - 特許庁

ＣＶＤ法を用いてＳｉ基板直上にＧａＮ層を成長させるＧａＮ層成長方法において、１００Ｔｏｒｒ以下の成長圧力においてＧａＮ層を成長させることを特徴とする。例文帳に追加

In the GaN layer growing method using a CVD method to grow a GaN layer just above the Si substrate, the GaN layer is grown in ≤100 Torr growing pressure. - 特許庁

制御装置３７０は、空間２３の圧力Ｐｉｎと外部反応容器３００内の圧力Ｐｏｕｔとの圧力差を結晶成長装置１００が異常と判定される所定値よりも小さい値に設定する。例文帳に追加

A controlling device 370 set the pressure difference between the pressure Pin of the space 23 and the pressure Pout in the external reaction vessel 300 to a value smaller than a prescribed value which determines a crystal growth apparatus 100 to be abnormal. - 特許庁

本発明は、圧力調整弁の自動制御をチャンバー内の圧力から行えるようにした新規な気相成長装置における排気部（バルブの圧力調整弁付近）のクリーニング方法を提供するものである。例文帳に追加

To provide a cleaning method of an exhausting portion (the vicinity of the pressure control valve of the valve of a vapor-phase growth apparatus), in the vapor-phase growth apparatus wherein the automatic control of its pressure control valve can be performed by the pressure of its chamber. - 特許庁

世界経済は全体として引き続き拡大しており、価格圧力の抑制に支えられ、更なる成長の見通し。例文帳に追加

The global economy, as a whole, continues to expand and the outlook is positive for further growth, supported by the containment of underlying price pressures.  - 財務省

世界全体で低成長が見込まれる中、外生ショックによるインフレ圧力に対する政策対応は非常に難しいものとなるでしょう。例文帳に追加

Implementing policy responses to inflationary pressures from exogenous shocks will be quite challenging, given weaker growth prospects throughout the world.  - 財務省

新興市場国の経済成長が明るい点ではあるが、これらの国々も同様に世界的な圧力からの影響は免れ得ない。例文帳に追加

The performance of emerging markets has been a bright spot, but these countries as well are not immune from global forces.  - 財務省

その際、イオンビーム照射時のチャンバー内圧力をエピタキシャル成長時よりも低くし、イオンビームの散乱を抑制する。例文帳に追加

In this case, internal pressure in the chamber at the ion beam irradiating time is set lower than that at the epitaxially growing time to suppress the scattering of the ion beam. - 特許庁

高圧力下において高速成長を可能にした非極性ａ面窒化ガリウム単結晶の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of growing a non-polar a-plane gallium nitride single crystal that ensures growth at a faster rate under a high pressure. - 特許庁

このようにして、水はＯリングを通じて透過せず、その結果、基礎圧力が減少され、氷成長が高度に減少される。例文帳に追加

Thus, the water does not permeate via the O-ring, and as a result of it, basic pressure is reduced, and the water growth is reduced to a high degree. - 特許庁

ここで、Ｔｉ膜１８を形成する工程において、圧力が０．３Ｐａ以下の雰囲気中で物理気相成長法を用いる。例文帳に追加

In a process to form the Ti film 18, a physical vapor phase epitaxy method is used under the atmosphere having a pressure of not more than 0.3 Pa. - 特許庁

この気相成長装置１０においては、ホルダ２２の回転速度が増加したときに、圧力調整器１６で筐体１２内を減圧する。例文帳に追加

In the vapor deposition arrangement 10, the inside of the case 12 is depressurized with the pressure regulator 16 when the rotation speed of the holder 22 increases. - 特許庁

反応室１４内の圧力は、薄膜成長時には大きく、残留ガスの真空排気時には小さくなる。例文帳に追加

The pressure in the reaction chamber 14 becomes high at the time of growth of the membrane and becomes low at the time of vacuum exhaustion of the residual gas. - 特許庁

他方、新興国では、海外からの資金流入も含めた国内経済の高成長、商品市況の高騰もあり、インフレ圧力が高まった。例文帳に追加

With high domestic economic growth, infusion of foreign capital in the market, and sudden rises in commodity markets, inflationary pressure grew high in the emerging economies. - 経済産業省

我が国経済の低成長と長期的なデフレ状態が継続している中で、企業における人件費抑制圧力・雇用過剰感が高まっている例文帳に追加

Businesses operating under low-growth economy and a long-term deflation experience more pressure in terms of labour cost reductions and sense of employment surpluses - 厚生労働省

混合比ｒが複数の混合比の範囲で決定され、その決定された混合比に応じた圧力／温度相関図に含まれる所望の圧力および温度を用いてＧＡＮ結晶が結晶成長される。例文帳に追加

The mixing ratio r is determined within a range of a plurality of mixing ratios, and the GaN crystal is grown by using desired pressure and temperature included in the pressure/temperature correlation diagram corresponding to the determined mixing ratio. - 特許庁

ヘイズが発生しない基準成長温度よりも低い成長温度たとえば１０２０゜Ｃでかつ常圧（７６０Torr）よりも低い圧力たとえば２００Torr下で半導体薄膜２を形成する。例文帳に追加

The semiconductor thin film 2 is formed at a growth temperature, for example, 1020°C, lower than a reference growth temperature at which haze does not arise, under pressure, for example, 200 Torr lower than ordinary temperature (760 Torr). - 特許庁

原料ラインの切り換えなどにより生じるガス供給管と送出管の圧力差を瞬時に補正でき、気相成長における生成膜の界面の急峻性を向上することができる気相成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor phase growth system, which can instantaneously correct the pressure difference between a gas supply pipe and a send-out pipe caused, when a raw material line is switched, and so on, and can improve steepness of the interface between films formed in vapor phase growth. - 特許庁

気泡成長計算手段２３は、圧力に基づいて気泡半径についての時間発展方程式を計算して、気泡半径、気泡成長速度及びボイド率を流体計算手段２２に引渡す。例文帳に追加

The bubble growth calculation means 23 calculates a time-development equation about bubble radius on the basis of the pressure and delivers the bubble radius, bubble growth rate and void ratio to the fluid calculation means 22. - 特許庁

これにより押出機内でポリマ溶融張力と発泡核剤の気泡成長圧力とのバランスを適正に保ち、破泡や異常成長を防止することができる。例文帳に追加

Thereby, polymer melt tension and foam growing pressure of the foam nucleating agent can be properly balanced within an extruding machine to prevent foam-breaking and abnormal growth. - 特許庁

そして、約１時間後、電気炉６が１２００℃の成長温度になって、そのときＡｒガスの流量、石英管室５の圧力と電気炉６の温度が安定した条件下で２時間の試料成長を行わせた。例文帳に追加

After about 1 hr and the temperature of the electric furnace 6 reaches growing temperature of 1,200°C, the growth of a specimen is performed for 2 hr under a stabilized condition of the flow rate of gaseous argon, the pressure in the quartz tube chamber 5 and the temperature of the electric furnace 6. - 特許庁

人民元の上昇圧力が高まり、労働コストが上昇を続ける中で、中国の持続可能な発展のためには、内需依存型経済成長、消費主導型経済成長に向けての経済構造変化が必要とされている。例文帳に追加

For the sustainable development of China, the change of the economic structure is necessary towards the domestic demand-driven economic growth, in other words, the consumption-led economic growth, while pressure to raise Yuan becomes higher, and labor cost continues increasing. - 経済産業省

無極性面を主面とする窒化物系半導体を半導体成長用基板上へ気相成長させる窒化物系半導体の気相成長方法であって、前記気相成長時における雰囲気の圧力を１〜１０ｋＰａとし、かつ、前記半導体成長用基板の温度を９００℃以上１１００℃未満とすること。例文帳に追加

In the vapor deposition method of the nitride semiconductor with the nonpolar surface as a main surface onto a substrate for vapor deposition of the nitride semiconductor, the pressure of an atmosphere in the vapor deposition is made to be 1-10kPa and the temperature of the substrate for growing the semiconductor is made to be ≥900°C and <1,100°C. - 特許庁

III族窒化物半導体膜１３の成長における（窒素原料の供給モル量）／（III族原料の供給モル量）は１２５０以上であり、その成長温度は摂氏１０５０度以上であり、その成長圧力は２００Ｔｏｒｒ以上である。例文帳に追加

In growth of a group III nitride semiconductor film 13, (supply molar quantity of nitrogen raw material)/(supply molar quantity of group III raw material) is 1,250 or larger, the growth temperature thereof is 1,050°C or higher, and the growth pressure thereof is 200 Torr or larger. - 特許庁

種結晶を用いた昇華再結晶法により炭化珪素単結晶を成長させる方法において、雰囲気圧力を結晶成長温度到達後に低下させる際に、成長用坩堝温度を降下させ、減圧時の一時的な坩堝内温度上昇を抑制する。例文帳に追加

In the method of growing the silicon carbide single crystal by a sublimation recrystallization method using a seed crystal, the temperature of a crucible for growth is lowered to suppress the temporary temperature elevation in the crucible during pressure reduction when the atmosphere pressure is dropped after the temperature for the growth of the crystal is attained. - 特許庁

圧力制御部１３０、１４０は、気体供給部１０１と結晶成長室１１０との間、および、結晶成長室１１０および気体排出部１２０との間の少なくとも一方に接続され、かつ結晶成長室１１０と、気体供給部１０１および気体排出部１２０の少なくとも一方とにそれぞれ開放されることで断続的に圧力が変化する。例文帳に追加

The pressure control sections 130 and 140 are connected to at least one of a part between the gas supply section 101 and crystal growth chamber 110 and a part between the crystal growth chamber 110 and gas exhausting section 120, and are opened to at least one of the crystal growth chamber 110 and the gas supply section 101 and gas exhausting section 120, thereby changing the pressure intermittently. - 特許庁

半導体基板上に２本のストライプ状の成長マスクを形成し、この成長マスクに挟まれた領域に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるダブルへテロ構造の光導波路を有機金属気相成長法を用いて、選択的に成長させる半導体レーザの製造方法において、前記Ｖ族の圧力を、１３．３Ｐａ乃至４００Ｐａとしたことを特徴とするものである。例文帳に追加

In the method for fabricating a semiconductor laser where two stripe growth masks are formed on a semiconductor substrate and an optical waveguide of III-V compound semiconductor having double heterostructure is grown selectively in a region defined by the growth masks by organo- metallic VPE system, pressure of the V compound semiconductor is set in the range of 13.3-400 Pa. - 特許庁

電気光学効果を有する電気光学結晶１と、電気光学結晶１の内部に電界を発生させる、正極２と負極３とからなる電極対と、電気光学結晶１の結晶の成長方向（ｘ軸方向）と平行に圧力を印加する圧力印加手段１１，１２，１３とを備えた。例文帳に追加

The electrooptic element is equipped with: electrooptic crystal 1 having electrooptic effect; an electrode pair of a plus electrode 2 and a minus electrode 3 producing an electric field in the electrooptic crystal 1; and pressure application means 11, 12 and 13 for applying pressure in parallel to the crystal growing direction (x-axis direction) of the electrooptic crystal 1. - 特許庁

超高真空空間において、触媒が設けられた基板を加熱した後、原料ガスを導入し、単層カーボンナノチューブを成長させる方法であって、前記基板を加熱する直前の超高真空空間の圧力が、前記原料ガスを導入し終えた時点の超高真空空間の圧力の１／１０００以下である単層カーボンナノチューブの成長方法。例文帳に追加

The method comprises heating a substrate provided with a catalyst in an ultrahigh vacuum space and then introducing a source material gas to grow monolayer carbon nanotubes, wherein the pressure in the ultrahigh vacuum space just before heating the substrate is not more than 1/1000 of the pressure in the ultrahigh vacuum space when introduction of the source material gas is finished. - 特許庁

本発明では、反応チャンバー１２内で、絶縁膜４４が成膜されたシリコン基板１７上のシリコン露出面４５にシリコン結晶層を成長させる際に、成長温度を６００℃とし、反応チャンバー１２内の水分圧力を２×１０^-8Pa以下とした、低温・低水分圧条件にしている。例文帳に追加

When a silicon crystal layer is grown on a silicon exposed surface on a silicon substrate 17 where an insulating film is formed in a reactive chamber 12, such a low-temperature and low water partial-pressure condition as growth temperature is 600°C while a water partial pressure within the reactive chamber 12 is 2×10-8 pa or less, is provided. - 特許庁

このように、III族金属とフラックス（例えばＮａ）が十分ある状態で、窒素原料である窒素ガスの圧力が制御できることで、継続的なIII族窒化物結晶（ＧａＮ結晶）の成長が可能となり、III族窒化物結晶（ＧａＮ結晶）を所望の大きさに成長させることが可能となる。例文帳に追加

Thus, when the pressure of the gaseous nitrogen being the nitrogen raw material is controlled under such a state that sufficient amounts of a group III metal and a flux (e.g. Na) are present, it becomes possible to continuously grow the group III nitride crystal (GaN crystal) and to grow the group III nitride crystal (GaN crystal) having a desired crystal size. - 特許庁

ＭＯＣＶＤ法により酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気を用い、成長温度が２５０℃から４５０℃の範囲内で、かつ、成長圧力が１ｋＰａから３０ｋＰａの範囲内であって、酸素原子を含まない有機亜鉛化合物材料と水蒸気とを少なくとも含む材料ガスを基板１０に吹き付けて酸化亜鉛の単結晶層１１を成長させる。例文帳に追加

The single crystal layer 11 of zinc oxide is grown by blowing a material gas containing at least an organic zinc compound material not containing an oxygen atom and steam on the substrate 10 using an organic metal compound not containing oxygen and steam by an MOCVD method at a growing temperature of 250-450°C and a growing pressure of 1-30 kPa. - 特許庁

また、本発明に係るカーボンナノチューブの成長方法は、前記反応装置にカーボンを含むガスを導入させて、化学気相堆積法でカーボンナノチューブを成長させる段階と、所定のスピードにより前記反応装置の反応容器の内部圧力を連続的に低減させる段階と、前記反応容器に先端が異なるカーボンナノチューブを成長させる段階と、を含む。例文帳に追加

This growth method of carbon nanotube contains a step in which a gas containing carbon is introduced to the reaction unit and carbon nanotube is grown by chemical vapor-phase deposition method, a step in which the inner pressure of the reaction vessel of the reaction unit is continuously decreased at a specified speed, and a step in which carbon nanotubes with different tips are grown in the reaction vessel. - 特許庁

さらにこれら3か国では欧州債務危機が顕在化した2010年以降は財政健全化に向けた市場の圧力の高まりから緊縮策の実施を余儀なくされており、既にイタリアでは実質GDP成長率が2011年第3四半期からマイナス成長、スペインでも同年第4四半期にマイナス成長に陥るなど、歳出抑制が足もとの景気をさらに押し下げるリスクが高まっている。例文帳に追加

Furthermore, since 2010 when the European debt crisis was emerging, these three countries have been forced to implement austerity measures under the increasing market pressure toward sound public finance, which increases the risk of further depressing the economy. For instance, Italy had already fallen into negative real growth rates to GDP since the 3rd quarter of 2011 and Spain fell into negative growth in the 4th quarter of 2011. - 経済産業省

一次産品とりわけ原油及び食料の価格上昇は、世界の安定成長に重大な試練を提起し、最も脆弱な人々に深な影響を与え、また、世界的にインフレ圧力を高めるおそれがある。例文帳に追加

Elevated commodity prices, especially of oil and food, pose a serious challenge to stable growth worldwide, have serious implications for the most vulnerable, and may increase global inflationary pressure.  - 財務省

安全にかつ安定して排ガスを処理することができ、気相成長炭素繊維製造装置における反応管において圧力変動を生じさせることのない排ガス処理装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an exhaust gas treating device safely and stably treating exhaust gas without causing pressure fluctuation in a reactor tube of vapor-growth carbon fiber producing apparatus. - 特許庁

詳細には、本発明の方法は、高温及び高圧、代表的には２１００から２５００℃の間の温度及び６〜８ＧＰａの圧力で、成長したダイヤモンドを熱処理するステップを含む。例文帳に追加

In detail, the method includes a step of heat-treating the diamond grown at a high temperature and high pressure, representatively at a temperature of 2,100-2,500°C and pressure of 6-8 GPa. - 特許庁

そして、処理室２内を常圧および準常圧領域の圧力とした状態で、処理室２内に配置された半導体ウエハ１２上にシリコンゲルマニウム膜をエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

Then the silicon-germanium film is epitaxially grown on a semiconductor wafer 12 disposed in the chamber 2 in a state that pressure in the chamber 2 is adjusted to normal or quasi-normal pressure. - 特許庁

液体供給路の途中に設けられた圧力室内における気泡の成長を抑制することのできるバルブユニットおよび液体噴射装置を提供する。例文帳に追加

To provide a valve unit installed halfway in a liquid supply channel and capable of suppressing foam growth in a pressure chamber and provide a liquid jetting apparatus. - 特許庁

Ｒ＝ΔＰ／η ……（２）ここで、Ｒ：気孔成長パラメータ［１／ｓ］、 ΔＰ：石炭軟化溶融層内の圧力[Ｐａ]、 η：石炭軟化溶融層の粘度［Ｐａ・ｓ］例文帳に追加

In the formula, R is the pore-growing parameter [1/s]; ΔP is the pressure [Pa] in the softening and melting layer of coal; and η is the viscosity [Pa s] of the softening and melting layer of coal. - 特許庁

ガスライン圧力を適正に校正する機構により原料ガス供給量を制御し、成長速度、或いは組成比変動による歩留低下を抑制することができる半導体製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide semiconductor manufacturing equipment that can control the amount of a material gas supplied by a mechanism for properly correcting gas line pressure and can regulate yield deterioration caused by a growth rate or the fluctuation of a composition ratio. - 特許庁

結晶成長室内部の気体の圧力制御の精度を向上して化合物半導体結晶の製造を行なう、化合物半導体結晶の製造装置および化合物半導体結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and method for manufacturing a compound semiconductor crystal that manufacture a compound semiconductor crystal by improving the accuracy of pressure control of gas inside a crystal growth chamber. - 特許庁

化合物半導体結晶の製造装置は、気体供給部１０１と、結晶成長室１１０と、気体排出部１２０と、圧力制御部１３０、１４０とを備えている。例文帳に追加

The apparatus for manufacturing the compound semiconductor crystal includes a gas supply section 101, the crystal growth chamber 110, a gas exhausting section 120, and pressure control sections 130 and 140. - 特許庁

時間の経過とともに、圧力を変化させることにより、細胞成長の活性化を促進する手段を備えた負圧による組織治療システムを提供する。例文帳に追加

To provide a negative pressure assisted tissue treatment system with a means to promote activation of cell growth by changing pressure over time. - 特許庁