「準結晶性」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

準備工程においては、結晶面Ａと格子整合性を有する配向面を有する第１異方形状粉末を準備する。例文帳に追加

In the preparing process, a first anisotropic-shape powder having an orientation plane lattice-matching with the crystal surface A is prepared. - 特許庁

植物から得られるリグノセルロース繊維と結晶性の樹脂組成物とを含む植物繊維樹脂複合組成物を、結晶性の樹脂組成物の結晶化温度を基準とした上下３０℃の範囲の温度の金型で成形することを特徴とする。例文帳に追加

The plant fiber-resin composite composition containing lignocellulose fiber obtained from plants and a crystalline resin composition is molded using a mold having temperature in the range of above and below 30°C based on the crystallization temperature of the crystalline resin composition. - 特許庁

植物から得られたリグノセルロース繊維と結晶性の樹脂組成物とを含有する植物繊維樹脂複合成形品を製造する際に、結晶性の樹脂組成物の結晶化温度を基準とした上下３０℃の範囲内のダイス温度で押出成形する。例文帳に追加

In producing the vegetable fiber resin composite molded article containing lignocellulose fibers obtained from vegetables and a crystalline resin composition, extrusion molding is performed at a die temperature in the range of ±30°C based on the crystallization temperature of the crystalline resin composition. - 特許庁

α型の結晶構造のアルミナに匹敵する機械的特性、耐久性があってかつ、酸やアルカリの溶液による分解を受けない、準安定型の結晶形態をもつアルミナコーティング構造体を提供する。例文帳に追加

To provide an alumina coating structure having a metastable crystalline configuration, which has mechanical characteristics and durability comparable to the alumina having α-type crystalline structure and does not undergo decomposition by a solution of an acid or alkali. - 特許庁

単結晶又は準単結晶配向性を有する金属表面に電気鍍金により二軸集合組織を有する純金属又は合金鍍金層及びその製造方法例文帳に追加

PURE-METAL OR ALLOY PLATING LAYER HAVING BIAXIAL TEXTURE AND FORMED BY ELECTROPLATING ON SURFACE OF METAL HAVING SINGLE CRYSTAL OR QUASI-SINGLE CRYSTAL ORIENTATION, AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

単結晶又は準単結晶配向性を有する金属基板の表面に電気鍍金により形成された二軸集合組織を有する純金属又は合金鍍金層及びその製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a pure-metal or alloy plating layer having a biaxial texture and formed by electroplating on the surface of a metal substrate having single crystal or quasi-single crystal orientation and provide its manufacturing method. - 特許庁

バンドギャップの中心からのエネルギー差が０．２ｅＶ未満の領域内に形成されている結晶欠陥を終端処理することにより生じるトラップ準位の結晶欠陥は、リーク電流に対する依存性が弱い。例文帳に追加

The crystal defect of the trap level generated by performing termination processing to the crystal defect formed in the region of <0.2 eV in the energy difference from the center of the band gap is small in dependency with respect to a leak current. - 特許庁

このため、針状体形状を形成した後に結晶異方性エッチングを行うことで針状体１５の形状を結晶面に準拠として調製を行うことが出来、精度良く形状制御を行うことが出来る。例文帳に追加

Thus, the crystal anisotropic etching after formation of the needle shape can make the shape of the needle-shaped body 15 as reference on the crystalline plane, and shape control can accurately take place. - 特許庁

デバイス特性を改善するため、半導体材料は規則的な、準規則的な単一の結晶構造を有する。例文帳に追加

To improve device characteristics, the semiconductor material has regular and quasi-regular single crystal structure. - 特許庁

結晶欠陥準位が少なく、優れた半導体特性を有する微小構造体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a microfabricated structure which has a reduced crystalline defect level and has superior semiconductor characteristics. - 特許庁

また、その製造方法を、所定の条件を満足するような粉末状の原料炭素物質を準備する原料準備工程と、その原料炭素物質の結晶性を変化させて、上記（Ａ）〜（Ｃ）の条件を満足するような炭素物質とする結晶性調整工程とを含んでなるよう構成する。例文帳に追加

The manufacturing method contains a raw material preparation process preparing a powdery raw carbon material satisfying prescribed conditions, and a crystallinity adjusting process for making the carbon material to satisfy the conditions (A) to (C) by changing the crystallinity of the carbon material. - 特許庁

準結晶相強化マグネシウム系合金は、凝固の際マグネシウム基固溶体(アルファマグネシウム)が初晶として形成されて基地組織を成し、準結晶相が第２相としてマグネシウム基固溶体と共晶相を形成する合金として、熱間圧延または押出しなどの成形性を有する。例文帳に追加

The quasicrystal-phase-strengthened magnesium alloy has processability such as hot rollability or extrudability. - 特許庁

準結晶相と固溶体との二相領域が存在するマグネシウム基Ｍｇ−Ｚｎ−Ｙ合金系において凝固の際、金属固溶体基地内に準結晶相が第２相として形成されると共に、熱間成形性に優れ、また成形過程を通して準結晶相が小さな粒子に分離されて金属基地内に分散強化されることによって強度と延伸率が優れている準結晶相強化マグネシウム系合金。例文帳に追加

To provide a quasicrystal-phase-strengthened magnesium alloy in which a quasicrystal phase is formed as a second phase in a metal solid-solution matrix in the solidification of a Mg-Zn-Y alloy having two phases compared of quasicrystal phase and solid solution, and which has excellent hot processability, excellent strength/elongation ratio since the quasicrystal phase is separated into fine particles during formation and extensively dispersed in the metal matrix. - 特許庁

得られた焼結体である高周波用磁性体磁器は、その相対密度（理論密度に対する焼結体の密度の比）が９５％以上、平均結晶粒径が２μｍ以上、結晶粒径の３σ（σは標準偏差）が２μｍ以下である。例文帳に追加

The sintered magnetic ceramic for high frequency has a relative density (the ratio of the density of the sintered compact to the theoretical density) of ≥95%, an average crystal particle diameter of ≥2 μm and 3 σ (σ is standard deviation) of the crystal particle diameter of ≤2 μm. - 特許庁

少なくともＦｅ、Ｃｏ、Ｍ（ＭはＢａおよびＳｒのうちの少なくとも１種）およびＯを含有し、その焼結体の結晶粒径［μｍ］の平均値をｘ、同じく結晶粒径の標準偏差をσとしたとき、ｘ＋３σ≦４の関係を満たす、六方晶Ｙ型酸化物磁性材料。例文帳に追加

This hexagonal Y type oxide magnetic material contains at least Fe, Co, M (at least one of Ba and Sr) and O and satisfies the relational expression: x+3σ≤4, (wherein x is the average crystal particle diameter [μm] of the sintered compact of the hexagonal Y type oxide magnetic material; σis the standard deviation of the crystal particle diameter). - 特許庁

前記ワイドバンド化合物において、電気陰性度が1.9以上の元素を含み、結晶格子中の該陰性元素の一部を異なる電気陰性度を有する他の陰性元素で置換し、該置換により中間準位を形成することができる。例文帳に追加

In the wide-band compound, an element with an electronegativity of 1.9 or more is included, a part of negative elements in a crystal lattice is replaced by another negative element, having a different electronegativity, and the replacement can form the intermediate level. - 特許庁

耐熱性等の熱安定性を高水準に維持しつつ結晶化速度を飛躍的に向上せしめ、高い熱安定性と優れた成形性という通常は相反する特性の双方をバランス良く高水準に達成することが可能な脂肪族ポリエステル組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide an aliphatic polyester composition having a greatly improved crystallization rate while maintaining a high level of heat stabilities such as heat resistance, and enabling to achieve high levels of well balanced characteristics in heat stabilities and moldability generally opposing to each other. - 特許庁

工程 ：水溶性臭素供与化合物及び標準電極電位１Ｖ以上である化合物の存在下、マレイン酸を異性化してフマル酸結晶含有スラリーを得る工程。例文帳に追加

The process (1): a process for isomerizing the maleic acid in the presence of a water-soluble bromine-donating compound and a compound having a standard electrode potential of ≥1 V to produce the slurry containing the crystals of the fumaric acid. - 特許庁

比較的調製が容易な化合物を用いて、水溶液から難水溶性薬物等の難水溶性化合物の準安定形結晶を製造できる方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a metastable form crystal of a hard water-soluble compound such as a hardly water-soluble medicine or the like from an aqueous solution using a compound which is comparatively easily prepared. - 特許庁

鍛造によっても成型加工が可能で、その準結晶相の特性が滅失していないマグネシウム合金鍛造品を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a magnesium alloy forging which can be molded even by forging, and in which the characteristics of the quasicrystal phase thereof are not died away. - 特許庁

レーザー結晶化を行った後、ゲート絶縁膜を連続形成し、しかる後に水素プラズマ処理または酸素プラズマ処理を行うことによりｐｏｌｙ−Ｓｉ膜中の捕獲準位を不活性化させる。例文帳に追加

A gate insulating film is formed sequentially after laser crystallization, however after that by subjecting it to hydrogen plasma treatment or oxygen plasma treatment a trapping level in a poly-Si film is made inert. - 特許庁

高強靭性マグネシウム基合金は、重量基準で１〜８％の希土類元素および１〜６％のカルシウムを含み、素地を構成するマグネシウムの最大結晶粒径が３０μｍ以下である。例文帳に追加

The high-toughness magnesium-base alloy contains, by weight, 1 to 8% rare earth element and 1 to 6% calcium, and further, the maximum grain size of magnesium constituting a matrix is made to ≤30μm. - 特許庁

異なる基準で制御されたシリコンプレ溶融炉チャンバは、結晶引上処理中の垂直移動及び坩堝引上システムの必要性を有利に除去した、成長坩堝への溶融シリコンの連続的な供給源を提供する。例文帳に追加

A silicon premelting furnace chamber controlled under different standard provides a continuous supply source of molten silicon to the growth crucible while advantageously eliminating necessity of vertical movement and crucible pull-up system during crystal pull-up process. - 特許庁

Ｆｅを１０原子％以下添加して４元合金にすると、さらに広い組成範囲で準結晶が形成され、触媒活性を大きくすることができる。例文帳に追加

When this catalyst is made to be a quaternary alloy by adding Fe of ≤10 atom%, a quasi-crystal can be formed in a wider composition range and the catalytic activity can be made higher. - 特許庁

活性層とゲート絶縁膜との界面準位密度を低減し得るゲート絶縁膜を有する非単結晶ゲルマニウム薄膜トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a non-single crystal germanium thin film transistor including a gate insulating film which can reduce interface level density between an active layer and a gate insulating film. - 特許庁

７５０℃にて３００秒間焼鈍した場合の平均結晶粒径が３μｍ以下、かつその標準偏差が２μｍ以下である、疲労特性に優れたオーステナイト系ステンレス鋼帯。例文帳に追加

In the austenitic stainless steel strip having excellent fatigue properties, the average crystal grain size on annealing at 750°C for 300 s is ≤3 μm, and also, the standard deviation thereof is ≤2 μm. - 特許庁

７５０℃にて３００秒間焼鈍した場合の平均結晶粒径が３μｍ以下、かつその標準偏差が２μｍ以下であることを特徴とする、疲労特性に優れたオーステナイト系ステンレス鋼帯。例文帳に追加

In the austenitic stainless steel strip having excellent fatigue properties, the average crystal grain size on annealing at 750°C for 300 s is ≤3 μm, and also, the standard deviation thereof is ≤2 μm. - 特許庁

光吸収層３０は、基板１０の結晶を破壊し、深い準位を形成することの可能な元素をイオン注入することよって形成されたものであり、活性層１２から発せられた光を吸収する機能を有している。例文帳に追加

The light-absorbing layer 30 is formed by implanting ions of an element capable of forming a deep level by breaking a crystal of the substrate 10, and has a function of absorbing light emitted from an active layer 12. - 特許庁

この構造により、第２絶縁膜４ｂと界面を形成する半導体層５の結晶性の向上と、半導体層と第２絶縁膜との界面の欠陥準位の低減とを図ることができる。例文帳に追加

The first insulation film 4a is formed of SiN_x or the like having a high insulation property, while the second insulation film 4b is formed of an oxide (for example, SiO_2). - 特許庁

従来の標準仕様に比べて薄くても周縁断面形状を適切に選ぶことによって割れや欠けの危険性が低減されたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体単結晶基板を提供する。例文帳に追加

To provide a group III-V compound semiconductor single crystal substrate wherein a danger of the occurrence of cracks and chipping is reduced by properly selecting the shape of the circumferential edge cross-section of the substrate, even when the thickness of the substrate is thinner than that of prior arts. - 特許庁

特定方向Ａ1を基準としたときに磁性粉５の結晶における磁化容易軸６が±３０°以内に入っているものを良配向状態と定義する。例文帳に追加

When a specific direction Al is a reference, the state of the magnetic powder 5 that an easy axis 6 in the crystal of magnetic powder 5 is set within ±30° is defined as a satisfactory oriented state. - 特許庁

塑性変形が非常に少ないので、冷間成形加工が非常に困難であるZr基非晶質、準結晶、ナノ結晶、金属ガラス合金からなる合金材、例えば、リボン材や薄板材を加工して、任意の形状の製品、例えば、微細構造など付与された加工部品などを製造するエッチング技術の開発が求められている。例文帳に追加

To develop such an etching technique that an alloy material composed of a Zr-based amorphous alloy, a quasicrystal alloy, a nanocrystal alloy or a metal glass alloy to which cold forming is extremely difficult since plastic deformation is extremely little such as a ribbon material and a thin sheet material is worked produce a product with an optional shape such as a worked component with a microstructure or the like imparted. - 特許庁

異方性でナノ結晶質の希土類磁石の製造方法であって、 ナノ結晶質および／または非晶質の希土類磁石合金の粉末を準備する工程、 上記粉末を焼結する工程、 得られた焼結体を熱処理する第１熱処理工程、 次いで熱間強加工を行なう工程を含むことを特徴とする希土類磁石の製造方法。例文帳に追加

A manufacturing method of an anisotropic nano-crystalline rare earth magnet includes: a step of preparing powder of a nano-crystalline and/or amorphous rare earth magnet alloy; a step of sintering the powder; a first heat treatment step of heat-treating the obtained sintered body; and a step of performing hot hard working. - 特許庁

並置された複数の導波管と、壁面で囲まれた処理室にヘリウムを含む反応性気体を供給し、処理室内の圧力を大気圧若しくは準大気圧に保持しつつ、並置された導波管で挟まれた空間にマイクロ波を供給してプラズマを生成し、処理室内に載置された基板上に微結晶半導体でなる微結晶半導体層を堆積する。例文帳に追加

A reactive gas containing helium is supplied to a treatment chamber surrounded by a plurality of juxtaposed waveguides and a wall surface, microwaves are supplied to a space that is interposed between the juxtaposed waveguides to generate plasma while the pressure of the treatment chamber is held at an atmospheric pressure or a sub-atmospheric pressure, and a microcrystalline semiconductor layer made of a microcrystalline semiconductor is deposited over a substrate placed in the treatment chamber. - 特許庁

シクロデキストリン誘導体と難水溶性化合物を水、水溶性溶媒又は水と水溶性溶媒の混合溶媒に溶解して得た溶液を、冷却する、冷却及びpH調整する、又はpH調整をすることで、前記難水溶性化合物の任意の準安定形結晶を析出させる。例文帳に追加

A solution obtained by dissolving a cyclodextrin derivative and a hardly water-soluble compound in water, a water-soluble solvent, or a mixed solvent of water and a water-soluble solvent is cooled, the cooling and pH adjustment are performed, or pH adjustment is performed, and thereby any metastable form crystal of the hardly water-soluble compound is precipitated. - 特許庁

発光面の構成を並進対称性を持つ周期構造に代えて、並進対称性を持たない準結晶構成とすることによって、周期構造に伴う帯域依存性や視野角依存性を低減し、発光の空気中への取り出し効率を向上させる。例文帳に追加

The light emitting surface is made to have a quasi-crystal structure without translational symmetry instead of a cyclic structure with translational symmetry, thereby reducing dependency on band or on angle of field related to the cyclic structure as well as improving the pick-up efficiency of emitted lights in air. - 特許庁

半導体基板の結晶界面のダングリングボンドを重水素で効率よく終端することによって、半導体基板の界面準位密度とそれに起因する諸特性の初期値ならびに経時安定性の両方が改善する半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To improve both interface level density of a semiconductor board and an initial value of various characteristics caused thereby, and stability with time, by terminating dangling bond of a crystal interface of semiconductor board effectively by deuterium. - 特許庁

準備する工程では、成長する工程において結晶を成長する温度よりも高い融点を有し、かつ坩堝１０１を構成する材料よりも高い空孔率、高い延性、および高い脆性の少なくとも一方を有する緩衝層１１０を配置する。例文帳に追加

In the preparing process, the buffer layer 110 having a melting point higher than the temperature for growing a crystal in the growing process and at least one of higher porosity, higher ductility and higher brittleness than those of a material which composes the crucible 101 is arranged. - 特許庁

標準試料１０は、シリコン単結晶よりなる半導体基板１の上に、不純物を添加せずにエピタキシャル成長させたシリコン膜よりなる不活性層３と、不純物を添加してエピタキシャル成長させたシリコン膜よりなる活性層２Ａ〜２Ｆと、を交互に積層して形成される。例文帳に追加

The standard sample 10 is formed by interchangeably laminating inactive layers 3 composed of silicon films grown epitaxially without adding impurities, and active layers 2A-2F, composed of silicon films grown epitaxially doping impurities on a semiconductor substrate 1 composed of monocrystalline silicon. - 特許庁

結晶性樹脂を含む樹脂成形品と樹脂成形品とのフラッシュ光照射を用いる溶着において、特別な照射手段や手間のかかる事前準備無しに、高い密着性が安定的に得られるような樹脂成形品同士の溶着方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of welding resin molded articles where high adhesion is obtained stably without a special irradiation means and advance preparation requiring time and effort, in welding using a resin molded article including a crystalline resin and flash light irradiation with the resin molded article. - 特許庁

半導体ウェーハ１′を構成する半導体の結晶の方向を基準にして、異方性を有した欠陥６の長手方向に沿って光Ｌを走査し、半導体ウェーハ表面２ａに存在する異方性を有した欠陥６の有無を検出する。例文帳に追加

The presence/absence of an anisotropic defect 6 on the surface 2a of a semiconductor wafer 1' is detected by scanning the surface 2a of the wafer 1' with light L along the longitudinal direction of the defect 6 on the basis of the direction of semiconductor crystals constituting the wafer 1'. - 特許庁

このとき、結晶性の光電変換膜２１中には再結合中心やトラップ準位が無いため、光電変換により生じた電子が再結合中心やトラップ準位に吸収されることによる光電流の減少や、トラップ準位からのキャリア放出による残像の発生を抑制することができる。例文帳に追加

At this point, since there is no recombination center nor a trap level inside the crystalline photoelectric conversion film 21, the reduction in photoelectric current due to the absorption of the electrons created by photoelectric conversion by a recombination center or a trap level and the occurrence of after-image due to the emission of the carrier from the trap level can be suppressed. - 特許庁

次に単結晶シリコン薄膜１０６をパターニングして島状シリコン層１０８とした後、ハロゲン元素を含む酸化性雰囲気中で熱酸化処理を行うことで、トラップ準位や欠陥の除去された島状シリコン層１０９を得る。例文帳に追加

Then, the single crystal silicon thin film 106 is patterned to form an island-like silicon layer 108, and is subjected to thermal oxidation processing in an oxidation atmosphere containing halogen element, thereby obtaining the island-like silicon layer 109 in which trap level and defect are removed. - 特許庁

ローラー圧縮法，スラッグ打錠法によって得られたアダマンタン圧縮造粒は，容積基準メジアン細孔半径が３０００Å以下であり、粒径が２〜４０mmのものが得られ，昇華物結晶の成長を抑えることができる等の特性を有する。例文帳に追加

The adamantane pressed granule obtained by a roller press method or a pounding slug method has a median pore radius by volume of 3,000 Å or less and a particle size of 2 to 40 mm and can control growth of crystals formed by sublimation. - 特許庁

次に単結晶シリコン薄膜１０６をパターニングして島状シリコン層１０８とした後、ハロゲン元素を含む酸化性雰囲気中で熱酸化処理を行うことで、トラップ準位や欠陥の除去された島状シリコン層１０９を得る。例文帳に追加

Then, the film 106 is patterned to form the film 106 into island-like silicon layers 108 and thereafter, a thermal oxidation treatment of the layers 108 is performed in an oxidizing atmosphere containing a halogen element, whereby island-like silicon layers 109 from which a trap level and a defect are removed, are obtained. - 特許庁