「素板」に関連した英語例文の一覧と使い方(922ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体基板に形成されたチャンネル領域、チャンネル領域とショットキーコンタクトをなしているソース及びドレイン、チャンネル領域の一部分上に形成された中央ゲート電極、中央ゲート電極の外側のチャンネル領域に形成された第１及び第２側壁ゲート電極、及びチャンネル領域と側壁ゲート電極との間に形成された第１及び第２ストレージノードを備えるマルチビット不揮発性メモリ素子。例文帳に追加

There is provided a multi-bit nonvolatile memory device comprising a channel region formed on a semiconductor substrate, a source or a drain forming a shottky contact with the channel region, a central gate electrode formed on a part of the channel region, first and second side wall gate electrodes formed in the channel region outside the central gated electrode, and first and second storage nodes formed between the channel region and the side wall gate electrode. - 特許庁

この半導体パッケージは、絶縁フレームとその主面上にマトリックス状に実装した多数の半導体素子とを全面にわたって一連に樹脂封止することにより面方向に連続する平らな面をもった板状のパッケージパネル１８を形成し、これをダイシング装置の円形ブレードで半導体パッケージ毎に切断することにより、本体部の四側面が主面に垂直な切断面１０ａとなる状態で製造される。例文帳に追加

The semiconductor package is manufactured in a state where the four side surfaces of a body part are in a cut surface 10a, that is vertical to the main surface by forming a plate-shaped package panel with a flat surface that is continuous in the surface direction by performing the resin sealing in series over the insulation frame and the main surface and cutting it for each semiconductor package by the circular blade of a dicing device. - 特許庁

青色光を発光する青色光源と、液晶セル及び前記液晶セルを挟持する一対の偏向板を有する液晶素子と、前記青色光により励起されて赤色の蛍光を発する蛍光体、及び、前記青色光により励起されて緑色の蛍光を発する蛍光体を有するカラーフィルターと、少なくとも前記青色光を散乱させる光散乱フィルムとを含むことを特徴とする液晶表示装置である。例文帳に追加

This liquid crystal display device includes: a blue light source emitting blue light; a liquid crystal element having a liquid crystal cell and a pair of deflecting plates holding the liquid crystal cell between them; a color filter having a fluorescent material excited by the blue light to emit red fluorescence and a fluorescent material excited by the blue light to emit green fluorescence; and a light scattering film for scattering at least the blue light. - 特許庁

本発明の表示装置１は、複数のソースバスライン４・５と、複数のゲートバスライン９とが格子状に配置され、上記複数のソースバスライン４・５と上記複数のゲートバスライン９との交差部近傍に複数のＴＦＴが配置され、このＴＦＴを介して上記ソースバスライン及びゲートバスラインのそれぞれに電気的に接続された画素電極を備えたアクティブマトリクス基板７・８をそれぞれ有する２つの表示パネル２・３を備える。例文帳に追加

The display device is equipped with two display panels 2 and 3 which have a plurality of source bus lines 4 and 5 and a plurality of gate bus lines 9 arranged in a lattice shape and also has TFTs arranged nearby intersections of the plurality of source bus lines 4 and 5 and the plurality of gate bus lines 9 and are equipped with pixel electrodes electrically connected to the source bus lines and gate bus lines respectively through the TFTs. - 特許庁

基板上に少なくとも第１保護層、記録層、第２保護層、反射層をこの順に或いは逆順に有し、電磁波の照射により記録層に結晶相と非晶相の可逆的な相変化を生じ、その光学的な変化を利用して少なくとも情報の記録、再生が行われる相変化型光記録媒体において、記録層がＳｂとＳｂ以外の一つの元素を主成分とする記録材料で構成され、次の条件を満足することを特徴とする相変化型光記録媒体。例文帳に追加

In this phase-change type optical recording medium, at least a first protective layer, the recording layer, a second protective layer and a reflecting layer are provided on a substrate in this order or reverse order; electromagnetic-wave irradiation causes a reversible change between a crystal phase and an amorphous phase on the recording layer; and at least the recording and reproduction of information are performed by utilizing the optical change. - 特許庁

２枚の透明性電極及びこれらの電極間に支持された液晶光シャッター層を有する液晶光シャッター装置において、（１）当該液晶光シャッター層が、実質的に液晶成分及び二色性色素成分のみからなる混合物により構成され、（２）当該混合物が、２枚の透明性電極に直接接触しており、かつ、（３）配向膜及び偏光板を有しないことを特徴とする液晶光シャッター装置に係る。例文帳に追加

In the liquid crystal optical shutter which has two transparent electrodes and a liquid crystal optical shutter layer supported between these electrodes, the liquid crystal optical shutter layer is constituted of a mixture practically consisting of only a liquid crystal component and a dichroic pigment component (1), and this mixture is directly brought into contact with two transparent electrodes (2), and any oriented films and polarizing plates are not provided (3). - 特許庁

金属の表面に皮膜層を形成する金属の防錆方法であって、該皮膜層がエポキシ樹脂とエポキシ樹脂硬化剤を主成分とするエポキシ樹脂組成物の硬化により形成されたものであり、かつ該皮膜層の２３℃、相対湿度６０％ＲＨにおける酸素透過係数が２ ｍｌ−ｍｍ／ｍ^２・ｄａｙ・ＭＰａ以下であることを特徴とする金属の防錆方法、および該防錆方法を使用して製造した有機被覆鋼板。例文帳に追加

The rust prevention method of metal is carried out by forming a coating layer on the surface of a metal and is characterized in that: the coating layer is formed by hardening an epoxy resin composition essentially comprising an epoxy resin and an epoxy resin hardening agent; and the oxygen permeability coefficient of the coating layer at 23°C and 60% RH is ≤2 ml-mm/m^2×day×MPa. - 特許庁

全投影面積の７０％以上が臭化銀含率が共に７０モル％以上であり、アスペクト比１２以上の平板状ハロゲン化銀ホスト粒子およびハロゲン化銀突起部より構成されたハロゲン化銀粒子を含有するハロゲン化銀写真乳剤層を少なくとも１層有し、かつ、少なくとも１層の感光性乳剤層中に下式（Ｉ）で表される化合物の少なくとも１種、更に該感光材料中のいずれかの少なくとも１層中に下記１）〜３）の複素環化合物の少なくとも１種を各々含有することを特徴とするハロゲン化銀カラー反転写真感光材料。例文帳に追加

The silver halide color reversal photographic sensitive material has at least one silver halide photographic emulsion layer in which ≥70% of the total projected area is occupied by silver halide grains consisting of tabular silver halide host grains having an aspect ratio of ≥12 and silver halide protrusions, wherein both of the host grains and the protrusions have a silver bromide content of ≥70 mol%. - 特許庁

エッチングプロセスを用いて基板上に形成された構造物の寸法を制御する方法がパターン化されたエッチングマスクのそれぞれの素子のエッチング前の寸法を測定するステップ２０４、前記エッチング前の測定結果を用いてエッチングプロセスのプロセスレシピを調整するステップ２０６及びパターン化されたエッチングマスクを用いてエッチングプロセスを行い、プロセスレシピを調整するステップ２０８を有する。例文帳に追加

The method of controlling dimensions of structures formed on the substrate using the etching process includes a step 204 of measuring pre-etching dimensions of the respective elements of a patterned etching mask, a step 206 of adjusting the process recipe of the etching process using the results of the pre-etch measurements, and a step 208 of adjusting the process recipe of the etching process, using the patterned etch mask. - 特許庁

光半導体素子の製造方法は、半導体基板上に、半導体中間層を形成する工程と、半導体中間層上に光導波層を含む半導体積層体を形成する工程と、その内面に半導体中間層が露出する溝を半導体積層体に形成する工程と、溝の内面に露出した半導体中間層を選択的ウェットエッチングによって除去することで、空隙を形成する工程と、を含むことを特徴とする。例文帳に追加

A method of manufacturing an optical semiconductor device comprises the steps of: forming a semiconductor intermediate layer on a semiconductor substrate; forming a semiconductor stack including an optical waveguide layer above the semiconductor intermediate layer; forming trenches for exposing the semiconductor intermediate layer on their inner surfaces in the semiconductor stack; and forming a cavity by removing the semiconductor intermediate layer exposed on the inner surfaces of the trenches by using selective wet etching. - 特許庁

レジストを塗布したシリコン基板に電子線描画によってパターンを形成してシリコン原盤を作製した後、電鋳により形成された前記シリコン原盤のレジストパターンと逆の凹凸パターンを有するマスターモールドを前記シリコン原盤から剥離した後、原子状水素を含むプラズマの照射で前記マスターモールドの表面のレジスト残渣を除去することを特徴とするナノインプリント用マスターモールドの製造方法。例文帳に追加

The method of manufacturing a master mold for nanoimprint comprises forming a pattern on a resist-applied silicon substrate by electron beam drawing to prepare a silicon master, separating a master mold having a rugged pattern reverse to a resist pattern of the silicon master formed by electroforming, from the silicon master, and then eliminating resist residue on the surface of the master mold by irradiation of plasma containing atomic hydrogen. - 特許庁

少なくとも振動板１０３と、密着層１０４，１０５、下電極１０６、圧電体層１０７、上電極１０８がこの順に構成された圧電素子において、上電極１０８の幅Ａ、圧電体１０７の幅Ｂ、下電極１０６の幅ＣがＡ＜ＢかつＡ＜Ｃの関係であり、かつ密着層１０４，１０５の厚さが圧電体層１０７に対応する領域において、上電極１０８と対応する領域より上電極１０８と対応しない領域の少なくとも一部分の方が厚いことを特徴とする。例文帳に追加

In the piezoelectric element, a diaphragm 103, adhesion layers 104 and 105, a lower electrode 106, a piezoelectric body layer 107 and an upper electrode 108 are constituted in this order. - 特許庁

質量％にて、Ｃ：０．０１０％以下、Ｎ：０．０２０％以下、Ｓｉ：０．５％以下、Ｍｎ：０．５％以下、Ｃｒ：１０．０〜２０．０％、Ｔｉ：０．０５〜０．３０％、Ｍｏ：１．５％以下、Ａｌ：０．０３〜０．５％を含有し、残部がＦｅおよび不可避的不純物からなるとともに、表面から２０ｎｍ以内におけるＣｒ、Ｓｉ、Ａｌ，Ｔｉ、ＭｎおよびＦｅの濃度によって構成される濃度比の最大値が以下の式に示す関係を有することを特徴とする尿素ＳＣＲシステム部品用フェライト系ステンレス鋼板。例文帳に追加

The ferritic stainless steel sheet for parts of the urea SCR system comprises, by mass%, 0.010% or less C, 0.020% or less N, 0.5% or less Si, 0.5% or less Mn, 10.0-20.0% - 特許庁

本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサは、アクティブ領域と素子分離領域が区画された半導体基板と、アクティブ領域に形成されたフォトダイオード領域とトランジスタ領域と、トランジスタ領域に形成された第１の高さと第２の高さを有するゲート電極と、フォトダイオード領域とトランジスタ領域に不純物イオンが注入されて形成された拡散領域と、を含むことを特徴とする。例文帳に追加

This CMOS image sensor includes a semiconductor substrate in which an active region and an element isolation region are segmented, a photodiode region and a transistor region which are formed on the active region, a gate electrode formed on the transistor region and having first and second heights, and a diffusion region formed by implanting impurity ions into the photodiode region and the transistor region. - 特許庁

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が０．９３乃至１．２である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン酸化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。例文帳に追加

A 2-layer structure antireflection coating is formed between a resist layer and a silicon oxide film formed on the surface of a silicon semiconductor substrate, and is used for exposing the resist layer by an exposure system whose numerical aperture is 0.93-1.2, with a wavelength of 190-195 nm. - 特許庁

支持体の片側あるいは両側に少なくとも一層の感光性ハロゲン化銀写真乳剤層を有するハロゲン化銀写真感光材料の処理方法であって、前記ハロゲン化銀乳剤層中のハロゲン化銀乳剤粒子の平均厚みが、０．０３μｍ以上０．１１μｍ以下で、平均アスペクト比が１３以上３０以下の平板状粒子であり、下記一般式（１）および（２）で表される化合物からなる群から選ばれる少なくとも１つの含フッ素化合物を含有することを特徴とするハロゲン化銀写真感光材料。例文帳に追加

In a method for processing the silver halide photographic sensitive material which has at least one photosensitive silver halide photographic emulsion layer on one side or both sides of a support, silver halide emulsion grains in the silver halide emulsion layer are tabular grains having an average thickness of 0.03-0.11 μm and an average aspect ratio of 13-30. - 特許庁

本発明は、基板上若しくは回路素子上に設けられた第１の金属拡散防止膜上に、シード層の形成に続いて、フォトレジストマスクを用いて選択的に無電解メッキ法、又は電解メッキ法により、金属配線層を形成し、シード層及び第１の金属拡散防止膜の不要領域除去と、シード層及び金属配線層及び第１の金属拡散防止膜の側面を含む表面を覆うように無電解メッキ法による第２の金属拡散防止膜の選択的な形成と、により形成される配線及び電極及び、これらの形成方法である。例文帳に追加

Wirings, an electrode, and a method for forming the same are provided which comprises removing unwanted region of the seed layer and a first metal diffusion-preventing film, and selectively forming a second metal diffusion-preventing film, by the electroless plating method so as to cover the surfaces including the side surfaces of the seed layer, the metal wiring layer and the first metal diffusion-preventing film. - 特許庁

半導体基板上に、光電変換部と前記光電変換部で生成された電荷を転送する電荷転送部とを備えた撮像部を形成する工程と、前記撮像部上に、平坦化膜を介して形成された集光レンズを形成する工程とを具備した固体撮像素子の製造方法において、前記レンズ基体をパターニングすることにより、レンズ形状を有する第１の光学膜を形成する工程と、前記第１の光学膜上に、所望の曲率のレンズを構成するように、成膜条件を制御して、第２の光学膜を形成する工程とを含むことを特徴とする。例文帳に追加

The method also comprises steps of: forming a first optical film having a lens shape by patterning a lens substrate; and forming a second optical film on the first optical film by controlling the film formation condition so that a lens having a desired curvature is constructed. - 特許庁

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が０．９３を越え１．０以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。例文帳に追加

The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 0.93-1.0, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate. - 特許庁

基板上に複数のストライプ電極が並列した第１電極と、該第１電極と対向して配置された第２電極、および前記両電極間に機能層を挟持してなる機能素子であって、前記第１電極のストライプの長手方向の端部に配置され、前記ストライプ間の間隙を充填して該端部を平坦化する平坦化絶縁層を有し、前記長手方向の端部において前記機能層が前記第１電極に対して絶縁されていることを特徴とする。例文帳に追加

The function element is characterized by having a flattening insulation layer arranged at longitudinal ends of the stripes of the first electrode for flattening the ends by filling the spaces between the stripes, and by insulating the function layer from the first electrode at the longitudinal ends. - 特許庁

そこで本発明では、複数の葬祭業者側に設置した端末作成装置２ａ，２ｂ，…と、共通の画像処理業者３側に設置した共通画像処理装置４とを通信回線５を介して接続し、端末作成装置には、処理手段６と、画像入力手段７と、画像表示手段８と、大判印刷可能な第１の印刷手段９と、大判以外の大きさの印刷が可能な第２の印刷手段１０とを構成要素とし、第１の印刷手段により葬儀用札、看板、幕等の大型葬祭用品を印刷する構成とすると共に、第２の印刷手段により遺影写真を印刷する構成とした葬祭業における葬祭用品作成システムを提案する。例文帳に追加

The first printing means prints a large size funeral article such as a funeral plate, the information board, and the curtain, and the second printing means prints the photograph of the deceased person. - 特許庁

カップ状に一体的に形成されたブラジャー用パッドであって、装着した際に、カップの下部側となる部分と上部側となる部分が同じ硬さか又は下部側となる部分よりも上部側となる部分が軟らかく形成されているブラジャー用パッド、及び、少なくとも両端部で厚さの異なる平板状の材料を素材とし、厚みのある側が装着した際のカップ下部側となるように熱プレス成型加工するブラジャー用パッドの製造方法。例文帳に追加

This pad for the brassiere is integrally formed into a cup shape and a part to be the lower side of the cup has the same hardness as that of a part to be the upper side or the part to be the upper side is formed into a softer state than that of the part to be lower side when the pad is mounted. - 特許庁

石英基板上にモリブデン−シリコンの酸化物、モリブデン−シリコンの窒化物、モリブデン−シリコンの酸窒化物、シリコンの窒化物およびシリコンの酸窒化物のいずれかからなる被膜を形成する工程と、前記被膜を塩素ガスを含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングにより選択的にエッチング除去することにより位相シフトマスクパターンを形成する工程とを具備したことを特徴とする。例文帳に追加

The production method includes a process of forming a film consisting of any of an oxide of molybdenum silicon, nitride of molybdenum silicon, oxide nitride of molybdenum-silicon, nitride of silicon and oxide nitride of silicon on a quartz substrate, and a process of forming a phase shift mask pattern by reactive ion etching to selectively etch and remove the film by using an etching gas containing gaseous chlorine. - 特許庁

結晶基板と、化合物半導体の多層膜と、を有する積層体を備え、前記積層体の側面の少なくともいずれかは、その側面の端部から延在するスクライブ溝の少なくとも一部分を含み、前記積層体の主面からみた前記スクライブ溝の少なくとも一部分の深さは前記端部の近傍において浅く前記端部の遠方において深いことを特徴とする化合物半導体素子が提供される。例文帳に追加

The compound semiconductor element has a lamination with a crystal substrate and a compound semiconductor multilayer, wherein at least one of the side faces of the lamination includes at least a portion of a scribe groove that extends out from that side edge of the lamination and at least a partial depth of the scribe groove seen from the principal plane of the lamination is shallow in the vicinity of the edge and deep far from the edge. - 特許庁

基板上に形成されたＩｎＧａＡｌＰ層をその厚みの途中まで選択的にドライエッチングして略ストライプ状の凸状体を形成する工程と、前記凸状体の上面と両側面とに保護膜を形成する工程と、前記凸状体の周囲の前記ＩｎＧａＡｌＰ層をフッ酸を含有する溶液でエッチングすることにより、前記凸状体を含むリッジを形成する工程と、を備えたことを特徴とする光半導体素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

The manufacturing method of an optical semiconductor element comprises the steps of forming a substantially stripe-shaped protruded structure by selectively dry etching an InGaAlP layer formed on a substrate up to the middle of its thickness, forming a protective film on the upper surface and both side surfaces of the protruded structure, and forming the ridge including the protruded structure by etching the InGaAlP layer around the protruded structure with a solution containing fluorinated acid. - 特許庁

透明基材と、透明基材の片面に形成された透明電極とを有する色素増感型太陽電池用電極基板であって、その透明電極が、透明基材の上に形成された金属酸化物製の透明な第１導電層、第１導電層の上に形成された金属製の第２導電層、及び、第２導電層の上に形成されたカーボン製の第３導電層を有することにより、上記課題を解決した。例文帳に追加

Of the electrode board for the dye-sensitized solar cell provided with a transparent base material, and a transparent electrode formed on one face of the transparent electrode, the transparent electrode is equipped with a transparent first conductive layer made of metal oxide formed on the transparent base material, a second conductive layer made of a metal formed on the first conductive layer, and a third conductive layer made of carbon formed on the second conductive layer. - 特許庁

透明基板上に下部保護層、少なくともＧａ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｇｅの４元素を含有する転移線速が２０〜３０ｍ／ｓの相変化材料からなる記録層、上部保護層、反射層がこの順に積層され、記録再生光の波長が６５０〜６６５ｎｍの範囲で且つ記録線速が２０〜２８ｍ／ｓであるときの、記録層の結晶質状態の屈折率Ｎｃと消衰係数Ｋｃ、非晶質状態の屈折率Ｎａと消衰係数Ｋａが下記の範囲にあり、２０〜２８ｍ／ｓの記録線速範囲で記録が可能であることを特徴とする光記録媒体。例文帳に追加

In the optical recording medium, on a transparent substrate, a lower protection layer, a recording layer consisting of phase change material containing at least four elements, Ga, Sb, Sn, Ge, which transition linear velocity is 20-30 m/s, an upper protection layer and a reflective layer are laminated in this sequence. - 特許庁

支持基板１、６上に少なくとも透明電極２、７が形成されている一対の電極構造体１１、１２が、透明電極２、７同士が対面するように、電解質層５を挟持して配置されており、一対の透明電極２、７のうちの、少なくとも一方の上に、所定の構造のピリジン化合物よりなる有機ＥＣ色素が吸着されている多孔質電極４が形成されているエレクトロクロミック装置を提供する。例文帳に追加

The electrochromic device comprises a pair of electrode structures 11, 12 having at least transparent electrodes 2, 7 formed on support substrates 1, 6, disposed with the transparent electrodes 2, 7 opposing to each other and holding an electrolyte layer 5 therebetween, wherein a porous electrode 4 adsorbing an organic electrochromic coloring material comprising a pyridine compound of a predetermined structure is formed on at least one of the pair of transparent electrodes 2, 7. - 特許庁

【解決手段】 筋力測定装置に押圧力を検出するためのセンサ部（１０）と、該センサ部に結合されループ状に形成可能なベルト（２０）と、前記センサ部を被覆可能な弾力性を有するパッド（１７）と、前記センサ部に電気的に接続され該センサ部からの検出信号に応じて筋力の測定値を表示する表示器（３０）とを設け、センサ部は２次元的に配置された複数の圧力検出素子（１２ａ〜１２ｄ）を有し全体として平板状に形成したものである。例文帳に追加

This sthenometer is provided with a sensor part 10 for detecting a pushing force, a belt 20 connected to the sensor part and formed into a loop shape, a pad 17 having elasticity capable of covering the sensor part, and a display 30 electrically connected to the sensor part and displaying a measurement value of the muscular strength according to the detecting signal from the sensor part. - 特許庁

基板上に、少なくとも第１電極層と、発光層を含む有機化合物層と、第２電極層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子を封止部材により密着封止構造を有する有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、少なくとも前記第２電極層の上面を平滑化処理した後、前記封止部材を積層することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。例文帳に追加

In the manufacturing method of the organic electroluminescent panel with an airtight sealing structure for sealing an organic electroluminescent element by sealing members at least equipped with a first electrode layer, an organic compound layer including a light-emitting layer, and a second electrode layer on a substrate, at least a top face of the second electrode layer is put under a smoothing treatment, and after that, the sealing members are laminated. - 特許庁

その結果、吸湿速乾性の多孔質材料を液体の燃料を酸化するアノードと、酸素を還元するカソードと、前記アノードとカソードとの間に形成される固体高分子電解質膜とを有する一対の膜電極接合体と、前記膜電極接合体のカソード側には、前記膜電極接合体を覆い、空隙を有するカソード端板が形成され、前記空隙が形成されている領域を覆うように吸湿速乾性の多孔質材料を形成することにより、前記課題を解決できる。例文帳に追加

On the cathode side of the membrane/electrode assembly, a cathode end plate is formed which covers the assembly and has a gap, and a porous material to quickly dry absorbed moisture is formed so as to cover a region where the gap is formed. - 特許庁

取付板に取着されるボディ部と、前記ボディ部の前面から突き出てテストトレイのインサートに載置されている半導体素子を押し付ける押し付け部と、を備え、前記ボディ部の背面から前記押し付け部の前面に亘って、ダクトから前記ボディ部の背面に供給される所定の温度の空気を前記押し付け部の前面にある前記テストトレイのインサートに載置されている半導体素子に導く空気貫通孔が貫設されており、前記押し付け部の少なくとも一方の側面には、前記空気貫通孔と連通することにより、前記ダクトから前記空気貫通孔を通って供給される空気の一部をテストサイトの上に流出する少なくとも１以上の空気流出孔が穿設されている。例文帳に追加

This pusher for a match plate in a test handler is provided with: a body part mounted to a mounting plate; and a pressing part projecting from the front surface of the body part, and pressing a semiconductor element mounted on an insert of a test tray. - 特許庁

ネガ型レジストを用いて液晶配向用突起とカラムスペーサとを同時に形成する液晶表示素子の製造方法であって、前記ネガ型レジストを基板に塗工してレジスト膜を形成する工程１と、前記レジスト膜に、液晶配向用突起形成部分及びカラムスペーサ形成部分に対応するパターンの開口部が形成されたマスクを介して活性光線を照射する工程２と、前記活性光線を照射後のレジスト膜を現像することにより、カラムスペーサ及び液晶配向用突起を同時に形成する工程３とを有し、前記工程２において用いるマスクは、カラムスペーサを形成するための開口部の形状が楕円形状である液晶表示素子の製造方法。例文帳に追加

In the mask used in the step 2, the aperture for forming the column spacer is elliptical. - 特許庁

少なくとも１方は透明な基板間に、微粒子が分散された分散系が挟まれてセルを構成しており、該微粒子を電界で移動させて、該セルの基板に垂直方向の光透過性ないし光反射性を変化させる表示装置において、電界を印加するために設けられた駆動電極と共通電極の電極間ピッチｐが５μ〜１００μ、セル厚ｄがｐの０．２〜１．５倍、駆動電極の電極面積率を２０％以下とすることによって高透過率、高コントラスト、低電圧駆動のモノクロおよびカラー表示が薄型、軽量、高速で可能となり、超高精細の光変調素子、ポータブル機器用表示、電子ペーパ、大型モニター、大型ＴＶ、超大型の公衆ディスプレイなど多方面への適用が可能となった例文帳に追加

The display device can be applied to various aspects, such as a superhigh light modulation element, display for a portable devices, electronic papers, large-size monitors, super large-size TVs or super large public displays. - 特許庁

平膜の素材はセルロース誘導体およびそれをケン化した再生セルロース多層構造膜で、平均孔径が５ｎｍ〜５００ｎｍ膜厚は４０μｍ〜５００μｍ、空孔率０．７以上で１００層以上の積層体で１層の厚さが０．０５μｍ〜０．５μｍである膜を設計し、かつ膜の平均孔径の２倍の平均粒子径を持つ微粒子の平膜の表裏面での濾過による粒子捕捉量の比が１／５以下で１／１００以上であることを特徴とする平膜と、該平膜を作製する方法において乾式法のミクロ相分離法で製膜し、流延用溶液をミクロな凹凸を持つ固体平板状に流延することを特徴とする製膜方法を採用すれば該平膜が作製できる。例文帳に追加

The method for manufacturing the flat membrane includes producing the membrane by a dry-type micro-phase separation method and casting a coasting solution in a form of a solid flat plate with micro irregularities. - 特許庁

液体を吐出するための複数の吐出口、及び各吐出口に連通する液体流路を有する被覆樹脂層と、液体を吐出するためのエネルギーを発生するエネルギー発生素子、及び該液体流路に連通する液体供給口を有する基板とを含むノズルチップを備える液体吐出ヘッドであり、該液体供給口と該液体流路との間にフィルター層が形成されており、該フィルター層が、液体流量を確保するための吐出口径以下の開口径を有する貫通孔と、液体中のゴミを捕獲するための先端を液体供給口側にして該貫通孔よりも液体供給口側に配置される先細状構造体からなるゴミ捕集用突起体とを有するノズルチップを備えた液体吐出ヘッド。例文帳に追加

The liquid ejection head includes a nozzle tip that includes: a coating resin layer having a plurality of ejection ports for ejecting liquid, and a liquid passage communicating with each ejection port; and a substrate that has an energy generating element for generating energy for ejecting liquid, and a liquid supply port communicating with the liquid passage. - 特許庁

所望の素子領域の形成された基板表面に形成された配線層と、前記配線層表面を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜表面全体を覆うように形成された窒化シリコン膜と、前記窒化シリコン膜の上層に形成された最上層メタルとしての金層からなるメタル配線層と、前記窒化シリコン膜と前記メタル配線層との間に形成されたバリア層と、前記メタル配線層上に形成されたポリイミドからなる平坦化絶縁膜とを含み、前記バリア層と前記配線層は、前記窒化シリコン膜と前記層間絶縁膜に形成されたスルーホールを通じて接続されており、前記平坦化絶縁膜が一部領域で除去せしめられ、前記メタル配線層にボンディングがなされていることを特徴とする。例文帳に追加

The barrier layer and the wiring layer are connected to each other via a through hole formed in the silicon nitride film and the interlayer dielectric, a part of the planarized insulating film is removed and bonding is made in the metal wiring layer. - 特許庁

質量％でＣ：０．００１〜０．２０％、Ｓｉ：０．００１〜２％、Ｍｎ：０．００１〜２．５％を含有し、残部がＦｅ及び不可避的不純物からなり、下記数式（Ａ）で定義されるＰｃｍが０．２６％以下である組成の鋼を鋳造した鋼素材を、冷却することなくそのまま圧延するか又は一旦室温まで冷却した後で９５０〜１２５０℃に再加熱して圧延し、Ａｒ３点以上の温度で圧延を終了して圧延鋼材とし、この圧延鋼材をＡｒ３点以上の温度から室温以上６５０℃以下の範囲まで冷却速度１℃／ｓｅｃ以上で強制冷却した後、室温以上２００℃未満の温度で板厚方向の平均相当塑性歪みで０．１％以上の加工を行い、引張強さが５７０Ｎ／ｍｍ^２以上の高張力鋼材とする。例文帳に追加

A steel raw material obtained by casting the steel having the composition containing, by mass, 0.001-0.20% - 特許庁

本発明は、複数のウエルが浮遊細胞の通過に対して抵抗性を有する流路を介して互いに連通していること、各ウエルが試料を注入・採取するための管を備えていること、試料の注入・採取による圧力の変化を緩和するための管が該試料を注入・採取するための管に対して連通するべく設けられていること及びウエルは管が設けられている側とは反対の側においてガラス基板と密着していることを構成要素として含む細胞走化性検出装置において、該試料を注入・採取するための管に対して該試料の注入・採取による圧力の変化を緩和するための管がウエルを介さない連通路により連通するべく設けられていることを特徴とする細胞走化性検出装置である。例文帳に追加

In this cell chemotaxis detector, the tube for relaxing the pressure change caused by pouring and collecting the sample communicates with the route that does not pass through the well. - 特許庁

半導体基板１表面に形成された所定パターンの電極層２と、電極層２を被覆し、且つ該被覆領域に開口を有するパッシベーション層３と、前記開口から露出した電極層２上に形成されるバリアメタル層４とを備えた半導体素子であって、バリアメタル層４は、リンを含有する第１のニッケル層４ａと、第１のニッケル層４ａよりもニッケル中のリンの含有量が少ない第２のニッケル層４ｂとを含む多層から構成されるとともに、第１のニッケル層４ａは、パッシベーション層３の開口の周縁を被覆しており、第２のニッケル層４ｂは、第１のニッケル層４ａ表面を被覆している。例文帳に追加

The barrier metal layer 4 comprises a first nickel layer 4a containing phosphorus and multiple layers including a second nickel layer 4b whose phosphorus content in nickel is lesser than that in the first nickel layer 4a, the first nickel layer 4a coats the peripheral part of the opening of the passivation layer 3, and the second nickel layer 4b coats the surface of the first nickel layer 4a. - 特許庁

可逆浸透と限外濾過とにより流動媒体（１５）を濾過し分離する分離濾過装置（１０）の、円筒形のハウジングの内部に収容されて流動媒体（１５）の流れを案内するスペーサ（１１）において、各１対の円板状のスペーサ（１１）の間に１つの濾過要素（１３）を介装し、スペーサの中心の穴（１２）の回りに周方向等間隔に多数の開口部（１４）を設け、流動媒体（１５）がスペーサ（１１）の周囲から流入し、かつ前記開口部（１４）へ流出するようにし、スペーサ（１１）の少くとも一方の表面（１３０，１３１）に該表面から隆起する多数の突出部（２９）を周方向等間隔に設け、前記突出部（２９）に表面（１１８，１１９）と平行に並ぶ表面（２９０）を設けたことを特徴とする。例文帳に追加

The spacer (11) is accommodated inside the cylindrical housing of the filtration separation apparatus (10) for filtrating and separating a fluid medium (15) by reverse penetration and ultra filtration to guide the flow of the fluid medium (15). - 特許庁