「素板」に関連した英語例文の一覧と使い方(913ページ目) - Weblio英語例文検索

電極１２１を有するガラス製のプレート１２０と、半導体材料から形成されており、前記ガラス基板１２０に接着されており、少なくとも電極１２１の一部を含んでいる空隙１１５を形作り、それ故に容量式要素を形作り、それを通して、使用に際しては、決定される圧力を示すための静電容量を決定するために電気的信号が通過する隔膜１０３とかなる。例文帳に追加

The capacitor silicon sensor comprises a glass plate 120 having an electrode 121 and a diaphragm 103 formed from a semiconductor material, attached to the glass plate 120, forming a gap 115 including at least a part of the electrode 121 and a capacitor element and passing an electrical signal through so as to determine electrostatic capacitance for indicating the pressure to be determined when the capacitor silicon sensor is used. - 特許庁

ＩＣ素子を固定してそのパッド端子を外部に引き出すために使用される基板であって、平面視で縦方向及び横方向に並んだ複数本のポスト５と、複数本のポスト５を表面から裏面に至る間の一部分で互いに連結する連結部６とを備え、一部のポスト５の表面には、他のポストと見分けがつく認識マーク８が形成されている。例文帳に追加

The substrate used for fixing an IC element and leading out its pad terminals comprises a plurality of posts 5 arranged in the longitudinal and lateral directions in the plan view, and a connection portion 6 for connecting the plurality of posts 5 at portions between the front and back surfaces thereof wherein a recognition mark 8 for distinguishing from other post is put on a part of the posts 5. - 特許庁

素子基板１０の第１のＩＣ実装領域６０には、Ｘ方向に配列された２つのパッド群６１、６２がＹ方向で隣接する領域に配置され、第２のパッド６２０に接続する配線パターン８２は各々、第１のパッド６１０の各間を通って第２のパッド６２０まで斜めに延びている。例文帳に追加

In a 1st IC mounted area 60 of an element substrate 10, two pad groups 61 and 62 which are arrayed in an X direction are arranged in areas which are adjacent in a Y direction and wiring patterns 82 connected to 2nd pads 620 obliquely extend to the 2nd pads 620 through between 1st pads 610 respectively. - 特許庁

また、半導体基板の絶縁膜上に形成された配線溝およびコンタクト孔のいずれか一つに、銅を主成分とする合金膜を成膜する第１の成膜工程と、合金膜上に酸素拡散防止膜を形成する第２の成膜工程と、合金膜の熱処理を行う銅膜熱処理工程を備える半導体装置の製造方法。例文帳に追加

Otherwise, this method comprises a first film forming process to form an alloy film mainly formed of copper to any of a wiring groove and a contact hole formed on an insulation film of a semiconductor substrate, a second film forming process to form an oxygen diffusion preventing film on the alloy film, and a copper film heat treatment process to execute the heat treatment of the alloy film. - 特許庁

４００ｎｍ以下の短波長の光を発光させる場合に、積層する半導体層の結晶性を向上させて内部量子効率を高くすると共に、発光した光を基板などでできるだけ吸収させないで外部に取り出すことにより外部量子効率も向上させ、総合的に発光効率を向上させることができる構造の半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor light emitting element having such a structure as internal quantum efficiency is enhanced by enhancing crystallinity of a semiconductor layer being laid when light of short wavelength of 400 nm or less is emitted, and external quantum efficiency is also enhanced by absorbing the emitted light as much as possible through a substrate, and the like, and thereby total emission efficiency can be enhanced. - 特許庁

素子基板上に色変換層をパターン形成する際に、色変換層の蒸着形成前に、付着防止用電極を前もって配設しておき、付着防止用電極に電流を流して加熱し、色変換層を再蒸発させることにより色変換層のパターン形成を行い、多色発光デバイスを製造する。例文帳に追加

When pattern-forming the color conversion layer on a device substrate, an adhesion preventive electrode is arranged in advance before evaporating and forming the color conversion layer, the adhesion preventive electrode is heated by flowing current to the adhesion preventive electrode, and pattern-forming of the color conversion layer is performed by re-evaporating the color conversion layer in order to manufacture the multicolor light-emitting device. - 特許庁

基板上に、屈折率の異なる複数の層から成る反射層を設け、この反射層上に、第一のクラッド層、活性層、および第二のクラッド層を設けた半導体発光素子において、前記反射層と第一のクラッド層の周辺部に半導体不純物を高濃度に含有する領域を設けた。例文帳に追加

In the semiconductor light emitting element where a reflection layer composed of a plurality of layers having different refractive indeces is formed on a substrate and a first clad layer, an active layer, and a second clad layer are formed thereon in sequence, an area including a semiconductor impurity of high concentration is provided in the periphery of the reflection layer and first clad layer. - 特許庁

近接されて互いに接続されるマイクロストリップ線路２３，２４それぞれの端部間に跨るように設けられ、且つ、マイクロストリップ線路２３，２４のそれぞれの平坦状端部２３Ａ，２４Ａに面接触されて半田または導電性を有する接着剤にて接続される板状の導電性接続素子１１を介在させて前記互いに接続されるマイクロストリップ線路２３，２４を接続するようにした。例文帳に追加

Microstrip lines 23 and 24 which are closely interconnected are connected to each other while interposing a platy conductive connecting element 11 which is provided astride the end sections of the lines 23 and 24 and connected to the flat end sections of the lines 23 and 24 in face-contacting states with solder or a conductive adhesive. - 特許庁

画素内に複数の放射状傾斜配向ドメインを有する液晶表示装置において、片側の基板上にのみ放射状傾斜配向の配向規制構造を設けた比較的簡便な構成で、液晶の配向を十分に安定化でき、従来と同等以上の表示品位が得られる液晶表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a liquid crystal display device which has a plurality of radial oblique alignment domains in a pixel, the liquid crystal display device being characterized in that alignment of liquid crystal can sufficiently be stabilized and higher display quality than before can be obtained with relatively simple constitution such that an alignment restricting structure for radial oblique alignment is provided only on one substrate. - 特許庁

ＧａＮ系ＬＥＤ素子１は、基板の表面上に発光（活性）層を含む形で半導体の層を複数重ね合わせた半導体積層構造を形成しており、この多層構造の最上面に形成されたＰ電極と、半導体積層構造部の一部をエッチングにより削ったその上面に形成されたＮ電極とを備える。例文帳に追加

Then, the elements 1 are arranged so as to form semiconductor laminating structure obtained by superposing plural semiconductor layers on the surface of the board on a condition that a light emitting (active) layer is included and provided with a P electrode formed at the uppermost surface of this multilayer structure and an N electrode formed at the upper surface of a semiconductor laminated structure part whose one part is shaved by etching. - 特許庁

光学基台の重量を軽減すると共に、光学基台の形状を制御回路基板の形状に制限されることなく形成することができ、さらに各構成部品の搭載および配線することの両工程を同時に行うことにより簡素化し、製造コストの低減を実現する光ヘッドの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing an optical head wherein weight of an optical base is reduced, the shape of the optical base is formed without being restricted by the shape of a control circuit substrate, further both processes for mounting and wiring respective components are simplified by simultaneously performing both processes, and the reduction of manufacturing costs is realized. - 特許庁

本発明の電子デバイス１０は、基板１１、絶縁層１２，２２、接続電極１４、外部接続電極１５、接続部である配線層１６ａ，１６ｂ、電気回路素子の一例としての電源バイパスコンデンサ１８およびＤＣカットコンデンサ１９、回路２０および接続配線２１から構成されている。例文帳に追加

The electronic device 10 of this invention comprises a substrate 11, insulating layers 12 and 22, a connection electrode 14, an external connection electrode 15, wiring layers 16a and 16b which are connection parts, a power supply bypass capacitor 18 and a DC cut capacitor 19 as an example of the electric circuit element, a circuit 20 and connection wiring 21. - 特許庁

一対の基板の少なくとも一方に、スイッチング素子を駆動するための走査信号線及び情報信号線に対して１０°以上の角度を有する方向に一軸配向処理を施し、スメクチック層形成方向が走査信号線或いは情報信号線のいずれかに対して１０°以内となるようにスメクチック層を形成する。例文帳に追加

A smectic layer is formed, in such a way that the direction of the smectic layer formation forms 10° or larger angle, with respect to the scanning or information signal line by imparting uniaxial orientation treatment in the direction forming 10° or larger angle with respect to the scanning and information signal lines for driving switching elements on at least one out of a pair of substrates. - 特許庁

一方の表面が光拡散処理された光拡散部８として形成され、他方の表面に透明導電膜３が形成された透明基板２と、ホール輸送層４と、青色発光及び黄色発光の有機発光層１と、電子輸送層５と、金属層６と、導電性金属電極７とを積層して白色有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する。例文帳に追加

The white organic electroluminescent element is formed by laminating a transparent substrate 2 having a light diffusion part 8 formed by light diffusion treatment on one surface and a transparent conductive film on the other surface, a hole transport layer 4; the organic luminous layer 1 of blue emission and yellow emission; an electron transport layer 5, a metallic layer 6; and a conductive metal electrode 7. - 特許庁

透過型液晶パネルにおける導光板と液晶表示素子との間に配置される集光性光拡散シートであって、前記集光性光拡散シートは、透明基体と、該透明基体の表面上に結着層を介して透明粉体をその一部が突出する状態で単層に敷き詰め固定した粉体単層皮膜とから構成される集光性光拡散シート。例文帳に追加

The light condensing diffusion sheet to be disposed between a light guide plate and a liquid crystal display element in a transmission type liquid crystal panel is composed of a transparent substrate and a powder monolayer film applied on the substrate with a binding layer by bedding and fixing a transparent power material in a single layer while the transparent powder material is partly made to protrude. - 特許庁

ガラス基板やＳｉ系膜との密着性に優れ、ＳｉとＣｕとにおける高い拡散バリア性を有し、尚且つ水素プラズマ雰囲気に曝されても膜の膨れや膜剥がれが発生し難い、下地膜等を得るためのＣｕ合金スパッタリングターゲットおよび半導体装置のＣｕ配線膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a Cu alloy sputtering target for obtaining a base film or the like excellent in close contact with a glass substrate and an Si film, having a high diffusion barrier property in Si and Cu, hardly generating blistering of a film and film separation even when exposed to a hydrogen plasma atmosphere, and to provide a method of manufacturing a Cu wiring film of a semiconductor device. - 特許庁

本発明は、その内部の少なくとも一部がシリコンを含む固体により覆われた真空容器の内部に、ハロゲン化シリコン及び水素を含む原料ガスを導入し、前記真空容器内部の空間にプラズマを生起させ、前記真空容器の内部に備えられた基板の上に、シリコン系膜を形成することを特徴とする。例文帳に追加

In the method, a feed gas, containing halogenated silicon and hydrogen is be introduced into a vacuum container whose one internal portion is covered with a solid containing silicon, plasma is generated in space inside the vacuum container, and than the silicon-based film is formed on a substrate inside the vacuum container. - 特許庁

トリアジン系化合物を含む光重合開始剤を使用する際に、放射線の照射時にマスク付着物を生じることがなく、かつ現像性が優れ、また基板および遮光層への密着性にも優れた画素を与えることができるカラーフィルタ用感放射線性組成物、並びに該組成物から形成されたカラーフィルタを提供する。例文帳に追加

To prevent generation of deposited substrate on a mask in irradiation with radioactive rays in the case a photo polymerization initiator containing a triazine based compound is used, and to provide pixels which are excellently developed and which has excellent adhesiveness to a substance and a light shielding layer. - 特許庁

シリコンからなる基板１０１の上に所定の間隔をあけて設けられたコバルト珪化物から構成された超伝導ソース電極１０２ａ及び超伝導ドレイン電極１０２ｂと、これらの間に架橋するように形成されたカーボンナノチューブ１０３と、この上に配置されたゲート電極１０５とにより、超伝導三端子素子を構成する。例文帳に追加

The superconductor three-terminal element is constituted with a superconductor source electrode 102a and a superconductor drain electrode 102b, formed of cobalt silicates provided at predetermined intervals kept on a substrate 101 formed of silicon, a carbon nanotube 103 formed to bridge between the electrodes 102a, 102b, and a gate electrode 105 allocated on the carbon nanotube. - 特許庁

本発明は、基板と、負電極と、負電極と間を介して対向して配置された正電極と、両電極間に設ける特定の酸化物からなる発光層とが積層された積層体であって、負電極として、ドーピングされたＴｉＯ_2薄膜を用いることを特徴とする発光素子を提供するものである。例文帳に追加

In a laminating body wherein a substrate, a negative electrode, a positive electrode arranged to face the negative electrode via a spacing, and a light-emitting layer arranged between both electrodes and made of a specific oxide, the light-emitting element using a doped TiO_2 thin film is provided as the negative electrode. - 特許庁

吸音板を、ポリウレタン粉末３とポリウレタン粉末３を結合する無機バインダー２とからなる顆粒１の集合体で顆粒１同士をその接触部位で結合させて構成するか、または、ポリウレタン粉末と短繊維と無機バインダーとを主要要素として構成するか、更にまたは、上記両者を組み合わせ積層することによって構成する。例文帳に追加

This sound absorbing plate is constituted by binding mutual granules 1 in its contact part by an aggregate of the granules 1 composed of polyurethane powder 3 and an inorganic binder 2 for binding the polyurethane powder 3, or is constituted with the polyurethane powder, short fiber and the inorganic binder as a main element, or is also constituted by combining and laminating both. - 特許庁

コレステリック相を示す液晶を透明基板間に挟持した液晶表示素子１０に対して、マトリクス状に配置した走査電極と信号電極とにパルス電圧を印加して交差位置にある液晶をプレーナ状態又はフォーカルコニック状態に選択して情報を表示する情報表示装置。例文帳に追加

This device displays the information by impressing pulse voltage to the scanning electrodes and signal electrodes arranged in a matrix form on a liquid crystal display element 10 formed by holding the liquid crystals exhibiting a cholesteric phase between transparent substrates, thereby selecting the liquid crystals existing in intersected positions to a planar state or focal conic state. - 特許庁

半導体基板上に金属シリサイド層を有するゲート電極を形成する工程と、少なくとも一部が露出する前記金属シリサイド層表面の結晶粒界を減少させる工程と、前記ゲート電極の側壁に酸化膜からなるスペーサを形成する工程と、を順次含むことを特徴とする半導体素子の製造方法である。例文帳に追加

The method for manufacturing the semiconductor element comprises sequentially the steps of forming a gate electrode having a metal silicide layer on a semiconductor wafer, decreasing crystal grain region on the surface of the metal silicide layer exposing at least its part, forming a spacer consisting of an oxide film on the side wall of the gate electrode. - 特許庁

導電層の上にシリコン窒化膜を形成した半導体基板に対して、シリコン窒化膜の所定部分をプラズマ中に導入したＮＦ_3を含むガスにより生成されたフッ素ラジカルに曝して導電層の所定部分を露出させ、引続いて、導電層の露出した部分の上にこれに電気的に接続する上層の導電層を形成する。例文帳に追加

A prescribed portion of a silicon nitride film formed on the conductive layer on a semiconductor substrate is exposed to fluorine radical generated from a gas containing NF3 introduced into a plasma to expose the prescribed portion of the conductive layer and then an upper conductive layer electrically connected to the exposed conductive layer is formed thereon. - 特許庁

シリコン及び／又はシリコン化合物と有機溶媒を含有するスピンオングラス材料を基板に塗布した後に、酸素を主成分とするガスにより形成されたプラズマ中で結晶化が生じない条件下で、前記スピンオングラス材料塗膜を高密度化することによりアモルファススピンオングラス膜を形成する。例文帳に追加

After a spin on glass material containing silicon and/or silicon compound and organic solvent is applied on a substrate, an amorphous spin on glass film is formed by raising the density of the spin on glass material under the condition that crystallization does not occur in a plasma formed by a gas whose main component is oxygen. - 特許庁

所望の素子領域および配線層の形成された半導体基板表面にパッシベーション膜を形成する工程と、外部接続を行うべきパッド領域を露呈せしめるべく、前記パッシベーション膜をエッチングするエッチング加工工程と、前記エッチング加工工程後、弗化アンモニウム含有液を用いて配線層表面をエッチングする工程とを含むことを特徴とする。例文帳に追加

The method comprises a step of forming a passivation film on a semiconductor substrate surface having desired element regions and a wiring layer, a step of etching the passivation film to expose pad regions for external connections, and a step of etching the wiring layer surface with a liquid containing ammonium fluoride after that etching step. - 特許庁

絶縁樹脂層の表裏を貫通するように所定の位置に整列した柱状の金属電極端子の周辺に金属板が配置されており、該絶縁樹脂層の上に複数の層からなる配線層が積層されており、該配線層の最上層に半導体素子がフリップチップ接続で搭載されている半導体装置。例文帳に追加

A metal plate is arranged on the periphery of columnar metal electrode terminals arrange at specified positions to penetrate an insulating resin layer, a multilayer wiring layer is formed on the insulating resin layer and a semiconductor element is mounted on the uppermost layer of the wiring layer through flip-chip connection. - 特許庁

本発明に係る電界放出素子は、絶縁性表面を有する基板上に形成されたカソード電極と、前記カソード電極表面に形成された凸形状の電子放出部とを有し、前記カソード電極と前記電子放出部とは、同一の結晶性半導体膜で形成されており、前記電子放出部は、円錐形又はウィスカー状であることを特徴とする。例文帳に追加

The field emission device includes a cathode electrode formed on an insulating surface of the substrate, and a convex electron emission section formed on the surface of the cathode electrode, and the cathode electrode and the electron emitting section are formed with identical crystal semiconductor film, and the electron emission section has a conical shape or a whisker shape. - 特許庁

下記一般式（Ｉ）、（式中、Ｒ^1およびＲ^2は各々独立にアルキル基またはアリール基を表す）で示される繰り返し単位を有するポリフェニレンエーテル系樹脂を主成分とし、塩素イオン含有量が１５００ｐｐｍ以下であるポリフェニレンエーテル系樹脂組成物、その製造方法およびこの組成物を使用した電子回路基板である。例文帳に追加

The method for producing the composition and the electronic circuit board which is given by using the composition are provided, respectively. - 特許庁

粘性液状態及び硬化が認められない接着剤を使用して層状ピエゾ構造を基板に付着させ、接着剤の硬化が認められずに複数の圧電変換素子を形成する間に、層状ピエゾ構造をレーザ切断し、この接着剤を硬化させることによって、複数の圧電変換器を形成する。例文帳に追加

A plurality of piezoelectric transducers are formed by cutting by laser a layered piezo structure and curing an adhesive during adhering the layered piezo structure onto a substrate by using the adhesive which remains viscously liquid and is not recognized to be cured and forming a plurality of piezoelectric-crystal elements without recognizing the curing of the adhesive. - 特許庁

本発明は、発熱素子及びその他の電子部品の熱破壊、熱劣化及び誤動作やそれらを収納する筐体の熱変形及び低温火傷を防止しつつ、プリント基板を有する電子機器の薄型化を妨げない放熱機構及びかかる放熱機構を有する電子機器を提供することを例示的目的とする。例文帳に追加

To provide a heat dissipation mechanism that does not hamper low-profile electronic equipment having a PCB while preventing thermal destruction, thermal deterioration, and malfunctions of a heat evolving element and other electronic components as well as thermal deformation of an enclosure housing them and moderate-temperature burn, and electronic equipment having the same. - 特許庁

シリコンからなる半導体基板１０の上に形成され、白金からなる下部電極１５及び上部電極１７並びにそれらの間に挟まれた絶縁性の金属酸化物からなる容量絶縁膜１６により構成された容量素子１８と、上部電極１７と界面を持つ窒化チタンからなるバリア層２１Ｂとを備えている。例文帳に追加

A device comprises the capacity element 18 composed of the capacitive insulating film 16 which is formed on a semiconductor substrate 10 made of silicon and composed of a bottom electrode 15 and top electrode 17 made of platinum and the insulating metal oxide sandwiched between them, and a barrier layer 21B which is made of titanium oxide having an interface with the top electrode 17. - 特許庁

転位密度が面内で分布している基板や下地となる半導体層上に窒化物半導体による層を形成して窒化物化合物半導体発光素子を作製するとき、ストライプ形状を、共振器端面側の幅が広くなるようにするとともに中央部分の幅が狭くなるような形状とする。例文帳に追加

When manufacturing the nitride compound semiconductor light-emitting element by forming a layer by a nitride semiconductor on a substrate, where dislocation density is distributed in a plane, and a semiconductor layer that becomes a substrate, a stripe shape is formed so that the width of a resonator end face side becomes larger and the width of a center becomes narrower. - 特許庁

有機樹脂膜を有する半導体素子基板の作製において、有機樹脂膜のパターン形成時、または、これらの有機樹脂膜上に形成される薄膜のパターン形成時にレジスト膜を用いたエッチング処理を行った後、有機樹脂膜を膨潤させることなくレジスト膜を除去する方法について提供する。例文帳に追加

To provide a method for performing an etching processing by using a resist film when a pattern of an organic film is formed or when a pattern of a thin film, which is formed on the organic resin film, is formed and removing the resist film without swelling the organic resin film in a manufacture of a semiconductor element substrate having the organic resin film. - 特許庁

ゲート電極を形成した半導体基板上に、コンタクト層と、金属配線と、層間絶縁膜とを備える半導体装置であって、層間絶縁膜は、水素原子を含む原料ガスを用いて、バイアス印加したプラズマＣＶＤにより金属配線上に形成し、金属配線および層間絶縁膜の下層にシリコン酸窒化膜を有することを特徴とする。例文帳に追加

In a semiconductor device including a contact layer, a metal interconnection and an interlayer insulating film on a semiconductor substrate having a gate electrode formed thereon, the interlayer insulating film is formed on the metal interconnection by bias-applied plasma CVD using source gas containing hydrogen atoms, and a silicon oxynitride film is provided in the underlayer of the metal interconnection and the interlayer insulating film. - 特許庁

光アイソレータ素子１は、対向した一対の主面を有するファラデー回転子２と、ファラデー回転子２の各主面上にそれぞれ接合され、樹脂フィルムに二色性物質を吸着配向させた偏光フィルム３，４と、偏光フィルム３，４の外面にそれぞれ接合された一対の透明基板５などで構成される。例文帳に追加

The optical isolator element 1 comprises a Faraday rotator 2 having a pair of opposite main surfaces, polarizing films 3 and 4 which are joined to the main surfaces of the Faraday rotator 2 and have dichroic substances adsorbed and aligned on resin films, a pair of transparent substrates 5 joined to external surfaces of the polarizing films 3 and 4 respective, etc. - 特許庁

燃料電池装置１を水素のような燃料流体を用いて電力を発生させる複数の発電セル２と、該発電セル２のそれぞれに接続する複数の接続端子３ａ〜３ｄと、接続端子３ａ〜３ｄの間の電気的な接続関係を可変とする接続切替板４のような接続モジュールによって構成する。例文帳に追加

The fuel cell device 1 is constituted of plural power generation cells 2 in which electric power is generated by using a fuel fluid such as hydrogen, plural connecting terminals 3a to 3d, and a connecting module such as a connecting switching plate 4 to make the electric connecting relationship between plural connecting terminals 3a to 3d variable. - 特許庁

本発明の一実施例による電子放出素子は、第２基板に形成される少なくとも一つ以上の蛍光層；前記蛍光層の表面に形成され、蛍光層を形成するための焼成工程後にも残存する機能性物質を含む表面処理層；及び前記表面処理層を覆うように形成される一つ以上のアノード電極を含む発光部；からなる。例文帳に追加

The electron emitting element comprises one or more fluorescent layers formed on a second substrate, a surface treatment layer formed on the surface of the fluorescent layer containing a functional substance that remains even after a baking process for forming the fluorescent layer and a light-emitting element containing one or more anode electrodes formed so as to cover the surface treatment layer. - 特許庁

本発明は、少なくとも表層が窒化ガリウムで構成された被処理基板を、塩素ガスをプラズマ状態に励起することによりエッチングする際に、前記塩化ガスから発生されたプラズマにより、アルミニウムラジカル及び塩化アルミニウムラジカルを発生する窒化アルミニウム（AlN）を含む物質を存在させた状態でエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法である。例文帳に追加

There is provided a method of etching a substrate to be processed whose at least surface layer is composed of gallium nitride by exciting a chlorine gas into a plasma state, including a step of etching the substrate to be processed by the plasm generated from the chlorine gas in the presence of a material containing aluminum nitride (AlN) that generates aluminum radicals and aluminum chloride radicals. - 特許庁

線幅及び深さの互いに異なる複数の溝を有するクリシェを用意する段階と、前記複数の溝にレジストを充填する段階と、前記クリシェに充填されたレジストをローラに転写させる段階と、前記ローラに転写されたレジストパターンを基板上に転写させる段階と、を順次行うことで液晶表示素子を製造する。例文帳に追加

The liquid crystal display element is manufactured by sequentially performing a stage of preparing the cliche having a plurality of grooves differing in line width and depth, a stage of charging resist in the plurality of grooves, a stage of transferring the resist charged in the plurality of grooves to a roller, and a stage of transferring the resist pattern transferred to the roller onto a substrate. - 特許庁

本発明による電子放出素子は、基板上に形成された電子放出部と、電子放出部の電子放出を制御する複数の駆動電極と、駆動電極のうちのいずれか一つの駆動電極と同一平面上でこの駆動電極と所定の距離をおいて配置された、少なくとも一部がこの駆動電極より大きな厚さを有する集束電極とを含む。例文帳に追加

The electron emission element according to the present invention comprises an electron emission portions formed on a substrate, a plurality of driving electrodes for controlling the electron emission of the electron emission portions, and a focusing electrode arranged to be spaced with a predetermined distance from one of the driving electrodes on an identical plane with this driving electrode and having a part with the thickness larger than the driving electrode. - 特許庁

また、本発明の撥水性被膜の別の形成方法は、真空容器内において、固体アルミニウムおよび固体炭素を蒸発させ、プラズマを発生させて、プラズマの雰囲気中で負の直流電圧、負のパルス直流電圧または高周波交流電圧が印加された基板に被膜を形成することを特徴とする。例文帳に追加

Further, another method of forming the water repellent film comprises vaporizing solid aluminum and solid carbon in a vacuum container and generating a plasma to form a film on a substrate to which a negative direct-current voltage, a negative pulsed direct-current voltage or a high-frequency alternating current voltage is applied in the plasma atmosphere. - 特許庁

光ファイバが紫外線硬化型接着剤を介して基板に形成された溝に確実に固定されているため、光ファイバアレイを光学素子に接続する際や、光ファイバアレイに外部から力が加わった際にも、光ファイバの位置ズレが発生することがなく、正確に光信号を伝送することができる光ファイバアレイを提供する。例文帳に追加

To provide such an optical fiber array that, since optical fibers are surely fixed to grooves formed on a substrate with a UV-curing adhesive, displacement of the optical fibers does not occur and optical signals can be accurately transmitted even when the optical fiber array is connected to optical devices or external force is added to the optical fiber array. - 特許庁

本発明のＥＬ素子１０は、ガラス基板１と、透明電極であるＩＴＯ電極２と、好ましくは正孔注入層３と、正孔輸送層４と、好ましくはエキシプレックス形成防止層５と、発光層６と、背面電極であるＭｇＡｇ電極７とを具え、これらがこの順に積層されて構成されている。例文帳に追加

This EL element 10 comprises a glass substrate 1, an ITO electrode 2 (which is a transparent electrode), preferably a hole injection layer 3, a hole transport layer 4, preferably an exciplex-formation prevention layer 5, a luminescent layer 6, and an MgAg electrode 7 (which is a backside electrode) laminated in this order. - 特許庁

本発明による光学素子は、前面光源からの光を直線偏光に変換する偏光子と、前記偏光子により変換された直線偏光の光を反射する反射領域部と、前記反射領域部で反射された光のみが入射するように配置された、少なくとも１枚以上の位相差板と、を含む。例文帳に追加

The optical element includes: a polarizer for converting light emitted from a front light source to linearly polarized light; a reflection area part for reflecting light of linearly polarized light converted by the polarizer; and at least one retardation plate arranged so that only the light reflected from the reflection area part is made incident on the retardation plate. - 特許庁