「素板」に関連した英語例文の一覧と使い方(917ページ目) - Weblio英語例文検索

粗面加工を施した半導体素子を導電性接着剤を用いて基板またはリードフレームに固着した半導体装置において、充分な導通性を維持しつつ、熱ストレスによる導電性接着剤の剥離を防止する半導体装置の接続方法および半導体装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a connection method for preventing peeling of a conductive adhesive due to thermal stress while maintaining satisfactory conductivity in a semiconductor device, wherein a semiconductor element which is subjected to surface roughening is fixed to a substrate or a lead frame by using the conductive adhesive. - 特許庁

位相差を有する水晶の透明基板２０を使用し、その上に高分子液晶の複屈折性膜２４を形成し、フォトリソグラフィ法とドライエッチング法により高分子液晶膜に周期的な格子２７を形成し、形成された格子の凹凸部を等方性材料２８で充填することで高い光利用効率を有する回折素子を実現した。例文帳に追加

The diffraction element with high light utilization efficiency can be achieved by utilizing a crystal transparent substrate 20 with retardation; forming a birefringent film 24 of a polymer liquid crystal on the transparent substrate; forming periodic lattices 27 in the polymer liquid crystal film by photolithographic method and dry etching; and filling the uneven parts of the formed lattices with an isotropic material 28. - 特許庁

電子放出素子１の電子加速層４は、絶縁体微粒子５と、平均粒径が絶縁体微粒子５のそれよりも小さい導電微粒子６ａとを含み、電子加速層４と電極基板２との間に、平均粒径が絶縁体微粒子５のそれよりも小さい導電微粒子６ｂを含む導電微粒子層１６を有する。例文帳に追加

The electron accelerating layer 4 of this electron emitting element 1 contains insulator particulates 5 and conductive particulates 6a each having an average particle diameter smaller than that of the insulator particulate 5, and has a conductive particulate layer 16 containing conductive particulates 6b each having an average particle diameter smaller than that of the insulator particles 5 between the electron accelerating layer 4 and the electrode substrate 2. - 特許庁

フラッシュメモリ素子のウォール酸化膜形成方法は、トレンチの形成された半導体基板を提供する段階と、Ｈ_２とＯ_２の雰囲気でＩＳＳＧ酸化方式によって酸化工程を行って前記トレンチの内側壁にウォール酸化膜を形成する段階とを含む構成としたことを特徴とする。例文帳に追加

The wall oxide film forming method of the flash memory element comprises a stage of offering a semiconductor substrate in which the trench has been formed, and a stage of forming the wall oxide film in the inner wall of the above-mentioned trench by performing the oxidation process by ISSG oxidation system in an atmosphere of H_2 and O_2. - 特許庁

半導体基板上に形成された光電変換部と前記光電変換部で生成された電荷を転送する電荷転送部とを備えた撮像部と、前記撮像部上に、平坦化膜を介して形成されたパッシベーション膜と、層内レンズとを具備した固体撮像素子であって、前記層内レンズ２１が、前記パッシベーション膜２０中に形成されたことを特徴とする。例文帳に追加

In this solid-state image pickup element, the intra-layer lens 21 is formed in the passivation film 20. - 特許庁

水晶基板１１１に電極１１２を形成したＳＡＷチップ１１０の周波数特性を調整するＳＡＷチップ１１０の周波数調整方法において、ＳＡＷチップ１１０における電極形成面を、不活性ガスと酸素ガスの混合ガスによってエッチングすることにより周波数調整を行う。例文帳に追加

In the frequency adjustment method for the SAW chip 110 to adjust the frequency characteristic of the SAW chip 110, resulting from forming an electrode 112 to a crystal substrate 111, the frequency is adjusted by etching an electrode which forms the face of the SAW chip 110 with a mixed gas of an inert gas and oxygen gas. - 特許庁

ガラス基板１上にサファィア膜５０を設け、この上にシリコン・インジウム溶融液層６から単結晶シリコン層７をエピタキシャル成長させた後、この単結晶シリコン層に所定の処理を施し、知的資産機能ブロック又は素子間を分離したＩＰＩＣ用の半導体装置を形成する。例文帳に追加

A sapphire film 50 is provided on a glass substrate 1, a single crystal silicon layer 7 is subjected to epitaxial growth from a silicon/indium fluxing liquid layer 6 on the sapphire film, specific treatment is made to the single crystal silicon layer, and a semiconductor device for IPIC where intellectual property function blocks or elements are isolated is formed. - 特許庁

矩形状の圧電素板の長さ方向の寸法から、支持固着導通領域が占める寸法を除いた圧電振動領域の寸法を二等分する線上に、励振用電極の長さ方向の寸法を二等分する線があるようにこの励振用電極を形成したことを特徴とする圧電振動子である。例文帳に追加

The piezoelectric vibrator is characterized in that an exciting electrode is formed in a way that a bisection line of the dimension in the lengthwise direction of the exciting electrode exists on a line bisecting the dimension of a piezoelectric vibration area resulting from eliminating a size of a support fixing conduction region from the length of the rectangular piezoelectric raw material plate. - 特許庁

タンタルハロゲン化物、窒素源ガス、およびシリコン源ガスをプラズマ分解し、基板上にアモルファス状のタンタル・シリコン窒化物膜を形成する第１工程と、該シリコン源ガスの導入を中止し、第１工程と同様の操作を続けて、該タンタル・シリコン窒化物膜上にアモルファス状のタンタル窒化物膜を形成する第２工程とを含む。例文帳に追加

The method comprises a first step of depositing tantalum halide, nitrogen source gas and silicon source gas with plasma to form an amorphous tantalum/silicon nitride film on a substrate, and a second step of stopping introducing the silicon source gas and executing the same operation as in the first step to form an amorphous tantalum nitride film on the tantalum/silicon nitride film. - 特許庁

その表面に所定深さの凹レンズ収容溝が設けられている透明基板と、前記レンズ収容溝内に設けられるものであって、前記レンズ収容溝に対応する第１面に屈折面が設けられ、その反対側の第２面に回折格子パターンによる回折面が形成されているレンズ要素とを備える。例文帳に追加

The lens includes: a transparent substrate with a lens cavity of a prescribed depth in the surface of the substrate; and a lens element disposed in the lens cavity and having a first surface corresponding to the lens cavity and provided with a refractive surface and a second surface opposite to the first surface and with a diffraction surface formed by a diffraction grating pattern. - 特許庁

基板上に配列された複数の発光素子上を封止する蛍光剤含有樹脂体に含有されている蛍光剤の励起が部分的に強くなるのを抑えることによって、色度や明度にムラを生じさせることなく、全体を均一に発光させることのできるＬＥＤ照明装置を提供することである。例文帳に追加

To provide a light emitting diode (LED) lighting device capable of uniformly emitting light the whole of the LED lighting device without causing unevenness in brightness and chromaticity by suppressing partial increase in excitation in a fluorescence agent included in a fluorescence agent containing resin body that seals a plurality of light emitting elements arranged on a substrate. - 特許庁

ＳＯＩ基板を用いた半導体装置において、薄型の素子形成領域にサリサイド化を行ってもトランジスタ機能を確保させることができ、半導体装置の小型化を図ることができ、平坦化とサリサイド化を同時工程にて行うことができ、製造効率を上昇させることのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and a method for manufacturing the device capable of assuring a transistor function even when a thin element forming region is salicided in the device using an SOI substrate, reducing in size of the device, flattening and saliciding the region in a same step and raising its manufacturing efficiency. - 特許庁

電子放出素子は、誘電体によって構成された電界印加部１と、その一方の面に形成された第１電極としての駆動電極２と、それと同一面に形成され、駆動電極２とともにスリットを形成する第２電極としてのコモン電極３とを有し、基板４の上に形成される。例文帳に追加

The electron emitting element has an electric field applying part 1 formed by a dielectric, a drive electrode 2 as a first electrode formed on one surface of the field applying part 1 and a common electrode 3 as a second electrode formed on the same surface as the first electrode and forming a slit together with the drive electrode 2 and is formed on a substrate 4. - 特許庁

ノッチ構造４４およびＶ溝４９の長手方向は、導波路コア４３の長手方向に対して略垂直方向であり、ノッチ構造４４とＶ溝４９とを嵌合することにより、半導体レーザ４８と導波路コア４３とを結合するように導波路回路素子４１を基板４６に実装する。例文帳に追加

The longitudinal direction of the notch structures 44 and the V-shaped grooves 49 are substantially at right angle with the longitudinal direction of the waveguide cores 43, and the waveguide circuit element 41 is mounted on the substrate 46 so that the semiconductor lasers 48 and the waveguide cores 43 are coupled by fitting the notch structures 44 to the V-shaped grooves 49. - 特許庁

投光基板上にクロム遮光層が形成され、その上にクロラインガス及び酸素ガスを含むエッチングガスに対して前記クロム遮光層とのエッチング選択比が少なくとも３：１以上になる導電性物質よりなるハードマスク層が形成され、その上にレジスト層が形成されるブランクフォトマスクである。例文帳に追加

The blank photomask comprises: a chromium light shielding layer formed on a light-transmissive substrate; a hard mask layer comprising a conductive substance formed thereon with an etching selectivity of at least 3:1 or higher with respect to the chromium light shielding layer against an etching gas mixture containing chlorine gas and oxygen gas; and a resist layer formed on the hard mask layer. - 特許庁

ランガサイト単結晶基板表面に形成される正電極１と負電極２とからなる表面弾性波変換器を有する表面弾性波素子であって、前記弾性表面波変換器は自然一方向性が消滅するように表面弾性波の伝搬方向に沿って、前記各電極が形成されている。例文帳に追加

The surface acoustic wave element is provided with a surface acoustic wave converter, consisting of a positive electrode 1 and a negative electrode 2 which are formed on the front surface of a langasite monocrystal baseboard; and the respective electrodes are formed along the propagating direction of surface acoustic wave, so as to have natural unidirectionality eliminated in the surface acoustic wave converter. - 特許庁

高集積半導体装置において、ショートチャンネル効果を克服するため、本発明に係る半導体素子の製造方法は半導体基板の上部に形成された絶縁層、及びシリコン活性領域上にゲートパターンを形成するステップ、前記ゲートパターンの間の露出したシリコン活性領域を取り除くステップ、及び前記ゲートパターンの間を埋め込んでプラグを形成するステップを含む。例文帳に追加

In order to solve a short channel effect in a highly integrated semiconductor device, a method of fabricating a semiconductor device includes steps of: forming gate patterns over an insulating layer and a silicon active region formed on a semiconductor substrate; removing the silicon active region exposed between the gate patterns; and filling a space between the gate patterns to form a plug. - 特許庁

電極が設けられた基板を、加水分解基の異なる２種以上のシランカップリング剤の混合物又は分子中にアセトキシ基を２個以上含有するシランカップリング剤を用いて疎水化処理した後に、導電性薄膜を形成するための材料を含有する液滴を電極上に付与する電子放出素子の製造方法。例文帳に追加

The method of manufacturing the electron emission element is that hydrohobic treatment is applied to the substrate on which electrodes are formed with a mixture of two or more kinds of silan coupling agents having different hydrolyzable groups or the silane coupling agent containing two or more acetoxy groups in a molecule, and liquid drops containing a material for forming a conductive thin film are put on the electrodes. - 特許庁

また少なくとも１個のプラズマ発生源としては、高周波プラズマエネルギーを適用してフッ化炭素ガスをイオン化する第１のプラズマ発生源と、不動態層の蒸着の間は高周波数で基板の自己バイアスをゼロ近傍に保つと共にポリマー層蒸着の間はより大きなバイアスとする第二のプラズマ発生源とを含むことができる。例文帳に追加

At least one plasma generating source can include a first plasma generating source for ionizing the fluorocarbon gas by applying high frequency plasma energy, and a second plasma generating source for keeping an auto-bias of the substrate in the vicinity of zero by high frequency during the deposition of the passivity layer while making the bias larger during the polymer layer deposition. - 特許庁

ネマチック液晶組成物に２色性色素を添加したものを用いることにより偏光板を不用として明るい表示を可能にし、ネマチック液晶組成物をベンド配向させて駆動することにより応答速度を改善し、セル中に重合性組成物の硬化物を形成することによりベンド配向を安定化する。例文帳に追加

Bright display can be realized by using a nematic liquid crystal composition to which dichroic dye is added to dispense with a polarizing plate, the response speed is improved by driving the bend-aligned nematic liquid crystal composition and the bend alignment is stabilized by forming a cured matter of a polymerizable composition in a cell. - 特許庁

基板上に多孔質の銅メッキを形成するなどして作製した比表面積が１００ｍｍ^2／ｍｍ^3以上の大比表面積を有する銅基材に対し、チオ尿素とニッケル成分を含むめっき液を付与して置換反応を起こすことにより、大比表面積の基材上に均一な硫化ニッケル膜が形成された多孔質体を得る。例文帳に追加

A porous body having a uniform nickel sulfide film formed on a base material of a large specific surface area is obtained by causing the substitution reaction by applying a plating liquid containing thiourea and nickel component on a copper base having a large specific surface area of ≥100 mm^2/mm3 which is manufactured by forming a porous copper plating on a substrate. - 特許庁

ハロゲン含有蛍光体もしくはその原料を含む蒸発源を加熱して発生する物質を基板上に蒸着させることにより蛍光体層を形成する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法において、該蒸着を、ハロゲン化水素の分圧が２．０×１０^−５Ｐａ以上の蒸着雰囲気中で行う。例文帳に追加

In this manufacturing method of the radiological image conversion panel including a process for forming a phosphor layer by depositing on a substrate a material generated by heating an evaporation source containing a halogen-containing phosphor or its raw material, deposition is performed in a deposition atmosphere having a partial pressure of hydrogen halogenide of 2.0×10^-5 Pa or higher. - 特許庁

古紙パルプから分級処理により、短繊維フラクションを除去して、分級処理前の古紙パルプとのカナダ標準ロ水度の差が５０〜２５０ｍｌである長繊維フラクションを得た後、該長繊維フラクションにＣＭ−セルラーゼ活性／キシラナーゼ活性の比が２０以下である酵素で処理した後に叩解処理を行うことを特徴とする板紙用古紙パルプの製造方法。例文帳に追加

This production method is characterized by following steps; a short fiber fraction of used fiber pulp is removed by classifying to obtain a long fiber fraction having 50-250 ml Canadian standard freeness difference based on the unclassified used paper pulp, the resultant is treated with enzyme having ≤20 CM-cellulase activity/xylanase activity ratio and beated. - 特許庁

絶縁基板１０１上に薄膜トランジスタを有する画素を複数配列した半導体装置において、薄膜トランジスタのゲート電極１１４″とゲート配線１１４の少なくとも一方、又は／及びソース・ドレイン電極は、Ａｌ−Ｎｄ（アルミニオジウム）合金、ＡｌとＡｌ−Ｎｄ（アルミニオジウム）合金とを積層した構成、Ａｌ−Ｎｄ（アルミニオジウム）合金とＡｌとを積層した構成である。例文帳に追加

In the semiconductor device has pixels with thin-film transistors arrayed on an insulating substrate 101, at least one of the gate electrode 114" and gate wire 114 of a thin-film transistor or/and the source-drain electrode are formed, by laminating Al-Nd(aluminum neodymium) alloy and Al and Al-Nd alloy, and laminating Al-Nd alloy and Al. - 特許庁

酸化シリコン膜に比べて膜厚を薄くできるとともに、劣化を防止したゲート絶縁膜を有するシステム化された半導体装置を提供することを第１の目的とし、素子分離絶縁膜やＳＯＩ基板内の埋め込み酸化膜のホットキャリア耐性を向上させることで、信頼性が向上した半導体装置を提供することを第２の目的とする。例文帳に追加

To provide a systematized semiconductor device capable of being thinned in a film as compared with a silicon oxide film and having a gate insulating film preventing a deterioration, and to provide a semiconductor device having improved reliability by improving a hot carrier resistance of an element isolation insulating film or an embedded oxide film in an SOI substrate. - 特許庁

上記課題を解決するための搭載パッドは、基板に配設されて、導電性接着剤を介して素子片が実装される搭載パッド１８であって、当該搭載パッド１８を構成する導電性パターンの中の少なくとも１つに印刷工程を経て形成される印刷層を備え、前記印刷層の表面に凹凸を形成したことを特徴とする。例文帳に追加

The mounting pad is a mounting pad 18 arranged on a substrate, wherein element strips are mounted via a conductive adhesive material, having a printed layer formed through a printing step in at least one of conductive patterns composing the mounting pad 18 and forming irregularities on the top surface of the printed layer. - 特許庁

長期保存安定性、高感度で現像速度及び解像度に優れるアルカリ現像型感光性樹脂組成物を用いて形成され、さらに、光照射によって硬化した後の塗膜においては、耐熱性、基板との密着性、硬度、耐溶剤性、耐アルカリ性に優れる画素部またはブラックマトリックスが形成されたカラーフィルタ。例文帳に追加

To provide a color filter formed, using an alkali developable photosensitive resin composition superior in long-term shelf stability, high sensitivity, developing speed and resolution and having a formed pixel part or black matrix superior in heat resistance, adhesion to a substrate, hardness, solvent and alkali resistances in a coating film after being cured by irradiation with light. - 特許庁

拘束シートを用いた同時焼成工程によるセラミック回路基板の製造方法において、表層導体や受動素子に不必要な凹凸をスタンプ（stamp）したり、異物付着を起こしたり、メッキ性や半田濡れ性の低下といった問題の発生を防ぎつつ、焼成ひずみをより小さくできる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a ceramic circuit substrate which can reduce burning strain smaller while preventing problems of stamping unnecessary ruggedness on a front layer conductor or a passive element, causing a foreign matter adhesion, or decreasing a plating property and solder wettability in the method of manufacturing the ceramic circuit substrate by a simultaneous burning step using a restricted sheet. - 特許庁

基板上に低屈折率膜と高屈折率膜を交互に積層されてなる近赤外線カットフィルターの製造方法であって、それぞれの前記膜をマグネトロンスパッタリングにより成膜し、電子サイクロトロン共鳴型イオン源及びアシストイオン源に酸素を供給するとともに、プラズマを励起させて前記膜を酸化することを特徴とする。例文帳に追加

In the method for producing a cut filter for near IR rays in which low reflective index films and high reflective index films are alternately stacked on a substrate, the respective films are formed by magnetron sputtering, and oxygen is fed to an electron cyclotron resonance type ion source and an assist ion source, while plasma is excited so as to oxidize the films. - 特許庁

基板２の一主面側に埋込誘電体層３を介して形成された第１導電型の半導体活性層４に、第２導電型の不純物領域７と、第１導電型のコンタクト不純物領域６とが互いに離れて形成され、第２導電型の不純物領域７およびコンタクト不純物領域６上に、それぞれ素子電極１０，９を有する。例文帳に追加

A second conductive impurity area 7 and a first conductive impurity area 6 are separately formed in a first conductive semiconductor active layer 4 formed through an embedded dielectric layer 3 on one main face side of a substrate 2, and element electrodes 10 and 9 are respectively formed on the second conductive impurity area 7 and the contact impurity area 6. - 特許庁

液晶表示装置１０は、ＴＦＴ基板１２のＴＦＴ１１が、島状に形成され且つ層間絶縁膜３６に形成されたコンタクトホール４０を介して画素電極３７に電気的に接続されたドレイン電極２１と、ドレイン電極２１の周りに配置されたソース電極２０と、を備える。例文帳に追加

In the liquid crystal display device 10, a TFT 11 of a TFT substrate 12 is provided with a drain electrode 21 formed in an island shape and electrically connected to a pixel electrode 37 via a contact hole 40 formed in an interlayer insulating film 36 and a source electrode 20 disposed on the periphery of the drain electrode 21. - 特許庁

複数の貫通導体が接続された接続ランド間に接地または電源用導体層を大きな幅で設けることにより接地または電源用導体層の実効インダクタンスを小さなものとして、搭載する半導体集積回路素子を正常に作動させることが可能な配線基板を提供すること。例文帳に追加

To provide a wiring board which has the small active inductance of a ground or a conductor layer for a power source by providing the ground or the conductor layer for the power source at a large width between connecting lands connected with a plurality of through conductors and which normally operates a semiconductor integrated circuit element to be mounted. - 特許庁

リードフレーム１００は、例えば銅薄板であるリードフレーム素材１０１の略全面に、ニッケルめっき１０２、パラジウムめっき１０３、金フラッシュめっき１０４をこの順に施し、さらに、当該半導体装置の外囲器に囲繞される部分であるインナー部の一部に選択的に銀めっき１０５を施して構成される。例文帳に追加

A leadframe 100 has nickel plating 102, palladium plating 103, and gold flashing 104 which are provided on almost all the surfaces of a leadframe material 101 made of a copper sheet or the like in the described order, as well as silver plating 105 which is selectively provided on a part of the inner portion surrounded by the housing of a relevant semiconductor device. - 特許庁

インクジェットヘッドの圧電素子を単一配向あるいは単結晶の積層体で構成することにより、半導体プロセスで微細化ができ、高密度のインクジェットヘッドを作製するための、Si基板上に単結晶酸化物導電体を有する積層体及びそれを用いたアクチュエーター及びインクジェットヘッドとその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a multilayer for making a high density ink jet head having a single crystal oxide conductor on an Si substrate, an actuator and an ink jet head employing it, and its manufacturing method in which micromachining can be carried out using a semiconductor process by composing the piezoelectric element of the ink jet head of a single orientation or single crystal multilayer. - 特許庁

液晶を注入する工程を備えた液晶素子の製造方法において、液晶を注入した液晶セルに対して、液晶セルの一辺側からローラー７で圧力をかける工程と、ローラーを過熱して、フレキシブル基板を熱溶解させ、液晶セルを封口する工程とを有すること特徴とする。例文帳に追加

A liquid crystal element manufacturing method provided with a process for injecting a liquid crystal comprises a process for pressurizing the liquid crystal cell into which the liquid crystal is injected from one side of the liquid crystal cell by a roller 7 and a process for overheating the roller 7, thermally dissolving the flexible substrate and sealing the liquid crystal cell. - 特許庁

基板、所定の波長の光を放出するためのゲート酸化物層上に形成された、希土類がドープされ且つシリコンリッチな層、上記希土類がドープされ且つシリコンリッチな層上に形成された上端電極、およびそこに製造された連合されたＣＭＯＳ ＩＣ構造体を有する本発明の方法によって製造されたエレクトロルミネセンス素子に関する。例文帳に追加

The electroluminescent element manufactured by the method has the substrate, a layer doped with rare earth elements and rich in silicon formed on a gate oxide layer for radiating light at a prescribed wavelength, an upper end electrode formed on a layer doped with the rare earth elements and rich in silicon, and a combined CMOS IC structure manufactured there. - 特許庁

支持体上に、光を吸収し熱を発生する物質と、フェノール性水酸基を有するアルカリ水溶液可溶性樹脂と、分子中に疎水性基を置換した、金属元素が配位したポリエチレングリコール基を有する化合物とを含有する画像記録層を設けたことを特徴とする平版印刷用原板。例文帳に追加

The lithographic printing original plate has an image recording layer formed on a supporting body, with the recording layer containing a substance which absorbs light to generate heat, a resin soluble with an alkali aqueous solution and having a phenolic hydroxyl group, and a compound having a hydrophobic group substituted in the molecule and having a polyethylene glycol group with a metal element coordinated. - 特許庁

高誘電体材料を用いて形成されたゲート絶縁膜を有する半導体装置の製造方法であって、半導体基板上に核形成のための絶縁膜を形成を形成し、この絶縁膜上に高誘電体膜を形成し、絶縁膜又は／及び高誘電体膜を超臨界二酸化炭素中で処理する工程を有する。例文帳に追加

The method of manufacturing the semiconductor device equipped with the gate insulating film formed of high-dielectric material comprises processes of forming the insulating film used for nucleation on the semiconductor substrate, forming the high-dielectric film on the insulating film, and processing the insulating film and/or the high-dielectric film in supercritical carbon dioxide. - 特許庁

正側直流出力導体１と負側直流出力導体２を、長方形状の絶縁基板１３上の長辺方向のほぼ中央部に配置するとともに、これらの導体を挟むように、ＩＧＢＴ等の半導体素子チップ９，１１およびダイオードチップ１０，１２をその両側に配置して構成する。例文帳に追加

Both positive DC output conductor 1 and negative DC output conductor 2 are allocated at almost the center in the longer side direction of a rectangular insulating substrate 13 and the semiconductor element chips 9, 11 such as IGBT or the like, and diode chips 10, 12 are allocated to hold such conductors in both sides thereof. - 特許庁

本発明は、少なくとも１つの単結晶層が堆積された単結晶基板を含む構成要素の製作方法に関し、この方法は、気体プラズマ内の金属または半導体の粉末化による単結晶層の堆積に関する１つまたはいくつかのステップを含み、原子堆積の速度が、ステップ自体の中では、かかる原子の均質化速度より遅いことを特徴とする。例文帳に追加

A method of producing a component including a single crystal substrate, on which at least one single crystal layer is deposited, includes one or several step/steps on deposition of a single crystal layer by powdering a metal or a semiconductor in gas plasma wherein deposition speed of an atom is slow compared with homogenization speed of such an atom in the step. - 特許庁

弗化アンモニウム水溶液や弗化アンモニウム水溶液と弗化水素酸との混合液を洗浄液として基板の洗浄を行う際に、洗浄液の使用時間の経過とともに洗浄液に水、アンモニア、アンモニア水、弗化アンモニウム水溶液から選ばれる少なくとも１種を追加補充する。例文帳に追加

When the substrate is cleaned by using an ammonium fluoride aqueous solution or a mixed solution of an ammonium fluoride aqueous solution and hydrofluoric acid as a cleaning liquid, with the passage of time during the use of the cleaning liquid, the cleaning liquid is added with at least one selected from water, ammonia, ammonia water, and an ammonium fluoride aqueous solution. - 特許庁

電離ガスを用いた圧力容器を必要とする多次元位置検出型放射線検出器において、装着された多次元放射線検出素子から数１０チャンネル以上の多チャンネルで出力される微小且つ高速電気信号パルスを個別に減衰及び遅延無く、圧力バウンダリーを介してダイレクトに多チャンネルアンプ基板に伝送する構造を有した放射線検出器用圧力容器システムを提供する。例文帳に追加

This multidimensional position detecting type radiation detector, requiring a pressure vessel using an ionization gas, has a structure for transmitting fine and high-speed electrical signal pulses output in several tens or more of multichannels, from an individually mounted multidimensional radiation detecting element to a multichannel amplifying board via a pressure boundary, without attenuation or delays. - 特許庁

例えば、透明基板１１上にブラックマトリックス１２、カラーフィルター層１３および色変換層１５等が積層された上方に、光の波長以下のピッチの無数の微細凹凸が形成された微細凹凸面１４を有する光学フィルター１０と有機ＥＬ素子２０とを組合せることにより、課題を解決することができた。例文帳に追加

This optical filter is formed by combining an organic EL element 20 with an optical filter having a fine-rugged surface 14 with innumerable ruggedness at the pitch of the wavelength of light or less formed above the lamination of a black matrix 12, a color filter layer 13, and a color conversion layer 15 on a transparent substrate 11. - 特許庁

このように、整流でかつ効率よく対流させることができるため、気液界面付近で窒素を融液に溶解させた後に、その融液を育成容器の全体にすみやかに供給することができ、種結晶基板の育成面にステップフロー成長がおこり、品質の良い平滑な窒化物単結晶が形成される。例文帳に追加

Since the flow is efficiently convected in straightening like this, after nitrogen is dissolved in the melt liquid near the gas/liquid interface, the melt liquid can be rapidly supplied in the whole growing vessel, and a step-flow growth occurs on the growing surface of the seed crystal substrate and a flat and smooth nitride single crystal of good quality is formed. - 特許庁

酸化物蛍光材料をターゲット材料としてパルスレーザー堆積法によって、600℃以上800℃以下の温度でエピタキシャル成長により基板上に薄膜が形成し、前記薄膜の形成後、酸素中または大気中で900℃以上1200℃以下の熱処理によって蛍光特性を向上させたことを特徴とする酸化物蛍光体エピタキシャル薄膜である。例文帳に追加

The oxide phosphor epitaxial film is obtained by forming a film on a substrate at a temperature of 600-800°C by epitaxial growth using an oxide phosphor material as a target material by the pulse laser accumulation method and subjecting the film thus formed to heat treatment in oxygen or in the air at 900-1,200°C to improve fluorescence properties. - 特許庁