「素板」に関連した英語例文の一覧と使い方(919ページ目) - Weblio英語例文検索

本発明は、表示パネルと表示保護板との間に、薄型な光錯乱防止兼衝撃吸収素材を配置することにより、視認性の良い表示装置を実現するとともに、外力や衝撃力に対する緩衝特性や耐衝撃性についても低下する事なく、かつ表示パネル自体の取り付け位置も安定した状態を維持することが可能な表示装置の保持構造を提供する。例文帳に追加

To provide a holding structure of a display device, the structure which gives a display device with good visibility and can maintain a stable state of the attaching position of a display panel without decreasing buffering characteristics and shock resistance against external force or impact force by placing a thin light-confusion preventing and shock-absorbing material, between the display panel and a display protective plate. - 特許庁

半導体素子は、半導体基板１００上に順次積層されたトンネル絶縁膜１０１、フローティングゲート用導電膜１０２、誘電体膜１０３、コントロールゲート用導電膜１０４、およびタングステン膜で形成されたゲート電極膜１０５、並びに、ゲート電極膜１０５の側壁に、窒化膜１０７ａおよび酸化膜１０７ｂからなる二重膜で形成された保護膜１０７を含む。例文帳に追加

The semiconductor device 100 includes: a tunnel insulating layer 101; a conductive film 102 for a floating gate; a dielectric layer 103; a conductive film 104 for a control gate; a gate electrode layer 105 formed of a tungsten layer; and a protective layer 107 formed of a dual layer consisting of a nitride layer 107a and an oxide layer 107b, on a sidewall of the gate electrode layer 105. - 特許庁

本発明の目的は、高温での耐熱性が高く、更に高温での弾性率が高く、又、特定の無機充填剤との組み合わせにより特に半導体素子との熱膨張係数の室温と高温での差が小さいため、クラックや剥離が発生しにくいエポキシ樹脂複合材料とそれを用いた樹脂封止材料、樹脂封止型半導体装置及び多層配線板を提供することにある。例文帳に追加

To obtain an epoxy resin composite material having high heat resistance and high modulus of elasticity at a high temperature and scarcely causing a cracking and an exfoliating because having small difference in coefficient of thermal expansion especially from a semiconductor element between a room temperature and the high temperature by using a specific inorganic filler as combination and a resin sealing material, a resin-sealed semiconductor device and a multilayer printed circuit board using the composite material. - 特許庁

支持基板１、６上に少なくとも透明電極２、７が形成されている一対の電極構造体１１、１２が、透明電極２、７同士が対面するように、電解質層５を挟持して配置されており、一対の透明電極２、７のうちの、少なくとも一方の上に、ピリジン化合物よりなる有機ＥＣ色素が吸着されている多孔質電極４が形成されているエレクトロクロミック装置を提供する。例文帳に追加

The electrochromic device is provided, in which a pair of electrode structure 11, 12 in which at least transparent electrodes 2, 7 are formed on support substrates 1, 6 by sandwiching an electrolyte layer 5 so that the transparent electrodes 2, 7 may face each other and a porous electrode 4 to which an organic EC pigment comprised of pyridine compound is absorbed on at least one of the pair of transparent electrodes 2, 7. - 特許庁

ビスマス置換希土類鉄系ガーネットからなる磁気光学ガーネット厚膜単結晶の製造方法であって、単結晶基板上に液相エピタキシャル成長法によって酸素濃度０〜１６％（０は含まず）で結晶育成させる結晶育成工程と、育成された磁気光学ガーネット厚膜単結晶を、Ｈ_２を含有する、Ｎ_２もしくはＡｒガス雰囲気において熱処理する熱処理工程とを備えている。例文帳に追加

This method comprises: a bismuth-substituted rare earth iron garnet includes a crystal growth step of growing a crystal on a single crystal substrate by a liquid phase epitaxial growth method in an oxygen concentration of 0 to 16% (excluding 0); and a heat treatment step of heat treating the grown magneto-optical garnet thick film single crystal in a N_2 or Ar gas atmosphere containing H_2. - 特許庁

ＮＯｘセンサのセンサ制御装置２では、回路基板２０上において、比較的大きな電流が扱われるヒータ駆動回路２８よりも、ＮＯｘ濃度を検出するための微弱な電流Ｉｐ２が扱われるＩｐ２セル制御回路２７や、酸素濃度を検出するための微弱な電流Ｉｐ１が扱われるＩｐ１セル／Ｖｓセル制御回路２６の近くに温度センサ２９を配置している。例文帳に追加

In the sensor control device 2 of an NOx sensor, a temperature sensor 29 is arranged in the vicinity of an Ip2 cell control circuit 27 handling a weaker current Ip2 for detecting the concentration of NOx than a heater driving circuit 28 handling a relatively large current or an Ip1 cell/Vs cell control circuit 26 handling the weaker current Ip1 for detecting the concentration of oxygen. - 特許庁

比誘電率が２０以上の誘電体板１の両主面に第一の薄膜電極２と第二の薄膜電極３を形成して成る容量素子の第一の薄膜電極２の表面に、比誘電率が５以下の樹脂絶縁層４と薄膜から成るインダクタパターン５とが順次積層されて成る。例文帳に追加

On the top surface of a 1st thin film electrode 2 of a capacity element constituted by forming the 1st thin film electrode 2 and a 2nd thin film electrode 3 on both the main surfaces of a dielectric plate 1 whose specific permittivity is 20 or larger, a resin insulating film 4 whose specific permittivity is 5 or less and an inductor pattern 5 formed of a thin film are laminated one after another. - 特許庁

屈折型レンズ面４と該屈折型レンズ面のレンズ表面中心付近に焦点Ｆをもつ非軸全反射型レンズ面５を有するレンズユニット10を基板２の主面に配列してなる光学素子であって、前記配列を、拡散光線束７の主光線方向32の相異なる複数の種類のレンズユニットが混在する配列とした。例文帳に追加

The optical element is formed by aligning a refractive lens face 4 and a lens unit 10 having a nonaxisymmetric total reflection lens face 5 with a focus F in the vicinity of the lens surface center of the refractive lens face, wherein in the alignment, a plurality of kinds of lens units with mutually different main light beam directions 32 of the diffusion pencil of light beams 7 are mixed with one another. - 特許庁

複数のキートップ１２を薄肉フレキシブル部１４Ｆを介して一体に設けられたキーシート１４とキートップ１２の下降に応動して動作するスイッチ素子を含む回路基板１６とがケーシング１８内に収納され、キーシート１４とケーシング１８の上壁１８Ｕとの接触面の間に圧縮状態で挟まれている防水用弾性シート３２を有する。例文帳に追加

The key sheet 14 on which a plurality of key tops 12 are integrally arranged through a flexible part 14F with a thin wall thickness, and a circuit board 16 including switching elements moving in compliance with the descending movement of the key top 12, are housed in the casing 18, and a waterproofing elastic sheet 32 are interposed between the key sheet 14 and the casing 18 in a compressed state. - 特許庁

誘電体層２は、シリコン基板１の表面に形成された第１の埋込酸化膜１０と、素子領域に対向して第１の埋込酸化膜１０の下に形成されたシールド層１１と、シールド層１１の周りに形成された第２の埋込酸化膜１２と、シールド層１１および第２の埋込酸化膜１２の下に形成された第３の埋込酸化膜１３とを含む。例文帳に追加

Moreover, the dielectric layer 2 includes a first buried oxide film 10 formed on the surface of the silicon substrate 1, a shield layer 11 formed under the first buried oxide film 10 oppositely to the element region, a second buried oxide film 12 formed in the periphery of the shield layer 11, and a third buried oxide film 13 formed below the shield layer 11 and the second buried oxide film 12. - 特許庁

親液性および撥液性領域を形成するための層が正孔注入性や正孔輸送性等を有する場合にその正孔注入性や正孔輸送性等を損なうことなく、発光層等をパターニングすることが可能であり、また色むらや電極間の短絡発生を抑制可能な有機ＥＬ素子用基板およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate for an organic EL element and its manufacturing method capable of patterning a light-emitting layer, or the like, without damaging a hole transport property, or the like, in the case of a layer for formation of a lyophilic area or a liquid-repellent area has such a property, and capable of restraining color shades or generation of short circuiting between electrodes. - 特許庁

遮光層あるいは反射層で反射されるバックライトからの光を、反射電極や遮光層で積極的に反射させ、かつ直線偏光板で吸収されないようにしてリサイクルし、光の利用効率を向上させて明るい表示画面が実現できる液晶表示装置およびそれに使用する光学素子を提供する。例文帳に追加

To provide a liquid crystal display device whose utilization efficiency of light can be improved to realize a bright display screen by positively reflecting the light from a back light reflected by a light shielding layer or a reflection layer and recycling the light in a way as to prevent the light from being absorbed by a linear polarizing plate, and an optical element used for the same. - 特許庁

結晶欠陥や反り、割れ、剥離などが発生しない厚膜状の磁性ガーネット単結晶膜を、高品質で歩留まり良く、液相エピタキシャル成長により安定して、低コストで形成することができる磁性ガーネット単結晶膜形成用基板、光学素子およびその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a substrate for forming a magnetic garnet single crystal film with which a thick magnetic garnet single crystal film free from the generation of a crystal defect or warp, a crack, peeling or the like, and having high quality can be formed stably at a low cost and in a high yield by liquid phase epitaxial growth; and to provide an optical element and a method for manufacturing the same. - 特許庁

受光素子は、ｎ−ＩｎＰ基板上に、膜厚１００ｎｍのｎ−ＡｌＩｎＡｓ層２２、ｎ−ＩｎＰクラッド層２３、ＭＱＷ活性層２４、ｐ−ＩｎＰクラッド層２５、膜厚５０ｎｍのｐ−ＡｌＩｎＡｓ層２６、ｐ−ＩｎＰクラッド層２７、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２８の積層構造を有する。例文帳に追加

The photodetector 41 is possessed of a laminated structure composed of an N-AlInAs layer 22 of thickness 100 nm, an N-InP clad layer 23, an MQW active layer 24, a P-InP clad layer 25, a P-AlInAs layer 26 of thickness 50 nm, a P-type InP clad layer 27, and a P-GaInAs contact layer 28. - 特許庁

本発明にかかる電子源アレイ（電子放出素子）１６は、支持基板１０上に、カソード電極層１１と、伸長方向が揃った複数の細孔１３を有する保持部材１２とが順次積層されてなり、細孔１３内には一定方向（細孔の伸長方向）に配列して針状の電極部材１４が挿入されてなる。例文帳に追加

An array of electron sources (an electron emission element) 16 is formed, on a supporting base 10, by laminating a cathode electrode layer 11 and a holding member 12 having a plurality of small apertures 13 extended to a same direction in order, and needle-like electrode members 14 are inserted into small apertures 13 so as to be arranged to a same direction (an extended direction of small apertures). - 特許庁

高いフッ素含量を有しながら、同一分子内に極性基を持たせることで、幅広い波長領域すなわち真空紫外線から光通信波長域にいたるまで高い透明性と低屈折率性を有し、かつ基板への密着性、高い成膜性、エッチング耐性を併せ持つ新規な重合性単量体およびそれを用いた高分子化合物を提供する。例文帳に追加

To provide a new polymerizable monomer having a high transparency and a low refraction index in such a wide wavelength range as from a vacuum ultraviolet ray to an optical communication wavelength area and further having high adhesion to substrates, high film-forming property and high etching resistance, which can be attained by allowing a polar group to contain in the same molecule even under a high fluorine content, and to provide a polymer compound using the monomer. - 特許庁

高い透過率、耐熱性、絶縁性の特性を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板用平坦化膜、半導体素子の層間絶縁膜、あるいは光導波路のコアやクラッド材などの形成に用いられる、高感度で現像時間を短縮でき、パターン膜がアルカリ水溶液に容易に溶解する感光性シロキサン組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a photosensitive siloxane composition which is used in formation of a planarizing film for a thin film transistor (TFT) substrate having such properties as high transmittance, heat resistance and insulation, an interlayer insulation film of a semiconductor device, or a core or cladding material of an optical waveguide, and which has high sensitivity, shortens developing time, and gives a pattern film readily soluble in an alkaline aqueous solution. - 特許庁

半導体基板を用いて作製する発光素子において、分布ブラッグ反射器２で発生した近赤外線（波長７００〜１１００ｎｍ）を、分布ブラッグ反射器２から外部へ取り出される光の光路中に設置した近赤外線吸収機能を有する材料（分布ブラッグ反射器１０等）で除去または減少させる構成とする。例文帳に追加

In the light emitting element manufactured by using a semiconductor substrate, the near-infrared ray (wavelength of 700-1,100 nm) generated by a distributed Bragg reflector 2 is removed or reduced by a material (a distributed Bragg reflector 10, etc.) having a near-infrared ray absorbing function and installed in an optical passage of the light removed from the distributed Bragg reflector 2 to the outside. - 特許庁

この半導体レーザ素子では、ｎ型ＧａＮ基板２１は、半導体層（２２〜３０）が縦方向成長することが可能な平面領域Ａと、平面領域Ａを挟み込むように配置され、平面領域Ａとの境界領域が実質的に［１−１００］方向に延びるとともに、半導体層（２２〜３０）が横方向成長することが可能な平面領域Ｂとを含む。例文帳に追加

In a semiconductor laser element, an n-type GaN substrate 21 includes a planar region A in which a semiconductor layers (22 to 30) can vertically grow; and a planar region B located to sandwich the planar region A, in which an interfacial region with the planar region A extends substantially in a [1-100] direction and the semiconductor layers (22 to 30) can grow horizontally. - 特許庁

半導体素子基板上に絶縁膜を形成する方法において、 前記絶縁膜の構成塗料を塗布して塗膜２を設ける塗布工程と、 前記塗布工程の後、前記塗膜２の表層側２ａを硬化させる表層硬化工程と、 前記表層硬化工程の後、前記塗膜２にポア４を形成するポア形成工程とを具備する。例文帳に追加

A method for forming an insulating film of a semiconductor element substrate has an application process for forming a coated film 2 by applying a constitutional coat for the insulating film, a surface layer curing process for curing the surface layer side 2a of the coated film 2 after the application process, and a pore formation process for forming pores 4 in the coated film 2 after the surface layer curing process. - 特許庁

銅箔パターン９（導電体）をフィルムに一体化して形成したフレキシブルプリント（ＦＰＣ）基板８を可撓性を有する金属製ベース１２に更に一体化することによって形成したメタルベースＦＰＣ５に発光素子６と点灯制御回路７を設けた照明装置１であって、メタルベースＦＰＣ５の端部を厚肉状の端子部として形成した。例文帳に追加

In the light-emitting device 1 wherein the light-emitting element 6 and a lighting control circuit 7 are arranged on a metal base FPC 5 formed by making a flexible printed (FPC) board 8 formed by integrating copper foil patterns 9 (conductors) with a film integrated with a flexible metal base 12, an end of the metal base FPC 5 is formed as a thick-walled terminal. - 特許庁

マス３と復元力要素としての板バネ４とを含み、建物１３の振動と同じ周期で該建物１３の振動を打ち消す方向に振動するように設計された単位チューンドマスダンパー２が、複数単位、建物１３に設置され、これら単位チューンドマスダンパー２…のマスの合計重量により建物を制振するようになされている。例文帳に追加

Unit tuned mass dampers 2 including a plate spring 4 as a mass 3 and a restoration force element and designed to vibrate in the direction for canceling vibration of the building 13 at the same period as vibration of the building 13 are installed in the building 13 by a plurality of units to control vibration of the building by total weight of mass of these unit tuned mass dampers 2. - 特許庁

基板上１０に、ゲート電極１５、ゲート絶縁層１２、チャネル層１１、ソース電極１３及びドレイン電極１４が形成される薄膜トランジスタにおいて、チャネル層１１はインジウム、ゲルマニウム及び酸素を含んでいて、チャネル層１１におけるＩｎ／（Ｉｎ＋Ｇｅ）で表される組成比が０．５以上０．９７以下である。例文帳に追加

The thin film transistor includes a gate electrode 15, a gate insulation layer 12, a channel layer 11, a source electrode 13, and a drain electrode 14 formed on a substrate 10, in which: the channel layer 11 contains indium, germanium, and oxygen; and the channel layer 11 has a compositional ratio expressed by In/(In+Ge) of 0.5 or more and 0.97 or less. - 特許庁

絶縁膜上で上側導電膜にドライエッチングを行って開口パターンを形成する場合でも、開口パターンと重なる領域に適正な膜厚の絶縁膜を残すことのできる電気的固体装置の製造方法、電気的固体装置、および該電気的固体装置を素子基板として備えた液晶装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing an electric solid device by which even when an aperture pattern is formed by dry-etching an overlay conductive film on an insulating film, an insulating film with an appropriate film thickness can be left in a region overlapping the aperture pattern, and to provide an electric solid device and a liquid crystal device having the electric solid device as an element substrate. - 特許庁

ウエハ１０を用意し、ウエハ１０上に金属膜１１を形成し、金属膜１１をエッチングしてＩＤＴ２及び反射器３を形成し、ウエハ１０の一部である圧電基板１０ａ及びＩＤＴ２をトリミングして周波数を調整し、ＩＤＴ３表面を酸素雰囲気中での熱処理により急速に変質させて変質層を形成して特性を安定させる。例文帳に追加

A metal film 11 is formed on a prepared wafer 10, etching the metallic film 11 forms IDTs 2 and reflectors 3, the frequency is adjusted by trimming a piezoelectric substrate 10a and the IDTs 2 which are part of the wafer 10, the surface of the IDTs 2 are rapidly modified through heat treatment under an oxygen atmosphere, to form a modified layer so as to stabilize the characteristics. - 特許庁

有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、基板１１に設けられた平坦化絶縁層１２の上に、第１電極層１３の上部有機層１５側の端面を第１端部Ｐ１、第２電極層１６の上部有機層１５側の端面を第２端部Ｐ２とする共振器構造を有するものである。例文帳に追加

Organic light-emitting elements 10R, 10G and 10B have a resonator structure in which an end face closer to an upper organic layer 15 of a first electrode layer 13 is a first end P1 and an end face closer to an upper organic layer 15 of a second electrode layer 16 is a second end P2 on a planarized insulating layer 12 disposed on a substrate 11. - 特許庁

インヒビタを含有しない高純度成分の素材を用いて1050℃までの低温最終仕上げ焼鈍により、フォルステライトを主体とする下地被膜を有しない、磁気特性および打ち抜き加工性に優れた方向性電磁鋼板の製品を製造する際、磁気特性や打ち抜き、コーティングの障害となるコイルの巻き癖を効果的に解消する。例文帳に追加

To effectively solve the problem of coil set being an obstacle to magnetic properties, punching and coating when manufacturing a product of grain- oriented electrical steel sheet which is free from undercoat film composed essentially of forsterite and has excellent magnetic properties and punchability by means of low-temperature final finish annealing at ≤1,050°C using a stock having inhibitor-free high-purity components. - 特許庁

本発明は、透明電極の上面に形成された金属薄膜を有する試料を平行平板型プラズマエッチング装置のチャンバ内の試料台上に配置し、該チャンバ内にフッ素原子を含むガスを導入し、該試料台と該試料台に対面して設置された対向電極との間に高周波電圧を印加して前記金属薄膜をプラズマエッチングする補助電極の形成方法である。例文帳に追加

A specimen having a metallic thin film formed on the upper surface of the transparent electrode is disposed on a specimen stage in a chamber of a parallel flat plasma etching apparatus, a gas containing fluorine atom is introduced into the chamber, and applying a high frequency voltage between the specimen table, and an opposite electrode disposed to be faced to the specimen table so as to etch the metallic thin film with the plasma. - 特許庁

液晶性化合物を駆動させる電極を有する基板及び隔壁によって互いに独立して分割した複数のセルを有する画像表示装置であって、各セルの内部に光制御部を有し、該光制御部が液晶性化合物とエネルギー線又は熱硬化型樹脂組成物と二色性色素を含有する混合物をエネルギー線または熱を加え硬化させたものであることを特徴とする画像表示装置。例文帳に追加

The image display device having a substrate having electrodes for driving a liquid crystalline compound and a plurality of cells mutually independently separated by barrier ribs is characterized in that each cell has a light controlling part therein and the light controlling part is a cured material formed by applying an energy ray or heat to a mixture containing the liquid crystalline compound, an energy ray curing or a thermosetting resin composition and a dichroic dyestuff. - 特許庁

液体吐出装置は、エネルギー発生素子１０が液体を吐出するためのエネルギーを発生した際に、吐出口４から液体が吐出された場合と比べ、吐出口基板３が液体の吐出方向に向かってより凸となる場合に、吐出口部４ａに詰まりがあると判断する判断部３９を有する。例文帳に追加

When an energy generation element 10 generates energy for ejecting the liquid, the liquid ejection device includes a determination unit 39 for determining that the ejection port 4a clogs if the ejection port substrate 3 is further formed as convexity toward an ejection direction of the liquid, compared with the case that the liquid is ejected from the ejection port 4. - 特許庁

コンベックス研磨装置１には、曲面成形された研磨面３１を有する研磨部３と、ワークである水晶素板２を取り付ける取付治具４と、取付治具４を支持する支持部５と、取付治具４を挿脱可能な孔部６３を有し、研磨面３１の曲面補修をする補修治具６と、が設けられている。例文帳に追加

This convex polishing device 1 includes a polishing part 3 having a polishing surface 31 formed at a curved surface, a mounting tool 4 for mounting a crystal raw plate 2 being a work, a support 5 for supporting the mounting tool 4, and a repair tool 6 having a hole 63 allowing the mounting tool 4 to be insertable therein and used to repair the curved surface of the polishing surface 31. - 特許庁

一部に低融点金属及び硬質の窒化チタンや酸化チタン等の化合物が付着している板又は塊状のチタン含有スクラップから、これらの不純物を効率良く除去し、電子ビーム溶解等に真空溶解工程において、容易に溶解・精製できるようにするとともに、さらに電子ビーム溶解における酸素等のガス成分の上昇を抑え、低コストで高純度チタンを効率良く回収する。例文帳に追加

To provide a method for efficiently recovering titanium having high purity at a low cost with which in a vacuum-melting process with an electron- beam, while removing impurities from platy or bulky titanium-containing scrap partly sticking low melting point metal and hard titanium nitride or titanium oxide, these scraps are easily melted and refined, and the raise of gas components such as oxygen in the electron-beam melting, is restrained. - 特許庁

表示装置１Ａは、基板１１上にゲート電極１２ａを形成した後、積層膜２４の形成工程において、ゲート電極１２ａ上にゲート絶縁膜１３を介して、半導体層１４、第１保護膜１５、第２保護膜１６、平坦化膜１７、ソース・ドレイン電極層１８および画素分離膜１９を、フォトリソグラフィ技術を用いて形成する。例文帳に追加

A display device 1A forms a gate electrode 12a on a substrate 11 and then forms a semiconductor layer 14, a first protection film 15, a second protection film 16, a planarizing film 17, a source/drain electrode layer 18, and a pixel separation film 19 on the gate electrode 12a through a gate insulating film 13 during a process of forming a laminated film 24 using a photolithographic technique. - 特許庁

また、ＡｌＮ、ＧａＮ等一般式Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１, ０≦ｙ≦１, ０≦ｘ＋ｙ≦１）で表されかつＬＥＤの発光素子等として用いられるIII族窒化物系化合物半導体は、サファイア結晶の同一面内における格子定数のバラツキの分布が０．００２Å以内であるサファイア単結晶基板上に積層させて得られることを特徴とする。例文帳に追加

The group III nitride-based compound semiconductor is AlN, GaN or the like and expressed by general formula: Al_xGa_yIn_1-x-yN (wherein, 0≤x≤1, 0≤y≤1, and 0≤x+y≤1) and is used as a light-emitting element of an LED or the like. - 特許庁

ベース拡散層領域４と接続するためのコンタクト１４の開口と同時に、ベース拡散層領域４の周りに設けたディープトレンチ３と素子分離酸化膜２の境界線上にコレクタ引出電極となるコレクタトレンチ１４’を形成することにより、コレクタ−基板間容量Ｃｓｕｂ、コレクタ抵抗Ｒｃを同時に小さくすることができる。例文帳に追加

The capacity Csub between the collector substrates and the collector resistance Rc can be reduced at the same time by opening a collector 14 for being connected to a base dispersion layer area 4, and at the same time forming a collector trench 14' which is a lead-out electrode on a boundary line between a deep trench 3 formed around the base dispersion layer area 4 and an element separation oxidation film 2. - 特許庁

セラミック板の表面または内部に発熱体を形成してなるセラミックヒータにおいて、被加熱物を加熱する加熱面の反対側から加熱面に向けて有底孔を設けるとともに、該有底孔の底を発熱体よりも相対的に加熱面に近く形成し、この有底孔に測温素子を設けたことを特徴とするセラミックヒータ。例文帳に追加

For the ceramic heater with a heating element formed on the surface or in the interior of a ceramic plate, a blind hole is provided from a side opposite to a heating surface for heating a substance to be heated toward the heating surface, the bottom of the blind hole is formed relatively nearer the heating surface that the heating element, and a temperature sensing element is provide in the blind hole. - 特許庁

本発明に係わる半導体装置では、素子形成領域１５０の上面にゲート絶縁膜２ａを介してゲート電極３ａが形成され、また第一のソース・ドレイン領域５が形成され、またスクライブ領域１６０表面内に第一のソース・ドレイン領域５と同等の不純物濃度を有する不純物領域５ｐが形成された、半導体基板１を用意する。例文帳に追加

In the semiconductor device, there is prepared a semiconductor substrate 1 in which a gate electrode 3a is formed on a top face of an element formation region 150 through a gate insulating film 2a, a first source-drain region 5 is formed, and an impurity region 5p is formed having the same impurity concentration as the first source-drain region 5 in a front surface of a scribing region 160. - 特許庁

基板上にシンチレータ層が設けられたシンチレータプレートと当該シンチレータプレートのシンチレータ層側の表面全体を被覆する保護層からなるシンチレータパネルを平面受光素子面上に配置したフラットパネルディテクタにおいて、前記保護層の最外層の曲げ弾性率が５０〜２５００ＭＰａであることを特徴とするフラットパネルディテクタ。例文帳に追加

This flat panel detector wherein a scintillator plate having a scintillator layer provided on a substrate, and the scintillator panel comprising a protection layer for coating the whole surface on the scintillator layer side of the scintillator plate are arranged on the planar light receiving element surface, has a characteristic wherein the bending elastic modulus of the outermost layer of the protection layer is in the range of 50-2,500 MPa. - 特許庁

上記目的を達成するために本発明のＬＥＤ表示装置は、複数のＬＥＤ発光素子１１を所望の間隔で長尺基板１５上に実装されたＬＥＤモジュール１０を、所望の間隔で、複数平行に並べ、表示面から背景が見通せる構成とすることにより、表示内容と背景表示とのコンビネーションによる多彩な表示ができるようにした。例文帳に追加

In the LED display apparatus of the invention for the purpose, a plurality of LED modules 10 in which a plurality of LED light emitting elements 11 are mounted with desired intervals on a long substrate 15 are lined in parallel with desired intervals so that a background may be visible from a display face, and thereby, a variety of display becomes possible by combination of display contents and background display. - 特許庁

伸縮性素材で形成した左右一対の手袋の手首部分に電源、スイッチを装着し、電源より指先に設けて振動体に配線して振動を生じさせたり、手首部分に振動体を装着し、振動体と各指先に設けた振動板を連結軸で接続した振動体の振動を指先に伝達する。例文帳に追加

A power supply and a switch are mounted on the wrist part of a pair of right and left gloves formed of flexible material, and vibrators mounted at the fingertips are wired from the power supply to thereby generate vibration, or a vibrator is provided on the wrist part to transmit vibration of the vibrator to the fingertips by connecting between the vibrator and the vibrating plates mounted at the respective fingertips by connecting shafts. - 特許庁

オフセットスペーサ形成工程（Ｓ１０４）の後に、シリコン基板表面に形成された変質層の厚さを測定し（Ｓ１０６）、予め取得した注入パラメータとシート抵抗と変質層の厚さとの関係から、不純物元素の注入パラメータを算出し（Ｓ１０８）、その注入パラメータを用いてイオン注入法によりエクステンション領域を形成する。例文帳に追加

After an offset spacer formation step (S104), the thickness of an alteration layer formed on the surface of a silicon substrate is measured (S106); the injection parameter of impurity elements is calculated from a relationship among the in-advance acquired injection parameter, sheet resistance, and the thickness of the alteration layer (S108); and then an extension area is formed by ion implantation by using the injection parameter. - 特許庁

１０nm以上１０００ｎｍ以下の厚みの酸化珪素膜１０６を主面に有する直径９０ｍｍ以下の多結晶シリコン基板１０２上に、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の厚みのメッキ成膜された軟磁性裏打ち層１０２と磁気記録層１０３と保護層１０４と潤滑層１０５が順次積層されて記録媒体とされている。例文帳に追加

A plated soft magnetic backing layer 102 having a thickness of 10 to 1,000 nm, a magnetic recording layer 103, a protective layer 104, and a lubrication layer 105 are successively laminated on the polycrystalline silicon substrate 102 of a diameter ≤90 mm having a silicon oxide film 106 having a thickness of 10 to 1,000 nm in a main face, thereby forming the recording medium. - 特許庁

表面に少なくとも印刷配線が形成されている基板の表面処理を行なう際に、水に溶解し且つ水中で分解しない界面活性剤（アニオン系、カチオン系、ノニオン系等の界面活性剤）及び、水溶性であり且つ残留性すなわち揮発性の少ない有機珪素化合物が含まれる水系洗浄剤を用いる。例文帳に追加

When the surface treatment of a board on the surface of which at least printed wiring is formed is performed, an aqueous cleaning agent containing a surface-active agent (anionic, cationic or nonionic surface active agent) that dissolves in water and does not decompose in water, and an organic silicon compound that is water-soluble and having residual property, that is, hard to volatilize is used. - 特許庁

角度検出装置は、ケース１２と、ケース１２に対して回動自在に取り付けられたシャフト９と、その回転軸方向に離間してシャフト９に固定された一対の円盤形状のマグネット３，７と、一対のマグネット３，７の間に位置し且つホール素子５を搭載してケース１２に保持された基板６とを備えている。例文帳に追加

The angle detecting apparatus is provided with a case 12; a shaft 9 rotation-freely mounted to the case 12; a pair of disk-shaped magnets 3 and 7 fixed to the shaft 9 at an interval in the direction of its rotating shaft; and a substrate 6 located between the pair of magnets 3 and 7, having a mounted Hall device 5, and held by the case 12. - 特許庁

表示パネル２０に、同一の発光面積の有機ＥＬ素子等のセグメントを形成し、このセグメントの表示面となる基板上に、７セグメント３０を構成するセグメント（４２ａ〜４２ｇ）や文字列「ＴＩＭＥ」を示す表示項目３２のような表示の視認が可能となるようにマスクを形成する。例文帳に追加

Segments, such as organic EL elements, having the same light emission area are formed on a display panel 20 and a mask is formed on a substrate constituting the display surfaces of these segments in such a manner that the display, such as the segments (42a to 42g) constituting the seven segments 30 or display items 32 indicating a character string (TIME), is made visible. - 特許庁