「電荷転送」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

受光センサとして電荷結合素子を有し、その電荷転送部に対する水平転送駆動パルスの制御により受光センサの動作状態を設定する。例文帳に追加

As a light receiving sensor, a charge coupled device is provided and the operating state of the light receiving sensor is set under the control of a horizontal transfer driving pulse to a charge transfer part thereof. - 特許庁

光電変換部で蓄積した蓄積電荷を転送部を転送させて読み出す方式の撮像素子において、蓄積電荷を読み出す際のノイズ混入を低減させることが可能な撮像素子駆動装置を提供する。例文帳に追加

To provide an imaging element driving unit whereby an imaging element adopting a system for reading stored electric charges in photoelectric conversion sections after being transferred through a transfer section can reduce intruded noises when the stored electric charges are read. - 特許庁

電荷転送部を転送されてきた信号電荷を浮遊拡散層１２に蓄え、浮遊拡散層の電位変動を２段ソースフォロア回路で増幅して出力する。例文帳に追加

Signal charges transferred from a charge transfer part are accumulated in a floating diffused layer 12, and change of potential of the floating diffused layer is amplified with a two-stage source follower circuit and outputted. - 特許庁

フレーム転送方式の撮像素子１で、暗電流によって発生する電荷が本来の情報電荷に十分に混入するまで蓄積部１１ｓに保持した後、転送出力して画像信号Ｙ_0(t)を出力させる。例文帳に追加

This image pickup device of a frame transfer system transfers and outputs charge that is generated by dark current and outputs an image signal Y0(t) after an accumulating part 11s stores the charge until it is sufficiently mixed with original information charge. - 特許庁

さらに、第１，第２フィールド期間の他方の期間において、ＲＯＧ６をオン、電子シャッタをオフしたときの出力信号から、信号電荷転送時の転送許容値をオーバーし積み残しとなる電荷量を抽出し、評価する。例文帳に追加

Moreover, the charge quantity left out of transfer because of excess of a transfer permissible value at signal charge transfer is extracted from the output signal when the ROG 6 is turned on and the electronic shutter is closed and used for the evaluation. - 特許庁

前段２つの電荷転送用ＭＯＳトランジスタＭ１、Ｍ２をＮチャネル型で構成し、後段２つの電荷転送用ＭＯＳトランジスタＭ３、Ｍ４をＰチャネル型で構成する。例文帳に追加

Two front-stag MOS transistor M1, M2 for charge transmission are configured in a N-channel pattern, and two rear-stage MOS transistor M3, M4 for charge transmission in a P-channel pattern. - 特許庁

したがって、出力回路１４０に転送される最大電荷量（Ｑｈｏｆ）が電荷転送部１３０の途中で律束されることにより、出力の最大電圧を制御可能となる。例文帳に追加

Therefore, since the maximum charge amount (Qhof) transferred to the output circuit 140 is determined in rate on the way of the transfer through the electric charge transfer section 130, the maximum output voltage becomes controllable. - 特許庁

駆動部１２２は、デジタルカメラ１を制御する制御部２１０による制御により、撮像素子１２１の電荷転送動作を制御することで、撮像素子１２１の電荷転送動作に起因するノイズ音を低減させる。例文帳に追加

The drive part 122 reduces the noise sound due to the charge transfer operation of the imaging device 121 by controlling the charge transfer operation of the imaging device 121 by control by a control part 210 which controls the digital camera 1. - 特許庁

読出し電圧の低電圧化、電荷転送時の電荷の不要な読出しの防止、転送電極に読出し高電圧を印加することによるノイズ発生の防止を実現する。例文帳に追加

To obtain a solid state image sensor in which read-out voltage is lowered, unnecessary read-out of charges is prevented at the time of charge transfer, and generation of noise due to application of a high read-out voltage to the transfer electrodes is prevented. - 特許庁

信号電荷の転送改善を実現することができる電荷転送装置の製造方法及びＣＣＤ固体撮像装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of charge transfer device capable of achieving the improvement of transfer of signal charges, and to provide a manufacturing method of CCD (charge coupled device) solid-state imaging apparatus. - 特許庁

前段２つの電荷転送用ＭＯＳトランジスタＭ１、Ｍ２をＮチャネル型で構成し、後段２つの電荷転送用ＭＯＳトランジスタＭ３、Ｍ４をＰチャネル型で構成する。例文帳に追加

Two MOS transistors M1 and M2 for charge transfer in the prior stage are formed of those of N-channel type, and two MOS transistors M3 and M4 for charge transfer in the posterior stage are formed of those of P-channel type. - 特許庁

第１の水平ＣＣＤ１４６ａは、第１の受光領域１４０ａの電荷を水平方向に転送し、第２の水平ＣＣＤ１４６ｂは、第２の受光領域１４０ｂの電荷を水平方向に転送する。例文帳に追加

A first horizontal CCD 146a horizontally transfers the electric charges of the first light receiving region 140a and a second horizontal CCD 146b horizontally transfers the electric charges of the second light receiving region 140b. - 特許庁

動画像出力モード時に、画面中央領域Ｂからの電荷は直接水平ＣＤ１１に転送される一方、水平ＯＢ部１２からの電荷はレジスタ部１６を介して水平ＣＣＤ１１に転送される。例文帳に追加

In a moving picture output mode, electric charges from a screen mid-area B are directly transferred to a horizontal CCD 11 while electric charges from a horizontal OB part 12 are transferred to the horizontal CCD 11 via a register section 16. - 特許庁

単位面積当たりの取り扱い電荷量を拡大しながら、転送効率を向上させ、高速駆動が実現できる電荷転送装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a charge transfer device for achieving high-speed drive by improving transfer efficiency while expanding the amount of charge to be treated per unit area. - 特許庁

光電変換素子から垂直電荷転送路に電荷を転送中に強い光を受けてもブルーミングを抑圧できる固体撮像素子の駆動方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for driving a solid-state image pickup device, with which blooming can be suppressed even when strong light is received while a charge is transferred from a photoelectric conversion device to a vertical charge transfer path. - 特許庁

電源回路は直列接続された第１及び第２の電荷転送トランジスタＴ１，Ｔ２、直列接続された第３及び第４の電荷転送トランジスタＴ３，Ｔ４を備える。例文帳に追加

The power supply circuit includes first and second charge transfer transistors T1 and T2 connected in series, and third and fourth charge transfer transistors T3 and T4 connected in series. - 特許庁

AE（Auto Exposure）/AF（Auto Focus）処理を行なう予備撮像時には、このように上方向に転送された電荷を、水平転送路を経ることなく、直接に電荷−電圧変換部162、164に出力する。例文帳に追加

In case of preliminary imaging where AE(Auto Exposure)/AF(Auto Focus) processing is performed, charges transferred upward are delivered directly to a charge-voltage converting sections 162 and 164 not through a horizontal transfer path. - 特許庁

平坦化のためのレジストエッチバック工程に起因する膜減りを防止し、均一な膜厚の電荷転送電極を形成することにより電荷転送効率の改善を図る。例文帳に追加

To improve charge transfer efficiency by preventing a film decrease due to a resist etch back process for flattening and forming a charge transfer electrode of uniform film thickness. - 特許庁

固体撮像装置において、センサ部の幅を維持して感度を低下させず、かつ垂直電荷転送部の取り扱い電荷量を減少させず、垂直方向の転送劣化を防ぐ。例文帳に追加

To prevent the deterioration of transfer in vertical direction by eliminating the deterioration of sensitivity, while maintaining the width of a sensor section and preventing the reduction of amount of handling charge of a vertical charge transfer unit in a solid state imaging apparatus. - 特許庁

半導体基板２３の表面側には、垂直電荷転送領域２が形成され、受光面となる半導体基板２３の裏面側の垂直電荷転送領域２の直下には、光電変換領域１が形成されている。例文帳に追加

A vertical electric charge transfer region 2 is formed on a surface side of a semiconductor substrate 23, and a photoelectric conversion region 1 is formed directly under the vertical electric charge transfer region 2 on the back surface side of the semiconductor substrate 23 becoming the light-receiving surface. - 特許庁

読み出し転送後、ＣＣＤ２３は、第２ｎ−１回目の撮像動作による信号電荷の水平転送が終了するまで、信号電荷を垂直ＣＣＤ６６に保持する。例文帳に追加

After reading and transferring the signal charge, the CCD 23 retains the signal charge in the first vertical CCD 66 till the horizontal transfer of the signal charge in the 2n-1th imaging operation is terminated. - 特許庁

電荷転送電極となる導電性材料膜上に第１絶縁膜を形成し、電荷転送部５およびフォトダイオード部４となる各領域を同時に開口した第１マスク層を形成する。例文帳に追加

A first insulating film is formed on a conductive material film to be a charge transfer electrode, and a first mask layer in which regions to be a charge transfer part 5 and a photodiode part 4 are simultaneously opened, is formed. - 特許庁

第１の電荷転送用ＭＯＳトランジスタＭ１のソースには接地電位ＶＳＳが供給され、第２の電荷転送ＭＯＳトランジスタＭ２のドレインである出力端子Ｐｏｕｔから出力電位が得られる。例文帳に追加

A ground potential VSS is supplied to a source of the first charge transfer MOS transistor M1, and an output potential is obtained from an output terminal Pout being a drain of the second charge transfer MOS transistor M2. - 特許庁

読み出し転送後、ＣＣＤ２３は、第２ｎ−１回目の撮像動作による信号電荷の水平転送が終了するまで、信号電荷を第一垂直ＣＣＤに保持する。例文帳に追加

After the reading and transferring, the CCD 23 retains the signal charge in the first vertical CCD till the horizontal transfer of the signal charge in the 2n-1th imaging operation is terminated. - 特許庁

受光部３５Ａから受光部３５Ｅで受光され光電変換されたそれぞれの電荷を水平転送レジスタ３６に転送しビニングして１画素を表す電荷Ｔとする。例文帳に追加

Each electric charge received by the light receiving parts 35A to 35E and to which photoelectric conversion is performed is transferred to a horizontal transfer register 36, binned and defined as an electric charge T indicating one pixel. - 特許庁

信号電荷を複数の電荷転送レジスターにより異なる方向に転送する場合に出力部を電気的特性に差を生じることなく形成できるようにする。例文帳に追加

To form an output part without generating any difference in electric characteristics when signal charges are transferred in different directions by a plurality of charge transfer registers. - 特許庁

第１の電荷転送用ＭＯＳトランジスタＭ１及び第２の電荷転送ＭＯＳトランジスタＭ２はＮチャネル型であり、互いに直列に接続されている。例文帳に追加

A first charge transfer MOS transistor M1 and a second charge transfer MOS transistor M2 are n-channel type ones and connected to each other in series. - 特許庁

電荷転送電極間の耐圧を劣化させることなく精度よく狭ギャップの単層構造の電荷転送電極を有する固体撮像素子を提供する。例文帳に追加

To provide a solid-state imaging element which has charge transfer electrodes of a single-layer structure with a narrow gap and good accuracy while avoiding reduction of a breakdown voltage between the charge transfer electrodes, and which has a flat surface and a high sensitivity while avoiding deterioration of an optical characteristic. - 特許庁

また、Ｎチャネル型の電荷転送トランジスタＭＮ２とＰチャネル型の電荷転送トランジスタＭＰ２が直列に接続され、それらのゲートには第１のフライングコンデンサＣ１の他方の端子が接続されている。例文帳に追加

An N channel charge transfer transistor MN2 and a P channel charge transfer transistor MP2 are connected in series, and their gates are connected with the other terminals of the first flying capacitor C1. - 特許庁

水平転送レジスタの取り扱い電荷量の増加を図りつつ信号電荷の水平転送の改善をも図ることができるＣＣＤ固体撮像装置を提供する。例文帳に追加

To provide a solid-state imaging apparatus that improves horizontal transfer of signal charges while achieving an increase in the amount of electric charges that a horizontal transfer register handles. - 特許庁

チャージポンプ回路において、電荷転送用ＭＯＳトランジスタＭ１〜Ｍ４のバックゲートバイアス効果を防止するために、各電荷転送用ＭＯＳトランジスタＭ１〜Ｍ４のソースＳと基板Ｂとを接続する。例文帳に追加

In the charge pump circuit, a board B and the source S of each charge transferring MOS transistor M1-M4 are connected, to prevent the back gate bias effect of the MOS transistors M1-M4. - 特許庁

垂直転送部１１０は、第１光電変換素子１５０及び第２光電変換素子１６０からの電荷を列方向に転送するもので、第１光電変換素子１５０及び第２光電変換素子１６０の電荷を垂直転送チャネルに読み出す第１電荷読み出し領域１５１及び第２電荷読み出し領域１６１を含む。例文帳に追加

A vertical transfer part 110 transfers the charges from the first photoelectric converters 150 and the second photoelectric converters 160 in a column direction and includes first charge read areas 151 and second charge read areas 161 for reading and transferring the charges of the first photoelectric converters 150 and the second photoelectric converters 160 to a vertical transfer channel. - 特許庁

光電変換素子から信号電荷を読み出す際に、読み出し電極に信号電荷を読み出し可能な電圧を印加する読み出し期間において、読み出し電極に隣接する少なくとも一つの転送電極に対して、少なくとも該転送電極下方の垂直電荷転送チャネルに信号電荷を蓄積可能な電圧を印加する。例文帳に追加

When reading signal charges from the photo-electric conversion elements, in a reading-out period for applying a voltage capable of reading out signal charges to a reading electrode, a voltage capable of accumulating signal charges in a vertical charge transfer channel under at least one transfer electrode adjacent to the reading electrode is applied to said transfer electrode. - 特許庁

電極材料膜を溝状に分離することで電荷転送電極１を形成した後、光電変換部３で発生した信号電荷を垂直電荷転送部２に読出すための読出し電極を兼ねる電荷転送電極に、光電変換部３を形成するための開口部を、溝状の分離領域４と重ならないように形成する。例文帳に追加

Charge transfer electrodes 1 are formed by separating an electrode material film by groove, and then an opening for forming a optoelectric converting part 3 is formed so as not to overlap on a separated region 4 at a charge transfer electrode, which is used as a reading electrode for reading a signal charge generated at the optoelectric converting part 3 to a vertical charge transfer part 2. - 特許庁

構成が簡単な２層のゲート電極により、受光部から垂直転送レジスタへの信号読み出し、垂直転送レジスタから水平転送レジスタへの信号読み出しおよび垂直転送レジスタの電荷転送方向を列毎に制御する。例文帳に追加

To read out a signal from a light receiving unit to a vertical transfer register by two-layer gate electrodes of a simple structure, and control reading out from the vertical transfer register to a horizontal transfer register and an electric charge transfer direction for each column. - 特許庁

垂直駆動回路４は、光電変換部２の電荷が垂直ＣＣＤ３０に転送された後に、転送電極３−１〜３−４に対して、垂直転送方向の最も下流側の転送電極３−１から順に、垂直転送用のパルスを印加する。例文帳に追加

After charges in the photoelectric converting portions 2 are transferred to the vertical CCD 30, the vertical drive circuit 4 applies a vertical transfer pulse to the transfer electrodes 3-1 through 3-4 sequentially starting from the transfer electrode 3-1 on the most downstream side in the vertical transfer direction. - 特許庁

ＣＭＯＳイメージセンサは、フォトダイオードと、メモリ部と、浮遊拡散領域と、ＴＲＸバリアの電位およびメモリ部の電位を制御して、フォトダイオードからメモリ部に電荷を転送する第１転送ゲートと、メモリ部から浮遊拡散領域に電荷を転送する第２転送ゲートを備える複数の単位電荷を有する。例文帳に追加

A CMOS image sensor has a plurality of unit charges including a photodiode, a memory part, a floating diffusion region, a first transfer gate for controlling the potential of an TRX barrier and the potential of the memory part and transferring charges from the photodiode to the memory part, and a second transfer gate for transferring the charges from the memory part to the floating diffusion region. - 特許庁

第１層電荷転送電極１０５上に第２絶縁膜１０７を形成後、第２層電荷転送電極１０８形成前に、低電圧駆動および高速駆動が要求される水平転送部１００Ａのみ、第２絶縁膜１０７の膜厚が薄くなるように除去して第２絶縁膜１０７Ａとし、その後で第２層電荷転送電極１０８を形成する。例文帳に追加

After a second insulating film 107 is formed on a first layer charge transfer electrode 105, a second insulating film 107 is removed to be thin only in a horizontal transfer part 100A wherein low voltage driving and rapid driving are required and is made a second insulating film 107A, and a second layer charge transfer electrode 108 is formed thereafter. - 特許庁

コントローラ５０５Ａは、所定の転送期間中に、電荷検出部への信号電荷の転送を禁止して取得した第１の画像データと、所定の転送期間中のクロックパルスの条件を維持したまま、信号電荷の転送禁止を解除して取得した第２の画像データと、をデータ保持部に格納するための制御手段とを含む。例文帳に追加

A controller 505A includes a control means for storing in a data holding unit first image data which are captured by prohibiting transfer of signal charge to a charge detection unit during a predetermined transfer term, and second image data which are captured by canceling transfer prohibition of signal charge while maintaining a condition of clock pulse during the predetermined transfer term. - 特許庁

受光量に応じた電荷を蓄積する複数の光電変換部が配列された受光素子であって、複数の光電変換部の電荷を加算する垂直転送回路１６３、水平転送回路１６２と、垂直転送回路１６３、水平転送回路１６２によって電荷を加算する光電変換部の範囲を設定する加算範囲設定部１６４とを備える。例文帳に追加

The light receiving element for arranging a plurality of photoelectric conversion parts accumulating charges in response to a light receiving amount includes: a vertical transfer circuit 163 and a horizontal transfer circuit 162 for adding the charge of the plurality of the photoelectric conversion parts; and an addition range setting part 164 for setting the range of the photoelectric conversion part adding the charge by the vertical transfer circuit 163 and the horizontal transfer circuit 162. - 特許庁

電荷転送部と、この電荷転送部に隣接して設けた受光部１２と、受光部１２の光入射側に所定距離をおいて設けたオンチップレンズ３３とを備えた固体撮像装置１において、電荷転送部の転送電極２２に溝２３を形成し、その溝２３内に絶縁膜２４を介してシャント配線２５を形成したものである。例文帳に追加

In the solid-state image pickup device 1, comprising a charge transfer unit, the photodetector 12 provided adjacent to the transfer unit, and the on-chip lens 33 provided at a prescribed distance at a light incident side of the photodetector 12, a groove 23 is formed on a transfer electrode 22 of the transfer unit, and the shunt wirings 25 are formed in the groove 23 via an insulating film 24. - 特許庁

このＣＭＯＳイメージセンサ１００（撮像装置）は、光電変換により電荷を生成するＰＤ部１１と、電荷を増倍するための電子増倍部１０ｃを含む電荷転送領域１０ａ（転送ゲート電極１４、増倍ゲート電極１５、転送ゲート電極１６および蓄積ゲート電極１７下の転送チャネル１０）とを備える。例文帳に追加

A CMOS image sensor (imaging device) 100 includes a PD unit 11 for generating charges by photoelectric conversion, and a charge transfer region 10a (a transfer channel 10 under a transfer gate electrode 14, a multiplication gate electrode 15, a transfer gate electrode 16, and an accumulation gate electrode 17) that includes an electron multiplication unit 10c for multiplying charges. - 特許庁

フォトダイオード１１から電荷蓄積層１３に信号電荷を転送するとき以外には、裏面バイアス発生回路７により受光表面層１２に０Ｖの電圧が印加され、信号電荷の転送時には、負のパルス信号が印加される。例文帳に追加

The light receiving top surface layer 12 is applied with a voltage of 0V by a back surface bias generating circuit 7 except when the signal charges are transferred from the photodiode 11 to the charge storage layer 13, and applied with a negative pulse signal when the signal charges are transferred. - 特許庁

ペアの光電変換素子５１と光電変換素子５２の間には垂直電荷転送路５３ａが設けられており、ペアの光電変換素子５１と光電変換素子５２の間にある垂直電荷転送路５３ａは、露光期間中、当該ペアに対応する位置にスミア電荷を蓄積する。例文帳に追加

A vertical electric charge transfer path 53a is provided between the pair of photoelectric conversion elements 51 and 52, and the vertical electric charge transfer path 53a between the pair of photoelectric conversion elements 51 and 52 accumulates smear charges at a position corresponding to the pair during an exposure period. - 特許庁

これにより、Ｋ列目の昇圧セルに入力されるクロックが「Ｌ」から「Ｈ」に遷移して昇圧を実施する前に、電荷転送トランジスタを導通状態から非導通状態に遷移させることが可能となり、電荷転送トランジスタを介した電荷の逆流を防止することができる。例文帳に追加

Hereby, a charge transfer transistor is changed from a continuity state to a non-continuity state before a clock inputted into the boosting cell in row K is changed from "L" to "H" to execute boosting, so that the counterflow of a charge via the charge transfer transistor is prevented. - 特許庁