「電荷転送」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体基板に配される第１導電型の第１の半導体領域と、その一部と光電変換素子を構成する第２導電型の第２の半導体領域と、光電変換素子で生成した電荷を第２導電型の第３の半導体領域へ転送するゲート電極とを有している。例文帳に追加

There are provided a first conductive first semiconductor region disposed on a semiconductor substrate, a second conductive second semiconductor region constructing a photoelectric conversion element together with part of the first semiconductor region, and a gate electrode for transferring electric charges generated in the photoelectric conversion element to a second conductive third semiconductor region. - 特許庁

縦形オーバフロードレイン構造を有する固体撮像素子において、大光量が入射した場合にも、基板側へオーバフローしきれなかった電荷を垂直転送部側にあふれないようにし、画面が垂直方向の流れる現象を防止する。例文帳に追加

To prevent a charge left to the side of a substrate from overflowing on the sides of vertical transfer parts, even though a large quantity of light is incided in light-receiving parts and to prevent generation of the phenomenon where the screen of a solid-state image pickup element flows in the vertical direction in the slid-state image pickup element having a vertical overflow drain structure. - 特許庁

一導電型の半導体基板１の主面部に、光電変換領域を構成する逆導電型の第一不純物領域２、および信号電荷を転送する素子を構成する逆導電型の埋め込みチャネル領域３を形成し、半導体基板上に第一絶縁膜４を形成する。例文帳に追加

A first impurity region 2 of a reverse conductivity type configuring a photoelectric conversion region and a buried channel region 3 of a reverse conductivity type configuring an element for transferring signal charge are formed on the principal surface of a semiconductor substrate 1 of one conductivity type, and a first insulating film 4 is formed on the semiconductor substrate. - 特許庁

センサー部１と、このセンサー部１の一側に配置され、このセンサー部において受光量に応じて発生した信号電荷を読み出して転送するシフトレジスタ部３とを少なくとも有する固体撮像装置において、そのシフトレジスタ部の、上記信号電荷を読み出す読み出し電極６の、センサー部１の上記一側に対向する側の側縁が、シフトレジスタ部３を構成する他の電極１１の側縁より、センサー部側に突出する構成とする。例文帳に追加

In a solid-state image pickup device having at least sensor parts 1 and shift registor parts 3 arranged on one side of the sensor parts 1 to read out the signal charge generated corresponding to the photodetected amount in this censor parts 1 to be transferred, the side edges on the sides facing the one side of the sensor parts 1 of the read out electrodes 6 of the signal charge are protruded to the sensor parts 1. - 特許庁

本発明は、画素構成要素における光電変換部及び、転送トランジスタ、電荷保持部の少なくとも一部が第１の半導体基板に配され、増幅トランジスタ、リセットトランジスタ以外の信号処理回路及び、複数の画素からの信号が読み出される複数の共通出力線が第２の半導体基板に配されている。例文帳に追加

Signal processing circuits other than an amplifier transistor and a reset transistor, and a plurality of common output lines for reading out signals from the pixels are disposed on a second semiconductor substrate. - 特許庁

半導体基板１のフォトダイオード２上の領域を避けて形成された、シリコン系膜からなる電荷転送電極６の上面全面に、金属膜に近い比抵抗を有するコバルトシリサイド膜、ニッケルシリサイド膜、チタンシリサイド膜のうちの少なくとも一つからなる金属シリサイド膜１２を選択的に形成する。例文帳に追加

A metal silicide film 12 comprised of at least one of a cobalt silicide film, a nickel silicide film, and a titanium silicide film having similar specific resistances to a metal film is selectively formed on the entire top surface of a charge transfer electrode 6 comprised of a silicon film which is formed avoiding a region on a photodiode 2 of a semiconductor substrate 1. - 特許庁

これにより、第１の転送ＭＯＳトランジスタ２２のゲート酸化膜４１の界面から暗電流が発生するのを可及的に防止することと、経路３１を介してフローティングディフュージョン領域ＦＤに蓄積された電荷を用いて、固体撮像装置のダイナミックレンジを拡大することとを同時に実現する。例文帳に追加

Consequently, a dark current is prevented as much as possible from generating from an interface of a gate oxide film 41 of the first transfer MOS transistor 22, and simultaneously, the dynamic range of a solid-state imaging device is enlarged by using the charges stored in a floating diffusion region FD through the channel 31. - 特許庁

差動アンプ１３は、ＦＤがリセットされたときの画素信号を行毎に順次読み出す第１の読み出し動作、およびＦＤに転送された電荷に基づく画素信号を行毎に順次読み出す第２の読み出し動作のそれぞれにおいて、第１の行群に属する行から得られた画素信号と第２の行群に属する行から得られた画素信号とを用いて差分処理を行い、一行分の信号を得る。例文帳に追加

During a first readout operation for reading out pixel signals in resetting of an FD sequentially for each row and a second readout operation for reading out pixel signals based on charges transferred to the FD sequentially for each row, a differential amplifier 13 performs differential processing using pixel signals obtained from rows belonging to a first row group and pixel signals obtained from rows belonging to a second row group and obtains signals for one row. - 特許庁

センスアンプは、第１及び第２センスノードを介してビット線に電流を供給するプリチャージ用の第１のトランジスタと、第１及び第２のセンスノードの間に介挿された電荷転送用の第２のトランジスタと、第１及び第２のセンスノードを介さずにビット線に電流を供給する電流継続供給用の第３のトランジスタとを有する。例文帳に追加

The sense amplifier includes a first transistor for precharge operative to supply current in the bit line via a first and a second sense node, a second transistor for charge transfer interposed between the first and second sense nodes, and a third transistor for continuous current supply operative to supply current in the bit line not via the first and second sense nodes. - 特許庁

ＣＣＤ撮像素子内のフォトダイオードへの強い入射光によって垂直転送路内に不要電荷として生じるスミアを補正するべく、シャッター速度などの露出条件を異ならせて本撮影前の測光時に複数回の露光を実行し、スミア補正に必要なデータを算出するようにした。例文帳に追加

Exposures are carried out for a plurality of number of times at photometry before major photographing under different exposure conditions such as a shutter speed calculates data required smear correction in order to correct smear caused in a vertical transfer path as unnecessary electric charges by a strong incident light onto a photo diode in a CCD image pickup element data required for smear correction are calculated. - 特許庁

全画素のＭｇｘ１及びＭｃｃｄがそれぞれ一斉にオンとされ、全画素のフォトダイオードＰＤに蓄積されていた電荷が全画素で対応するゲートＭｇｘ１を通して、ＭＯＳ型蓄積用ゲートＭｃｃｄの直下の基板領域（埋め込みチャネルを形成するＮ^−層２３）に転送されて蓄積、保持される（（Ｃ））。例文帳に追加

The MOS type gates Mgx1 and MOS type storing gates Mccd of all pixels are turned on at once, and charges stored in the photodiodes PD of the pixels are transferred to a substrate region (an N type layer 23 forming an embedded channel) directly below the storing gates Mccd through corresponding MOS type gates Mgx1 in all pixels and stored and held in the substrate region ((C)). - 特許庁

具体的には、読み出した信号電荷を水平転送する際に３つのパケットが同じポテンシャル井戸を形成するように水平駆動信号をタイミング信号発生部22aで生成し、供給することによって、読出し周波数を変えることなく、２相駆動を行わせながら、６相駆動と同等の読み出しを行うことができる。例文帳に追加

Specifically, in the case of transferring horizontally the read signal charges, a timing signal generating section 22a generates and supplies a horizontal drive signal so that three packets form the same potential well to attain reading equivalent to 6-phase drive in spite of biphase driving without the need for changing a read frequency. - 特許庁

これにより、ラインセンサにおいて電荷の転送を行っている間にもＡＤ変換処理部を継続して駆動させることが可能となり、ＡＤ変換処理の中断に起因する画像信号へのノイズの混入を防止しながら画像信号の出力を効率化して部品の画像読取りの高速化を実現することができる。例文帳に追加

Therefore, an AD conversion processing unit can be driven continuously even during charge transfer in the line sensor, and the image signal is efficiently outputted while noise mixture in the image signal due to interruption of AD conversion processing is prevented, whereby the increase in speed of component image reading can be achieved. - 特許庁

第２の電荷転送用ＭＯＳトランジスタＭ２（Ｎ）がオンするときのＶＧＳ（ゲートソース間電圧）を高くして、低いオン抵抗を得るために、当該ポンピングパケットを駆動する第２のクロックドライバーＣＤ２の電源として、定常動作時において、出力電圧Ｂ（２ＶＤＤ）を第２のダイオードＤ２を通して供給する。例文帳に追加

In order to attain a low on resistance by elevating the VGS (gate-source voltage) when the second charge transfer MOS transistor M2(N) is turned on, output voltage B(2VDD) is supplied through a second diode D2 as the power supply of a second clock driver CD2 for driving the pumping packet at the time of steady operation. - 特許庁

電荷転送電極４４を構成する２層の多結晶半導体層４５，４６と同時形成の第１層目多結晶半導体層をトランジスタ基板５１とし、第２層目多結晶半導体層をゲート電極５３とした薄膜トランジスタ３８を構成し、この薄膜トランジスタ３８による内蔵回路３７を固体撮像素子本体３６が形成されたと同一の半導体基板３２上のフィールド絶縁層４８上に形成して構成する。例文帳に追加

With such a constitution, a built-in circuit 37 made by the thin film transistor 38 is formed on the same semiconductor substrate 32, whereon a solid-state image pickup element body 36 is formed. - 特許庁

半導体基板１１上に、フォトダイオード１３や電荷転送電極１８を含む画素領域２と、周辺回路電極２１を含む周辺回路領域３とが離隔形成されるとともに、これらの両領域に狭持される領域内に画素領域２内の素子に対して基準電位を供給するための基準電位供給層１４が形成される。例文帳に追加

On a semiconductor substrate 11, a pixel area 2 including a photodiode 13 and charge transfer electrode 18 and a surrounding circuit area 3 including a surrounding circuit electrode 21 are separately formed, and a reference potential supplying layer 14 to supply a reference potential to the element in the pixel area 2 is formed in the area interposed between those areas. - 特許庁

画素サイズの微細化など素子構成要素の微細化が進んでも、光電変換部や電荷転送部などの隣接するイオン注入領域の相対位置の製造バラツキを小さく抑えることができ、これにより、高品質なＣＣＤデバイスなどの半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を得る。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device by which the semiconductor device such as a CCD device of high quality is manufactured by reducing manufacture variations in relative positions of adjacent ion implantation regions of a photoelectric conversion portion, a charge transfer portion or the like even when stuffs constituting elements are more microfabricated, for example, a pixel size is made finer. - 特許庁

これにより、第１の転送ＭＯＳトランジスタ２２のゲート酸化膜４１の界面から暗電流が発生するのを可及的に防止することと、経路３１を介してフローティングディフュージョン領域ＦＤに蓄積された電荷を用いて、固体撮像装置のダイナミックレンジを拡大することとを同時に実現する。例文帳に追加

Consequently, a dark current is prevented as much as possible from generating from an interface of a gate oxide film 41 of the first transfer MOS transistor 22, and simultaneously the dynamic range of a solid state imaging device is enlarged by using the charges stored in a floating diffusion region FD through the channel 31. - 特許庁

光電変換部の形成された半導体基板表面に、ゲート酸化膜２を介して設けられた第１の電極３と、前記ゲート酸化膜２、前記第１の電極３および電極間絶縁膜６の形成された前記半導体基板表面に設けられた第２の電極７とが電極間絶縁膜６を介して平面上に交互に配列された電荷転送電極を形成するようにしたことを特徴とする。例文帳に追加

A charge transfer electrode is formed by arranging a first electrode 3 provided on the surface of a semiconductor substrate where a photoelectric converting section is formed through a gate oxide film 2, and a second electrode 7 provided on the surface of the semiconductor substrate where the gate oxide film 2, the first electrode 3 and an interelectrode insulating film 6 are formed alternately on a plane through the interelectrode insulating film 6. - 特許庁

実際には、クロック信号φ２の時に分割された静電容量素子Ｃｓｄ０〜Ｃｓｄ２^n −１の入力側のスイッチＳ１−０〜Ｓ１−２^n −１を高電圧参照電圧ＶＴ１、または低電圧参照電圧ＶＢ１のいずれかに切り替えることで、静電容量素子Ｃｓ０への電荷転送量を調整している。例文帳に追加

Actually, under the clock signal ϕ2, input-side switches S1-0 to S1-2^n-1 of divided electrostatic capacitors Csd0-Csd2^n-1 are changed over to either a high voltage reference voltage VT1 or a low voltage reference voltage VB1, thereby regulating the amount of charges to be transferred to the electrostatic capacitor Cs0. - 特許庁

又、内部同期信号発生回路29は、前縁検出パルス28の次の内部水平同期信号33に同期して内部垂直同期信号32を出力し、固体撮像素子制御回路34は垂直同期信号32を基準に、規定時間後にＣＣＤ電荷転送パルス35を、内部水平同期信号33に同期して出力する。例文帳に追加

Also, an internal synchronizing signal generation circuit 29 synchronizes with the next internal horizontal synchronizing signal 33 of the pulse 28, outputs an internal vertical synchronizing signal 32 and the circuit 34 makes a CCD charge transfer pulse 35 synchronize with the signal 33 with the signal 32 as reference and output the pulse 35 after the elapse of prescribed time. - 特許庁

複数の光電変換素子１と電荷転送回路２，３と増幅器４とを同一の半導体基板２０上に設置した撮像装置に、外部から与えられる制御信号１１にしたがって増幅器４の電源を制御する増幅器電源制御回路２１を備え、増幅器電源制御回路２１によって増幅器４のバイアス電流を変化させる。例文帳に追加

The IP device constituted by mounting plural photoelectric conversion elements 1, plural charge transfer circuits 2, 3 and an amplifier 4 on the same semiconductor substrate 20 is provided with an amplifier power supply control circuit 21 for controlling the power supply of the amplifier 4 in accordance with a control signal 11 applied from the external to change the bias current of the amplifier 4 by the circuit 21. - 特許庁

画像読取装置は、原稿画像の透過光量又は反射光量に応じた電荷を蓄積し所定の転送部に対して画像データを出力する光電変換素子において、当該光電変換素子の撮像領域が複数に分割され、当該分割された複数の撮像領域毎に独立して画像データの出力が可能となっている。例文帳に追加

In a picture reader, the image pickup area of a photoelectric transducer which stores electric charge corresponding to the quantity of transmitted light or reflected light of an original picture and outputs picture data to a prescribed transfer part is divided into a plurality of areas, and picture data can be outputted from a plurality of divided image pickup areas independently of one another. - 特許庁

電荷転送により画素情報を読み出し可能な撮像素子１を有する撮像装置において、撮像素子１から画素情報を間引きして加算して読み出す加算間引き読み出しモードと、間引きして非加算で読み出す非加算間引き読み出しモードとを選択的に制御して画素情報を読み出す読み出し制御手段８を有することを特徴とする。例文帳に追加

Concerning the image pickup device having an imaging device 1 capable of reading out pixel information through charge transfer, this device has a read control means 8 for reading the pixel information while selectively controlling an addition thinning read mode for thinning, adding and reading the pixel information from the imaging device 1 and a non-addition thinning read mode for thinning and reading the pixel information without adding it. - 特許庁

ライン型ＣＣＤイメージセンサの電荷転送部に一列に並んだ画像データを二系統の出力部により互いに異なる一端から中間まで順次出力する読取手段と、前記出力部からそれぞれ出力された画像データの並びを一方向の並びに復元する復元手段とを備える事を特徴とする画像形成装置。例文帳に追加

The image processing equipment has a has a feature of the reading means for reading out an image data which are arranged sequentially at the charge transfer port of the CCD image sensor, from each different ends up to intermediate position on the output port in duplicate systems and the image restoring means for arranging in unidirectional sequence of the image data supplied from the output port in each. - 特許庁

３つの読み出しゲート信号ＲＯＧＬ、ＲＯＧＣ、ＲＯＧＲの“Ｈ”“Ｌ”の制御を行なうことにより、３つの分割読み出しゲート部１３０Ｌ、１３０Ｃ、１３０Ｒを選択的に制御して、３つのセンサ列１１０Ｌ、１１０Ｃ、１１０Ｒの信号電荷を選択的に水平転送レジスタ部１２０に読み出す。例文帳に追加

The signal charges in three sensor rows 110L, 110C, and 110R are selectively read out to the horizontal transfer register section 120 by selectively controlling the divided reading-out gate sections 130L, 130C, and 130R by controlling the 'H' and 'L' of three read-out gate signals ROGL, ROGC, and ROGR. - 特許庁

固体撮像素子１では、ゲート酸化膜３９の下面側に、その下面に沿って、ＰＤ不純物領域３３と電荷増倍領域３５と出力用不純物領域３７とを並列に配置するとともに、ゲート酸化膜３９の上面側に、その上面に沿って、増倍ゲート電極４１と転送ゲート電極４３とを並列に配置したものである。例文帳に追加

In a solid-state image pickup element 1, a PD impurity region 33, a charge multiplication region 35 and an output impurity region 37 are arranged in parallel on the lower side of a gate oxide film 39 along the lower face thereof, and a multiplication gate electrode 41 and a transfer gate electrode 43 are arranged in parallel on the upper side of the gate oxide film 39 along the upper face thereof. - 特許庁

夫々１００μｍの幅（Ｗａ、Ｗｂ）を有する２つのフォトダイオード部２１ａ、２１ｂが微小キャップＧをおいて近接して設けられると共に、夫々のフォトダイオード部２１ａ、２１ｂに対応する電荷転送デバイスＣＣＤ２４ａ、２４ｂがフォトダイオード部２１ａ、２１ｂの夫々の幅方向の外側に設けられてなるラインセンサ。例文帳に追加

In this line sensor, two photodiode parts 21a and 21b having 100 μm widths (Wa and Wb), respectively, are provided adjacently with a small gap G between the photodiode parts 21a and 21b, and charge transfer device CCDs 24a and 24b corresponding to the respective photodiode parts 21a and 21b are also provided outside the photodiode parts 21a and 21b in respective width directions. - 特許庁

ＣＣＤリニアイメージセンサ１０１の最終段レジスタ１０４からの出力を制御するφ１Ｂパルスの位相を、電荷転送レジスタを駆動するφ１パルス、φ２パルスの位相に対して所定量シフトして、φ１パルス、φ２パルスに起因してＣＣＤリニアイメージセンサ１０１の信号出力中に発生するノイズのタイミングを可変する。例文帳に追加

Timing of a noise caused in a signal output of a CCD linear image sensor is varied due to pulses ϕ1, ϕ2 by shifting a phase of a pulse ϕ1B used to control an output from a final stage register of the CCD linear image sensor with respect to phases of the pulses ϕ1, ϕ2 to drive charge transfer registers. - 特許庁

本発明は、フォトダイオードと、該フォトダイオードに蓄積された電荷を１つのカラムラインに転送する複数のトランジスタを備えるＣＭＯＳイメージセンサにおいて、駆動電流を増大させるため、前記複数のトランジスタの少なくともいずれか１つのトランジスタのソース領域がドレイン領域よりも大きい幅を有するように形成されたＣＭＯＳイメージセンサを提供する。例文帳に追加

A CMOS image sensor includes a photodiode, and a plurality of transistors for transferring charges accumulated at the photodiode to one column line, wherein at least one transistor among the plurality of transistors has a source region wider than a drain region, for increasing a driving current. - 特許庁

本発明の裏面照射型固体撮像素子５４は、裏面に膜厚１〜５０ｎｍの酸化膜２を備えた半導体基板１と、半導体基板１の表面側に形成された受光部４４と電荷転送部４６と、酸化膜４４上に形成されたカラーフィルター１９とマイクロレンズ２２を備える。例文帳に追加

This rear surface irradiation type solid-state imaging element 54 is provided with a semiconductor substrate 1 having an oxide film 2 of 1-50 nm in thickness on it rear surface; a light-receiving section 44 and a charge transfer section 46 formed on the front surface of the semiconductor substrate 1; and a color filter 19 and microlenses 22 formed on the oxide film 44. - 特許庁

ＣＭＯＳイメージセンサは、２次元アレイ状に配列された複数の画素を含み、各画素は、光を受光して電荷を生成するフォトダイオードＰＤと、容量素子ＦＤと、フォトダイオードＰＤと容量素子ＦＤとの間に接続された転送用トランジスタＭ１とを含み、かつフォトダイオードＰＤの容量よりも容量素子ＦＤの容量が小さい。例文帳に追加

A CMOS image sensor includes a plurality of pixels arranged in the form of a two-dimensional array, and each pixel includes a photodiode PD for receiving light and generating charge, a capacitive element FD, and a transistor M1 for transfer connected between the photodiode PD and the capacitive element FD, wherein the capacity of the capacitive element FD is smaller than that of the photodiode PD. - 特許庁

該トランジスタ２２は、電荷注入電極１７の次段に位置する第１相の転送電極１８のバーチャルゲート電極１８ａの近傍のチップ上に配置し、そのバーチャルゲート電極１８ａのゲートと同じゲート長で同じ製造工程で製作することにより、そのバーチャルゲート電極１８ａで形成したときのトランジスタと同じ閾値電圧および同じトランスコンダクタンスｇｍをもつようにする。例文帳に追加

The transistor 22 is disposed on a chip close to the virtual gate electrode 18a of the transfer electrode 18 of a first phase positioned on the next stage of the charge injection electrode 17 and is produced through the same manufacturing steps with the same gate length as the gate of the virtual gate electrode 18a, thereby having the same threshold voltage and the same transconductance gm as a transistor formed from the virtual gate electrode 18a. - 特許庁

フォトダイオードと、該フォトダイオードに蓄積された電荷を１つのカラムラインに転送する複数のトランジスタを備えるＣＭＯＳイメージセンサにおいて、前記トランジスタのゲート電極に入力されるゲート電圧を降下させ、前記トランジスタの飽和領域を拡張させるため、前記複数のトランジスタの少なくともいずれか１つのトランジスタのゲート電極に電圧降下手段を備えるＣＭＯＳイメージセンサを提供する。例文帳に追加

In the CMOS image sensor provided with photodiodes PD and a plurality of transistors for transferring electric charges stored in the photodiodes to one column line, a gate electrode of at least one of the transistors is provided with a voltage drop means for dropping a gate voltage received by the gate electrode of the transistor to extend the saturation region of the transistor. - 特許庁

転送トランジスタ１２のゲート電圧の昇圧に用いるチャージポンプ型昇圧回路１０１を、発振周波数可変のオシレータ回路、および該オシレータ回路の出力パルスにより駆動されるポンプ部を有する回路構成とし、画素部１０ａの電荷蓄積部ＦＤの電位を読み出す画素読み出し期間には、チャージポンプ型昇圧回路１０１におけるオシレータ回路を、その発振周波数が低下するよう制御するようにした。例文帳に追加

The charge pump boosting circuit 101 used for boosting the gate voltage of the transfer transistor 12 includes an oscillation frequency variable oscillator circuit and a pump section that is driven by an output pulse of the oscillator circuit and during a pixel reading term for reading a potential of a charge storage section FD of a pixel part 10a, the oscillator circuit in the charge pump boosting circuit 101 is controlled to reduce an oscillation frequency thereof. - 特許庁

ビデオ・フレーム又はフィールド或いはフレーム又はフィールドの一部分にある各々の画素に対する強度情報が適切なマイクロミラー・セルの入力キャパシタ３０６に記憶された後、フレーム信号が入力３０８に印加されて、キャパシタ３０６及び３１０の間で電荷の転送が出来るようにすると共に、トランジスタ３１４をターンオンし、入力３１６に電圧を印加して、キャパシタ３１８を充電することが出来るようにする。例文帳に追加

After intensity information on each pixel in a video frame, a field, a frame or a part of field is stored in the input capacitor 306 of a suitable micro mirror cell, a frame signal is applied to an input 308, then a charge is transferred between the capacitors 306, 310, a transistor 314 is turned on, a voltage is applied to the input 316, thereby charged a capacitor 318. - 特許庁

本固体撮像装置は、４相駆動垂直レジスタを有するプログレッシブスキャン方式のインターライン転送型ＣＣＤイメージセンサであって、図１に示すように、フォトダイオード１、トランスファゲート２、垂直レジスタ３、水平レジスタ４、コントロールゲート５、及びドレイン６を備えていて、不要な電荷を排出するドレイン６と排出を制御するコントロールゲート５が、水平レジスタ４に隣接して設けられている。例文帳に追加

This solid-state image pickup device is an interline transfer type CCD image sensor of a progressive scan system having a four-phase driven vertical register, is provided with photodiodes 1, transfer gates 2, a vertical register 3, a horizontal register 4, a control gate 5 and a drain 6, and the drain 6 discharging unnecessary charge and the control gate 5 controlling discharge are provided adjacently to the register 4. - 特許庁