「電荷転送」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

レンズ１３ａを有する電荷転送素子（ＣＣＤ）カメラ１３を取付板１４に取り付けて本体ケ−ス１１に固定し、前記固定板１７に固定された４枚のプリント基板１５に透明なガラス板１９を嵌め込んだ枠体１８も本体ケ−ス１１に固定する。例文帳に追加

A charge transfer element (CCD) camera 13 having a lens 13a is mounted on a mounting plate 14, fixed to a body case 11, and a frame 18 obtained by engaging a transparent glass plate 19 with the four boards 15 fixed to the plate 17 is also fixed to the case 11. - 特許庁

縮小領域４１はテーパー状に形成されており、出射口４０が入射口３８よりも小さく形成されているために、受光素子２０の外側に光が漏れ出ることを防ぎ、隣接する電荷転送路に漏れ光が侵入しないのでノイズが発生しない。例文帳に追加

Since the gradually-downsizing area 41 is formed in the taper shape and a projection opening 40 is formed smaller than the incident opening 38, the light is prevented from leaking outside the light receiving element 20 and leakage light does not enter an adjacent charge transfer passage, not to generate the noise. - 特許庁

撮像装置は、二次元に配列され、被写体からの光を光電変換して蓄積する画素６０と、画素６０に接続されて蓄積された電荷を信号として後段へ転送する複数の出力線６７を備える撮像素子を備える。例文帳に追加

The image capturing apparatus has an image sensor including two-dimensionally arrayed pixels 60 for photoelectrically converting and storing light from an object and a plurality of output lines 67 connected to the pixels 60, for transferring stored charges to the post stage as signals. - 特許庁

そして、所定の露光時間の経過後に、メカニカルシャッタを閉じて露光期間を終了させ（タイミングＴ１３）、その状態で、フォトダイオードから転送された信号電荷に応じた電圧をフローティングディフュージョンから行ごとに順次読み出す（タイミングＴ１４〜Ｔ１５）。例文帳に追加

Then a mechanical shutter is closed after a designated exposure time elapses to end the exposure period (timing T13) and in this state, a voltage corresponding to signal charges transferred from the photodiode is read out of the floating diffusion portion, line by line, in order (timing T14 to T15). - 特許庁

不純物拡散層からなる正孔蓄積層を設けることなく界面準位に起因した暗電流を低減でき、これにより半導体基板の浅い位置にセンサを設けて電荷転送効率の向上が図られた固体撮像装置を提供する。例文帳に追加

To provide a solid-state imaging apparatus capable of reducing a dark current caused by an interface state without preparing a hole accumulation layer made of an impurity diffusion layer, and thereby capable of arranging a sensor on a shallow position of a semiconductor substrate and improving charge transfer efficiency. - 特許庁

光電変換素子に蓄積された電荷の転送速度を向上させるとともに、受光部の外周に設けた周辺回路部のキャパシタの形成を容易に行なうことができるＣＭＯＳ型固体撮像素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a CMOS type solid-state image pickup element capable of accelerating the transfer speed of electric charges stored in a photoelectric conversion element, and easily forming the capacitor of a peripheral circuit part provided on the outer periphery of a light receiving part, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

光電変換領域３および、電荷転送領域４上の遮光膜１１を覆うバリア層の第１絶縁膜１２Ａの屈折率を、その上の平坦化層である第２絶縁膜１３Ａの屈折率よりも低く設定している。例文帳に追加

The refractive index of a first isolation film 12A of a barrier layer for converting the light-shielding film 11 on the photoelectric conversion region 3, and an transfer region 4 is selected lower than the refractive index of a second isolation film 13A that is a planarization layer on the first isolation film 12A. - 特許庁

これらの構成により、高効率で大出力電流のチャージポンプ回路を実現できると共に電荷転送用トランジスタＭ１〜Ｍ４のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ（トランジスタがオン状態の時）を２Ｖｄｄに揃えることができる。例文帳に追加

With this constitution, an efficient charge pump circuit of large output current is materialized, and the voltage Vgs between gate and source of the transistors M1 to M4 for charge transfer (when the transistors are in on-state) can be uniformized to 2Vdd. - 特許庁

シリコン基板１表面に、第１の絶縁膜２を介して配列形成される複数の第１層電荷転送電極をパターニングするに際し、第１の絶縁膜２上の多結晶シリコン層４ａを残した状態で一旦パターニングし、周りを第３の絶縁膜３ａで被覆する。例文帳に追加

When a plurality of first-layer charge transfer electrodes are arranged and formed by patterning on the surface of a silicon substrate 1 through a first insulating film 2, patterning is once performed while a polycrystal silicon layer 4a is left on the first insulating film 2 and its surrounding area is covered with a third insulating film 3a. - 特許庁

ＦＤ２４からＱ２、Ｑ３を介して垂直信号線１２に出力される電位Ｖoutは、それまでのリセット状態にあるときの電位から、１回の転送により得られた信号電荷４６の蓄積量に対応した電子個数分の電位だけ下がる。例文帳に追加

A potential Vout output from the FD 24 via transistors Q2, Q3 to a vertical signal line 12 drops from the potential of the so-far reset state by an amount corresponding to the number of electrons in signal charges 46 accumulated by one-time transfer. - 特許庁

カラーフィルタを備えたＣＣＤ型固体撮像素子１０において、撮像領域１１上の光検出器の奇数列と偶数列とでそれぞれ、上下に配置された水平ＣＣＤ１４，１５に対して、別々の方向に垂直ＣＣＤ１２，１３から信号電荷を転送する。例文帳に追加

In the CCD solid-state imaging element 10 having a color filter, horizontal CCDs 14, 15 are arranged above and below an imaging area 11 comprising optical detectors, respectively, and signal charges are sent from vertical CCDs 12, 13 to the horizontal CCDs 14, 15 in separate directions at respective odd lows and even rows of the optical detectors. - 特許庁

転送トランジスタ２Ａ，２Ｂは、互いに水平方向に隣り合う光電変換領域１Ａ，１Ｂおよび光電変換領域１Ｃ，１Ｄに関してそれぞれ共通に用いられるように、電荷蓄積部３Ａ，３Ｂのそれぞれ対応する端部同士にまたがって配置されている。例文帳に追加

Transfer transistors 2A, 2B are arranged in such a manner that they mount over a pair of ends corresponding to the charge accumulators 3A, 3B, respectively, so that they are commonly used with respect to the photoelectric conversion regions 1A, 1B, and the photoelectric conversion regions 1C, 1D adjacent to each other in a horizontal direction. - 特許庁

基板電位切替回路１３は、キャパシタＣs1からキャパシタＣf1に電荷が転送される期間中には、ＰチャネルＭＯＳトランジスタＱp5の基板電位を電源電圧Ｖccに固定するとともにＮチャネルＭＯＳトランジスタＱn5の基板電位を接地電位に固定する。例文帳に追加

During a period of time in which an electric charge is transferred from a capacitor Cs1 to a capacitor Cf1, a substrate potential switching circuit 13 fixes the substrate potential of a P-channel MOS transistor Qp5 to a power supply voltage Vcc and fixes the substrate potential of an N-channel MOS transistor Qn5 to ground potential. - 特許庁

活性層がポリシリコンで形成されているスイッチング素子を有するシフトレジスタであって、電源ラインから充放電される電荷が、１つのスイッチング素子（Ｍ１，Ｍ３）のみを介して次段（Ｍ２，Ｍ４）に転送される構成のシフトレジスタおよび画像表示装置とした。例文帳に追加

The shift register which is the shift register having switching elements with active layers formed of the polysilicon and is constituted in such a manner that the charges charged and discharged to and from a power source line are transferred only from the one switching element (M1, M3) to the next stage (M2, M4) and the image display device are provided. - 特許庁

読出選択用トランジスタ３４を駆動するための転送クロック線とフローティングディフュージョン３８に蓄積されている電荷を掃き出させるためのリセットクロック線は、それぞれ独立にパルスを印加可能なように複数系統に分け、かつ、互いに交差するように配置する。例文帳に追加

Transfer clock lines for driving the read select transistor 34 and reset clock lines for sweeping charges stored in the floating diffusion 38 are divided into a plurality of systems such that pulses can be applied independently and are arranged to intersect each other. - 特許庁

レンズシャッタによって光路が開放されているライブビュー表示状態で、本撮影の開始指示（時刻ｔ１）に応答して、本撮影の露光開始直前にレンズシャッタによって光路を遮断し、撮像センサのＶ−ＣＣＤ内の不要電荷を高速転送モードにより排除する。例文帳に追加

In a live view display state in which an optical path is opened by a lens shutter, the lens shutter intercepts the optical path immediately before starting the exposure of main photographing in response to an instruction (time t1) of starting the main photographing, and unwanted electric charges in a V-CCD of an image pickup sensor are removed at a high-speed transfer mode. - 特許庁

ＣＣＤセンサ２７をω軸線を中心としてＸ線の読み取りのために移動させる２θ回転駆動装置２３と、ＣＣＤセンサ２７における電荷転送のタイミングと２θ回転駆動装置２３によるＣＣＤセンサ２７の移動速度とを同期させるプログラム３３とを有する。例文帳に追加

The X-ray analyzer 16 has a 2θ rotation driving unit 23 for moving the CCD sensor 27 around an ω axis as the center to read out the X-ray, and a program 33 for synchronizing timing for charge transfer in the CCD sensor 27 with a moving speed of the CCD sensor 27 by the 2θ rotation driving unit 23. - 特許庁

例えば固体撮像素子の撮像部を構成した場合に、作製時のパターニング工程における位置合わせ誤差が光電変換部の受光領域の面積のばらつきにつながらない電荷転送素子及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a charge transfer element to which alignment residual in patterning process at the time of formation does not lead to the variation in the photodetecting area of a photoelectric converter, and to provide its manufacturing method when configuring the image pick-up part of, for example, a solid state image sensor. - 特許庁

１回の露光中の像振れが、許容範囲に収まったまま（Ｓ９のＮＯ）、適正な露光時間に達した場合（Ｓ６のＹＥＳ）は、露光動作を終了して電荷を転送路に送り（Ｓ１１）、通常の画像データの処理を行って記録する（Ｓ１３）。例文帳に追加

In the case of reaching the proper exposure time (yes in S6) while the image blurring during one exposure is kept in the allowable range (no in S9), the electric charge is fed to a transfer path by completing exposure operation (S11), and recording is performed by carrying out the usual processing of image data. - 特許庁

電荷蓄積期間において転送ゲート下のチャネル領域の半導体表面を不活性化できて、複雑な構造や負電源等を必要とせず、かつ、非常なる低ノイズ化を実現できて、高画質の画像を得ることができる増幅型固体撮像装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an amplification type solid-state imaging device whereby a very low noise state can be realized and an image with high image quality can be obtained by permitting deactivation of a semiconductor surface of a channel region under a transfer gate for an electric charge storage period without the need for a complicated structure and a negative power supply or the like. - 特許庁

本発明に係る負昇圧チャージポンプ回路において、複数段に直列接続された電荷転送用トランジスタと出力用トランジスタのうち、前段側はＰチャネル型電界効果トランジスタ（Ｐ１〜Ｐ３、…）とされており、後段側はＮチャネル型電界効果トランジスタ（Ｎｍ、Ｎｏ）とされている。例文帳に追加

In the negative voltage boosting charge pump circuit, charge transferring transistors and outputting transistors are connected in series at a plurality of the stages, the preceding stage comprises P-channel field effect transistors (P1-P3, ...), and the subsequent stage comprises N-channel field effect transistors (Nm, No). - 特許庁

さらに、ビット線に接続されるメモリセルに第２データ（０データ）が記憶されている場合には、第１ノードを、第２電荷転送ＭＩＳＦＥＴ（ＰＴＲ４）の閾値電位から高電位レベルを引いた電位（ＶｔｈＰＴＲ４−Ｖｃｃ）以下の電位まで上昇させ、読み出しマージンの向上を図る。例文帳に追加

Furthermore, when second data (0 data) are stored in a memory cell connected to the bit line, the first node is raised to a potential (VthPTR4-Vcc), at which a high potential level is subtracted from the threshold potential of the second electric charge transfer the MISFET (PTR4) or lower, and the read margin is improved. - 特許庁

撮像素子と、入射光制御手段と、駆動手段と、信号処理手段とを有し、上記撮像素子が電荷を蓄積・転送する垂直シフトレジスタ・水平シフトレジスタと、信号を出力する信号出力部を備える撮像装置から構成される。例文帳に追加

The image pickup device consists of an image pickup element, an incident light control means, a drive means, and a signal processing means, and the image pickup device is provided with a vertical shift register, a horizontal shift register that store and transfer electric charges and a signal output section that outputs a signal. - 特許庁

垂直転送駆動回路２から固体撮像素子１に一連のサブパルスを供給して画素に蓄積された電荷を外部に掃き捨てた後に撮像面の露光を行なう動作が周期的に繰り返される撮影装置において、従来よりも消費電力を低減する。例文帳に追加

To reduce power consumption rather than the prior art in a photographing apparatus which cyclically repeats operation of exposing an imaging plane after sweeping out electric charges accumulated in pixels to the outside by supplying a series of sub-pulses from a vertical transfer driving circuit 2 to a solid-state imaging element 1. - 特許庁

これにより、フォトダイオード１の周囲を転送電極１５とサラウンド電極４３で包囲し、これらの電極１５、４３に、マイナス電圧やＧＮＤ電圧を印加しておくことによって、電荷蓄積期間中のリーク電流の発生を抑制する。例文帳に追加

Thus, a periphery of the photodiode 1 is surrounded by the transfer electrode 15 and the surround electrode 43, and a negative voltage and a GND voltage are applied to the electrodes 15, 43, so that generation of a leakage current during a term of charge accumulation is restrained. - 特許庁

Ｎ型半導体基板１上にエピタキシャル半導体層２を形成し、エピタキシャル半導体層２内に電荷転送チャネル３を形成し、基板１からの不純物の拡散による半導体層２内の不純物濃度の増加を抑制する。例文帳に追加

An epitaxial semiconductor layer 2 is formed on an N-type semiconductor substrate 1, and a charge transfer channel 3 is formed in the epitaxial semiconductor layer 2, so that the increase in the impurity concentration in the semiconductor layer 2 due to the diffusion of impurities from the substrate 1 can be prevented. - 特許庁

シリコン基板１表面には、第１の絶縁膜２が形成され、第１の絶縁膜２表面には、酸化シリコン膜からなる電極間絶縁膜３と酸化シリコン膜からなる電極間絶縁膜３と多結晶シリコン膜４ａ、４ｂからなる電荷転送電極４０が形成される。例文帳に追加

A first insulating film 2 is formed on the surface of a silicon substrate 1 and an insulating film 3 between electrodes of a silicon oxide film, an insulating film 3 of a silicon oxide film and electric charge transfer electrodes 40 of polycrystalline silicon films 4a and 4b are formed on the first insulating film 2. - 特許庁

全画素の埋め込みのｐ^-領域３９により一斉に光電変換されて蓄積された電荷は、面積の小さなソース近傍ｐ型領域３７へ全画素一斉に転送された後、順次に出力されるグローバルシャッタ動作を行う。例文帳に追加

After all pixels are simultaneously transferred to a p-type region 37 with small area near the source, the charge simultaneously photoelectrically converted and stored by an embedded p^-region 39 of all pixels performs global shutter operations that are successively output. - 特許庁

増幅部の入力部の電位により画素を選択状態又は非選択状態にするように制御する場合でも、画素配列の第１の行の画素の電荷転送動作と第２の行の画素のリセット動作とを並行して行う。例文帳に追加

To perform charge transfer of pixels in a first row of a pixel arrangement in parallel with reset of pixels in a second row thereof even when performing control to bring the pixels into a selected state or a non-selected state in accordance of a potential at an input part of an amplification section. - 特許庁

簡素な制御によって撮影モードや他の制御に応じた信号電荷転送制御を実現する固体撮像素子と、該固体撮像素子を用いた撮像装置において信号処理系を簡素化できる固体撮像素子および撮像装置を提供する。例文帳に追加

To provide an image pickup element for realizing signal charge transfer control corresponding to a photographing mode or another control by simple control, and a solid-state image pickup element and an image pickup device capable of simplifying a signal processing system in an image pickup device using this image pickup element. - 特許庁

高温での熱処理プロセスを必要とする不純物拡散層からなるホール蓄積層を設けることなく界面準位に起因した暗電流を低減することが可能で、これにより半導体基板の浅い位置にセンサを設けて電荷転送効率の向上が図られた固体撮像装置を提供する。例文帳に追加

To provide a solid-state imaging device reducing dark current due to an interface state without forming a hole storing layer made of an impurity diffused layer which needs a heating process at high temperature and allowing sensor placement in a shallow part of a semiconductor substrate so as to improve charge transfer efficiency. - 特許庁

これらの構成により、高効率で大出力電流のチャージポンプ回路を実現できると共に電荷転送用トランジスタＭ１〜Ｍ４のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ（トランジスタがオン状態の時）を２Ｖｄｄに揃えることができる。例文帳に追加

By way of these configurations, the charge-pump circuit having high efficiency and a large output current is materialized as well as an inter-gate/source voltage Vgs (transistors in ON-state) of the transistors M1 to M4 for charge transmission is evened to 2Vdd. - 特許庁

素子サイズの肥大化を防ぎつつ、出力トランジスタのオン抵抗を減少させて電荷転送用電圧の立ち上がり時間、立ち下がり時間の高速化を行うことができるＣＣＤ撮像素子の垂直レジスタ駆動装置を提供する。例文帳に追加

To provide a vertical register driver of a CCD imaging element that can shorten a rise time and a fall time of a voltage for charge transfer by reducing the ON resistance of an output transistor while preventing the element size from increasing. - 特許庁

フォトダイオードによって生成された電荷を高い効率で転送可能でであり、電子シャッタ機能を提供可能であり、画素のリセットノイズを除去するための信号（信号レベル、リセットレベル）を簡易な回路で提供可能な、イメージセンサ用画素を提供する。例文帳に追加

To provide a pixel for an image sensor that can transfer electric charges generated by a photodiode with high efficiency, provide an electronic shutter function, and also provide a signal (signal level and reset level) for removing reset noise of the pixel by a simple circuit. - 特許庁

固体撮像装置１００では、複数の光電変換部１０１、１０１…がマトリックス状に配置され、その上面に複数の電荷転送用電極１１１，１１２，１１３，１１４が垂直方向に繰り返しパターンで形成されている。例文帳に追加

In the solid-state image pickup device 100, a plurality of photoelectric converters 101, 101, and so on are disposed into a matrix form, and a plurality of charge transfer electrodes 111, 112, 113 and 114 are formed into a repeating pattern in the vertical direction on its upper surface. - 特許庁

これにより、金属遮光膜111の開口部115がフォトリソグラフィーでの位置合わせズレや加工バラツキの影響を受けずに、電荷転送電極109に対して一定となるので、感度およびスミア特性のばらつきを低減することが出来る。例文帳に追加

Consequently, the opening 115 of the metal light shielding film 111 is kept unchanged with respect to the charge transfer electrode 109 without being influenced by positioning displacement and processing variation in photolithography, so that it is possible to reduce variations of sensitivity and smear characteristics. - 特許庁

ＣＣＤセンサ２７の２θ移動の速度と、ＣＣＤセンサ２７における電荷転送とが同期するので、ＣＣＤセンサ２７の各画素に同一の回折角度のデータを蓄積でき、それ故、高速で高感度のＸ線回折測定を行うことができる。例文帳に追加

Since the 2θ moving speed of the CCD sensor 27 is synchronized with the charge transfer in the CCD sensor 27, the same diffraction angle data are accumulated in respective picture elements of the CCD sensor 27, so as to allow quick and highly sensitive X-ray diffraction measurement. - 特許庁

各スイッチトキャパシタアンプ部２０は、対応する画素群Ｘ（ｎ）の各転送トランジスタ２の出力端子が共通に接続された電荷検出ノード８と、増幅部３と、リセットトランジスタ６と、第１キャパシタンス素子７と、選択トランジスタ５を有する。例文帳に追加

Each switched capacitor amplifier section 20 includes: an electronic charge detection node 8 to which an output terminal of each transfer transistor 2 of a corresponding pixel group X(n) is connected in common; an amplifier section 3; a reset transistor 6; a first capacitive element 7; and a selection transistor 5. - 特許庁

そして、第２の電荷転送用ＭＯＳトランジスタＭ２（Ｎ）がオンするときのＶＧＳ（ゲートソース間電圧）を２ＶＤＤにして、低いオン抵抗を得るために、ポンピングパケットを駆動する第２のクロックドライバーＣＤ２の電源としてチャージポンプ回路の出力電圧Ｂ（２ＶＤＤ）を用いた。例文帳に追加

In order to attain a low on resistance by setting the VGS (gate-source voltage) at 2VDD when the second charge transfer MOS transistor M2(N) is turned on, output voltage B(2VDD) of the charge pump circuit is employed as the power supply of a second clock driver CD2 for driving the pumping packet. - 特許庁

転送機構の動作を通して、光検出器の積分周期が開始され、その後、リセット機構の動作を通して検知ノードの積分周期が開始され、そのそれぞれの積分周期中に蓄積された検知ノードおよび光検出器の両方からの電荷が読取られる。例文帳に追加

An integration period of the photodetector is started through the operation of the transfer device and then the integration period of the detection node is started through the operation of a rest device after that, and electric charges from both the detected node and the photodetector stored in the respective integral periods are read. - 特許庁

画像の読み取りを制御する読取制御部１２０は、光電変換素子から電荷を転送するシフト周期にダミー期間を挿入することにより、センサー読み出しの開始タイミングをラインごとにずらし、読み出された画像に含まれるノイズのピーク位置をラインごとに異ならせる。例文帳に追加

A reading control section 120 for controlling image reading inserts a dummy duration in the shift period of charge transfer from the photoelectric conversion element to shift the start timing of sensor reading line by line and differentiate peak positions of noise included in an image read out line by line. - 特許庁

複数のフォトダイオード１１ａ、１１ｂにおける光電変換によって得られた電荷は、異なる時点ごとに異なる位置のリードゲート１２ａ、１２ｂが制御されることによって、異なる時点で垂直読み出しバッファ１３ａ、１３ｂに転送される。例文帳に追加

Electric charges obtained by photoelectric conversion in a plurality of photodiodes 11a, 11b are transferred to vertical reading buffers 13a, 13b at different time points by controlling read gates 12a, 12b at different positions for each different time point. - 特許庁

これにより、ラインセンサにおいて電荷の転送を行っている間にもＡＤ変換処理部を継続して駆動させることが可能となり、ＡＤ変換処理の中断に起因する画像信号へのノイズの混入を防止しながら画像信号の出力を効率化することができる。例文帳に追加

Thus, an AD conversion processing part can be continuously driven even while charge is transferred in the line sensor, and the efficiency of the output of the image signals is improved while preventing mixing of noise to the image signals due to interruption of the AD conversion processing. - 特許庁

光収集領域が比較的小さい少なくとも１つのフォトセンサの第１の行１００と、光収集領域が比較的大きい少なくとも１つのフォトセンサの第２の行１０２と、第１の行１００に結合した電荷転送レジスタ１０４とを備えている。例文帳に追加

The photosensor assembly has a first row 100 of at least one photosensor with comparatively a small light collecting sphere, a second row 102 of at least one photosensor with comparatively a large light collecting sphere, and the electrical charge transferring register 104 connecting with the first row 100. - 特許庁

変調トランジスタ以外のトランジスタにおいては、オン時及びオフ時のチャネル領域のポテンシャルが十分に低下及び上昇させることができるので、電荷の転送を確実に行うようにすることができる固体撮像装置を提供する。例文帳に追加

To provide a solid-state image pickup device capable of surely transferring a charge, since the potential of a channel region at the ON and OFF times can be decreased and increased fully, in a transistor other than a modulation transistor. - 特許庁