「ＢＮ」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

A container which stores therein compound semiconductors to melt them is formed from BN(boron nitride), and a film composed of B2O3 (boron oxide) is formed over the inner surface of the container.例文帳に追加

化合物半導体を内部に収容して溶融させるための容器をＢＮ（窒化ボロン）で構成し、かつその内面にＢ_2Ｏ_3（酸化ボロン）からなる被膜を形成する。 - 特許庁

The concave mirror An reflects an introduced laser beam L to pass through a position Oa, and reflected beam L1 is made enter the corresponding concave mirror Bn among the mirror finished surface group B.例文帳に追加

凹面鏡Ａｎは、導入されたレーザー光Ｌを反射して位置Ｏａを通過させ、鏡面群Ｂ中の対応する凹面鏡Ｂｎに反射光Ｌ１を入射させる。 - 特許庁

The apparatus further includes a speech decoder for decoding incoming speech data 120 using the HMM/BN models stored in the storage device 104.例文帳に追加

装置はさらに、記憶装置１０４に記憶されたＨＭＭ／ＢＮモデルを用いて、入来する音声データ１２０をデコードするための音声デコーダを含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing h-BN (hexagonal boron nitride) having high crystallinity by using a natural polymer as a nitrogen-containing organic compound.例文帳に追加

本発明の目的は、含窒素有機化合物として天然高分子を用いることにより、結晶性の高いｈ−ＢＮを製造する方法を提供することにある。 - 特許庁

The interposed member 12 is formed of a material of superior thermal conductivity, having a sliding face within crystal structure, for example, carbon and BN having graphite structure.例文帳に追加

介在部材１２は結晶構造内にすべり面を有する熱伝導性に優れた材料、例えば黒鉛構造を有する炭素やＢＮによって形成される。 - 特許庁

This TiB2-Ti(CN)-base composite is prepared by sintering the powder mixture essentially consisting of titanium powder (Ti), boron carbide (B4C) powder and boron nitride (BN) powder.例文帳に追加

チタン粉末（Ｔｉ）、炭化ホウ素（Ｂ_４Ｃ）粉末及び窒化ホウ素（ＢＮ）粉末を主成分とする混合粉を焼結することを特徴とするＴｉＢ_２−Ｔｉ（ＣＮ）系複合体及びその製造方法。 - 特許庁

Specifically, as the cement as the filler, a filler produced by blending thermally conductive materials such as silicon nitride (Si_3N_4), aluminum nitride (AlN), boron nitride (BN), and sialon is used.例文帳に追加

具体的には、前記充填剤となるセメントにシリコンナイトライト（Ｓｉ_3Ｎ_4），窒化アルミ（ＡｌＮ），窒化ホウ素（ＢＮ），サイアロン等の熱伝導性の高い材料を配合した充填剤を用いる。 - 特許庁

This X-ray generator has a pair of opposite mirror finished surface groups formed by plural concave mirrors A1, A2...An, B1, B2...Bn annularly disposed centering the axis O of an electron beam E.例文帳に追加

Ｘ線発生装置１１は、電子ビームＥの軸Ｏを中心に環状に配置された複数の凹面鏡Ａ１，Ａ２…Ａｎ，Ｂ１，Ｂ２…Ｂｎから成る対向一対の鏡面群Ａ、Ｂを有する。 - 特許庁

By repeating this process several times, a BN/Si_3N_4 multilayer coating having improved mechanical and chemical properties is formed on the substrate 17.例文帳に追加

この工程を複数回繰り返すことにより、基材１７上に改良された機械的特性や化学的特性をもつＢＮ／Ｓｉ_3Ｎ_4の多層コーティングが形成される。 - 特許庁

This semiconductor element includes a substrate 11, a BN-based compound semiconductor buffer layer 24 on the substrate 11, and nitride-based compound semiconductor crystalline layers 34, 25 and 36 on the buffer layer 24.例文帳に追加

基板１１と、基板１１上のＢＮ系化合物半導体バッファー層２４と、バッファー層２４上の窒化物系化合物半導体結晶層（３４、３５，３６）とから構成されている。 - 特許庁

The method further includes steps 202, 204, 206 and 208 for training the HMM by the training data according to the predetermined HMM/BN (Beyey's network) model.例文帳に追加

この方法はさらに、予め定められたＨＭＭ／ＢＮ（ベイズネットワーク）モデルに従って、ＨＭＭをトレーニング用データでトレーニングするステップ２０２、２０４、２０６、２０８を含む - 特許庁

A low resistance material contains a carbon material and a binder, and a high-resistance material contains a carbon material and a binder and a boron nitride (BN) as an inorganic substance.例文帳に追加

低抵抗材料は、カーボン材料及びバインダを含有してなり、高抵抗材料は、カーボン材料、バインダ及び無機物質としての窒化ホウ素（ＢＮ）を含有してなる。 - 特許庁

The cold rolled steel sheet contains B as a component in the steel, and ≥70% of B in the outermost surface consists of BN.例文帳に追加

鋼中成分としてＢを含有する冷延鋼板であって、鋼板最表面のＢは、その７０％以上がＢＮであることを特徴とする冷延鋼板。 - 特許庁

The SUL is doped with judiciously chosen elements (B, B_4C, BN, SiC) or alloys or is capped or intercalated with the elements or metal alloy layers.例文帳に追加

ＳＵＬは、慎重に選択された元素（Ｂ、Ｂ_４Ｃ、ＢＮ、ＳｉＣ）の少なくとも１つ、もしくは合金でドープされるか、あるいは前記元素もしくは合金の層で覆われるか、またはそれらが挿入される。 - 特許庁

The inside of a crucible 18 made of copper composing an evaporation source 16 is stored with a hearth liner 20 made of BN, and an evaporation material 22 to form into the material of an Al-Sn alloy film is packed into the hearth liner 20.例文帳に追加

蒸発源１６を構成する銅製の坩堝１８内には、ＢＮ製のハースライナ２０が収容されており、このハースライナ２０の中に、Ａｌ−Ｓｎ合金被膜の材料となる蒸発材料２２が充填されている。 - 特許庁

The electrically conductive ceramics contain titanium diboride (TiB_2), boron nitride (BN) and aluminum nitride (AlN) as components, and have a relative density of ≥90% and a shore hardness of ≤50.例文帳に追加

二硼化チタン（ＴｉＢ_2）、窒化硼素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を成分とし、相対密度９０％以上、ショア硬度５０以下であることを特徴とする導電性セラミックス。 - 特許庁

To obtain BN series free cutting steel having machinability equal to or above that of Pb-added free cutting steel even without adding Pb and excellent in cold workability such as wire drawability, cold forgeability and rolling workability.例文帳に追加

Ｐｂを添加せずとも、Ｐｂ添加快削鋼と同等以上の被削性を有する、伸線加工性、冷鍛性あるいは転造加工性等の冷間加工性に優れたＢＮ系快削鋼を得る。 - 特許庁

To improve efficiency about power consumption, etc., in communication equipment provided with one or a plurality of processing part units B1 to BN having a plurality of processing parts (DSP) for performing processing about communication.例文帳に追加

通信に関する処理を実行する複数の処理部（ＤＳＰ）を有した処理部ユニットＢ１〜ＢＮを１又は複数備えた通信装置で、電力消費などについて効率化を図る。 - 特許庁

To reduce total capacitance between wirings by forming a semiconductor device, using a fluorine added carbon film (CF film) as an interlayer insulating film while using a boron nitride film(BN film) as a hard mask.例文帳に追加

層間絶縁膜としてフッ素添加カ−ボン膜（ＣＦ膜）を用いた半導体装置を、ハ−ドマスクとして窒化ホウ素膜（ＢＮ膜）を用いて形成することによりト−タルの線間容量を小さくすること。 - 特許庁

To effectively remove a BN thin piece attaching to a rear face of a semiconductor substrate when the semiconductor substrate is subjected to process treatment while holding the semiconductor substrate in a sample base whose outermost surface layer is pyrolytic boron nitride (PBN).例文帳に追加

熱分解窒化ホウ素（ＰＢＮ）を最表面層とする試料台に半導体基板を保持して該半導体基板にプロセス処理を行ったときに、該半導体基板の裏面に付着したＢＮ薄片を効果的に除去する。 - 特許庁

According to whether the differences Δg2n, Δg3n are positive or negative, binary logical values bn, b1n are set for each of the pixels in the template and in the image area of concern.例文帳に追加

前記差Δｇ２ｎ，Δｇ３ｎの正または負にそれぞれ対応して、２値論理値ｂｎ，ｂ１ｎを、テンプレートと対象部分画像領域との各画素毎に設定する。 - 特許庁

The developer DV1 includes three kinds of developing particles, namely, black magnetic developing particles Bm electrified with a negative polarity, black nonmagnetic developing particles Bn electrified with a negative polarity, and white nonmagnetic developing particles Wn electrified with a positive polarity.例文帳に追加

現像剤ＤＶ１は帯電極性が負の黒色磁性現像粒子Ｂｍと、帯電極性が負の黒色非磁性現像粒子Ｂｎと、帯電極性が正の白色非磁性現像粒子Ｗｎの三種類の現像粒子を含んでいる。 - 特許庁

The power spectrum (a) of each knock cycle is compared with the power spectrum averaging (b) to calculate integrated value An, Bn, Cn in a differential frequency section (n) (S1600).例文帳に追加

各ノックサイクルのパワースペクトルａとノイズサイクルのパワースペクトル加算平均ｂを比較し、差のある周波数区間ｎで積分値Ａｎ，Ｂｎ，Ｃｎを算出する（Ｓ１６００）。 - 特許庁

The dielectric body to be used for the protecting film 6 is composed of quartz or a polyimide resin, ceramic (e.g., alumina (Al_2O_3), aluminum nitride (AlN), zinc oxide (Zn_2O_3) and boron nitride (BN, PBN)) and the like.例文帳に追加

保護膜６に用いられる誘電体は、クオーツ（水晶）やポリイミド樹脂、セラミック（例えば、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化亜鉛（Ｚｎ_２Ｏ_３）、及びボロンナイトライド（ＢＮ，ＰＢＮ））等から成る。 - 特許庁

Since the CF film and the BN film which have low relative permittivities are used in the semiconductor device, relative permittivity of the semiconductor device as a whole is reduced, so that the total capacitance between wirings is reduced.例文帳に追加

このような半導体装置では比誘電率の低いＣＦ膜とＢＮ膜を用いているので、半導体装置全体の比誘電率が小さくなり、結果としてト−タルの線間容量が小さくなる。 - 特許庁

SP3-BONDING BORON NITRIDE WHICH IS SHOWN BY GENERAL FORMULA BN, HAS HEXAGONAL 5H OR 6H TYPE POLYMORPHIC STRUCTURE AND EMITS LIGHT IN ULTRAVIOLET REGION, ITS PRODUCTION METHOD, AND FUNCTIONAL MATERIAL USING THE SAME例文帳に追加

一般式；ＢＮで示され、六方晶系５Ｈ型ないしは６Ｈ型多形構造を有し、紫外域で発光するｓｐ３結合型窒化ホウ素とその製造方法、及びこれを利用した機能性材料 - 特許庁

To provide a boron nitride film which has satisfactory adhesion, comprises c-BN at a high ratio and has extremely excellent practicality even in the case a PVD process such as a sputtering process and an arc ion plating process is used.例文帳に追加

スパッタリング法やアークイオンプレーティング法等のＰＶＤ法を用いた場合でも密着性が良好でｃ−ＢＮを高い割合で有する極めて実用性に秀れた窒化ホウ素膜の提供。 - 特許庁

The BN composition comprises a slurry comprising 10-40 mass% of a boron nitride powder, 1-10 mass% of a thickener and 0.5-6 mass% of a silicone oil and has a viscosity of 10-1,000 Pa s.例文帳に追加

窒化硼素粉末１０〜４０質量％、増粘剤１〜１０質量％、シリコーンオイル０．５〜６質量％を含むスラリーからなり、粘度が１０〜１，０００Ｐａ・ｓであることを特徴とするＢＮ組成物。 - 特許庁

The probe guiding member is prepared by using a BN-AlN compound-sintered compact which contains 37-44 mass% boron nitride, 54-60 mass% aluminum nitride, and 1-4 mass% sintering additive containing yttria and has a relative density of 92% or higher.例文帳に追加

窒化ホウ素３７〜４４質量％、窒化アルミニウム５４〜６０質量％、イットリアを含む焼結助剤１〜４質量％かつ相対密度９２％以上のＢＮ−ＡlＮ複合焼結体を用いるプローブ案内部材。 - 特許庁

This lubricative parting material of the mold for glass forming is prepared by dispersing 5 to 30 wt.% boron nitride (BN) powder into water or an organic solvent and dissolving 0.2 to 1 wt.% binder into the water or the organic solvent.例文帳に追加

５〜３０ｗｔ％の窒化ホウ素（ＢＮ）粉末を水中又は有機溶剤中に分散させ、０．２〜１ｗｔ％のバインダーを水中又は有機溶剤中に溶解させてなるガラス成形用金型の潤滑離型剤である。 - 特許庁

To cells B1 to Bn of the batteries 10, capacitors C1 to Cn with various types of characteristics are connected to turn on an AC power supply, thus conducting charging with DC voltage having an AC component outputted from a diode 2.例文帳に追加

バッテリ１０のセルＢ１〜Ｂｎにそれぞれ特性の揃ったコンデンサＣ１〜Ｃｎを接続し、交流電源をＯＮとしてダイオード２から出力される交流成分を有する直流電圧で充電する。 - 特許庁

A neutron absorbing material is composed by a boron carbide/ silicon carbide fiber composite sintered body consisting of the boron carbide(B4C) containing silicon carbide(SiC) fiber whose surface is covered with boron nitride(BN) by 10-30 vol.%.例文帳に追加

窒化ホウ素（ＢＮ）で表面被覆された炭化ケイ素（ＳｉＣ）繊維を１０〜３０体積％含有した炭化ホウ素（Ｂ_4 Ｃ）からなる炭化ホウ素／炭化ケイ素繊維複合焼結体で中性子吸収材料を構成する。 - 特許庁

Since a buffer Bn-n of a small capacity provides a tentative storage location of cells C, a distribution circuit 3n receives a new cell Cn from an input buffer 2n and can apply processing to the cell.例文帳に追加

小容量バッファBｎ-ｎが一時的なセルＣの格納場所を提供するので、分配回路３_nは入力バッファ２_nから新しいセルＣ_nを受け取り、処理することが出来る。 - 特許庁

Forming of a BN layer 5 on the surface of the carbon nano-tube 3 prevents carbon from being evaporated from the tip of the carbon nano-tube or prevents impurities from bonded to the tip, therefore, the electron emission characteristic can be improved.例文帳に追加

またカーボンナノチューブ３の表面にＢＮ層５を形成することで、カーボンナノチューブの先端部から炭素が蒸発すること、あるいは先端部に不純物が付着することを防ぎ、電子放出特性を向上させる。 - 特許庁

The encoding circuit 320 encodes parallel data (a1,..., an) to generate encoded data (b1,..., bn) and parallelly outputs the encoded data to the circuit 110.例文帳に追加

符号化回路３２０は、パラレルデータ｛ａ_1 ，…，ａ_n ｝を符号化して符号化データ｛ｂ_1 ，…，ｂ_n ｝を生成し、前記符号化データをデータ保持回路１１０にパラレル出力する。 - 特許庁

There is provided sp3-bonding boron nitride which is represented by the general formula BN, has a hexagonal 5H or 6H type polymorphic structure and also has a characteristic of emitting light in an ultraviolet region.例文帳に追加

一般式；ＢＮで示され、六方晶系５Ｈ型または６Ｈ型多形構造を有し、かつ紫外域で発光する特性を有してなることを特徴とするｓｐ３結合型窒化ホウ素。 - 特許庁

Thus, the new function is easily added by utilizing the special code SD while keeping the compatibility with the existing communication equipment Bn and excessive resources are not consumed accompanying the addition of the new function.例文帳に追加

よって、既存の通信装置Ｂｎとの互換性を保ちながら、特別符号ＳＤを利用して新たな機能を容易に追加することができ、しかも、新たな機能の追加に伴って余分なリソースを消費することがない。 - 特許庁

The definition analyzing section specifies inter-node relations by analyzing business process definitions including information related with a plurality of nodes having three or more task nodes (TN) and at least one branch node (BN).例文帳に追加

定義解析部が、三以上のタスクノード（ＴＮ）と少なくとも一つの分岐ノード（ＢＮ）とを有する複数のノードに関する情報を含んだビジネスプロセス定義を解析してノード間関係を特定する。 - 特許庁

For instance, an I picture In+2, a B picture Bn and the B picture n+1 and the sound data An+2, the sound data An and the sound data An+1 corresponding to them are gathered and recorded.例文帳に追加

例えば、ＩピクチャＩn+2、ＢピクチャＢn、およびＢピクチャn+1と、それらに対応する音声データＡn+2、音声データＡn、および音声データＡn+1がまとまって記録されている。 - 特許庁

This high base number calcium sulfonate cleaner having a total soap/BN ratio of 0.0530 to 0.0585 and a total base number of >350 mg KOH/g, when measured according to ASTM D 2896-98.例文帳に追加

０.０５３０〜０.０５８５の全石けん/ＢＮ比と、ＡＳＴＭ Ｄ ２８９６-９８で測定した場合に３５０ｍｇ ＫＯＨ/ｇを超える全塩基価を有する高塩基価カルシウムスルホネート清浄剤を調製する。 - 特許庁

Slot images A1 to An, slot images B1 to Bn and slot images C1 to Cn obtained by consecutively photographing objects A, B and C are stored in a memory ((b) to (g) of Figure are referred to).例文帳に追加

被写体Ａ、Ｂ、Ｃを連写して得たスロット画像Ａ１〜Ａｎ、スロット画像Ｂ１〜Ｂｎ、スロット画像Ｃ１〜Ｃｎをメモリに記憶する（図１（ｂ）〜（ｇ））。 - 特許庁

In an inverter apparatus 1, which is a semiconductor apparatus, an input terminal 18 has an insulating resin part 18m, and a pair of bus bars 18bp and bn are supported on the top of the resin part 18m.例文帳に追加

半導体装置であるインバータ装置１において、入力端子１８は、絶縁性の樹脂部１８ｍを有し、樹脂部１８ｍの上部に一対のバスバー１８ｂｐ，ｂｎが支持されている。 - 特許庁

In the HEMT element 3, a BGaN portion 50 composed of a mixed crystal of BN and GaN is formed at the middle in the thickness direction of the GaN electron transit layer 45.例文帳に追加

このＨＥＭＴ素子３において、ＧａＮ電子走行層４５の厚さ方向途中部に、ＢＮとＧａＮとの混晶からなるＢＧａＮ部５０を形成する。 - 特許庁

The PZT film wherein a PZT film which contains an additive which is at least one of V, Nb, Re, C, N and BN (boron nitride), is vacuum molded on a substrate.例文帳に追加

基板上に添加物を含んだＰＺＴ系膜を真空成膜したＰＺＴ系膜体であって、前記添加物は、Ｖ，Ｎｂ，Ｒｅ，Ｃ，Ｎ，ＢＮの少なくとも１種類であることを特徴とするＰＺＴ系膜体である。 - 特許庁

As for pieces B1, B2...Bn of sale information outputted from seller sides, a cluster conforming with the above-mentioned purchase conditions is generated.例文帳に追加

また、複数の売手側から出力される複数の販売情報（Ｂ１），（Ｂ２），・・・，（Ｂｎ）についても、上記の購入条件に従った集合を形成する。 - 特許庁