「ＢＮ」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目)

計算機回路は、複数のレギュレータA1(124)〜An(126)と、これらの複数のレギュレータA1(124)〜An(126)からの12V出力信号が入力されて、電子回路133〜135に電力を供給する複数のレギュレータB1(130)〜Bn(132)と、計算機回路全体の監視制御行うサービスプロセッサ170とにより構成される。 - 特許庁

To provide a ferromagnetic III-V group nitride which can be obtained by using a III-V group nitride (GaN, AlN, InN, and BN) that is transmissive to light, as well as a method for adjusting the ferromagnetic III-V group nitride by which its ferromagnetic characteristic can be adjusted.例文帳に追加

光を透過するＩＩＩ-Ｖ族系窒化物（GaN, AlN, InN, BN）を用いて強磁性が得られる強磁性ＩＩＩ-Ｖ族系窒化物の提供、およびその強磁性特性を調整することができる強磁性ＩＩＩ-Ｖ族系窒化物の強磁性特性を調整する方法を提供する。 - 特許庁

The image processing part 7 defines the black pixel of the edge image as en and the black pixel of the boundary image as bn, measures the distribution of the black pixels in both images by the unit of one character, and calculates the matching ratio p (en/bn=p) of the black pixels in the character area.例文帳に追加

画像処理部７は、エッジ画像の黒画素をｅｎ、境界線画像の黒画素をｂｎとし、両画像における黒画素の分布を１文字単位で測定し、文字領域における黒画素の一致比率ｐ（ｅｎ／ｂｎ＝ｐ）を算出する。 - 特許庁

Even when the banknotes BN delivered by the kick roller 23 bulges to the side of the first carrier guide 21a, the height of the banknotes BN with respect to the first conveyance guide 21a is adjusted by this taper block 26 and the banknotes are led to the contact part 30 in that state.例文帳に追加

このテーパブロック２６により、たとえキックローラ２３で繰り出す紙幣ＢＮに第１搬送ガイド２１ａ側への膨らみが発生していた場合にも、その紙幣ＢＮの第１搬送ガイド２１ａに対する高さが調整され、その状態で接触部３０へと導くことができる。 - 特許庁

By calculating misorientation of different distance between measurement points from one piece of crystal orientation distribution data, a relation between the distance between measurement points and the misorientation is approximated linearly, the magnitude (Bn) of the misorientation is calculated by extrapolation when the measurement point distance is zero, and the magnitude Bn is used as an index of measurement accuracy.例文帳に追加

１つの結晶方位分布データから測定点間距離の異なる方位差を算出することで、測定点間距離と方位差の関係を直線で近似し、測定点距離が零のときの方位差の大きさ（Ｂｎ）を外挿で求め、大きさＢｎを測定精度の指標として用いる。 - 特許庁

This image display device is provided with a display part 1 for displaying a cursor C and buttons B1 to Bn, an input part 2 for performing the movement of the cursor C and the selection of the buttons B1 to Bn and a control part 3 for controlling the display part 1 and the input part 2.例文帳に追加

画像表示装置を、カーソルＣ及びボタンＢ１〜Ｂｎを表示する表示部１と、カーソルＣの移動及びボタンＢ１〜Ｂｎの選択を行う入力部２と、表示部１及び入力部２を制御する制御部３とから構成する。 - 特許庁

To obtain a thin film which can be industrially stably and easily deposited, further has superhigh hardness exceeding that of cubic BN which is considered to exhibit high hardness next to that of diamond, and also has extremely high friction-wear resistance.例文帳に追加

本発明の技術課題は、産業上安定して容易に成膜でき、しかもダイヤモンドに次ぐ高い硬度を示すといわれている立方晶BNを超える超高硬度を有しかつ非常に高い耐摩擦磨耗性を有する薄膜を得ることを目的とする。 - 特許庁

Moreover, the device is provided with a shift register DFF-S/R which successively supplies primary pulses Bn according to the switching transistors Sn and logical gate means NORn, which are interposed between the shift register DFF-S/R and the transistors Sn and which shape waveforms of the primary pulses Bn to secondary pulse Φn.例文帳に追加

スイッチングトランジスタＳｎに対応して順次一次パルスＢｎを供給するシフトレジスタＤＦＦ−Ｓ／Ｒと、スイッチングトランジスタＳｎとシフトレジスタＤＦＦ−Ｓ／Ｒの間に介在して一次パルスＢｎを二次パルスΦｎに整形する論理ゲート手段ＮＯＲｎとを備えている。 - 特許庁

To obtain an Arctan from these, a value in the parentheses becomes small by transforming an.an-1+bn.bn-1 into an.(an +1-bn)+bn.(bn+1 +an), and it is possible to reduce a circuit scale of a multiplier in an ARCTAN detector 4.例文帳に追加

これらよりArctanを求めるにあたってａ_n・ａ_n-1＋ｂ_n・ｂ_n-1をａ_n・(ａ_n+1−ｂ__n)＋ｂ_n・(ｂ_n+1＋ａ_n)に変換することによりカッコ内の値が小さな値となり、ＡＲＣＴＡＮ検出器４内の乗算器の回路規模を小型化することが可能となる。 - 特許庁

To obtain an Arctan from these, a value in the parentheses becomes small by transforming an.an-1+ bn.bn-1 into an.(an +1-bn)+bn.(bn+1+an), and it is possible to reduce a circuit scale of a multiplier in an ARCTAN detector 4.例文帳に追加

これらよりArctanを求めるにあたってａ_n・ａ_n-1＋ｂ_n・ｂ_n-1をａ_n・(ａ_n+1−ｂ_n)＋ｂ_n・(ｂ_n_+1＋ａ_n)に変換することによりカッコ内の値が小さな値となり、ＡＲＣＴＡＮ検出器４内の乗算器の回路規模を小型化することが可能となる。 - 特許庁

To obtain ZrO2-C-BN-SiC-based and Al2O3-C-BN-SiC-based composite refractories having excellent oxidation resistance, spalling resistance, high high- temperature strength and high corrosion resistance by solving the problem that graphite has low oxidation resistance.例文帳に追加

黒鉛の大きな欠点である耐酸化性の低さを克服し、優れた耐酸化性、耐スポーリング性、高熱間強度及び高耐食性を有するＺｒＯ_２−Ｃ−ＢＮ−ＳｉＣ系及びＡｌ_２Ｏ_３−Ｃ−ＢＮ−ＳｉＣ系複合耐火物を得る。 - 特許庁

A method for forming a cone emitter on the top surface of a BN thin film performs the crystallization by irradiating the ultraviolet light onto the top surface of the amorphous BN thin film that is formed on the top surface of a substrate and has a flat top surface.例文帳に追加

ＢＮ薄膜の表面にコーン・エミッタを形成する方法であって、基板表面に形成した平坦な表面を持つアモルファスＢＮ薄膜表面に紫外光を照射して、結晶化することを特徴とするコーン・エミッタの形成方法。 - 特許庁

In addition, a processing performance processing part shifting means 21, 22, 23 and 25 shifts a processing part that performs processing to be processed by a prescribed processing part belonging to the prescribed processing part units B1 to BN from the prescribed processing part to a prescribed processing part belonging to the other processing part units B1 to BN.例文帳に追加

また、処理実行処理部移行手段２１、２２、２３、２５が所定の処理部ユニットＢ１〜ＢＮが有する所定の処理部により実行される処理を実行する処理部を、当該所定の処理部から他の処理部ユニットＢ１〜ＢＮが有する所定の処理部へ移行させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting device which hardly has crystal defects and crystal dislocation and includes a hexagonal-crystal BN film with very little mixture of cubic-crystal BN and which emits light with high efficiency near room temperature since light emission by transition to a deeper level is suppressed and band-edge emission becomes predominant.例文帳に追加

深い凖位への遷移による発光が抑制されてバンド端発光が支配的となり、室温付近でも高効率発光する、結晶欠陥、結晶転位が生じ難く、かつ立方晶ＢＮの混在が極めて少ない六方晶ＢＮ膜を有する半導体発光素子を実現すること。 - 特許庁

A processing part unit power supply amount control means 23 and 24 controls the power of an amount determined on the basis of an amount of processing performed in the processing part units B1 to BN so as to be fed to the processing part units B1 to BN.例文帳に追加

処理部ユニット電力供給量制御手段２３、２４が処理部ユニットＢ１〜ＢＮにおいて実行される処理の量に基づいて決定される量の電力が当該処理部ユニットＢ１〜ＢＮへ供給されるように制御する。 - 特許庁

The control unit of the brightness control device B1 transmits the set group address to the other brightness control devices B1, Bn via the communication line 1 and receives the group address from any one of the other brightness control devices B1, Bn to determine whether the device B1 itself is the master device or the slave device in a group G1.例文帳に追加

明るさ制御装置Ｂ１の制御部は、設定されたグループアドレスを通信線１を介して他の明るさ制御装置Ｂ１、Ｂｎに送信するとともに、他の明るさ制御装置Ｂ２、Ｂｎの何れかからグループアドレスを受信することにより、自身がグループＧ１の中で親機であるか、子機であるかを判断する。 - 特許庁

The semiconductor device has a silicon substrate 51, a base insulating film 59 formed above the silicon substrate 51, the capacitor formed on the base insulating film 59, and having a lower electrode 69a, a dielectric film 70a and an upper electrode 71a, and the interlayer insulating film 118 formed above the capacitor, and including at least a BN film 76.例文帳に追加

シリコン基板５１と、シリコン基板５１の上方に形成された下地絶縁膜５９と、下地絶縁膜５９上に形成され且つ下部電極６９ａ、誘電体膜７０ａ及び上部電極７１ａを有するキャパシタと、キャパシタの上方に形成され、少なくともBN膜７６を含む層間絶縁膜１１８とを有する半導体装置による。 - 特許庁

A composition for coating sliding or rolling or fretting or impacting members is formed by preparing a composite powder of TiB_2 and BN, with a TiB_2 to BN ratio ranging from 1:7 to 20:1, and a metallic matrix selected from the group consisting of nickel, chromium, iron, cobalt, aluminum, tungsten, carbon and alloys thereof.例文帳に追加

被覆物の摺動、転動、微動または衝撃付与部材用の組成物が、ＴｉＢ_２対ＢＮ比が１：７乃至２０：１の範囲にあるＴｉＢ_２およびＢＮの複合材粉末、ならびにニッケル、クロム、鉄、コバルト、アルミニウム、タングステン、カーボンおよびその合金から成るグループから選ばれる金属マトリックスを調製することにより形成される。 - 特許庁

When a Web page is acquired by a server device from a Web server in response to a request event of the Web page from a client device, the number of zooming [zoom_cnt] (user attention) for every information block Bn [block_id] with respect to the same Web page [url] from the client device [user_id] stored to an access history storage part is read.例文帳に追加

クライアント装置からのWEBページの要求イベントに応じて、サーバ装置にてWEBサーバから該当するWEBページが取得されると、アクセス履歴記憶部に記憶されている前記クライアント装置[user_id]からの同ＷＥＢページ[url]に対する情報ブロックBn[block_id]毎のズーム回数[zoom_cnt]（ユーザ注目度）が読み出される。 - 特許庁

The Ni-Cu alloy composite plating solution 29 contains at least one selected from C, h-BN and MoS2 as self-lubricating particles 5, contains at least one selected from SiC, Si3N4, Al2O3, c-BN and diamond as hard particles 6, contains a cationic surfactant as a surfactant, and contains sodium saccharate as a hardness increasing agent.例文帳に追加

このＮｉ−Ｃｕ合金複合メッキ液２９は、自己潤滑粒子５としてＣ、ｈ−ＢＮ、ＭｏＳ_2のうちの少なくとも一つを含有し、硬質粒子６としてＳｉＣ、Ｓｉ_3Ｎ_4、Ａｌ_2Ｏ_3、ｃ−ＢＮ、ダイヤモンドのうちの少なくとも一つを含有し、界面活性剤としてカチオン系界面活性剤を含有し、硬度上昇剤としてサッカリン酸ナトリウムを含有する。 - 特許庁

The inter-node relation may be represented w ith the advance notification relation (which TN is executed is associated with which other node existing at the downstream of the node is executed, without fail) and/or a task-dependent branch relation (the association of the BN and the TN for outputting a variable value to be referred to in executing the BN).例文帳に追加

ノード間関係としては、先行通知関係（どのＴＮが実行される場合にそのノードの下流に存在するどの別のノードが必ず実行されることになるか）、及び／又は、タスク依存分岐関係（ＢＮと、そのＢＮの実行において参照される変数値を出力するＴＮとの対応付け）がある。 - 特許庁

The software abnormality detection system 30 is provided with a processor engine group 31 in which a plurality of processor engines for software processing are mutually connected in parallel, and an interface 32 for inputting added individual abnormality detection data (bn) generated by processing input data (a) to the processor engine group 31 by the processor engine group 31 and then storing the inputted data (bn).例文帳に追加

ソフトウェアの異常検出システム３０は、ソフトウェア処理する複数のプロセッサエンジンを並列接続したプロセッサエンジン群３１と、このプロセッサエンジン群３１への入力データａが、プロセッサエンジン群３１にて処理して生成された加算個別異常検出データｂｎを入力してデータ保存するインターフェース３２とを具備する。 - 特許庁

In an exemplary embodiment, the present method includes the steps of preparing a polymer resin to be processed; blending particulate boron nitride (BN) and a fluorine-containing polymer with the polymer resin to prepare a resin blend; heating the resin blend to obtain a desired flowability value; and processing the resin blend into a desired shape.例文帳に追加

例示的実施形態においては、加工されるポリマー樹脂を準備するステップ、粒状窒化ホウ素（BN）およびフッ素含有ポリマーを上記ポリマー樹脂とブレンディングして樹脂ブレンドを準備するステップ、上記樹脂ブレンドを加熱して所望の流動性の値を得るステップ、および上記樹脂ブレンドを所望の形状に加工するステップからなる。 - 特許庁

If they approach their charging late stages and the internal impedances of part of the cells increase, the impedances of respective parallel circuits constituted of the battery cells B1 to Bn and the capacitors C1 to Cn are equalized, thus minimizing the terminal voltage of the respective battery cells B1 to Bn, namely, variances in charging voltage.例文帳に追加

充電末期に近づいて一部のセルの内部インピーダンスが増加した場合は、コンデンサＣ１〜Ｃｎに交流電流が流れるていため、バッテリセルＢ１〜ＢｎとコンデンサＣ１〜Ｃｎとで構成されている各並列回路のインピーダンスは均等化され、各バッテリセルＢ１〜Ｂｎの端子電圧、すなわち充電電圧のばらつきは、小さくなる。 - 特許庁

To provide a production process for BN, AlN or Si3N4 of high purity that gives very fine particles of products in no need of crushing without contamination of impurities from the heating material for ignition by permitting the combustion synthesis of BN, AlN or Si3N4 in the nitrogen atmosphere under the pressure lower than the prescribed one where the combustion synthesis has been regarded to be impossible.例文帳に追加

燃焼合成反応が行えないとされていた所定圧力以下の窒素雰囲気下でＢＮ、ＡｌＮ、Ｓｉ_3 Ｎ_4 の燃焼合成反応を可能とすることにより、粉砕しなくても微細な化合物粉末が得られ、しかも着火用の加熱部材からの不純物の混入もない、高純度のＢＮ、ＡｌＮ、Ｓｉ_3 Ｎ_4 を製造する方法を提供しようとするものである。 - 特許庁

When it is determined that the audio signals are similar (NO at S114), sound volume control processing BN is carried out on audio signals of one or more other channels and the audio signal of the center channel (116N), and all second controlled audio signals having the sound volume controlled through the sound volume control processing BN are output.例文帳に追加