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BNを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 397



例文

The implement for softening the lead glass is composed of 90 to 20 mass% sialon expressed by Si_6-zAlzOzN_8-z (where 1<z<4.2) and 10 to 80 mass% BN, and has a relative density of 55 to 95%.例文帳に追加

Si_6−zAlzOzN_8−z(但し、1<z<4.2)で表されるサイアロン90〜20質量%とBN10〜80質量%とからなり、相対密度55〜95%であること特徴とする鉛ガラス軟化用治具。 - 特許庁

Outputs of (n+1) sets of 2nd stage multiplexers BO-Bn are connected to (n+1) sets of input terminals of a 1st stage multiplexer A, and an output of the multiplexer A is given to an analog/digital converter 1.例文帳に追加

第1段マルチプレクサAのn+1個の入力端へn+1個の第2段マルチプレクサB_0〜B_nの出力を接続し、マルチプレクサA出力をA/D変換器1への入力とする。 - 特許庁

Further, if it is defined that the interval of light-emitting tubes is L and the distance between the light-emitting tubes and the uniformized sheet is D, the relation 2.5≤(ΣRn×An/Bn)×2D/L≤3 is satisfied.例文帳に追加

さらに、発光管の間隔をL、発光管と均一化シートとの距離をDとしたときに、2.5≦(ΣRn×An/Bn)×2D/L≦3の関係を満たすようにする。 - 特許庁

Denoting the Y-directional position of a base point (Bn) of each prism (Qn) of the prism array (100) as Yn and the X-directional position as Xn, Yn is on a curved line (shown by the dashed line in the figure) of a nonlinear function Y=f(X).例文帳に追加

プリズムアレイ(100)の各プリズム(Qn)の谷底点(Bn)のY方向の位置をYn、X方向の位置をXnとすると、YnはY=f(X)の非線型関数の曲線(図中一点鎖線で示す)の上にある。 - 特許庁

例文

The phase error detection circuit 7 includes a computing unit which calculates a ratio Cn (=An/2/Bn) of a sum An and a difference Bn relating to a signal level Xn, X_n-1 in continuous two sampling positions (n), (n-1) of the input signal.例文帳に追加

位相誤差検出回路7は、入力信号の連続する2つのサンプリング位置n,(n−1)における信号レベルXn、Xn−1について、それらの和Anと差Bnの比Cn(=An/2/Bn)を演算する演算器を備える。 - 特許庁


例文

Movement paths R1 to Rm of a traveling object of every moving section M1 to Mm to a start point A, a plurality of intermediate points B1 to Bn and a target point C are decided as follows.例文帳に追加

開始点A、複数の中間点B1〜Bn、および目標点Cまでの、各移動区間M1〜Mm毎の移動体3の移動経路R1〜Rmを、次のように定める。 - 特許庁

A dichroic mirror 35 is disposed movably forward and backward in a position where the optical path of the green broadband light Gn and the optical path of the blue narrowband light Bn nearly cross.例文帳に追加

緑色広帯域光Gnの光路と青色狭帯域光Bnの光路とが交差する位置に、ダイクロイックミラー35を進退自在に配置する。 - 特許庁

In the first element A, a cathode electrode layer comprising a dielectric oxide coating film 4, a solid electrolyte 5, and a conductive member 6 is provided on a connection surface of a valve action metal substrate 1 to a mounting substrate, and cathode parts b1 to bn are formed.例文帳に追加

第1の素子Aは、弁作用金属基体1の実装基板への接続面に誘電体酸化被膜4と、固体電解質5および導電性部材6からなる陰極電極層を設けて、陰極部b1〜bnを形成する。 - 特許庁

The entrusting persons B1 to Bn without having the melting and solidifying device puts the plastic wastes directly in a prescribed container 4a, and a treating entrepreneur 1 collects them in such states.例文帳に追加

溶融固化装置を持たない委託者B1〜Bnはプラスチック廃棄物を所定のコンテナ4aに直接入れ、この状態で処理事業者1が回収する。 - 特許庁

例文

When the homepage side counts the number of accesses to the pages A1, A2, A3,..., An in this way, the number of accesses from the advertisement media, that is, B1, B2, B3,..., Bn is recognized.例文帳に追加

これによって、ホームページ側でページA1、A2、A3、.....Anへのアクセス数を計数すれば、そのアクセス数がすなわち、広告媒体B1、広告媒体B2、広告媒体B3、......広告媒体Bnからのアクセス数となる。 - 特許庁

例文

It is preferable to use a SiC-BN compound sintered body in which a reduced amount after heating for six hours in a nitrogen gas at 1,400°C is 0.1 mass% or less and a blast resistant test shows 0.05 mass% or less for one test.例文帳に追加

1400℃の窒素ガス中で6時間加熱した後の減量が0.1質量%以下、かつ耐ブラスト性試験が0.05質量%/回以下のSiC−BN複合焼結体を用いることが好ましい。 - 特許庁

The heating element 30 has a resistor 32 formed on an insulating substrate 31 and energized to generate heat, and an insulating layer 33 protecting the resistor 32, and BN (boron nitride) fine powder is dispersed in the insulating layer 33.例文帳に追加

発熱体30は、絶縁基板31上に形成された、通電により発熱する抵抗体32と、抵抗体32を保護する絶縁層33とを有し、絶縁層33にBN(窒化ホウ素)微粉末を分散させた構成とした。 - 特許庁

The AlN-BN sintered body can be used as material for the melting tank in high frequency induction heating, since it is non-magnetic material having excellent insulation properties.例文帳に追加

AlN−BN焼結体は、絶縁性に優れた非磁性体であるので、高周波誘導加熱の際の溶融槽の素材として使用することができる。 - 特許庁

When the BN composition is used as a filler for a polymer compound by a level of90 wt%, thermal conductivity of35 W/Mk can be achieved.例文帳に追加

この窒化ホウ素組成物を90重量%以下のレベルでポリマーコンパウンドの充填材として使用すれば35W/Mk以下の熱伝導率を得ることができる。 - 特許庁

An n-side intermediate layer 12 and a p-side intermediate layer 14 of Al_aIn_bGa_1-a-bN (0<a≤0.2, 0<b≤0.2) are provided on both sides of an active layer.例文帳に追加

活性層の両側にAl_a In_b Ga_1-a-b N(0<a≦0.2,0<b≦0.2)により構成されたn側中間層12およびp側中間層14を備える。 - 特許庁

A relationship between a barrel temperature A of a kneading machine and a barrel temperature B of the kneading machine when not recycling the particulate toner satisfies 1.07B≤A≤1.46B, and a relation between a softening point Bn of the particulate toner obtained at this time and a softening point Sn of the particulate toner when not recycling the particulate toner satisfies Sn/Bn≤1.05.例文帳に追加

原材料を混合し、混練、冷却したのち、粉砕、分級してトナーを製造する一方、前記粉砕、分級工程で発生した微粉トナーを再利用するために、この微粉トナーを原材料とともに混合するトナー製造方法で、混練機のバレル温度をA、微粉トナーを再利用しない時の混練機のバレル温度をBとした場合のAとBとの関係が、1.07B≦A≦1.46B、であり、この時得られた微粉トナーの軟化点をBn、微粉トナーを再利用しない時の軟化点をSnとした場合BnとSnとの関係が、Sn/Bn≦1.05、であるトナーの製造方法。 - 特許庁

In the charger 101 which has an insulation substrate 11, a lower electrode 12 formed on the insulation substrate 11 and an SP^3 bonding nature BN film formed on the lower electrode 12 and performs electronic field emission from the SP^3 bonding BN film 14 by current control of the lower electrode 12, the lower electrode 12 is divided at predetermined distances and independently performs current control by the lower electrode 12.例文帳に追加

絶縁性基板11と、前記絶縁性基板11上に形成した下部電極12と、前記下部電極12上に形成したSP^3結合性BN膜14を有し、前記下部電極12の電流制御により、前記SP^3結合性BN膜14から電界放出を行う帯電器101において、前記下部電極12は、所定の間隔を有して分割し、当該下部電極12による電流制御を独立に行うことを特徴とする。 - 特許庁

The plasma image screen has a protection layer 5, made of the material with low electron affinity and high sputtering resistance, chosen from crystalline diamond, AlN, AlGaN, BN, or tetrahedral amorphous carbon, and a sealed gas contains more than 7 volume % xenon.例文帳に追加

プラズマ画像スクリーンが、結晶質ダイヤモンド、AlN、AlGaN、BN及び四面体非結晶質炭素の群から選択された、電子親和力が低く且つ耐スパッタリング性が高い材料から成る保護層5を有し、封入ガスが7容量%よりも多くの相対量のキセノンを含有すること。 - 特許庁

An output timing controller 114 supplies the packets in the buffer 110 at an interval depending on the byte value (a), the reference time information (b), a byte value Bn of an output byte counter 115, a transmission time Cn and the packet length of the packets to the decorder 5.例文帳に追加

出力タイミング制御器114はバッファ110のパケットを、バイト値a、基準時刻情報b、出力バイトカウンタ115のバイト値Bn、送出時刻Cn、当該パケットのパケット長で決まる間隔でデコーダ5へ供給する。 - 特許庁

A boron nitrate (BN) radiator and a high-density polyethylene (P) radiator are arranged side by side on an allyl-D glycol carbonate (ADC) plate piece as the solid for track detection, the three are coated integrally so as to be packaged airtightly, and a product is obtained.例文帳に追加

飛跡検出用固体であるアリル・ディ−グリコール・カーボネート(ADC)の板片上に、ボロン・ニトレート(BN)のラジエータと高密度ポリエチレン(P)のラジエータを併置して、三者を一体に被覆し気密的に包装して製品を得る。 - 特許庁

This heating element for metal vapor deposition is a ceramic containing titanium diboride (TiB_2) and / or zirconium diboride (ZrB_2) and boron nitride (BN), and an oxide layer containing Al and / or Si is formed at a portion where the molten metal is made to exist.例文帳に追加

二硼化チタン(TiB_2)及び/又は二硼化ジルコニウム(ZrB_2 )と窒化硼素(BN)とを含有してなるセラミックスであって、溶融金属を存在させる部位に、Al及び/又はSiを含む酸化物層が形成されてなることを特徴とする金属蒸着用発熱体。 - 特許庁

As the ceramic power, specifically, at least one selected from a group of alumina (Al_2O_3), zirconia (ZrO), titania (TiO_2), silica (SiO_2), magnesia (MgO_2), silicon carbide (SiC), boron nitride (BN), and aluminum nitride (AlN) is used.例文帳に追加

セラミックス粉としては、具体的にアルミナ(Al_2O_3)、ジルコニア(ZrO)、チタニア(TiO_2)、シリカ(SiO_2)、マグネシア(MgO_2)、炭化ケイ素(SiC)、窒化ホウ素(BN)および窒化アルミニウム(AlN)から成る群より選ばれた少なくとも1種が用いられる。 - 特許庁

The free-cutting stainless steel material for precise cutting is used for performing a shaping process by cutting at a micron meter level, and has such a structure that the free-cutting property giving material is made of h-BN particles and scattered in single state in the steel.例文帳に追加

ミクロンメーターレベルの切削による成形を行う精密加工用快削ステンレス鋼素材であって、前記快削性付与材がh−BN粒子であり、鋼中に単体状態で分散していることを特徴とする構成を採用した。 - 特許庁

Since a state of excessive inversion distribution of the optical amplifier 6 is solved by the optical pulse (Bn) arriving earlier at the optical amplifier 6, optical amplification working of the optical amplifier 6 for the back scattered light (B1-Bm) arriving later at the optical amplifier 6 is stabilized.例文帳に追加

光増幅器6に先に到着した光パルス(Bn)によって光増幅器6の過剰反転分布状態が解消されるため、光増幅器6に後から到着した後方散乱光(B1〜Bm)に対する光増幅器6の光増幅作用が安定する。 - 特許庁

A BN covering layer becomes a chemically stable phase at the interface between the SiC fiber and the boron carbide, the SiC fiber functions as a reinforcement material also against thermal stress under high temperature to prevent the sintering between both of them even in a sintering temperature region, and the crack of the composite sintered body can be effectively reduced.例文帳に追加

BN被覆層はSiC繊維と炭化ホウ素との界面で化学的安定相となり、焼結温度域でも両者間の焼結を防止するため、高温下での熱応力に対してもSiC繊維が強化材としての機能を発現でき、複合焼結体の割れを効果的に低減できる。 - 特許庁

The oxidation-proof protective layer containing B4C(boron carbide) as a main ingredient of protecting layer is formed on a surface of the carbon material by dispersing and suspending BN(boron nitride) fine particles in dispersion medium, the obtained suspension is applied to the surface of the carbon material and drying and baking it at a high temperature in an inert atmosphere.例文帳に追加

BN(窒化ほう素)粉体を分散媒中に分散、懸濁した後、得られた懸濁液を、炭素質材料の表面に塗布した後、乾燥し、不活性雰囲気下で、高温焼成することにより、炭素質材料の表面に、B_4C(炭化ほう素)を主成分とする耐酸化保護層を形成させる。 - 特許庁

The security reversible key with an assigned cylinder Z has a blocking groove BN with a coded blocking depth (B1, B2, B3), which runs parallel to the axis (x) of the key from the tip of the key to at least the first position (P1) of a row (A2) of tumbler pins on the key.例文帳に追加

割当てられたシリンダZを有するセキュリティ可逆キーは、コーディングされた阻止深さ(B1、B2、B3)を有する阻止溝BNを有し、これはキーの先端からキー上のタンブラピンの列(A2)の少なくとも第1の位置(P1)までキーの軸(x)に平行に走っている。 - 特許庁

As a plurality of the distributed power supplies that are operated in a manner of current control, there are used first kinds of the distributed power supplies A2 to An each having power accumulation equipment, and second kinds of the distributed power supplies B1 to Bn each having a solar battery 1 as generation equipment and not having the power accumulation equipment.例文帳に追加

電流制御運転される複数台の分散型電源として、蓄電設備を有する第1の種類の分散型電源A2〜Anと、発電設備として太陽電池1を備え且つ蓄電設備を有しない第2の種類の分散型電源B1〜Bnとを用いる。 - 特許庁

Transistor groups 15 and 16 are parallelly connected to either the transistors Tr2 and Tr3 of a differential head part 11 or the transistors Tr4 and Tr5 of a current mirror part 12 and transistors B1 to Bn and C1 to Cn which constitute the groups 15 and 16 are subjected to on-off control.例文帳に追加

差動ヘッド部11のトランジスタTr2,Tr3又はカレントミラー部12のトランジスタTr4,Tr5の何れか一方にトランジスタ群15,16を並列に接続するとともに、トランジスタ群15,16を構成するトランジスタB1〜Bn,C1〜Cnをオン・オフ制御する。 - 特許庁

The logical gate means NORn receives the secondary pulse Φn-1 of a preceding stage, and the primary pulse Bn of this stage which is supplied from the DFF-S/R and outputs the secondary pulse Φn of this stage, so as to rise after the secondary pulse Φn-1 of the preceding stage falls.例文帳に追加

論理ゲート手段NORnは、前段の二次パルスΦn−1とシフトレジスタDFF−S/Rより供給される当段の一次パルスBnとをその入力とし、前段の二次パルスΦn−1が立ち下がった後に、立ち上がるような当段の二次パルスΦnを出力する。 - 特許庁

The measurement computer 12 receives an activation signal from the activation photocoupler 14; detects the output voltage from each battery cell Bn; reads the temperature from the temperature sensor 16; and calculates the magnitude of the output voltage and the temperature, based on a reference voltage read from the reference voltage generating IC.例文帳に追加

起動フォトカプラ14からの起動信号を受けて、計測用コンピュータ12は、各電池セルBnの出力電圧を検出し、温度センサ16から温度を読み込み、基準電圧発生ICから読み込んだ基準電圧に基づいて出力電圧と温度の大きさの演算を行う。 - 特許庁

The material for forming the silver ion water comprises a porous ceramic obtained by synthesizing the material by firing a mixed raw material containing (1) at least one kind of Ti and Zr, (2) Ag and (3) at least one kind of C, B, BN and B_4C.例文帳に追加

(1)Ti及びZrの少なくとも1種、(2)Ag並びに(3)C、B、BN及びB_4Cの少なくとも1種、を含む混合原料を燃焼合成することにより得られる多孔質セラミックからなる銀イオン水生成用材料に係る。 - 特許庁

To provide a polycrystal c-BN cutting tool coated with CVD that can solve the problems of the adhesion strength, inter-layer peeling, and premature fault due to other decomposition paths of an α-alumina coating on a cemented carbide base.例文帳に追加

超硬合金基体上のα−アルミナコーティングは密着力の問題及び層間剥離および他の分解経路により、早期のコーティング障害を解決するCVDコーティングされた多結晶c−BN切削工具を提供する。 - 特許庁

Refractory material composed of <5 mass% C (graphite), 4-25 mass% BN (boron nitride) and 75-96 mass% ZrO_2 (zirconia) is used as a refractory material 1 in the slag line of the immersion nozzle for the continuous casting of steel.例文帳に追加

本発明品ノズルのスラグライン部の耐火材料1として、C(黒鉛):5質量%未満,BN(窒化硼素):4〜25質量%,ZrO_2(ジルコニア):75〜96質量%からなる耐火材料を用いた鋼の連続鋳造用浸漬ノズル。 - 特許庁

A compound having a naphthylmethyl (NAP) group instead of a conventional benzyl (Bn) group introduced to the compound is used as the protective group for the hydroxy group of a synthetic precursor of a new ciguatoxins (CTX3C) represented by the compound 8 of the formula.例文帳に追加

化合物8で表されるように、新規なシガトキシン類(CTX3C類)の合成前駆体の水酸基に対する保護基として、従来のベンジル(Bn)保護基に代わり、新たにナフチルメチル(NAP)基を導入した化合物を用いる。 - 特許庁

In the diamond semiconductor, a single-crystal diamond film 5 having a thickness of about 1-10 μm is formed on a single-crystal Si substrate 1 through a single-crystal c-BP layer 3 having a thickness of about 100 nm to 3 μm and a single-crystal c-BN layer 4 having a thickness of about 5-80 nm in this order.例文帳に追加

Si単結晶基板1上に厚さ100nm〜3μm程度のc−BP単結晶層3及び厚さ5〜80nm程度のc−BN単結晶層4を順に介在して厚さ1〜10μm程度のダイヤモンド単結晶膜5が形成されている。 - 特許庁

A groove bottom width d mm, a lead angle θ°, a ridge height h mm of the fin 3, a fin root width b mm, a bottom thickness to mm, and a number N of the grooves 2 are set so as to satisfy conditions of d>0.15, 0<θ<10, h>0.1, and bN/to>8.例文帳に追加

溝底幅d[mm]、リード角θ[°]、フィン(3)の山高さh[mm]、フィン根元幅b[mm]、底肉厚to[mm]、及び該溝(2)の条数Nを、d>0.15、0<θ<10、h>0.1、及びbN/to>8という条件を満たすように設定する。 - 特許庁

Highly graphitized carbon powder for a lithium secondary battery negative electrode is obtained by mixing a boron compound to carbon powder and conducting graphitization treatment, has a content of boron as boron nitride(BN) of 0.01-0.5 at.%, and a spacing of (002) planes (d002) as determined by X-ray diffraction of 0.3359 nm or less.例文帳に追加

ホウ素化合物を混合して黒鉛化処理して得た炭素粉末において、窒化ホウ素(BN)として存在するホウ素の含有量が0.01〜0.5at%であり、X線回折で求めた002面の面間隔d_002 が0.3359nm以下であるリチウム二次電池負極用高黒鉛化炭素粉末である。 - 特許庁

As a material of inner ring, outer ring, and a rolling element of a roller bearing, there is used compound sintered element which includes silicon nitride (Si_3N_4) and hexagonal boron nitride (h-BN), the content of which is5% and ≤50% in area ratio.例文帳に追加

転がり軸受の内輪、外輪、および転動体の材料として、窒化硅素(Si_3 N_4 )と六方晶窒化ホウ素(h−BN)とを含有し、六方晶窒化ホウ素の含有率が面積率で5%以上50%以下である複合焼結体を用いる。 - 特許庁

The personal computers B1 to Bn are provided with a recording device 6, a second group logical sector preparation processing part 8, a data block transmitting part 9, a second group logical sector restoration processing part 10, a file restoration processing part 11 and a data block transmitting/receiving part 12.例文帳に追加

パーソナルコンピュータB1〜Bnは、記録装置6と、第2群論理セクタ作成処理部8と、データブロック送信部9と、第2群論理セクタ復元処理部10と、ファイル復元処理部11と、データブロック送受信部12とを具備する。 - 特許庁

When selecting electrical characteristics in a wafer, normality/defectiveness is decided by contacting a probing needle with the wafer probing test pads A1, A3, ..., An-1 and the bonding pads B2, B4, ..., Bn which are not paired with the probing test pads A1, A3, ..., An-1.例文帳に追加

ウェーハでの電気的特性選別時は、ウェーハプロービングテスト用パッドA1,A3,……,An−1と、プロービングテスト用パッドA1,A3,……,An−1の対とならないボンディングパッドB2,B4,……,Bnとにプロービング針を接触させ良否判定を実施する。 - 特許庁

An A/D converter 34 converts an analog video signal B inputted in a no-signal state into a digital video signal BN in a no-signal state according to the H synchronizing signal A and the V-synchronizing signal A from the synchronization separator 35 and the clock A and outputs it to the signal superimposing unit 16.例文帳に追加

A/D変換部34は、無信号状態で入力されたアナログ映像信号Bを、同期分離部35からのH同期信号A、V同期信号AおよびクロックAにより、無信号状態のディジタル映像信号BNに変換し、信号重畳部16に出力する。 - 特許庁

An n-channel MISFET (Mn), a p-channel MISFET (Mp), an npn bipolar transistor (Bn) and a pnp bipolar transistor (Bp) are respectively formed on semiconductor insular regions, being electrically separated from each other by the grooves 11 and the layer 3.例文帳に追加

nチャネル型MISFET(Mn)、pチャネル型MISFET(Mp)、npn型バイポーラ・トランジスタ(Bn)およびpnp型バイポーラ・トランジスタ(Bp)のそれぞれは、上記U溝11と酸化シリコン層3とによって互いに電気的に分離された半導体島領域に形成されている。 - 特許庁

In this manufacturing method of the heating element for metal vapor deposition, after an alumina sol and / or a silica sol are applied to the portion where the molten metal of the ceramic containing the titanium diboride (TiB_2) and the boron nitride (BN) is made to exist, and the heating element is dried.例文帳に追加

二硼化チタン(TiB_2)及び/又は二硼化ジルコニウム(ZrB_2 )と窒化硼素(BN)とを含有してなるセラミックスの溶融金属を存在させる部位に、アルミナゾル及び/又はシリカゾルを塗布した後、乾燥することを特徴とする請求項1又は2記載の金属蒸着用発熱体の製造方法。 - 特許庁

The output circuit includes a main buffer circuit 1 for outputting differential output signals BP, BN according to a differential input signal DI from a pair of output terminals 31, 32, and a trimming circuit 2 for adjusting the impedances of the pair of output terminals 31, 32 according to control signals CS.例文帳に追加

本発明による出力回路は、差動入力信号DIに応じた差動出力信号BP、BNを出力端子対31、32から出力するメインバッファ回路1と、制御信号CSに応じて出力端子対31、32のインピーダンスを調整するトリミング回路2とを具備する。 - 特許庁

That is, when a temperature detected by a temperature sensor 24, or a temperature Tbat reaches the predetermined temperature due to the temperature rise of the battery or a battery unit B0 to Bn, the control unit 14 causes the limiting value to change according to an elapsed time from the point in time when the temperature of the battery reaches the predetermined time.例文帳に追加

より詳しく説明すると、制御部14は、バッテリ(すなわち電池ユニットB0〜Bn)の温度上昇によって、温度センサ24のよる検知温度(温度Tbat)が所定温度に達した場合に、バッテリの温度がその所定温度に達した時点からの経過時間に従って制限値を変化させる。 - 特許庁

The first and second inorganic fillers are each independently selected from the group comprising of Al_2O_3, SiO_2, BN, AlN, and Si_3 N_4, and the blending rates of the first and second inorganic fillers are 0.1 to 7 wt.% and 80 to 95 wt.% respectively.例文帳に追加

第1及び第2の無機フィラーは、互いに独立して、Al_2O_3、SiO_2、BN、AlN及びSi_3N_4からなる群から選択される少なくとも1つであり、絶縁材における第1及び第2の無機フィラーの配合割合は、それぞれ、0.1〜7重量%及び80〜95重量%である。 - 特許庁

Respective words are extracted from an input character string A consisting of m words from a word a1 up to a word am and a comparing character string B consisting of n words from a word b1 up to a word bn, and the distance t(ai, bj) between respective words is found out by referring to a synonym dictionary 36 or the like.例文帳に追加

単語a1から単語amまでm個の単語からなる入力文字列Aおよび単語b1から単語bnまでn個の単語からなる対比文字列Bから、各単語を抽出し、類義語辞書36の参照等により各単語間の距離t(ai,bj)を求める。 - 特許庁

The modular battery comprises a battery set of a plurality of secondary batteries B1, B2, B3,... Bn connected in series, and a battery voltage detecting circuit comprising an operational amplifier IC3, multiplexers IC4, IC5, a microcomputer IC6 and resistors R12-R17.例文帳に追加

モジュール電池は、複数個の二次電池B1、B2、B3、・・・Bnが直列に接続された組電池と、オペアンプIC3、マルチプレクサIC4及びIC5、マイコンIC6及び抵抗R12〜R17で構成された電池電圧検出回路と、を備えている。 - 特許庁

例文

Based on the identification result of the part identifying unit 57, a CPU 54 of the processor device 12 controls the broadband light source 30 and the blue LD 31 so that the broadband light beam BB and the B-narrowband light beam Bn are emitted at the light quantity ratio predetermined for each kind of part to be observed.例文帳に追加

プロセッサ装置12のCPU54は、部位判別部57の判別結果に基づき、広帯域光BB及びB狭帯域光Bnが被観察部位の種類毎に予め定められた光量比で出射されるように、広帯域光源30及び青色LD31を制御する。 - 特許庁

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