「ＢＮ」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

A delay unit 2 and an adaptive filter 3 delay a microphone input signal y(n) to generate a sine component b(n)=sin(ω0*t+θ'+θ") delayed from the howling component sin(ω0*t+θ) by 2nπ and a subtractor 4 is used to subtract the component bn from the microphone input signal y(n) to suppress the howling.例文帳に追加

マイク入力信号ｙ(n)を遅延器２と適応フィルタ３により遅延して、ハウリング成分sin(ω0*t+θ)より２ｎπだけ遅延したsin成分(ω0*t+θ'+θ")＝ｂ(n)を生成し、これを減算器４によりマイク入力信号ｙ(n)から差し引くことによりハウリングを抑制する 。 - 特許庁

A kind of compound of B, C and N including BN, GaN, Si3N4, TiC, B4C and the like, some kinds of oxides including TiO2, Al2O3, MgO and the like and some dielectrics including SrTiO3 and the like can be used for it, and diamond-like carbon(DLC) or diamond particles can be used as well.例文帳に追加

ＢＮ、ＧａＮ、Ｓｉ_3Ｎ_4、ＴｉＣ、Ｂ__4Ｃ等を含むＢ、Ｃ、Ｎの化合物の一種、ＴｉＯ_2、Ａｌ_2Ｏ_3、ＭｇＯ等を含む酸化物の数種及び、ＳｒＴｉＯ_3等を含む強誘電体の幾つかが使用でき、またダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）又はダイヤモンド粒子も使用可能である。 - 特許庁

The basic screen changing means 38 are operated in such a state where any of the basic screens B is displayed and the basic screen B of the next order is displayed on the monitor A, based on regularity that three or more basic screens B1, B2... Bn are rotated and displayed in a predetermined order.例文帳に追加

いずれかの基本画面Ｂが表示されている状態で基本画面変更手段３８を操作することで、３つ以上の基本画面Ｂ１、Ｂ２……Ｂｎがあらかじめ決められた順番で循環して表示されるという規則性に基づいて次の順番の基本画面ＢがモニターＡに表示される。 - 特許庁

A packet demultiplexer circuit 21 of a transmitter side assigns packets with PID=a1-b1 of a received packet data stream to a transmission channel #1, assigns packets with PID=a2-b2 of the received packet data stream to a transmission channel #2, and similarly assigns packets with PID=aN-bN of the received packet data stream to a transmission channel #N.例文帳に追加

送信側で、パケット分離回路２１により、入力パケットデータ系列のうち、ＰＩＤ＝ａ_1 〜ｂ_1 のパケットを伝送チャンネル＃１に、ＰＩＤ＝ａ__2 〜ｂ_2 のパケットを伝送チャンネル＃２に、同様にして、ＰＩＤ＝ａ_N 〜ｂ_Nのパケットを伝送チャンネル＃Ｎに割り当てる。 - 特許庁

When the purity of Na is 99%; the purity of Ga is 99.9999%; the purity of nitrogen gas is 99.999%; and the material of the mixed melt holding container 102 is a BN as a sintered compact, a solid substance 110 has a shape with a hole 111 perforated in a part thereof.例文帳に追加

ここで、Ｎａの純度が９９％、Ｇａの純度が９９．９９９９％、窒素ガスの純度が９９．９９９％、混合融液保持容器１０２の材質が焼結体のＢＮの場合には、固体物１１０は一部に穴１１１が開いたような形状となる。 - 特許庁

A developing device 2 to use a developer 3 having a magnetic tonner 3a has a developing magnetic pole P_1 inside a developing sleeve 4 and is configured so that the attenuation factor or normal direction magnetic flux density Bn to be generated outside the surface of the developing sleeve is set to be ≥50% by that developing magnetic pole.例文帳に追加

磁性トナー３ａをもつ現像剤３を用いる現像装置２は、現像スリーブ４の内部に現像磁極Ｐ１をもち、その現像磁極により現像スリーブ表面外側に発生する法線方向磁束密度Ｂｎの減衰率が５０％以上となるように構成されている。 - 特許庁

By a display processing part 16 installed at the processing means 13, the peak value of the X-ray transmission level to be output from the X-ray detector 9 is displayed on a region D1 by bars R1 to Bn whose heights correspond to the X-ray transmission level in a plurality of places in the longitudinal direction of the specimen 2.例文帳に追加

処理手段１３に設けられる表示処理部１６は、Ｘ線検出器９から出力されるＸ線透過レベルのピーク値を被検査物２の長さ方向の複数箇所でＸ線透過レベルに対応した高さのバーＢ１〜Ｂｎで領域Ｄ１に表示する。 - 特許庁

Multi-beam formers (2) 7 form a plurality of reception signal beam patterns B1 to BN for angle measurement aligned simultaneously and parallel in an angle direction based on reception signals held in a memory 3 to output the reception signals for each of angles corresponding to respective beams.例文帳に追加

マルチビーム形成器（２）７は、メモリ３に保持されている受信信号から同時並列に角度方向に並べた複数の測角用受信ビームパターンＢ１〜ＢＮを形成し、各ビームに対応した角度毎に受信信号を出力する。 - 特許庁

One of the key tables 2-a1-2-bn corresponding to the operated key and the selected function mode is selected by referring to the key function mode table based on the operated key and the selected function mode so that processing described in the key table can be executed.例文帳に追加

操作されたキーと選択された機能モードとに基づいて前記キー機能モードテーブルを参照し、キーテーブル２−_a1〜２−_bnの内の操作されたキーと選択された機能モードに対応する１つが選択され、そのキーテーブルに記述された処理が実行される。 - 特許庁

To provide a hexagonal boron nitride (h-BN) sintered compact which is manufactured without using a sintering aid and has high density such as a relative density of ≥90% and high mechanical strength such as bending strength of ≥100 MPa, and its manufacturing method.例文帳に追加

本発明は、焼結助剤を用いることなく製造された六方晶窒化ホウ素（ｈ−ＢＮ）の焼結体であって、その相対密度が９０％以上と高密度であり、かつ、曲げ強度が１００ＭＰａ以上と高い力学的強度を有する焼結体、およびその製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

A contribution calculation part 7 calculates contributions of the values of the random variables of the parent nodes with the random variable values unfixed to the occurrence of a predetermined value of a random variable of a child node, according to the calculations by the BN inference part 6.例文帳に追加

寄与度計算部７はＢＮ推論処理部６による計算結果をもとに、確率変数の値が確定していない親ノードの当該確率変数の値が子ノードの確率変数の予め定められた値の発生有無に与える寄与度を計算する。 - 特許庁

Each block B1 to Bn comprises a detector of alarm change point 1, a register 2 to set front protect time Ts and rear protect time Tr, a protect time selector 3, a first latch 4, an accumulator 5, a monitoring circuit 6, and a second latch 7.例文帳に追加

各ブロックＢ１〜Ｂｎは、アラームの変化点検出器１、前方保護時間Ｔｓおよび後方保護時間Ｔｒを設定するレジスタ２、保護時間セレクタ３、第１ラッチ４、加算器５、監視回路６および第２ラッチ７より構成される。 - 特許庁

The high thermal conductive vanish 165 contains a high thermal conductive filler, boron nitride (BN), aluminum nitride (AlN), silicon nitride (Si3N4), aluminum oxide (Al2O3), magnesium oxide (MgO), zinc oxide (ZnO), strontium titanate (SrTiO3), titanium dioxide (TiO2), silica (SiO2) or diamond (C).例文帳に追加

この高熱伝導性ワニス１６５は高熱伝導性フィラー、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、シリカ（ＳｉＯ２）、またはダイアモンド（Ｃ）を含む。 - 特許庁

A phase controlling part 50 varies the phase of the component corresponding to the frequency BN specified by the frequency specifying part 40 of the spectrum QB of each frame after the processing by the noise suppressing part 30, by a variation amount set by the variation amount setting part 52 for the frame.例文帳に追加

位相制御部５０は、雑音抑圧部３０による処理後の各フレームのスペクトルＱBのうち周波数特定部４０が特定した周波数ＢNに対応した成分の位相を、変化量設定部５２が当該フレームについて設定した変化量だけ変化させる。 - 特許庁

This SiC structure has the honeycomb structure and has the core material 1 comprising the SiC/Si composite material and a surface board 2 comprising an SiC material which is set at least on one side of the core material 1, and on the inner wall of the honeycomb structure 3 of the core material 1, a BN layer 4 exists.例文帳に追加

ハニカム構造を有し、ＳｉＣ−Ｓｉ複合材料からなるコア材１と、コア材１の少なくとも一方側に設けられ、ＳｉＣ質材料からなる表面板２とを有するＳｉＣ質構造体であって、コア材１のハニカム構造部３の内壁にＢＮ層４を有する。 - 特許庁

The solid lubricating film as the 2nd layer is an MoS2 film, a WS2 film, an NbS2 film, a mica film, an Sb203 film, a BN film, a WSe film, an MoSe2 film, an Au film or an Ag film formed by an ion plating method, sputtering method or a shot peening method.例文帳に追加

第２層の固体潤滑膜は、イオンプレーティング法、スパッタリング法か、ショットピーニング法によって形成された、ＭｏＳ_2膜、ＷＳ_2膜、ＮｂＳ_2膜、雲母膜、Ｓｂ_2Ｏ_3膜、ＢＮ膜、ＷＳｅ膜、ＭｏＳｅ_2膜、Ａｕ膜、または、Ａｇ膜である。 - 特許庁

A metal/insulator thin film heterostructure is used for a cold- cathode material forming a field emission element, one of diamond, AIN, and c-BN is used for an insulator layer, and one of Cu, Sn-Pb, Al, Ag, Au, W is used for a metal layer.例文帳に追加

電界放出素子を構成する冷陰極材料に金属／絶縁体薄膜ヘテロ構造を用いるにあたり、絶縁体層としてダイヤモンド、ＡｌＮ、ｃ−ＢＮのいずれか一種を用い、金属層としてＣｕ、Ｓｎ−Ｐｂ，Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｗのいずれか一種を用いる。 - 特許庁

The metal-evaporating heater has a plurality of flutes which are arranged in not a parallel direction to a passing current direction and have significantly different depths, on the top face of a ceramic sintered compact containing titanium diboride (TiB_2) and/or zirconium diboride (ZrB_2), and boron nitride (BN).例文帳に追加

二硼化チタン（ＴｉＢ_２）及び／又は二硼化ジルコニウム（ＺｒＢ_２ ）と窒化硼素（ＢＮ）を含有してなるセラミックス焼結体の上面に、通電方向と平行でない方向に、溝の深さに有位差をつけて複数の溝を設けてなることを特徴とする金属蒸発発熱体。 - 特許庁

The grindstone body 2 consists of the super-abrasive grains 4 like diamonds, cBN, etc., the ceramic fillers like SiC, h-BN, etc., and the fillers 5, whose grain diameters are smaller than those of the super-abrasive grains, dispersed in a metallic bond layer 3 containing Ni, Co, alloys, etc.例文帳に追加

砥石本体２を、ＮｉやＣｏ或いはそれらの合金等からなる金属結合相３内に、ダイヤモンドやｃＢＮ等の超砥粒４と、ＳｉＣやｈ−ＢＮ等のセラミックスのフィラー、その他超砥粒よりも粒径の小さいフィラー５とを分散配置して形成する。 - 特許庁

A memory managing information storage part 3 of a central processing unit 1 stores memory managing information Bn on storage management of data An of a unit smaller than an erasing unit that a data storage part 2 stores in a nonvolatile memory 6, in the nonvolatile memory 6.例文帳に追加

中央演算処理装置１の記憶管理情報記憶部３は、データ記憶部２が不揮発性メモリ６に記憶する、消去単位より小さい単位のデータＡｎの記憶管理に関する記憶管理情報Ｂｎを不揮発性メモリ６に記憶する。 - 特許庁

Therefore, almost equal magnetic fluxes (five strings in Figure) are inputted to the environmental magnetic field (external magnetic fluxes) BN such as the geomagnetism arriving widely and uniformly, while signal magnetic fluxes BS (nine strings in the Figure) originated from the living body are absorbed into the element 301a nearer to the living body and dispersed from the outlet of a magnetic permeable route.例文帳に追加

したがって、地磁気などの広範に均等に到来する環境磁場（外部磁束）ＢＮに対してはほぼ等しい磁束（図では各５本）が入力するのに対して、生体からの信号磁束ＢＳは、生体に近い方の素子３０１ａに磁束（図では９本）を吸収され、透磁路の出口で発散する。 - 特許庁

In succession, sintering-resisting material slurry 33 containing BN or the like is applied on the surface of the electrode precursor layer 20a and dried out into a sintering-resistant material layer 34, and then the precursor chip 10a and electrode precursor layer 20a are baked at the same time.例文帳に追加

続いて、電極前駆体層２０ａの表面にＢＮなどを含む難焼結材スラリー３３を塗布して乾燥させ、難焼結材層３４を形成したのち、前駆体チップ１０ａと電極前駆体層２０ａとを同時に焼成する。 - 特許庁

For the plasma display panel having a plurality of discharge cells, separated by a separation wall 8 formed on a substrate 5, having a phosphor layer 90 at its inside, the phosphor layer 90 is made of a mixture of phosphor particles enabled to excite at least by ultraviolet ray, and fine particles of TiO_2 or BN.例文帳に追加

基板５上に形成された隔壁８によって区画され、内面に蛍光体層９０を有する複数の放電セルを備えたプラズマディスプレイパネルであって、蛍光体層９０は、少なくとも紫外線によって励起する蛍光体粒子９０ａと、ＴiＯ__２又はＢＮ微粒子９０ｂとを混合させたものとする。 - 特許庁

The combustion synthesis is initiated by irradiating the starting boron powder, aluminum powder or silicon powder with the laser of a wavelength longer than 770 nm with the output power of 0.5-500 watts in a nitrogen atmosphere under ≤10, ≤2 and ≤30 atmospheric pressure, individually, thereby producing BN, AlN or Si3N4.例文帳に追加

出力を０．５Ｗ〜５００Ｗで７７０ｎｍよりも長い波長を有するレーザーを原料粉末に照射することにより、ボロン粉末、アルミニウム粉末、シリコン粉末を、それぞれ、１０気圧以下、２気圧以下、３０気圧以下の窒素雰囲気で燃焼合成反応を開始させて、ＢＮ、ＡｌＮ、Ｓｉ_3 Ｎ_4 を製造するようにした。 - 特許庁

This device has an opening 32 formed on an underlying substrate 10, an insulating barrier layer 34 for prevention of Cu diffusion, and an electrically conductive layer 36 comprising a Cu layer formed inside the opening 32, wherein the insulating barrier layer 34 is either of a silicon base insulating layer containing carbon and fluorine, an organic film, or a C-axis-oriented BN(boron nitride) film.例文帳に追加

下地基板１０上に形成され、開口部３２を有し、Ｃｕの拡散を防止するバリア絶縁層３４と、開口部３２内に形成されたＣｕ層より成る導電層３６とを有し、バリア絶縁層３４は、炭素とフッ素とを含むシリコン系絶縁層、有機膜、又はＣ軸方向に配向されたＢＮ膜のいずれかである。 - 特許庁

In a computer system 1 having a plurality of functional boards B1 to Bn, the functional board B1 is set in a central functional board, and when any failure is generated in the functional board Bm, the functional board B1 being the central functional board is notified of the result by the functional board Bm, and the error board is specified and recorded in an error board register D1.例文帳に追加

複数の機能ボードＢ１〜Ｂｎを有するコンピュータシステム１において、機能ボードＢ１を代表機能ボードに設定し、機能ボードＢｍに障害が発生した場合には、機能ボードＢｍが代表機能ボードである機能ボードＢ１に通知し、エラーボードレジスタＤ１にエラーボードを特定して記録する。 - 特許庁

In this metal bond diamond lapping surface plate, metal bond comprising a soft metal phase of Cu-Sn alloy, comprising 45-65 wt.% of Cu, and Sn for the rest, and soft particles of 1 or 2 kinds of more selected from MoS_2, Cr_2O_3, h-BN, graphite, etc., dispersed in the soft metal phase is used.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｓｎ系合金からなり、Ｃｕが４５〜６５重量％、残量がＳｎからなる軟質金属相と、軟質金属相に分散されている、ＭｏＳ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ｈ−ＢＮ及び黒鉛等から選択された１種類または２種類以上の軟質粒子からなるメタルボンドを用いたメタルボンドダイヤモンドラップ定盤を用いる。 - 特許庁

Further, the video feature detecting part 4 totals residual values between the reference block Bn and a search block Bm in the block matching processing about all detection target points Pn in each frame interval to generate a fade/cut evaluation value, and detect the features of a video editing system on the basis of the fade/cut evaluation value.例文帳に追加

また、映像特徴検出部４は、ブロックマッチング処理における基準ブロックＢｎと探索ブロックＢｍとの間の残差値を、各フレーム間隔において全ての検出対象点Ｐｎについて合計してフェード／カット評価値を生成し、当該フェード／カット評価値を基に映像編集系特徴を検出する。 - 特許庁

In this case, the video feature detection part 4 judges whether or not moving quantity Vn and the residual value En between the reference block Bn and the searched search block Bm exceed respective prescribed values, and when the moving amount Vn and the residual value En exceed respective threshold, the detection data of the search block Bm is not adopted to motion vector estimation processing.例文帳に追加

この際、映像特徴検出部４は、基準ブロックＢｎと、探索された探索ブロックＢｍとの間の移動量Ｖｎ及び残差値Ｅｎがそれぞれ所定の各閾値を超えたか否かを判断し、移動量Ｖｎ及び残差値Ｅｎが各閾値を超えた場合には、当該探索ブロックＢｍの検出データを上記動きベクトル推定処理に採用しないようにする。 - 特許庁

When a transmitting terminal 1 divides a file into packets and transmits them to a receiving terminal 2 through a one-way transmission line 3, an attribute information generation unit 12 generates attribute information containing data for specifying the number of bits of a block number BN field and a sequence number Sn field in the header information.例文帳に追加

送信端末１が、ファイルをパケットに分割して一方向伝送路３を介して受信端末２へ送信する際に、属性情報生成部１２は、ヘッダ情報内におけるブロック番号ＢＮフィールド及びシーケンス番号ＳＮフィールドのビット数を特定するためのデータを含む属性情報を生成する。 - 特許庁

A first insulating layer 41 made of AlN, BN, SiC or GaN and a second insulating layer 42 made of AlNOx, BNOx, SiO2 or GaNOx of which film thickness is 0 nm or more and 10 nm or less are formed between the first light emitting element 20 and the second light emitting element 30.例文帳に追加

この第１の発光素子と２０第２の発光素子３０との間には、ＡｌＮ、ＢＮ、ＳｉＣまたはＧａＮを含んで構成された第１絶縁層４１と、ＡｌＮＯｘ、ＢＮＯｘ、ＳｉＯ２またはＧａＮＯｘを含んで構成されると共に膜厚が０ｎｍより大きく１０ｎｍより小さな第２絶縁層４２とが形成されている。 - 特許庁

In the assigned cylinder, at least at the rearmost coding position (P1), a pair of tumbler pins corresponding to the blocking groove BN with a blocking tumbler pin BZ and an extended blocking counter pin BG are provided, whereby the blocking counter pin BG impinges on the cylinder housing (10), when the blocking groove is insufficiently deep.例文帳に追加

割当てられたシリンダにおいて、少なくとも最後部コーディング位置（Ｐ１）において、阻止タンブラピンＢＺおよび延長された阻止カウンタピンＢＧを有する阻止溝ＢＮに対応する１対のタンブラピンが設けられ、阻止カウンタピンＢＧは阻止溝が不十分な深さである場合にシリンダハウジング（１０）上に当たる。 - 特許庁

To improve operability in a camera apparatus system including: a plurality of operation terminal apparatuses B1 to Bn; one or more apparatuses A1 to Am to be controlled; and a control right arbitrator 1 for managing the control right of the apparatuses to be controlled wherein the operating terminal apparatus having the control right of each apparatus to be controlled controls each apparatus to be controlled.例文帳に追加

複数の操作端末装置Ｂ１〜Ｂｎと、１又は複数の被操作装置Ａ１〜Ａｍと、被操作装置の制御権を管理する制御権調停装置１を有し、各被操作装置の制御権を有する操作端末装置が当該各被操作装置を制御するカメラ装置システムで、操作性を向上させる。 - 特許庁

In an R-2R resistor circuit network 12, a path where each branched current is made to flow to an integrator capacitor 14 of the next stage and a path where each branched current is made to flow to a low-impedance analog midpoint (ground potential) Vss, and a path can be selected for each branched current by digital control bit data Bn-B_0.例文帳に追加

Ｒ−２Ｒ抵抗回路網１２では、各分岐電流がそれぞれ次段の積分器容量１４に流れる経路と低インピーダンスアナログ中点（グラウンド電位）Ｖｓｓに流れる経路があり、各分岐電流ごとにディジタルコントロールビットデータＢｎ〜Ｂ_0 によって経路選択が可能となっている。 - 特許庁

The remote control device transmits clock information that a remote control clock 1 was moved forward by a predetermined time to a plural of data collecting devices B (B1 to Bn) via a network communication wire C to move the built-in clock 7 (7A to 7n) forward by a predetermined time, when a winter time onset discriminating means 2 detects the onset time of the winter time.例文帳に追加

ウィンタータイム開始判定手段２がウィンタータイム開始時刻を検知した場合、遠隔制御装置時計１を所定時間遅らせた時計情報をネットワーク通信線Ｃを介して複数台のデータ収集装置Ｂ（Ｂ１、・・・、Ｂｎ）に送信し、内部時計７（７Ａ、・・・、７ｎ）を所定時間遅らせるものである。 - 特許庁

Supply processes Bn and Cn in suppliers B and C are set at the same span as that of an order process An by shifting the span, forward from the order process An, by lead times t1 and t2, with the time required for manufacturing the articles and a storage time for the inputted order process An and an order amount Xn in the orderer A taken into account.例文帳に追加

入力された発注元Ａの発注工程Ａｎとその発注量Ｘｎに対して物品を生産するのに要する時間や保管時間などを考慮したリードタイムｔ１、ｔ２だけ発注工程Ａｎより前にズラして発注工程Ａｎと同一のスパンとして供給元Ｂ，Ｃの供給工程Ｂｎ，Ｃｎを設定する。 - 特許庁

A system 12 comprises a plurality of transformers/ rectifier circuits 34, electrically connected to a plurality of cells B1, B2, Bn to preferentially carge one cell of a plurality of the cells with a charge having the lowest condition and one or more current limiters 36, connected to plurality of the transformers/rectifier circuits 34 and a power sorce 38.例文帳に追加

システム12は、電源38と、複数のセルＢ1 ，Ｂ2 ，Ｂn に電気的に結合されて充電が最低状態を有する複数のセルの１つのセルを優先的に充電する複数の変成器／整流器回路34と、複数の変成器／整流器回路34および電源38に結合されている１以上の電流制限装置36とを具備している。 - 特許庁

The BN-AlN-based composite sintered compact is manufactured by filling a die with a mixed powder A containing boron nitride, aluminum nitride, and aluminum, around which a mixed powder B containing the same components but with a higher content of aluminum than the mixed powder A is placed, and sintering by a hot press.例文帳に追加

窒化硼素、窒化アルミニウム及びアルミニウムを含有する焼結用混合粉末Ａを、その周囲に、該焼結用混合粉末Ａよりもアルミニウム含有量の多い上記成分を含有する混合粉末Ｂを配してダイスに充填し、ホットプレス焼結をすることを特徴とするＢＮ−ＡｌＮ系複合焼結体の製造方法。 - 特許庁

In the ceramic heating resistor having a heating resistive element made by containing BN or silicon nitride as a main conductive component and a lead part for supplying power to the heating resistive element buried in nitride ceramics, the conductive component is structured of flake-form crystal grains with an average contact length between them of 2 μm or more.例文帳に追加

窒化物セラミックス内に、導電成分を主成分としてＢＮ又は窒化珪素を含有してなる発熱抵抗体及び該発熱抵抗体に電力を供給するリード部を埋設したセラミックヒータにおいて、前記導電成分はフレーク状の結晶粒子から構成されており、該結晶粒子同士の平均接触長さが２μｍ以上であることを特徴とする。 - 特許庁

This free-cutting steel has a composition comprising 50-150 ppm B, 70-200 ppm N, 3-50 ppm solution B which is determined by the expression (1), solution B=B-(N/1.7),例文帳に追加

成分組成として、B:50〜150ppm、N:70〜200ppm、下記（１）式による固溶B：3〜50ppmを含有し、好ましくはC:0.01〜1.2mass%、Si: 0.10超え1.5mass%以下、Mn: 0.3〜2.0mass%、S:0.015超え0.2mass%以下、Al:0.01〜0.1mass% 、更に、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｐｂ、Ｃａ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔｉの一種または二種以上の鋼で、鋼中介在物として、1ｍｍ^２あたりに、円相当径で10μｍ以上のBN介在物50個以上と円相当径で3μｍ以下の微細硫化物500個以上を共に有する。 - 特許庁

The bis(μ-oxo)binuclear copper(III) complex using the cyclohexanetriamine derivative is synthesized by using the cyclohexanetriamine derivative cis,cis-1,3,5-tris(R-amino)cyclohexane (R_3 TACH) (wherein, R is a Bn or an iBu) composed of a secondary amine having the R_3 TACH in which hydrogen atoms form hydrogen bonding to the μ-oxo as a ligand.例文帳に追加

水素原子がμ−オキソと水素結合することができるＲ_３ ＴＡＣＨを有する二級アミンで構成されたシクロヘキサントリアミン誘導体ｃｉｓ， ｃｉｓ^− １，３，５−Ｔｒｉｓ（Ｒ−ａｍｉｎｏ）ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｅ（Ｒ_３ ＴＡＣＨ：Ｒ＝Ｂｎ，ｉＢｕ）を配位子として用い、合成したことを特徴とするシクロヘキサントリアミン誘導体を用いたビス（μ−オキソ）二核銅（ＩＩＩ） 錯体。 - 特許庁

The equipment that utilizes title key Kt holds an encryption media key Enc_Km corresponding to a media key Km and separately protected (ST250), relating to a method for generating a protected area key Kpa based on the media key Km and random number data BN, while generating the title key Kt used for encrypting or decrypting contents based on a title key file TKF containing a decrypted title key Kte and the protected area key Kpa.例文帳に追加

メディアキーＫｍと乱数データＢＮからプロテクテッドエリアキーＫｐａを生成し、暗号化されたタイトルキーＫｔｅを含むタイトルキーファイルＴＫＦとプロテクテッドエリアキーＫｐａから、コンテンツの暗号化または復号化に用いるタイトルキーＫｔを生成する方法において、タイトルキーＫｔを利用する機器に、メディアキーＫｍに対応する独自保護された暗号化メディアキーＥｎｃ＿Ｋｍを保持する（ＳＴ２５０）。 - 特許庁