「Capacitance type」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

Therefore, the junction capacitance of the MOS transistor can be reduced, because a source region and a drain region having required concentrations and depths can be formed in the N-type MOS transistor region of the substrate 1.例文帳に追加

したがって、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ領域には必要な濃度及び深さのソース及びドレイン領域を形成でき、接合容量の低減を図ることができる。 - 特許庁

To provide a capacitance detection type sensor hardly generating disconnection of wiring caused by electrostatic discharge, capable of acquiring a detection signal having high resolution and a high S/N ratio.例文帳に追加

静電気放電による配線の断線が生じにくく、なおかつ、高い分解能、Ｓ／Ｎ比の大きい検出信号が得られる静電容量検出型センサを提供する。 - 特許庁

To provide an input device for achieving various inputs by using a capacitance type input pad without making it necessary to switch the conditions of the mode setting of driver software.例文帳に追加

ドライバソフトのモード設定の条件を切換える必要なく、静電容量式の入力パッドを用いて多様な入力ができる入力装置を提供する。 - 特許庁

It is therefore possible to reduce effects to detected data D and provide the electrostatic capacitance type detecting device having heightened coordinate detection precision.例文帳に追加

よって、検出されるデータＤに与える影響を小さくでき、座標の検出精度を高めた静電容量式の検出装置を提供することが可能となる。 - 特許庁

To enable self-diagnosis of a capacitance type semiconductor dynamic quantity sensor for detecting dynamic quantities exerted in directions which intersect with the surface of a substrate at right angles.例文帳に追加

基板の表面に直交する方向に加わる力学量を検出する容量式の半導体力学量センサにおいて自己診断を行うことができるようにする。 - 特許庁

To provide a reflection type liquid crystal display device having lowered contact resistance of a reflection electrode and a drain electrode with a common capacitance electrode and high reflectance.例文帳に追加

反射電極とドレイン電極及び共通容量電極とのコンタクト抵抗を低下させ、且つ反射率の高い反射型の液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electrostatic capacitance type acceleration sensor capable of acquiring a sufficient S/N ratio and preventing short circuits between a fixed electrode and a movable electrode.例文帳に追加

十分なＳ／Ｎ比を得ることが可能であり且つ固定電極と可動電極との短絡を防止することができる静電容量型加速度センサを提供する。 - 特許庁

To achieve high-speed response characteristic by reducing the parasitic capacitance of a wiring to the top of mesa in a semiconductor device such as an element for optical communication having a mesa-type photodiode.例文帳に追加

メサ型のフォトダイオードを有する光通信用素子等の半導体装置において、メサ上部への配線の寄生容量を低減し、応答特性の高速化を図る。 - 特許庁

To provide a capacitance type sensor capable of inhibiting defect of a stationary electrode and movable electrode as well as inhibiting the melt welding between the stationary electrode and movable electrode.例文帳に追加

固定電極と可動電極の溶着を防止すると共に、固定電極と可動電極の損傷を防止することができる静電容量型センサを提供すること。 - 特許庁

To provide a capacitance type moisture quantity sensor free from production of a residual sediment and blocking of flow, and not requiring a structure which becomes a factor of increase of the manufacturing cost.例文帳に追加

残留堆積物の発生や流れの阻害が無く、製作コストの上昇の要因となる構造が不要な静電容量式水分量センサを提供することにある。 - 特許庁

When a capacitance measurement type proximity sensor is used as the water detection sensor, even if a non-metallic substance lies between water and the sensor, the presence or absence of water can be detected without making contact.例文帳に追加

水検知センサとして静電容量測定型の近接センサを用いれば、非金属物質が間に介在しても非接触で水の有無を検知できる。 - 特許庁

To provide an inclination angle sensor of static capacitance type, the detection precision of which can be highly maintained and also reduction of response speed is never occurred, in addition capable of being economically manufactured.例文帳に追加

検出精度が高く維持されるとともに、応答速度の低下を生じず、しかも、安価に製造できる静電容量式傾斜角度センサを提供すること。 - 特許庁

To provide a capacitance type touch panel for surely detecting a touch input regardless of a scale of a contact area of a touch object to a touch face.例文帳に追加

タッチ面に対するタッチ物体の接触面積の大小に関係無く、タッチ入力を確実に検出することができる静電誘導型タッチパネルを提供する。 - 特許庁

To provide a capacitor capable of securing capacitance value as much as the value of the conventional type and suppressing the power consumption by reducing the leakage current from the capacitor.例文帳に追加

従来と同等の容量値を確保し、かつキャパシタからのリーク電流を低減させることで消費電力を抑制することのできるキャパシタを提供する。 - 特許庁

To provide an electrostatic capacitance-type input device, a method of manufacturing the electrostatic capacitance-type input device and an electro-optical device with an input function capable of electrically connecting a common flexible wiring substrate to an electrode for position detection and a shield electrode that are provided at mutually opposite sides of a substrate for an input device.例文帳に追加

入力装置用基板に対して互いに反対側に設けられた位置検出用電極およびシールド電極に対して共通のフレキシブル配線基板を電気的に接続することのできる静電容量型入力装置、静電容量型入力装置の製造方法、および入力機能付き電気光学装置を提供すること。 - 特許庁

A voltage regulator comprises; an N-type depression MOS transistor TR1 having a drain connected to a positive electrode side of a power source, a source side connected to a stabilizing capacitance 3, and a gate applied with a constant reference voltage Vref; and an output terminal to connect a load circuit 4 between the source of the N-type depression MOS transistor TR1 and the stabilizing capacitance 3.例文帳に追加

ドレインが電源の正電極側に接続され、ソース側が安定化容量３に接続されるとともにゲートに一定の基準電圧Ｖｒｅｆが印加されるＮ型デプレッションＭＯＳトランジスタＴＲ１と、Ｎ型デプレッションＭＯＳトランジスタＴＲ１のソースと安定化容量３との間に負荷回路４を接続するための出力端子とを有する。 - 特許庁

Then, a set of lumped parameter type capacitors 5A and 5B of capacitance C and lumped parameter type 90° phase delay circuits constituted in a π shape by a lumped parameter type inductor (coil) 6 are provided between the connection point of the second thermistors 3A and 3B and the first thermistor 2.例文帳に追加

そして、第２サーミスタ３Ａと３Ｂの接続点と第１サーミスタ２との間に、静電容量Ｃの集中定数型コンデンサ５Ａ，５Ｂと集中定数型インダクタ（コイル）６によりπ型に構成された集中定数型９０°位相遅延回路を１組設けるようにする。 - 特許庁

Since no impurities are present in the di-electric layer of the auxiliary capacitance semiconductor layer 37, deterioration in the characteristics of thin film transistors 23 for pixels, thin film transistors 25 for a p-type driving circuit, and thin film transistors 26 for an N-type driving circuit does not occur.例文帳に追加

補助容量半導体層37の誘電体層には不純物が存在しないため、画素用薄膜トランジスタ23、Ｐ型駆動回路用薄膜トランジスタ25およびＮ型駆動回路用薄膜トランジスタ26の特性劣化を発生させない。 - 特許庁

In the varicap diode e.g. a P-type gate electrode 3 is formed on a P-type semiconductor substrate 1 via a gate oxide film 2, so that the flat-band voltage Vfb is shifted to the positive side, and the variable width of the capacitance is expanded.例文帳に追加

本発明のバリキャップダイオードは、例えばＰ型の半導体基板１上にゲート酸化膜２を介してＰ型のゲート電極３を形成することで、フラットバンド電圧Ｖｆｂがプラス側にシフトするため、容量の可変幅が広がる。 - 特許庁

To obtain a laminated type piezoelectric resonator from which a desired capacitance is obtained without the need for the design change in an outer size of the laminated type piezoelectric resonator and a mother board to generate a base and to obtain its characteristic adjustment method.例文帳に追加

積層型圧電共振子の外形寸法や、基体を作製するためのマザー基板の設計変更を行うことなく、所望の容量を得ることができる積層型圧電共振子およびその特性調整方法を得る。 - 特許庁

MOS-type capacitance element 20, having a comparatively large area has a polysilicon layer 23 formed on an N-type lightly-doped region (N-region) 21 via a capacitor insulation film 22 (e.g., oxide film) on a semiconductor substrate 11.例文帳に追加

比較的大きな面積のＭＯＳ型容素子２０は、半導体基板１１上のＮ型の低濃度不純物領域（Ｎ^-領域）２１にキャパシタ絶縁膜２２（例えば酸化膜）を介してポリシリコン層２３が形成されている。 - 特許庁

In the active matrix type display device, additional capacitance Cadd having a structure of a p-type low resistance semiconductor layer/an intrinsic semiconductor layer/an insulating layer between an pixel electrode EP and scanning signal electrodes Y1,..., Yn.例文帳に追加

アクティブマトリクス型表示装置において、画素電極ＥＰと走査信号電極Ｙ１，…，Ｙｎとの間に、ｐ型低抵抗半導体層／真性半導体層／絶縁層の構造を有する付加容量Ｃａｄｄを接続する。 - 特許庁

Use of the capacitance type vibration element provides a wider operating ultrasonic frequency band than use of the piezoelectric type vibration element and can accommodate a case where variations occur in frequency bands of an ultrasonic wave transmitted from the transmission section.例文帳に追加

圧電型振動素子を用いる場合に比べ、静電容量型振動素子を用いる方が、使用超音波周波数帯域が広いので、送信部から送信する超音波の周波数帯域にばらつきが生じる場合に対応できる。 - 特許庁

To realize a differential capacitance type resolver being thin and precise and responding fast, which uses a current probe connected between a stator pole and a dielectric rotor disposed rotatably between respective stator poles, and differentially detects a capacitance value.例文帳に追加

本発明は、各ステータ電極間に回転自在に設けた誘電体ロータとステータ電極間に接続した電流プローブを用い、静電容量の差動検出による薄型で高精度及び高速応答の構成とした差動静電容量式レゾルバを得ることを目的とする。 - 特許庁

The capacitance type touch switch device of low power consumption, free from erroneous operation even if water is splashed on the panel, capable of bringing the calculation circuit and the CPU measuring the changing amount of capacitance into non-operational state until it becomes non-operation state by the result of calculation and pressing state, is provided.例文帳に追加

その演算結果と、押し圧状態の両方の結果より、パネルに水がかかっても誤動作せず、押し圧状態になるまで静電容量変化量を計測する演算回路やＣＰＵを非動作状態にできる、電池駆動可能な低消費電力タイプの静電容量型タッチスイッチ装置。 - 特許庁

To provide a capacitive coupling-type signal transmission/reception circuit preventing attenuation of a signal in a non-contact transmission path via capacitance and a change of a reception side voltage due to a slight capacitance change, not requiring modulation/demodulation processing of signals, and allowing non-contact transmission not depending on a transmission rate.例文帳に追加

静電容量を介した非接触伝送路での信号の減衰、多少の容量変動における受信側電圧の変動を防ぎ、信号の変復調処理が不要とし、伝送レートに依存しない非接触伝送が可能とした静電結合型信号送受信回路を提供する。 - 特許庁

The active matrix type liquid crystal display device receives a selection signal corresponding to turning on/off the auxiliary illumination, and switches between the auxiliary capacitance voltages by a switch circuit 33 when the auxiliary illumination is turned on and turned off, to apply different voltages to liquid crystal pixels PIX via storage capacitance CS at the time of turning on/off, respectively.例文帳に追加

補助照明の点灯、非点灯に相当する選択信号を受け取り、点灯時、非点灯時の補助容量電圧をスイッチ回路３３にて切り替え、点灯時と非点灯時に蓄積容量ＣＳを介して液晶画素ＰＩＸに異なった電圧を印加する。 - 特許庁

In the electrooptical apparatus of an active matrix type, when a nonlinear element 5 and a storage capacitance 9 as a pixel switching element are constructed, a data line 2 is also formed simultaneously when a lower electrode 61 for the element and a lower electrode 62 for capacitance are formed by using nitrogen added tantalum.例文帳に追加

アクティブマトリクス型の電気光学装置１において、画素スイッチング素子としての非線形素子５、および保持容量９を構成するにあたって、窒素添加タンタルによって素子用下電極６１および容量用下電極６２を形成する際、データ線２も同時形成する。 - 特許庁

When the voltage between both the poles of the distribution capacitor 3 exceeds a specific value Vs, a comparator 4 outputs a signal to a latch circuit 8, thus latching the count value of the counter 7, and outputting the latched value as a signal for indicating the capacitance of the capacitance microphone type detector 1.例文帳に追加

分配コンデンサ３の両極間の電圧が所定値Ｖs 以上になった時点でコンパレータ４がラッチ回路８に信号を出力することにより、カウンタ７のカウント値がラッチされ、そして、ラッチされた値がコンデンサマイクロフォン型検出器１の容量を表す信号として出力される。 - 特許庁

To provide an active matrix type liquid crystal display device which can be improved in display quality by suppressing small the difference between the parasitic capacitance between a video signal line and a display pixel electrode having wide overlap width and the parasitic capacitance between a video signal line and a display pixel electrode having narrow overlap width.例文帳に追加

重畳幅が広い映像信号線及び表示画素電極間の寄生容量と、重畳幅が狭い映像信号線及び表示画素電極間の寄生容量との差を低く抑えて表示品位を高めることのできるアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a two-port type nonreciprocal circuit element capable of suppressing a stray capacitance caused between an earth pattern of a printed circuit board and a metallic case when mounted on the printed circuit board or the like.例文帳に追加

プリント基板等に実装した際にプリント基板のアースパターンとの間に生じる浮遊容量を抑えることができる２ポート型非可逆回路素子および通信装置を提供する。 - 特許庁

By forming a plurality of through holes in part of beams and weights in the capacitance type dynamic quantity sensor, the time required for designing mechanical characteristics is shortened to facilitate designs for compact formation.例文帳に追加

容量型力学量センサにおいて、梁及び錘の一部に複数の貫通孔を形成することにより、機械特性の設計時間の短縮を実現し、小型化設計を容易にする。 - 特許庁

To provide a liquid crystal device having MOS type storage capacitance permitting to improve a yield and reliability by effectively reducing a voltage to be applied to a dielectric film.例文帳に追加

誘電体膜に印加される電圧を実効的に下げることにより歩留まりおよび信頼性の向上を図ることができるＭＯＳ型蓄積容量を有する液晶装置を提供する。 - 特許庁

To provide an illumination type input device having a coordinate input means constructed of an electric capacitance sensor and provided with high resolution for improving a production yield and ensuring sensor sensitiveness.例文帳に追加

静電容量式センサからなる座標入力手段の分解能が高く、また、製造の歩留まりが高い上に、センサの感度が確保されている照光型入力装置を提供する。 - 特許庁

Since the stretched extent of a depletion layer formed in the P-N junction of the element VAR is secured to the whole body of the N^+ type layer 56, the fall of the capacitance changing range is suppressed.例文帳に追加

可変容量素子ＶＡＲのＰＮ接合部に形成される空乏層の伸びる範囲がＮ^+ 層５６全体まで確保されるので、容量変化範囲の低下が抑制される。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor which reduces a parasitic capacitance generated between an umbrella part of a gate electrode of T-type structure and a diffusion layer, and to provide a method of manufacturing the field-effect transistor.例文帳に追加

Ｔ型構造のゲート電極の傘部と拡散層の間に生じる寄生容量を低減した電界効果トランジスタ及びその電界効果トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

When a user moves the fingertip while touching a protruding section 54 of an operation apparatus 36 with the fingertip, this is detected by a capacitance type sensor, and a selection frame 19 for selecting a menu is moved in all directions.例文帳に追加

指先で操作装置３６の突起部５４を触れなら指先を移動させると、静電容量式センサがこれを検知し、メニューを選択する選択枠１９が縦横に移動する。 - 特許庁

To be able to increase a capacitance and to realize a microfabrication without any etching damage of a ferroelectric film by forming a ferroelectric capacitor of a vertical-type structure by means of a package etching of only electrode.例文帳に追加

電極のみ一括エッチングにより縦型構造の強誘電体キャパシタを形成することにより、強誘電体膜のエッチングダメージ無しに、容量の増大と微細化を可能とする。 - 特許庁

A capacitance type switch 15 disposed in a position where the switch abuts on a hammer 13 on a keyboard chassis 12 of the electronic piano is deflected by being depressed by a depressing part 13a of a hammer 13.例文帳に追加

電子ピアノにおいて、鍵盤シャーシ１２上のハンマー１３と当接する位置に設けられた静電容量形スイッチ１５は、ハンマー１３の押下部１３ａに押されて撓む。 - 特許庁

To provide a capacitance type touch panel for improving operability by preventing the mesh structure of an electrode pattern and a dummy pattern from being made conspicuous, and making it easy to visualize display information.例文帳に追加

電極パターン、ダミーパターンのメッシュ構造が目立たなくなり、表示情報が視認し易くなり、操作性の向上を図ることができる静電容量型タッチパネルを提供する。 - 特許庁

To carry out accurate self-diagnosis based on a resonance phenomenon between a sensor element and a self-diagnosis frequency in a multi-axis capacitance type physical quantity sensor.例文帳に追加

複数軸の容量式物理量センサにおいて、センサエレメントと自己診断周波数との共振現象を用いた自己診断を行っても、正確な自己診断が行えるようにする。 - 特許庁

To provide a capacitance-type pressure sensor with a structure capable of preventing leakage from the outside of the sensor to a reference pressure chamber as much as possible and reducing failures caused by leakage in comparison with before.例文帳に追加

センサ外部から基準圧力室へのリークを極力防止し、リーク起因不良を従来に比べて低減し得る構造を持つ静電容量型圧力センサを提供する。 - 特許庁

To provide a reflection type phase shifter capable of suppressing variations in insertion losses in phase shift by suppressing a change in an equivalent resistance of a varactor diode due to a change in an inter-terminal capacitance and to provide a control method thereof.例文帳に追加

端子間容量変化に伴うバラクタダイオードの等価抵抗の変化を抑制し、移相変化時の通過損失を変動を抑え得る反射型移相器を得る。 - 特許庁

To obtain a satisfactory display quality by reducing crosstalk while suppressing the reduction of an opening ratio due to the increase of an auxiliary capacitance to the minimum in an active matrix type liquid crystal display device.例文帳に追加

アクティブマトリクス型液晶表示装置において、補助容量の増加による開口率の低下を最小限に抑えながらクロストークを低減して、良好な表示品位を得る。 - 特許庁

The capacitance type position sensor opposes to a driven member and is inserted into a fixing member, and the driven member is driven by an operation member so as to control a position of the driven member.例文帳に追加

静電容量型位置センサーを被駆動部材に対向し、その固定部材に貫入させ、被駆動部を操作部材で駆動することにより、被駆動部材の位置制御を構成する。 - 特許庁