「Direct gate」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A gate electrode GT is formed by the ink jet direct drawing at a gate electrode part of the thin film transistor.例文帳に追加

次に、薄膜トランジスタのゲート電極部にゲート電極ＧＴをインクジェット直描により形成する。 - 特許庁

Direct energy consumption by primary energy source, separately accounting for “renewable” energy use for facility gate 例文帳に追加

一次エネルギー源別の直接エネルギー消費量。施設内（facility gate）の再生可能エネルギー使用量は別途集計。 - 経済産業省

The cross section of the gate line GL applied by the ink jet direct drawing and then baked has a nearly partial circular shape and the gate electrode GT is formed by layering a part of a thin conductive thin film formed by the ink jet direct drawing on the gate line.例文帳に追加

インクジェット直描で塗布され、焼成されたゲート配線ＧＬの断面は略部分円形状であり、その上にインクジェット直描で形成された薄い導電性薄膜の一部を積層してゲート電極ＧＴが形成されている。 - 特許庁

In this semiconductor memory, a gate insulation film 13 capable of direct tunneling is used, and at of writing information, a gate voltage for which enables direct tunneling of the gate insulation film 13 is applied constantly and continuously, until an inversion layer 17 disappears.例文帳に追加

本発明の半導体記憶装置では、直接トンネリング可能なゲート絶縁膜１３を用いており、情報を書き込む際には、ゲート絶縁膜１３が直接トンネリング可能となるゲート電圧を、反転層１７が消滅するまで一定して印加し続ける。 - 特許庁

A conductive ink is dropped to the gate electrode forming part GTA of the lyophilic portion FA and, after the dropped ink film is evenly spread over the gate electrode formation part GTA, a wide-width gate line is formed on a gate line formation part GLA of lyophobic portion RA by direct drawing of IJ.例文帳に追加

新液性ＦＡのゲート電極形成部ＧＴＡに導電性インクを滴下し、滴下したインク膜がゲート電極形成部ＧＴＡに均一に広がった後、撥液性ＲＡのゲート配線形成部ＧＬＡに幅広のゲート配線をＩＪ直描で形成する。 - 特許庁

A pixel control circuit is connected to these components to direct the floating gate semiconductor device and the photosensitive semiconductor device to a plurality of controlled modes.例文帳に追加

画素制御回路がこれらの回路要素に接続されて、浮遊ゲート半導体素子及び感光性半導体素子を複数の制御モードに移行させる。 - 特許庁

To carry out injection molding by simply adjusting the forming position of a direct sprue gate on the basis of a weld without manufacturing another fixed mold.例文帳に追加

固定側型を新たに製作することなくウェルドに基づいてダイレクトスプルーゲートの形成位置を簡単に調整して射出成形する。 - 特許庁

The second resin layer 23 is so formed by a single direct gate 39 as to cover the whole surface of the first resin layer 21.例文帳に追加

第２樹脂層２３は１つのダイレクトゲート３９により第１樹脂層２１の表面全域を覆うように成形される。 - 特許庁

The gate control circuit 70 turns the transistor 50 on in response to application of the direct current voltage, and turns the transistor 50 off in response to stop of the application of the direct current voltage.例文帳に追加

ゲート制御回路７０は、直流電圧の印加に応答してトランジスタ５０をＯＮし、直流電圧の印加の停止に応答してトランジスタ５０をＯＦＦする。 - 特許庁

Letting Masamori gain accomplishments by appointing him for the defense against the direct petition by the monk-soldiers of Sammon gate (temple gate), for searching and capturing robbers, for hunting down and killing TAIRA no Naosumi in Kyushu region, and for others, the Cloistered Emperor Shirakawa promoted Masamori to jushiinoge (Junior Fourth Rank, Lower Grade). 例文帳に追加

山門衆徒の強訴の防禦、強盗の追捕や九州での平直澄の追討などに起用し功を上げさせ、従四位下にまで昇進させた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Then, a block insulating film 19 is formed to be disposed on direct upper sections of both the semiconductor parts 13 and the STIs 12 and a control gate electrode WL and a selection gate electrode SG are formed on it.例文帳に追加

次に、半導体部分１３の直上域及びＳＴＩ１２の直上域の双方に配置されるように、ブロック絶縁膜１９を形成し、その上に制御ゲート電極ＷＬ及び選択ゲート電極ＳＧを形成する。 - 特許庁

The floating gate electrode 115 and the control gate electrode 116 are formed by etching so that these multilayer films may go direct with the element isolation region 108.例文帳に追加

浮遊ゲート電極１１５及び制御ゲート電極１１６が、これら積層膜を自己整合的にかつ素子分離領域１０８と直行するようにエッチングして形成されている。 - 特許庁

To prevent a gate wiring from being damaged due to a metal film formation position shifted to a gate wiring side in a direct lead bonding semiconductor device.例文帳に追加

ダイレクトリードボンディング方式の半導体装置において、金属膜を形成する位置がゲート配線側にずれた場合のゲート配線の破損を防止する。 - 特許庁

conversely, at the reading of information, the gate voltage and a bias voltage are controlled, so as to form the inversion layer 17 and to disable the direct tunneling of the gate insulation film 13.例文帳に追加

逆に、情報を読み出す際には、反転層１７が形成され、かつゲート絶縁膜１３が直接トンネリング不可能なように、ゲート電圧とバイアス電圧を制御する。 - 特許庁

The HDC 232 can perform power save control which is synchronized with a gate signal in order to output the gate signal which carries out direct control of the data transfer processing of the R/W channel 21.例文帳に追加

ＨＤＣ２３２は、Ｒ／Ｗチャネル２１のデータ転送処理を直接制御するゲート信号を出力するため、ゲート信号に同期したパワー・セーブ制御を行うことができる。 - 特許庁

The shape of a gate electrode 156 is formed so that the direct light from the backlight 4 to a P-type lightly-doped impurity region 136 of the optical sensor element 41 is shielded by the gate electrode 156 of the optical sensor element 41.例文帳に追加

光センサ素子４１のＰ型低濃度不純物領域１３６に対するバックライト４からの直接光が光センサ素子４１のゲート電極１５６で遮光されるようにゲート電極１５６の形状を形成する。 - 特許庁

By this structure, the fixed electric charge generated when the gate insulation film and a silicon gate electrode 106 are so formed as to be in direct contact with each other can be prevented.例文帳に追加

ゲート絶縁膜とシリコンゲート電極１０６を直接接するように成膜した場合に発生する固定電荷を抑制することが可能になる。 - 特許庁

However, actual tenkan were rarely issued, therefore, people whose suits were restricted had no other way of making osso by means of jikiso such as kagoso (jikiso to Daikan or Daimyo in a palanquin), kakekomi uttae (direct petition to the supreme court, magistrate's office, influential person of the bakufu and so on), suteso (leaving a petition in front of the gate of the supreme court and so on), hariso (pasting a petition in front of the gate of a roju's [senior councilor] residence or a government office) and so on, and in some cases they had to take hard-line measures by forming a faction for monso (petition by people gathering before the gate of the residence of a feudal lord or Daikan), ikki (uprising), goso (direct petition with the abuse of religious authority by armed priests or jinin [associates of Shinto shrines] to the Imperial Court or the bakufu), uchikowasi (destructive urban riots) and so on. 例文帳に追加

だが、実際に添簡が発給されることは少なく、このため訴訟を起こすことすら抑圧された人々は結果的に駕籠訴・駆込訴・捨訴・張訴などの直訴を用いて越訴を行う他無く、場合によっては門訴・一揆・強訴・打ちこわしなどの徒党を組んだ強硬手段を採らざるを得なくなった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a gate bar for a parking garage for preventing the direct transmission of an overload to a driving system by bending the gate bar when receiving the overload, repeatedly usable by easily returning the bent gate bar to an original straight state, and relatively inexpensively executable with a simple constitution.例文帳に追加

過負荷を受けるとゲートバーが折曲して、駆動系に過負荷を直接伝えないようにすると共に、折曲したゲートバーを簡単に元の真直状態に戻して繰返し使用することができ、而かも、構成が簡単で比較的低コストにて実施可能な駐車場等用ゲートバーを提供する。 - 特許庁

In some embodiments, the second conductive spacer is in direct contact with the underlying high-k gate dielectric, while, in other embodiments, the first and second conductive spacers are in direct contact with the threshold voltage adjusting material.例文帳に追加

幾つかの実施形態において、第２の導電性スペーサは、下にある高ｋゲート誘電体と直接接触しており、他の実施形態においては、第１及び第２の導電性スペーサは、前記閾値電圧調整材料と直接接触している。 - 特許庁

In the mold 10 for molding the material containing the resin which has the direct gate 14, in the part 15 immediately under the direct gate, a projected part 16 which reduces the channel cross section area of the material containing the resin of the part 15 as compared with that when the part 15 is a plane is formed (1).例文帳に追加

（１）ダイレクトゲート１４を備えた、樹脂含有材料を成形する成形用金型１０であって、ダイレクトゲートの直下部１５に、該ダイレクトゲート直下部の樹脂含有材料の流路断面積を該ダイレクトゲート直下部が平面である場合に比べて小さくする突形状部１６を設けた成形用金型。 - 特許庁

The ink jet direct drawing process is used to form an active layer island comprising a laminate of a silicon semiconductor layer SI and an n+ contact layer NS, in addition to introducing the ink jet direct drawing process into any one of processes of a source electrode SD1 and a drain electrode SD2 including gate wiring, gate electrodes GT and data wiring of the liquid crystal display panel or into several processes thereof.例文帳に追加

液晶表示パネルのゲート配線とゲート電極ＧＴ、データ配線を含めたソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２の何れかの工程、又はそれらの幾つかの工程にインクジェット直描プロセスを導入することに加えて、シリコン半導体層ＳＩとｎ＋コンタクト層ＮＳの積層からなる能動層アイランドの形成にインクジェット直描プロセスを用いる。 - 特許庁

Local oscillation signals fL and fL' having a prescribed phase difference are inputted to gate electrodes of first and second FETs 51 and 53 which are subjected to direct current bias so as to operate in a nonlinear area, and a harmonic signal fs with small amplitude is inputted to a gate electrode of a third FET 55 which is subjected to direct current bias so as to operate in a linear area.例文帳に追加

非線形領域で動作するべく直流バイアスされた第１及び第２ＦＥＴ５１、５３のゲート電極に所定の位相差を有する局部発振信号ｆＬ，ｆＬ’を入力し、線形領域で動作するべく直流バイアスされた第３ＦＥＴ５５のゲート電極には小振幅の高周波信号ｆｓを入力する。 - 特許庁

In order to drive a semiconductor switching element having an input capacitance formed between a gate electrode and a first output electrode, a first switch is connected between a direct-current voltage source and the gate electrode, a second switch is connected between the first output electrode and a reference potential terminal of the direct-current voltage source, and the first and second switches are turned on to turn the semiconductor switching element on.例文帳に追加

ゲート電極と第１の出力電極間に入力容量が形成された半導体スイッチング素子を駆動するため、直流電圧源とゲート電極間に第１のスイッチを接続し、第１の出力電極と直流電圧源の基準電位端間に第２のスイッチを接続し、第１，第２のスイッチをオンして半導体スイッチング素子をターン・オンさせる。 - 特許庁

At this point, MINAMOTO no Mitsuyasu and Mitsumoto, who were charged with guarding the Yomeimon gate, abandoned their posts at the gate and switched sides, but after all, Mitsuyasu was a retainer to Bifukumonin and thus politically a member of the Nijo direct rule faction, and had merely temporarily collaborated with Yoshitomo to strike down Shinzei, and had not entered a permanent alliance with him. 例文帳に追加

このとき陽明門を警護していた源光保、光基は門の守りを放棄して寝返るが、光保は美福門院の家人で政治的には二条親政派であり、信西打倒のため義朝に協力していたに過ぎなかった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To reduce fixed charges in a gate insulating film and to lower the film forming temperature of a semiconductor polycrystalline film by a direct growing method in order to achieve a bottom gate structure TFT using a directly grown polycrystalline silicon film for a channel layer in order to obtain a display panel with an excellent display performance at a low cost.例文帳に追加

表示性能の優れたディスプレイパネルを安価に得るため、直接成長多結晶シリコン膜をチャネル層に用いたボトムゲート構造TFTを実現するために、ゲート絶縁膜中の固定電荷を低減し、かつ直接成長法による半導体多結晶膜の成膜温度を低温化する。 - 特許庁

Specifically, a first sub-tree 321 having the clock gate 303 with the specified input pin 304 as a sub-route and having a circuit element group 311 coupled direct to the clock gate 303 as a terminal is divided from the clock tree 300.例文帳に追加

具体的には、この入力ピン３０４が指定されたクロックゲート３０３をサブルートとし、クロックゲート３０３に直結している回路素子群３１１を終端とする第１のサブツリー３２１を、クロックツリー３００から分割する。 - 特許庁

A bias power supply 5 as a gate bias generating means is connected between the source Sp and the gate Gp of a P channel MOS transistor 1 of a CMOS type circuit through a bias resistor Rb, and the bias power supply 5 at this time is a direct current voltage source of (VTP+αp(≥βp))≤power supply voltage VDD.例文帳に追加

ＣＭＯＳ型回路のＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１のソースＳｐ・ゲートＧｐ間にゲートバイアス発生手段としてのバイアス電源５をバイアス抵抗Ｒｂを介して接続し、このときのバイアス電源５を、（ＶＴＰ＋αｐ（≧βｐ））≦電源電圧ＶＤＤの直流電圧源とした。 - 特許庁

In the display device, the thin-film transistor has a bottom gate-type structure, and a gate electrode and scanning lines in the thin-film transistor comprise the Cu alloy film for a display device and are in direct contact with the glass substrate.例文帳に追加

該表示装置としては、該薄膜トランジスタがボトムゲート型構造を有するものであって、前記表示装置用Ｃｕ合金膜が、該薄膜トランジスタのゲート電極および走査線に用いられ、ガラス基板に直接接触されている態様が好ましい。 - 特許庁

Since the direct Si nitride film is grown by using material containing heavy hydrogen, chemical species of hydrogen which is diffused in the gate electrode by heat treatment during and after film formation become heavy hydrogen D.例文帳に追加

直接Ｓｉ窒化膜は重水素を含む原料を用いて成長させたので、成膜時や成膜後の熱処理でゲート電極中へ拡散する水素の化学種は重水素Ｄとなる。 - 特許庁

Then, the organic semiconductor film 34 is formed above the gate insulation film 33, and finally the protection film 37 for preventing direct contact with the atmosphere is so formed as to cover the organic semiconductor film 34.例文帳に追加

さらに、ゲート絶縁膜33上に有機半導体膜34を形成し、最後に、有機半導体膜34を覆うように、大気との直接接触を防止する保護膜37を形成する。 - 特許庁

A direct current voltage which is within a withstand voltage of the MOS transistor M2 is supplied to a gate in response to a voltage supplied to a conductive terminal 6y of the MOS transistor M2 at the time of normal operation.例文帳に追加

又、通常動作時には、ＭＯＳトランジスタＭ２の導電端子６ｙに印加する電圧に応じてＭＯＳトランジスタＭ２の耐圧範囲内となる直流電圧をゲートに供給する。 - 特許庁

At least two of the layers of the floating gate are separated by an intermediate dielectric layer having predetermined thickness enabling direct tunnelling current between the layers.例文帳に追加

浮遊ゲートの少なくとも２つの層は、層間の直接トンネル電流を可能にする所定の厚さを有する中間誘電体層によって分離している。 - 特許庁

In a transmission liquid crystal display of direct vision type, the element substrate includes a gate wire 311, a source wire 302, a pixel part having a pixel TFT, and a driving circuit having an n-channel type TFT and p-channel type TFT.例文帳に追加

直視型の透過型の液晶表示装置において、素子基板は、ゲート配線３１１と、ソース配線３０２と、画素ＴＦＴを有する画素部と、ｎチャネル型ＴＦＴやｐチャネル型ＴＦＴを有する駆動回路とを含む。 - 特許庁

A collection electrode 19 collecting ions is connected to a gate terminal of a p-MOS type FET 181 via a rectifier diode 182, and direct current voltage is impressed to a drain terminal of the p-MOS type FET 181.例文帳に追加

イオンを捕集するための捕集電極１９は、整流用のダイオード１８２を介してｐ−ＭＯＳ型ＦＥＴ１８１のゲート端子に接続され、ｐ−ＭＯＳ型ＦＥＴ１８１のドレイン端子には直流電圧が印可される。 - 特許庁

The NchTrN1 connects the source to one end of a direct current electric source 11 and one end of a load 12, and connects the drain to the gate of the PchTrP1.例文帳に追加

ＮｃｈＴｒＮ１は、ソースを直流電源１１の一端および負荷１２の一端に接続し、ドレインをＰｃｈＴｒＰ１のゲートに接続する。 - 特許庁

To prevent a risk in touching an operation lever in error, because conventional locking direct type control valves, e.g. a traveling changeover control valve and a blade changeover control valve are not locked, when pushing up a gate lock lever.例文帳に追加

ダイレクト方式の制御弁、例えば、走行用切換制御弁、ブレードの切換制御弁等はゲートロックレバーを上げてもロックされず、これらの操作レバーに誤って触れたときの危険性を防止できないという課題があった - 特許庁

After that, a silicon nitride film 19 is deposited on a substrate 1 by a plasma CVD process so that the gate electrodes 7A, 7B are not in direct contact with the silicon nitride film 19.例文帳に追加

その後、基板１上にプラズマＣＶＤ法で窒化シリコン膜１９を堆積することにより、ゲート電極７Ａ、７Ｂと窒化シリコン膜１９とが直接接しないようにする。 - 特許庁

To overcome the problem in a conventional system that is difficult to quickly switch the charge speed of the gate of a power switching element Sw by the direct detected value of a current which flows to an upper arm and a lower arm.例文帳に追加

上側アーム及び下側アームに流れる電流の直接の検出値によってパワースイッチング素子Ｓｗのゲートの充電速度を迅速に切り替えることが困難なこと。 - 特許庁

Memory cells M41 to M48 and memory cells M51 to M58 of one line having a first gate electrode are connected to a ground line GL1 through a direct contact resistance R.例文帳に追加

１つの行のメモリセルＭ５１ないしＭ５８が接地線ＧＬ１に接続され、もう１つの行のメモリセルＭ６１ないしＭ６８が接地線ＧＬ２に接続される。 - 特許庁

Further, a p+-type region is formed without direct contact with the n+-type source between the isolated n+-type source regions to be contacted with a p-type gate provided in parallel at both sides of each channel.例文帳に追加

さらには各チャネルの両側に平行して設けられるｐゲートへは、分離されたｎ+ソース領域間に、ｎ+ソースとは直接接することなくｐ+領域を形成することによりコンタクトする。 - 特許庁

To provide a mold which can suppress the solidification and adhesion to the mold of a unfluidized part of a material containing a resin high in heat conductivity such as a graphite-containing resin in a part immediately under a direct gate.例文帳に追加

黒鉛含有樹脂など、高い熱伝導率を有する樹脂含有材料の未流動部分の、ダイレクトゲートの直下部での、固化、金型へのはりつきを抑制できる成形用金型の提供。 - 特許庁

A MOS transistor T5 is provided in which a drain is connected to a gate and a drain of a MOS transistor T2 and a direct current voltage VRS is applied to its source.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＴ２のゲート及びドレインにドレインが接続されるとともにソースに直流電圧ＶRSが印加されたＭＯＳトランジスタＴ５を設ける。 - 特許庁

In the mold (10), the projected part 16 projecting toward the direct gate 14 is formed in the part 15 (2).例文帳に追加

（２）ダイレクトゲート１４を備えた、樹脂含有材料を成形する成形用金型１０であって、金型のダイレクトゲートの直下部１５に、該ダイレクトゲートに向かって突出する突形状部１６を設けた成形用金型。 - 特許庁

To provide a CCD image sensor capable of improving CDM characteristics by forming a direct discharging route between a reset gate and a VDD terminal.例文帳に追加

リセットゲートとＶＤＤ端子との間に直接的な放電経路を形成することでＣＤＭ特性を改善できるようにしたＣＣＤイメージセンサーを提供する。 - 特許庁