「ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY SYSTEM」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

DRAWING DATA GENERATING PROGRAM, ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY SYSTEM, AND METHOD FOR MANUFACTURING MASK例文帳に追加

描画データ生成プログラム、電子線描画装置およびマスクの製造方法 - 特許庁

ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY SYSTEM, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MASK AS WELL AS MANUFACTURING METHOD FOR THEM例文帳に追加

電子ビーム描画装置、半導体装置およびマスク並びにそれらの製造方法 - 特許庁

MEASURING METHOD, PHOTOLITHOGRAPHY METHOD, MANUFACTURING METHOD FOR BASE MATERIAL, AND ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY SYSTEM例文帳に追加

測定方法、描画方法、基材の製造方法、および電子ビーム描画装置 - 特許庁

ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY SYSTEM, MANUFACTURING METHOD OF MASTER, AND MANUFACTURING METHOD OF INFORMATION RECORDING MEDIUM例文帳に追加

電子線描画装置、原盤製造方法、及び情報記録媒体製造方法 - 特許庁

MEMBER USED FOR MASK, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY SYSTEM, AND CHARGED PARTICLE BEAM PROCESSING SYSTEM例文帳に追加

マスク、半導体素子製造方法、電子ビーム露光装置、荷電ビーム処理装置において用いられる部材 - 特許庁

To realize a variable area electron beam lithography system capable of freely forming triangular and rectangular electron beams with high throughput.例文帳に追加

高いスループットで三角形と矩形の電子ビームを自由に成形できる可変面積型電子ビーム描画装置を実現するにある。 - 特許庁

To provide an electron beam lithography system of high lithographic position accuracy, an electron beam lithography, a photomask manufacturing method by the use of them, and a semiconductor device manufacturing method by the use of the photomask.例文帳に追加

高い描画位置精度を得ることができる電子線描画装置、電子線描画方法、それを用いたフォトマスクの製造方法およびこのフォトマスクを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for variable area electron beam lithography, by which the verification of the output data of an electron beam lithography system can be performed relatively easily without relying upon the outputting order of the data.例文帳に追加

描画装置の出力データの検証を比較的簡単に、データの出力順に依存せずに行うことができる可変面積型電子ビーム描画方法を実現する。 - 特許庁

To provide an electron beam emission source with a smaller electron emission angle, having a structure easy to join a nanotube, to provide a manufacturing method of the electron beam emission source, and to provide an electron beam lithography system with a smaller electron beam diameter and capable of exposing a micropattern.例文帳に追加

電子線の放出角度が小さくなり、また、カーボンナノチューブを接合しやすい構造を有する電子線放出源、電子線放出源の製造方法および電子ビーム径が小さくなり、微細パターンを露光することが可能な電子線描画装置を提供することにある。 - 特許庁

In the electron beam lithography method, aperture identification data for cell transfer are included in the data processed, in a process of adding an OPC pattern to a designed pattern or converting a designed pattern with an OPC pattern into the lithography data characteristic of the electron beam lithography system, by incorporating aperture data information for cell transfer in the process by applying a cell projection type electron beam lithography method.例文帳に追加

一括露光方式の電子ビーム描画方式を適用し、設計パタンにＯＰＣパタン付加する処理過程あるいはＯＰＣ付きの設計パタンを描画装置固有の描画データに変換する過程に、一括転写用アパーチャデータ情報を組み込み、上記過程で処理されたデータ内に一括転写用アパーチャ識別データを含ませる。 - 特許庁

To realize a method for calibrating the irradiation time of an electron beam in a variable area electron beam lithography system in which irradiation time error of the electron beam for a material being written can be corrected in the blanking operation of electron beam and a pattern can be written more accurately.例文帳に追加

電子ビームのブランキング動作における電子ビームを被描画材料に照射する時間の誤差を補正することが可能で、より正確なパターンを描画できる可変面積型電子ビーム描画装置における電子ビームの照射時間校正方法を実現する。 - 特許庁

To provide an electron beam lithography system which can minimize fogging at the periphery of an alignment mark caused by beam irradiation upon detection of the positioning mark or the pollution of the mark caused by resist removal during alignment of the electron beam lithography system.例文帳に追加

本発明は電子線描画装置におけるアライメントで、位置合わせマーク検出時のビーム照射により引き起こされる位置合わせマーク周辺部でのかぶりや位置合わせマーク部でのレジスト剥離により汚染を極力抑える事が可能な電子線描画装置を提供する事にある。 - 特許庁

To provide stage equipment adaptable to a large stroke system and especially suitable for being mounted on an electron beam lithography system.例文帳に追加

大ストローク化にも対応でき、特に電子ビーム露光装置に搭載する上で最適なステージ装置を提供する。 - 特許庁

To provide: an electron gun capable of obtaining desired pattern dimensions and pattern accuracy; a charged particle beam lithography system; and a charged particle beam lithography method.例文帳に追加

所望のパターン寸法とパターン精度を実現することが可能な電子銃および荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。 - 特許庁

Our electron-beam lithography system is used to write circuit-design patterns on photomasks for semiconductors. 例文帳に追加

われわれの電子ビーム描画装置は、半導体用のフォトマスクの上に回路設計パターンを描くことに使われる。 - 科学技術論文動詞集

To enhance the accuracy of focusing in electron beam lithography by reducing the effect of chromatic aberration of a projection lens system.例文帳に追加

電子ビームリソグラフィーで、投影レンズ系の色収差の影響を減らしてフォーカシングの精度を高める。 - 特許庁

To reduce a temperature rise in a conductor associated with power supply to a stage, an electrostatic chuck, etc., in an electron beam lithography system.例文帳に追加

電子線リソグラフィシステムにおいて、ステージ、静電チャック等への電力供給に伴う導線の温度上昇を減少させる。 - 特許庁

METHOD FOR FORMATION OF PATTERN, ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY SYSTEM USING THE SAME, AND OPTICAL PARTS MANUFACTURED THEREBY例文帳に追加

パターン形成方法、この方法を用いる電子ビーム描画装置およびその方法を用いて作製される光学部品 - 特許庁

HEIGHT DETECTING METHOD OF BASE MATERIAL, DRAWING METHOD OF BASE MATERIAL, BASE MATERIAL DRAWN BY THE METHOD, MEASURING APPARATUS AND ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY SYSTEM例文帳に追加

基材の高さ検出方法、基材の描画方法、その方法にて描画された基材、測定装置、及び電子ビーム描画装置 - 特許庁

To propose a novel method of sharing distortion correction by first and second deflectors in an electron beam lithography system.例文帳に追加

電子ビーム描画方式に関して、第１偏向器と第２偏向器とによる歪み補正の分担についての新たな手法を提案する。 - 特許庁

To provide a method which can economically manufacture a circuit unique to a user and an electron-beam projection lithography system.例文帳に追加

顧客特有の回路を少量でも経済的に製造することのできる方法および電子線投射リソグラフィーシステムを提供すること。 - 特許庁

On the other hand, defects varying in the number of defects between these areas can be assumed to be caused by the electron beam lithography system.例文帳に追加

一方、これらの領域間で欠陥数に差がある欠陥については、電子ビーム描画装置に起因するものと推測できる。 - 特許庁

To provide a highly precise drawing method executed by an electron beam lithography system.例文帳に追加

本発明は電子ビーム描画装置に関し、より高精度の描画方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY METHOD, FINE PATTERN DRAWING SYSTEM, METHOD FOR MANUFACTURING PROTRUDING AND RECESSING PATTERN SUPPORT, AND MAGNETIC DISK MEDIUM例文帳に追加

電子ビーム描画方法、微細パターン描画システム、凹凸パターン担持体磁気ディスク媒体の製造方法 - 特許庁

The electron beam lithography system 11 has: the lithography chamber 13 having an electron-optical barrel 17 at an upper portion; a vacuum robot chamber 14 communicating with the lithography chamber 13 via a gate valve 20; a frame 22 for placing the vacuum robot chamber 14 and the lithography chamber 13; and a stay 25 for fixing the distance between the vacuum robot chamber 14 and the lithography chamber 13 to a prescribed distance.例文帳に追加

上部に電子光学鏡筒１７を有する描画チャンバ１３と、この描画チャンバ１３とゲートバルブ２０を介して連通した真空ロボットチャンバ１４と、この真空ロボットチャンバ１４及び描画チャンバ１３を載置するフレーム２２と、真空ロボットチャンバ１４と、描画チャンバ１３との距離を所定の距離に固定するステー２５と、を具備することを特徴とする電子ビーム描画装置１１。 - 特許庁

To provide an adjustment method of respective electron beams by realizing an electron gun equipped with a plurality of cathode in order to improve the throughput of an electron beam lithography system.例文帳に追加

電子ビーム描画装置のスループット向上のために、複数の陰極を備えた電子銃を実現し、各電子ビームの調整方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electron emission element of high precision, an image forming device and an electron beam lithography system which are capable of controlling and converging the emitted electron orbit, using a simple mechanism.例文帳に追加

簡易な構成で放出された電子軌道を制御，収束することのできる高精細な電子放出素子および画像形成装置および電子線描画装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electron beam lithography system which can reduce the influence of electron beam leakage on a sample by dislocating a stage when a pattern-drawing process is suspended.例文帳に追加

描画処理が一時的に停止した場合に、ステージを移動して電子ビーム漏れによる試料への影響を低減することのできる電子ビーム描画装置を提供する。 - 特許庁

The electron beam lithography system using a variably shaped beam is equipped with electron beam detectors 130 and 131 used for measuring the amount of current of the variable shaped beam, and the current values measured corresponding to the beam sizes of the variably shaped beam are fed back to the exposure time of an electron beam so as to solve the problem.例文帳に追加

可変成形ビームを用いる電子ビーム描画装置において、可変成形ビームの電流量を計測するための複数の電子ビーム検出器１３０、１３１を有し、可変成形ビームの複数のビームサイズに応じて計測された電流値を、電子ビームの露光時間にフィードバックすることにより解決する。 - 特許庁

To provide a method of adjusting focal point, by which the focal point of a beam including a beam having an arbitrary shape can be adjusted with high accuracy, and to provide an electron beam lithography system which can write a pattern with high accuracy.例文帳に追加

任意形状ビームを含む高精度なビーム焦点調整方法や、高精度なパターン描画を可能とした電子線描画装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an electron beam lithography system which can perform stable exposure without causing dust to stick on respective elements (lens, electrode, etc.), of an electron beam emitting head part stored in an electron gun cylinder when the inner side of a vacuum chamber is put back to atmospheric pressure.例文帳に追加

真空チャンバ内を大気圧に戻す時に、電子銃筒に格納された電子ビーム射出ヘッド部の各要素（レンズ、電極等）にゴミが付着することがなく、安定した露光を行うことができる電子ビーム描画装置を提供する。 - 特許庁

The electron beam lithography system provided with an electron field emitter for forming patterns comprises the cathode needle chip 3 made from a carbon nanotube.例文帳に追加

パターンを描画する、電子電界エミッタを備えた電子線描画装置において、カーボンナノチューブ製の針状陰極チップ３を有した電子電界エミッタを備えた。 - 特許庁

To provide an Fe-Co-V soft high magnetic flux-density material which is used, e.g., for a ball piece and a yoke of an electron lens for an electron microscope, an electron beam lithography system, etc., and a ball piece and a yoke of an electromagnet for a magnetic resonance apparatus, a mass spectroscope, etc., and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

電子顕微鏡、電子ビーム描画装置等の電子レンズのボールピース、ヨーク、および磁気共鳴装置、質量分析装置等の電磁石のボールピース、ヨーク等に使用するＦｅ−Ｃｏ−Ｖ軟質性の高磁束密度材料およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electron beam exposure control method and system for use in a low-acceleration electron beam lithography system using electrostatic lenses, wherein shot beam shapes are drawn as varied as desired, drawing beam currents and convergence semiangles on the specimen surface are selected at the shot level, and an electrooptical system is provided for reducing resolution degradation due to the space charge effect.例文帳に追加

静電レンズを使用した低加速電子ビーム描画装置において、ショットビーム形状が任意に変えられる可変成形ビーム描画の機能と、描画時のビーム電流と試料面収束半角をショットレベルで選択できる機能と、空間電荷効果による解像性低下の影響を低減できる電子光学系を具えた電子ビーム露光制御方法とその装置を提供すること。 - 特許庁

PHOTOLITHOGRAPHIC METHOD, PROGRAM FOR EXECUTING THE METHOD, RECORDING MEDIUM HAVING PROGRAM RECORDED THEREON, MANUFACTURING METHOD FOR BASE MATERIAL, PHOTOLITHOGRAPHIC, VIBRATION ABSORPTION SYSTEM FOR MANUFACTURING DEVICE AND ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY SYSTEM例文帳に追加

描画方法、その方法を実行するためのプログラム、プログラムを記録した記録媒体、基材の製造方法、描画システム、製造装置の除振システム、及び電子ビーム描画装置 - 特許庁

To provide a method for electron beam lithography, which realizes high throughput and which can correspond to a variations in static warps and dynamic warps in a lower-layer exposure system, especially in a stepper projection printing system.例文帳に追加

下層露光装置、特に光縮小露光装置の静的歪み及び動的歪みの変化に対応した、高スループットな電子線描画方法を提供する。 - 特許庁

The electron beam lithography device 100 includes a first measuring instrument 4 which irradiates a mark formed on a substrate 6 with light and detects reflected light of the irradiation light to measures the position of the mark, a second measuring instrument 24 which detects a secondary electron generated from an electron beam irradiating the mark from an electron source through an electrooptical system to measure the position of the mark, and a controller 12.例文帳に追加

電子線描画装置１００は、基板６に形成されたマークに光を照射し、照射された光の反射光を検出して前記マークの位置を計測する第１計測器４と、電子源から電子光学系を介して前記マークに照射された電子線から発生する二次電子を検出して前記マークの位置を計測する第２計測器２４と、制御器１２と、を備える。 - 特許庁

To provide a small-size and low-cost electron beam lithography system of high performance employing a cathode needle chip made from a carbon nanotube as an emitter whose radius of curvature at a tip thereof is made significantly small.例文帳に追加

カーボンナノチューブ製の針状陰極チップをエミッタに用いてエミッタ先端の曲率半径を飛躍的に小さくすることにより、高性能・小型・安価な電子線描画装置を提供する。 - 特許庁

To provide a system and method for patterning a master disk with the required feature size that does not rely on conventional photolithography or electron-beam lithography.例文帳に追加

従来のフォトリソグラフィあるいは電子線リソグラフィに依存しない、所要のフィーチャー・サイズのマスタ・ディスクをパターン化するためシステム及び方法が必要とされている。 - 特許庁

To obtain a high correction accuracy and improve writing accuracy, by eliminating a drift influence for adjusting accurately and exactly a deflection correction gain in an electron beam lithography system.例文帳に追加

電子線描画機において、ドリフトの影響を排して高精度かつ正確に偏向補正のゲインを調節し、高い補正精度を得ることで、描画精度を向上する。 - 特許庁

To prevent an electron beam or EUV-ray lithography system positioning operation of a positioning stage from being influenced by a magnetic field generated by a positioning stage driving motor.例文帳に追加

ステージを駆動するモータが発生する磁場により、電子線あるいはＥＵＶ光リソグラフィシステムにおける位置決めが、影響を受けないようにする。 - 特許庁

In the electron beam lithography system, a temperature rise in the conductor is reduced by making a temperature-controlled cooling medium flow to the surrounding of the conductor associated with power supply to the stage, the electrostatic chuck, etc.例文帳に追加

電子線リソグラフィシステムにおいて、ステージ、静電チャック等への電力供給に伴う導線の周囲に温度制御された冷却媒体を流すことにより導線の温度上昇を減少させる。 - 特許庁

To provide a method and system for electron beam lithography, by which a photomask can be fabricated with the same accuracy as that of the conventional methods by preventing an increase the writing time of a pattern with an OPC pattern.例文帳に追加

ＯＰＣ付パタンでの描画時間の増加を防ぎ、従来の方法と同等な精度でフォトマスクを作製可能な電子ビーム描画方法および描画装置を実現する。 - 特許庁

To provide a mask, which can realize an electron-beam projecting lithography system having high throughput.例文帳に追加

従来のマスク構造とデザインの持つ、マスクの品質の初期査定や評価や或いは監視ができないという問題点を解決し、高スループットの電子ビーム投影リソグラフィシステムを実現するマスクを提供する。 - 特許庁

To provide an electron beam lithography system, having a proper deflected magnetic field distribution by suppressing the occurrence of eddy currents and magnetic fields which reach a magnetic body due to a deflector to a minimum.例文帳に追加

偏向器による、渦電流の発生、磁性体への到達磁場を最小に抑え、良好な偏向磁場分布を有する電子線描画装置を実現する。 - 特許庁