「EUTECTIC POINT」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The cream solder is provided with eutectic solder 13b and metallic grain (Ag grain 13a) having a melting point higher than that of eutectic solder, and metallic grain is wholly diffused into eutectic solder when it is heated up to 220°C.例文帳に追加

このクリームはんだは、共晶はんだ１３ｂと、該共晶はんだの融点より高い融点を持つ金属粒子（Ａｇ粒子１３ａ）と、を具備し、上記金属粒子は２２０℃まで加熱すると上記共晶はんだに全て拡散されるものである。 - 特許庁

An eutectic mixture having a composition at an eutectic point of a metal oxide and an oxide of zirconium as the IVa group element or a composition in the vicinity thereof is formed of a material contained in a high- melting-point metal base such as tungsten.例文帳に追加

金属酸化物とIVａ族元素としてジルコニウムの酸化物との共晶点の組成またはその近傍の組成における共融混合物が、タングステンなどの高融点金属基体中に含まれる材料により形成されている。 - 特許庁

Since the seam welding uses the eutectic alloy AuSn whose melting point temperature is about 270°C, the seal welding is performed at a relatively low temperature.例文帳に追加

融温度を約２７０℃とした共晶合金ＡuＳnを用いたシーム溶接なので、比較的低温での溶接となる。 - 特許庁

Then a metallurgical bond is formed by heating the members to be joined up to a temperature higher than the melting point of the eutectic mixture.例文帳に追加

次に、接合すべき部材を、共晶混合物の融点より大きい温度に加熱して、金属学的ボンドを形成する。 - 特許庁

To provide a lead-free composite composition which comprises metal and a polymer and has a melting point lower than that of an Sn-Pb based eutectic solder.例文帳に追加

金属とポリマとからなり、Sn−Pb系の共晶はんだに比べて融点が低い鉛フリー型コンポジット組成物を提供する。 - 特許庁

The silicon nanowires are formed by the thermal decomposition of a polysilane gas using a metal forming an eutectic alloy having a low melting point with silicon as a catalyst.例文帳に追加

シリコンと低融点の共晶合金を作る金属を触媒としてポリシランガスの熱分解によりシリコンナノワイヤーを生成させる。 - 特許庁

The temperature fixed-point cell comprises the crucible whose element is carbon, a fixed-point material that is enclosed in the crucible and is composed of metal, eutectic of metal and carbon, or eutectic of metallic carbide and carbon, and woven fabric of graphite fiber with a impurity amount of 10 ppm or less interposed between the crucible and the fixed point material.例文帳に追加

炭素を成分とするるつぼと、 前記るつぼの内に封入され、金属、金属と炭素との共晶または金属炭化物と炭素との共晶からなる定点物質と、 前記るつぼと前記定点物質との間に介在される不純物量が１０ｐｐｍ以下の黒鉛繊維の織布とを含むことを特徴とする温度定点セル。 - 特許庁

The phase change of a substance is performed in a slurry state at the eutectic point of the substance, and the substance is carried to a heat radiating side in the slurry state.例文帳に追加

物質の相変化を物質の共晶点においてスラリー状態で行わせることとともに放熱側へそのスラリー状態で搬送利用する。 - 特許庁

TUBE WALL TEMPERATURE CONTROL METHOD OF FLOATING CRYSTAL MANUFACTURING MACHINE IN HEAT STORAGE SYSTEM AND COOLING SYSTEM UTILIZING EUTECTIC POINT OF MULTICOMPONENT MIXED SOLUTION例文帳に追加

多成分系混合溶液の共晶点を利用した蓄熱システム及び冷却システムにおける浮遊性結晶製造機の管壁温度制御方法 - 特許庁

Thereby, an Sn-Ag-Cu base is present as an alloy base near a eutectic range, and particularly by alloying additional alloy components, Bi, Sb and Ni, the well-balanced combination of lowered melting point and improved creep resistance can be achieved regarding the Sn-Ag-Cu eutectic.例文帳に追加

これによりSnAgCu系が共晶範囲近傍の合金ベースとして存在し、特に更なる合金成分Ｂｉ、ＳｂおよびＮｉを合金化することにより、SnAgCu共晶に関しての溶融点の低下および耐クリープ性の向上のバランスよい組み合わせが達成できる。 - 特許庁

For making the cooling rate into this range, e.g. at the point of time when the molten metal temperature is lowered and reached to the lower temperature than an eutectic point, the molded cylindrical sleeve SV is preferably taken out from the cylindrical metallic mold 16.例文帳に追加

冷却速度をこの範囲内とするためには、例えば、溶湯の温度が下降して共晶点よりも低くなった時点で、成形されたシリンダスリーブＳＶを円筒状金型１６から取り出すようにすればよい。 - 特許庁

This BGA package is equipped with a rivet-type solder bar 2 which is composed of a smaller core 2c formed of eutectic solder 2a of higher melting point and a normal solder 2e which has a lower melting point and is attached to the outer side of the core 2c.例文帳に追加

リベット状半田棒２は、融点のより高い共晶半田２ａでより形状の小さい心材２ｃを形成し、この心材２ｃの外側に融点のより低い通常半田２ｅを付け最終形状とされる。 - 特許庁

To provide lead-free solder that has mechanical characteristics comparable to or better than a known Pb-Sn based eutectic alloy and that is inexpensive, and has a low melting point.例文帳に追加

公知のＰｂ−Ｓｎ系共融合金に匹敵するまたはより良好な機械的特性を有し、低コストであり、低い融点を有する、鉛を含まないはんだ合金を提供する。 - 特許庁

An alkaline metal carbonate mixture which is the eutectic of lithium carbonate, sodium carbonate and potassium carbonate or a mixture approximate thereto and is ≤400°C in melting point is used as a flux.例文帳に追加

フラックスとして、炭酸リチウム、炭酸ナトリウムおよび炭酸カリウムの共晶またはそれに近い混合物であって、融点が４００℃以下であるアルカリ金属炭酸塩混合物を使用する。 - 特許庁

The low-temperature fusible alloy of an eutectic alloy includes 49-57 wt.% bismuth, 8-20 wt.% indium, and the balance mainly tin, substantially excludes lead and cadmium, and has a melting point at 70-100°C.例文帳に追加

ビスマス４９〜５７ｗｔ％、インジウム８〜２０ｗｔ％、残部がすずを主体とし、鉛及びカドミウムを実質的に含有しない共晶合金であって、融点が７０〜１００℃である。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element 1 is bonded to the subsmount 2 with the junction down by dividing an AuSn eutectic point solder 7 into a plurality of parts in the bonding face.例文帳に追加

また、このサブマウント２に対して半導体発光素子１を、両者の接着面内でＡｕＳｎ共晶点半田７を複数に分割して、ジャンクションダウン構造で分割接着する。 - 特許庁

The resin wiring board is adapted such that a pin 46 and a chip component 56 are soldered using a solder 43 having a melting point higher than a solder bump 12 composed of a tin-lead eutectic solder formed on an IC connection terminal 11.例文帳に追加

ピン４６及びチップ部品５６を、ＩＣ接合用端子１１に形成された錫鉛共晶ハンダからなるハンダバンプ１２より高融点のハンダ４３でハンダ付けした。 - 特許庁

And in the cathode, the cathode pellet 1 consisting of the high melting point metal containing a electron emission material is connected by brazing, and the connected part is brazed by a eutectic of a tangsten carbide and the high melting point metal material.例文帳に追加

また、カソードは、タングステンフィラメント４の一部に、電子放出材を含有する高融点金属からなるカソードペレット１がろう接により接合され、その接合部が、炭化タングステンと高融点金属材料との共晶物によりろう接されている。 - 特許庁

When a metal cover 3 is bonded to the opening end of a recessed container body 1 formed of laminated ceramic by seam welding, an outer circumference surrounding the metal cover 3 is provided with an annular metal 11 formed of an eutectic alloy whose point transition temperature is lower than a temperature of 573°C of a crystal, for example, an AnSn eutectic alloy.例文帳に追加

積層セラミックからなる、凹状とした容器本体１の開口端面に金属カバー３をシーム溶接によって接合するにあたり、金属カバー３の周回する外周に水晶の点移転温度573℃よりも低い共晶合金、例えばＡｎＳｎ協商合金からなる環状金属１１を設ける。 - 特許庁

Since the phase change of the substance is performed at the eutectic point, restriction on a usable temperature difference can be eliminated, and a heat exchange effect can be obtained without causing the enlargement of the heat exchanger.例文帳に追加

共晶点において物質の相変化を行わせているので、利用できる温度差の制約がなく、熱交換器を大型化することなしに高い熱交換効果を奏することが可能となる。 - 特許庁

One end of the lead frame is connected with the wiring formed on the sub-mount by means of a conductive thermosetting adhesive agent or a second eutectic solder with a melting point of 120-230°C.例文帳に追加

前記リードフレームの一端は、導電性熱硬化性接着剤等または融点が１２０℃から２３０℃である第２の共晶ハンダを介して前記サブマウントに形成された配線に接続される。 - 特許庁

To provide a maltitol-sucrose eutectic mixture which has a low melting point, can easily be treated, and is suitable for producing high quality products, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

マルチトールとショ糖を併用する場合において、融点が低く、取り扱い容易かつ高品質な製品を製造するために好適なマルチトールとショ糖の共融混合物、およびその製法を提供する。 - 特許庁

The forming material of the support substrate is heat treated at the temperature lower than the eutectic point of the forming material of the first ohmic contact layer, and the ohmic contact of the support substrate and the first ohmic contact layer is performed.例文帳に追加

支持基板の形成材料と、第１のオーミックコンタクト層の形成材料と共晶点よりも低い温度で熱処理を行い、支持基板と第１のオーミックコンタクト層とをオーミック接触させる。 - 特許庁

The Fe group metal substrate 11 and respective plating layers 31 to 33 are heated at a temperature lower than a melting point of the Ni plating layer 31 and higher than an eutectic point of the Ni-P plating layer 32 by a predetermined temperature to melt only the Ni-P plating layer 32 (Step S2).例文帳に追加

Ｆｅ基金属基板１１及び各めっき層３１〜３３を、Ｎｉめっき層３１の融点よりは低く、Ｎｉ−Ｐめっき層３２の共晶点から所定温度だけ高い温度で加熱して、Ｎｉ−Ｐめっき層３２のみ溶融させる（ステップＳ２）。 - 特許庁

An amorphous thin film comprising the aimed substance and a flux of a substance which produces a eutectic with the aimed substance but no compound is deposited on a substrate at a low temperature, and the substrate is heat treated at a temperature at the eutectic temperature of the aimed substance and the flux or higher and lower than the lower melting point of the aimed substance or of the flux.例文帳に追加

基板上に、目的物質との間で共晶を形成し且つ化合物を形成しない物質からなるフラックスと、目的物質とからなるアモルファス薄膜を低温で堆積し、この基板を目的物質とフラックスの共晶温度以上、且つ、目的物質或いはフラックスの何れか低い方の融点未満の温度で熱処理する。 - 特許庁

The diameter D of a sample chamber 11 is set to 16-24 mm, the depth L is set to 36 mm or more, and the distance LS from an opening 11a in the sample chamber 11 to a temperature sensor 2 is set to 7-22 mm, thus reducing time before reaching an eutectic point and also reducing the inclination of a cooling curve in eutectic.例文帳に追加

試料室１１の直径Ｄを１６〜２４ｍｍ、深さＬを３６ｍｍ以上とし、試料室１１の開口部１１ａから温度センサ２までの距離ＬＳを７〜２２ｍｍの範囲とすることにより、共晶点に到達するまでの時間を短くすることができ、しかもその共晶時における冷却曲線の傾きを小さくすることができる。 - 特許庁

To prevent freezing of floating crystal on a tube wall face of a cold source in a floating crystal manufacturing machine of a heat storage system and a cooling system utilizing an eutectic point of multicomponent mixed solution.例文帳に追加

浮遊性結晶を含む多成分系混合溶液の共晶点を利用した蓄熱システムおよび冷却システムの浮遊性結晶製造機において、冷熱源の管壁面における浮遊性結晶の凍結を予防する。 - 特許庁

One ends of the at least three leads is connected with the wiring formed on the sub-mount by means of a conductive thermosetting adhesive agent or the like or a second eutectic solder with a melting point of 120-230°C.例文帳に追加

前記少なくとも３つからなるリードの一端は、導電性熱硬化性接着剤等または融点が１２０℃から２３０℃である第２の共晶ハンダを介して前記サブマウントに施された配線に接続される。 - 特許庁

In its production method, a steel ingot or a steel slab having the above chemical composition is subjected to rough hot rolling where its surface temperature in the completion of the rolling is an eutectic point of FeO and Fe_2SiO_4 or higher, so as to be a rough bar.例文帳に追加

また、その製造方法は、上記化学組成を備える鋼塊または鋼片に、圧延完了時の表面温度をFeO とFe_2SiO_4との共晶点以上とした粗熱間圧延を施して粗バーとする。 - 特許庁

In this invention, since the Al eutectic alloy whose liquidus line temperature (melting point) is lower than 660°C is used, a holding temperature of the melt can be set at a temperature lower than a holding temperature (670-800°C) of conventional molten Al.例文帳に追加

本発明では、その液相線温度（融点）が６６０℃より低いＡｌ共晶系合金を使用するので、その溶融物の保持温度を従来の溶融Ａｌの保持温度（６７０〜８００℃）よりも低い温度に設定できる。 - 特許庁

The package contains a linking lead plated with a gold layer, a low melting metal layer having a lower melting point than the gold layer, for example, the golden bump plated with a tin layer on the surface, and a bonding section which bonds the lead and the bump electrically by eutectic point alloy forming with the low melting metal layer and the gold layer.例文帳に追加

金層がメッキされた連結リードと、金層に比べて融点の低い低融点金属層、例えば、錫層が表面にメッキされた金バンプ、及び低融点金属層と金層との共融点合金形成によってリードとバンプとを電気的に接合連結するボンディング部を含んで構成されるパッケージ。 - 特許庁

An alumina sintered compact comprising a transition metal having an eutectic point with alumina is subjected to ordinary-pressure sintering and HIP (Hot Isostatic Pressing) treatment so as to obtain a sintered compact comprising anisotropic grains with the major axis length of ≥10 μm and an aspect ratio of ≥1.5 by ≥20%.例文帳に追加

アルミナと共晶点を有する遷移金属を有するアルミナ焼結体を常圧焼結及びＨＩＰ処理し、長軸長さ１０μｍ以上、アスペクト比１．５以上の異方性粒子を２０％以上含む焼結体を得る。 - 特許庁

The method includes a step of depositing a film formation material mixed with a deposition material and an additive material to form the thin film, and the additive material has a eutectic melting point with the deposition material.例文帳に追加

本発明による薄膜形成方法は、蒸着物質と添加物質とを混合した成膜物質を蒸着させて薄膜を形成する段階を含み、前記添加物質は、前記蒸着物質と共融点を有する物質を使用する。 - 特許庁

The particle includes a spherical ferromagnetic metal nucleus composed of an eutectic alloy of a composition including an eutectic point composition of one or more metallic elements selected from the element group consisting of iron, nickel and cobalt, and carbon, and a shell composed of the carbon precipitated from a liquid droplet containing a ferromagnetic metal element and carbon coating the entire surface of the spherical ferromagnetic metallic shell.例文帳に追加

鉄、ニッケル、コバルトからなる元素群から選ばれた１種以上の金属元素と炭素との共晶点組成を含む組成の共晶合金からなる球状の強磁性金属核と、上記球状強磁性金属核の表面の全面を被覆する該強磁性金属元素と炭素とを含有する液滴から析出した炭素からなる殻とを具備することを特徴とする炭素被覆形強磁性金属球形粒子。 - 特許庁

A metal layer containing a palladium layer is formed on a portion to which a connecting member having conductivity is connected; and an alloy layer which has a melting point higher than that of tin-lead eutectic solder and does not contain lead as main constitutional metal is provided on a portion outside a portion sealed with resin.例文帳に追加

導電性を有する接続部材が接続される部分にパラジウム層を含む金属層を設け、錫−鉛共晶はんだよりも融点が高く主要構成金属として鉛を含まない合金層が樹脂によって封止される部分より外の部分に設ける。 - 特許庁

Respective eutectic bodies having high melting points, are generated by combining copper with iron, nickel, etc., by adding the copper at a high temperature zone, from the conventional solder recycle-refining at the low temperature zone, and the temperature is lowered again to near the melting point to separate and remove the iron, nickel, etc.例文帳に追加

当社従来の低温域における半田リサイクル精錬から、高温域で銅添加による銅と鉄、ニッケル等を結びつける事により、溶解融点の高い各共晶体を発生させ、再度融点近くまで温度を下げる事により、鉄、ニッケル等を分離除去する。 - 特許庁

The recording layer 109 consists of prismatic crystal grains A having ferromagnetic cobalt as a principal component and a crystal grain boundary B, and the crystal grain boundary B is constituted of a composition containing an oxide of an eutectic composition or an oxide of aluminum, silicon and magnesium and having ≤1,500°C melting point.例文帳に追加

記録層１０９は、強磁性のコバルトを主成分とする柱状の結晶粒Ａと、結晶粒界Ｂとからなり、結晶粒界Ｂを共晶組成の酸化物、またはアルミニウムと珪素とマグネシウムの酸化物を含み、その融点が１５００°Ｃ以下の組成で構成する。 - 特許庁

An SOI whose thickness is at most 200 nm is thermally treated in an inert atmosphere at a temperature which is at least the eutectic crystal temperature (e.g., 966°C) of a semiconductor metal compound (e.g., nickel silicide), which is composed of semiconductor material constituting the crystal semiconductor of the SOI and metal and at most the melting point of the semiconductor material.例文帳に追加

厚さ２００nm以下のSOIを、不活性雰囲気中において、SOIの結晶半導体を構成する半導体材料と金属との半導体金属化合物（例えばニッケルシリサイド）の共晶温度（例えば９６６℃）以上であって半導体材料の融点以下の温度で熱処理する。 - 特許庁

To provide a component mounter, a component mounting method, a component mounting system, and a manufactured circuit board in which a component and a body being fixed with the component can be bonded using lead free solder having a melting point higher than that of conventional eutectic solder without having any thermal effect on the component and the body being fixed with the component.例文帳に追加

従来の共晶半田よりも高融点の鉛フリー半田を使用し、かつ部品及び被装着体に熱的影響を与えることなく部品と被装着体との接合が可能な、部品装着装置、部品装着方法、部品実装システム、及び作製された回路基板を提供する。 - 特許庁

The addition of low-quantity Ga allows the liquidus temperatures of both Au and Sn to be fairly lowered for the purpose of lowering a melting point (lowering it by 10°C or more, by approximately 27°C under normal conditions, in comparison with Au-Sn eutectic solder) and reinforcing the temperature sensitivity of the creep resistance of the solder.例文帳に追加

少量のＧａを添加することで、ＡｕおよびＳｎ双方の液相線温度を相当に下げ、したがって融点を下げる（共晶Ａｕ—Ｓｎはんだよりも少なくとも１０℃、通常約２７℃下がる）とともに、はんだの耐クリープ性の温度敏感性も強化する。 - 特許庁

A precursor component capable of producing aluminic acid salt of alkaline earth metal by heating and a flux component of an alkali metal salt having <850°C melting point or an alkali metal salt mixture having <850°C eutectic point are attached to the surface of aluminum borate whisker and the whisker is heated at ≥850°C and <1200°C to form uniform aluminic acid metal salt film.例文帳に追加

ホウ酸アルミニウムウィスカの表面に、加熱によりアルカリ土類金属のアルミン酸塩を生成する前駆体成分および融点８５０℃未満のアルカリ金属塩または共融点８５０℃未満のアルカリ金属塩混合物のフラックス成分を付着させ、８５０℃以上１２００℃未満の温度で加熱することにより、均一なアルミン酸金属塩皮膜を形成させる。 - 特許庁

The submount 9 is formed 200-400 μm thick using a material having a thermal expansion coefficient of 3.5-6.0×10^-6/°C, and the semiconductor lasers LD1-7 are bonded to the submount 9 with its junction down by dividing an AuSn eutectic point solder and a metallization layer into a plurality of parts in the bonding face.例文帳に追加

またサブマウント９は熱膨張係数が３．５〜６．０×１０^−６／℃である材料を用いて２００〜４００μｍの厚さに形成し、このサブマウント９に対して半導体レーザーＬＤ１〜７は、両者の接着面内でＡｕＳｎ共晶点半田およびメタライズ層を複数に分割して、ジャンクションダウン構造で分割接着する。 - 特許庁

The invented nickel-based alloy contains a mixture of approx. 40-60 wt.% nickel-based alloy for first brazing containing boron, approx. 15-35 wt.% first nickel-based filler material, and a blend of second nickel-based filler material and low-melting-point eutectic nickel-based alloy for brazing as the balance.例文帳に追加

修復用ニッケル基合金は、ホウ素を含む第１のろう付け用ニッケル基合金約４０〜６０重量％と、第１のニッケル基フィラ材約１５〜３５重量％と、第２のニッケル基フィラ材およびろう付け用低融点共晶ニッケル基合金の混合物からなる残部と、の混合物を含む。 - 特許庁

This growth method comprises: using an Si-C system melt that has a composition being between the peritectic point and eutectic point in the Si-C two component system phase diagram, as a raw material melt; and bringing the raw material melt into contact with an Si substrate or an SiC film formed on an Si substrate, to perform epitaxial growth of an SiC crystal on the Si substrate or SiC film.例文帳に追加

この液相エピタキシャル成長方法は、Ｓｉ−Ｃの２成分系状態図に示される包晶点と共晶点間の組成を有するＳｉ−Ｃ系融液を原料融液とし、この原料融液とＳｉ基板若しくはＳｉ基板上に設けられたＳｉＣ膜とを接触させて上記Ｓｉ基板上若しくはＳｉＣ膜上にＳｉＣ結晶をエピタキシャル成長させることを特徴とする。 - 特許庁

Then, the lead, etc., can be separated and removed by making flow-down the lead (183°C melting point), etc., forming an eutectic material with the tin from the small holes.例文帳に追加

小孔を開けた回転ドラムに小塊にした再生鉛フリー半田材を入れ、ドラム内部を再生鉛フリー半田材の融点よりわずかに低い温度に保ちながらゆっくりと回転させると、錫は脆くなっているので割れて割れ錫となり、錫と共晶体を作った鉛（融点１８３度）等が溶融、小孔より流下して来て、鉛等を分離除去できる。 - 特許庁