「FERAM」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

In an FeRAM 1, an N-type drain region 6 and a source region 7 are formed with an interval each other.例文帳に追加

ＦｅＲＡＭ１では、Ｎ型のドレイン領域６およびソース領域７が互いに間隔を空けて形成されている。 - 特許庁

To provide a precise and efficient etching process to fabricate a FeRAM cell with high memory densities and high throughput.例文帳に追加

ＦｅＲＡＭセルを高密度かつ高スループットで製造するには、精密かつ効率的なエッチングプロセスが必要である。 - 特許庁

The MPU 1a acquires the final projection compensation data by referring to a table T in an FeRAM 1b.例文帳に追加

ＭＰＵ１ａはＦｅＲＡＭ１ｂ内のテーブルＴを参照することによって、最終的な投射補正データを取得する。 - 特許庁

Further, a PZT films S1b, S2b which serves as barrier layers are formed in the interlayer insulating films S1, S2 of the FeRAM memory cell.例文帳に追加

また、ＦｅＲＡＭメモリセルの層間絶縁膜Ｓ１、Ｓ２中に、バリア層となるＰＺＴ膜Ｓ１ｂ、Ｓ２ｂを形成する。 - 特許庁

To provide an FeRAM by which the read-out margin of a bit line can be increased and the power consumption of a sense amplifier is reduced.例文帳に追加

ビット線の読み出しマージンを大きくすることができ、且つ、センスアンプの消費電力が小さいＦｅＲＡＭを提供する。 - 特許庁

To prevent effectively disturbance of data between adjacent memory cells in FeRAM elements sharing a cell plate between adjacent memory cells.例文帳に追加

隣接メモリセル間にセルプレートを共有するＦｅＲＡＭ素子における隣接メモリセル間のデータ攪乱を効果的に防止する。 - 特許庁

A non-volatile memory, namely FeRAM, that is made of a ferroelectric, is used as the information accumulation means 17, and the information acquisition means 15, decision means 16, information accumulation means 17, and information transmission means 18 are started by power obtained by the energy conversion means 14.例文帳に追加

情報蓄積手段１７として、強誘電体からなる不揮発性メモリであるFeRAMが用いられ、情報入手手段１５、判断手段１６、情報蓄積手段１７、情報伝達手段１８はエネルギー変換手段１４で得た電力により起動する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device contributive to reduce the chip area furthermore in a cross point type FeRAM, and to provide its fabricating process.例文帳に追加

クロスポイント型ＦｅＲＡＭにおいて、チップ面積のさらなる削減に寄与できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Data in a register 111 of the CPU 101 can thus be recorded in the FeRAM 103 at power-down.例文帳に追加

これにより、電源遮断時において、ＣＰＵ１０１が保持しているレジスタ１１１のデータをＦｅＲＡＭ１０３に記録できるようにする。 - 特許庁

To provide a novel storage device which employs a principle entirely different from a conventional FeRAM that uses hysteresis characteristics of polarizing inversion.例文帳に追加

分極反転のヒステリシス特性を利用した従来のＦｅＲＡＭと全く異なる原理を用いた新規な記憶装置を提供する。 - 特許庁

Memory cells MC can store two independent data such as DRAM data (volatile data) and FeRAM data (nonvolatile data).例文帳に追加

メモリセルＭＣは、ＤＲＡＭデータ（揮発性データ）およびＦｅＲＡＭデータ（不揮発性データ）という２つの独立したデータを記憶することができる。 - 特許庁

A sense amplifier 230 of a comparator type compares fixed voltage read from an FeRAM cell 110 with sequence of a reference voltage level.例文帳に追加

比較器タイプのセンスアンプ（２３０）は、ＦｅＲＡＭセル（１１０）から読み取られた一定の電圧を基準電圧レベルのシーケンスと比較する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING THREE-DIMENSIONAL METAL-INSULATOR-METAL CAPACITOR FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY(DRAM) AND FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY(FERAM)例文帳に追加

ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）及び強誘電性ランダムアクセスメモリ（ＦＥＲＡＭ）用の３次元的金属—絶縁体—金属コンデンサを製造する方法 - 特許庁

According to this method, the ferroelectric capacitor having a predetermined capacitor performance can be formed with a good yield whereby the mass production of the FeRAM is permitted stably.例文帳に追加

これにより、所定のキャパシタ性能を有する強誘電体キャパシタを歩留まり良く形成することができ、ＦｅＲＡＭが安定的に量産可能になる。 - 特許庁

The method of forming the FeRAM integrated circuit comprises etching a PZT ferroelectric layer by high-temperature BCl_3 etching which provides substantial selectivity with respect to a hard mask.例文帳に追加

本方法はハードマスクに対する実質的な選択性を与える高温ＢＣｌ_3エッチングによりＰＺＴ強誘電体層をエッチングすることを含んでいる。 - 特許庁

An IC (100) is equipped with a compact nonvolatile "ID" memory (110), such as a ferroelectric random access memory (FeRAM), which stores information on the manufacturing, testing, and performance of an IC.例文帳に追加

ＩＣの製造、試験及び性能に関する情報を記憶するＦｅＲＡＭ等の小型の不揮発性「ＩＤ」メモリ（１１０）を備えた集積回路（１００）。 - 特許庁

The auxiliary nonvolatile memory is preferably written at a higher speed than the flash memory, for example, an FeRAM (free electric RAM) as a practical example.例文帳に追加

この補助不揮発性メモリは、好ましくは、フラッシュメモリよりも高速書き込みが可能なメモリであり、例えば、ＦｅＲＡＭ（Ferroelectric ＲＡＭ）が実際的な例である。 - 特許庁

To shorten the time required for a fatigue test in the FeRAM of a shared sense amplifier system.例文帳に追加

本発明は、シェアードセンスアンプ方式のＦｅＲＡＭにおいて、ファティーグ試験に要するテスト時間を短縮できるようにすることを最も主要な特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device of FeRAM in which area of a memory cell is reduced and a dummy cell and reference voltage are not required in read data.例文帳に追加

メモリセルの面積を小さくしながら、データの読出しにおいてダミーセルやリファレンス電圧を不要にしたＦｅＲＡＭの半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To reduce damage due to a multi-layer manufacturing process for a dielectric capacitor employed in an FeRAM and prevent the film peeling of an interlayer insulating film.例文帳に追加

ＦｅＲＡＭに用いられる強誘電体キャパシタへの多層製造工程によるダメージを低減し、かつ層間絶縁膜の膜剥がれを防止する。 - 特許庁

To provide a logic-FeRAM cell array mixed LSI semiconductor device which has satisfactory capacitor and transistor characteristics, while exhibiting an operation characteristics with high reliability.例文帳に追加

良好なキャパシタ特性及びトランジスタ特性を備え、信頼性の高い動作特性を示すロジック・ＦｅＲＡＭセルアレイ混載ＬＳＩ半導体装置を提供する。 - 特許庁

The ferroelectric capacitor 4 of the FeRAM is covered with an AlO film 11 and then hydrogen and moisture are blocked not to reach the ferroelectric capacitor 4.例文帳に追加

ＦｅＲＡＭの強誘電体キャパシタ４をＡｌＯ膜１１で覆うことにより、水素や水分が強誘電体キャパシタ４に到達するのをブロックする。 - 特許庁

It is preferable that this auxiliary non-volatile memory 10 is a memory capable of writing data at a higher speed than the flash memory 2 and for example, a Ferroelectric RAM (FeRAM) is practical example.例文帳に追加

この補助不揮発性メモリは、好ましくは、フラッシュメモリよりも高速書き込みが可能なメモリであり、例えば、ＦｅＲＡＭ（Ferroelectric ＲＡＭ）が実際的な例である。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device in which the capacitor area of a cross point type FeRAM can be increased and product performance and work efficiency can be enhanced.例文帳に追加

クロスポイント型ＦｅＲＡＭのキャパシタ面積を増大できるとともに、製品性能及び作業効率を向上できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

At least one of data received from the digital circuit 6 by the interface part 12 and data required for operation of the power circuit 100 is stored in an FeRAM 14.例文帳に追加

ＦｅＲＡＭ１４は、インタフェース部１２がデジタル回路６から受信したデータおよび電源回路１００が動作に必要とするデータの少なくとも一方を記憶する。 - 特許庁

The FeRAM is a memory which utilizes the polarizing operation of ferrodielectric and operates similarly to a DRAM and even hen a power source is turned off, recorded data are held.例文帳に追加

ＦｅＲＡＭは、強誘電体の分極作用を利用したメモリであり、通常は、ＤＲＡＭと同様に動作し、電源がオフになっても記録されたデータは保持される。 - 特許庁

The FeRAM is a memory using a polarization action of a ferroelectric substance, operates in the same manner as a DRAM, and holds a recorded data even when power is turned off.例文帳に追加

ＦｅＲＡＭは、強誘電体の分極作用を利用したメモリであり、通常は、ＤＲＡＭと同様に動作し、電源がオフになっても記録されたデータは保持される。 - 特許庁

A method for manufacturing FeRAM is provided with a process of depositing a PbTi layer 5 on a Pt layer 4 which forms a part of a lower electrode, a process of oxidizing the deposited PbTi layer 5, a process of arranging a PZT layer 6 on the PbTi layer 5 which is oxidized and formed, and a process of arranging an upper electrode 7 on the PZT layer 6.例文帳に追加

FeRAMの製造方法は、下部電極の一部を形成するＰｔ層４の上にＰｂＴｉ層を堆積する工程と、該堆積されたＰｂＴｉ層を酸化する工程と、該酸化されて形成されたＰｂＴｉ層５の上にＰＺＴ層６を設ける工程と、該ＰＺＴ層６の上に上部電極７を設ける工程とによる。 - 特許庁

The ferroelectric capacitor for the FeRAM comprises an Ir film 21 for constituting a part of a lower part electrode layer of the capacitor and an IrOx film 22, a first PZT film 23 and a second PZT film 24 provided on the film 22, and an upper electrode 25 provided on the films 23 and 24.例文帳に追加

FeRAMにおける強誘電体キャパシタは、強誘電体キャパシタの下部電極層の一部を構成するＩｒ膜２１及びＩｒＯｘ膜２２を備え、該ＩｒＯｘ膜２２の上に設けられた第１ＰＺＴ膜２３及び第２ＰＺＴ膜４と、該第１及び第２ＰＺＴ膜２３，２４の上に設けられた上部電極２５とを備える。 - 特許庁

In order to protect a capacitor unit 11 of an FeRAM against hydrogen, the capacitor unit 11 is coated with, for example, a anodized metal film, here a Ta anodized film 13, via an insulation film 12.例文帳に追加

例えば、ＦｅＲＡＭのキャパシタユニット１１を水素から保護するために、絶縁膜１２を介して金属の陽極酸化膜、ここではＴａの陽極酸化膜１３を被覆している。 - 特許庁

To provide a novel FeRAM capacitor cell capable of suppressing the concentration of an electric field in the boundary part of a ferroelectric layer and an upper electrode layer effectively, and to provide its fabricating process.例文帳に追加

強誘電体層と上部電極層との境界部における電界の集中を効果的に抑制できる新規なＦｅＲＡＭキャパシタセル及びその製造方法等の提供。 - 特許庁

Also, by storing the address management information for the FAT in a nonvolatile memory 107 for control of a high speed/long service life such as an FeRAM, speed decline by FAT updating is evaded.例文帳に追加

またＦＡＴ用アドレス管理情報はＦｅＲＡＭ等の高速／高寿命の制御用不揮発性メモリ１０７に記憶することで、ＦＡＴ更新による速度低下を回避する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device in which the capacitor area of a cross point type FeRAM can be increased while enhancing the product performance and work efficiency, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

クロスポイント型ＦｅＲＡＭのキャパシタ面積を増大できるとともに、製品性能及び作業効率を向上できる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

To prevent overlapping of an address space of a ferroelectric random access memory (FeRAM) with an address space of an extending storage device on a main mounting board even if a predetermined address value is set as a head address of an extended address space.例文帳に追加

所定のアドレス値を拡張アドレス空間の先頭番地としても、主実装基板上のＦｅＲＡＭのアドレス空間と拡張用記憶デバイスのアドレス空間とが重ならないようにする。 - 特許庁

Such a profile prevents a conductive material associated with subsequent bottom electrode layer etching from depositing on the PZT sidewall, preventing the leakage or the 'short circuit' of the resulting FeRAM capacitor.例文帳に追加

このようなプロファイルは後続下部電極層エッチングに関連する導電性材料がＰＺＴサイドウォール上に堆積するのを防止して、得られるＦｅＲＡＭキャパシタのリークや“短絡”を防止する。 - 特許庁

To provide a thin-packaged structure and a manufacturing method thereof whereby the deterioration of the characteristic of a ferroelectric capacitor is suppressed with respect to an ultra-thin FeRAM semiconductor chip subjected to a miniaturization/high integration.例文帳に追加

小型化・高集積化された超薄型のＦｅＲＡＭの半導体チップについて、強誘電体キャパシタの特性劣化を抑止した、薄型パッケージ構造およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a platinum alloy film allowed to be used for the electrode film of a ferroelectric capacitor to be used for a FeRAM, an electrode film of a ferroelectric capacitor to be used for a DRAM, and so on and prevented from hillock generation.例文帳に追加

ＦｅＲＡＭで使用される強誘電体キャパシタの電極膜、ＤＲＡＭで使用される強誘電体キャパシタの電極膜などに使用されるヒロック発生のない白金合金膜を提供する。 - 特許庁

The MOS transistor T having a peripheral circuit constituted by utilizing only the first and second local interconnect line 6 and 8 is formed directly under the capacitor array forming region X of the cross point type FeRAM.例文帳に追加

そして、この第一及び第二の局所配線６、８のみを利用して周辺回路を構成したＭＯＳトランジスタＴを、クロスポイント型ＦｅＲＡＭのキャパシタアレイ形成領域Ｘ直下に形成する。 - 特許庁

In this data display system, content data are acquired from a file server 3 for storing the content data produced in a usual task by a user, and the content data are stored in an FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) 7 of the data display device 3.例文帳に追加

ユーザが普段の業務で作成したコンテンツデータを格納しているファイルサーバ３からコンテンツデータを取得し、そのコンテンツデータをデータ表示装置３のＦｅＲＡＭ７に格納するようにした。 - 特許庁

When the status of a digital TV is shifted from a stand-by status to an on status, a boot loader stored in a ROM loads proper initial value data stored in a FlashMemory to an FeRAM (a step S109).例文帳に追加

デジタルＴＶの状態が待機状態からオン状態に移行する際、ＲＯＭに格納されているブートローダは、ＦｌａｓｈＭｅｍｏｒｙに記憶されている適切な初期値データをＦｅＲＡＭにロードする（ステップＳ１０９）。 - 特許庁

The selector 105 selects the RAM 102 during a normal operation, and selects the FeRAM 103 when a power-down process of the data processing apparatus 100 starts and proceeds to a state ready for a halt.例文帳に追加

選択器１０５は、通常動作時においてはＲＡＭ１０２を選択し、データ処理装置１００の電源遮断処理が開始され、且つＨＡＬＴ可能な状態に移行した段階で、ＦｅＲＡＭ１０３を選択する。 - 特許庁

To provide a washing processing method after etching highly effective for removing the damage area of PZT in a FeRAM laminated structure with high selectivity so as not to damage other constituting elements.例文帳に追加

ＦｅＲＡＭ積層構造において、ＰＺＴのダメージ領域の除去に極めて効果的であり、且つ他の構成要素に害を及ぼさないように高い選択性を持つ、エッチング後の洗浄処理法の提供。 - 特許庁

A functional IC 100 is integrally integrated on one semiconductor substrate by using an FeRAM mixed process, and the operation state of the analog block 10 can be changed according to the configuration state of the digital block 20.例文帳に追加

機能ＩＣ１００は、ＦｅＲＡＭ混載プロセスを用いてひとつの半導体基板上に一体集積化され、アナログブロック１０の動作状態が、デジタルブロック２０の構成状態に応じて変更可能である。 - 特許庁

To provide a structure for facilitating suppressions of a rise of a contact resistance and a disconnection in a contact hole in a metal wiring provided in the same layer of a plate wire of an FeRAM having the contact hole of a laminated structure or in the upper layers.例文帳に追加

積層構造のコンタント孔を有するＦｅＲＡＭのプレート線と同層以上に設けられた金属配線において、コンタクト抵抗の上昇およびコンタクト孔内での断線の抑制が容易になりな構造を提供する。 - 特許庁

The selector 105 further selects the RAM 102 when a power-up process of the data processing apparatus 100 starts and the CPU 101 reads out the register data recorded in the FeRAM 103 and stores it in the register 111.例文帳に追加

また選択器１０５は、データ処理装置１００の電源起動処理が開始され、且つＦｅＲＡＭ１０３に記録されているレジスタデータをＣＰＵ１０１が読み出してレジスタ１１１に格納した段階で、ＲＡＭ１０２を選択する。 - 特許庁