「GROWTH RING」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The ring is fitted to a neck part between a pineapple being in process of growth and its top leaves, so that the ring cannot be detached from the neck part because of following growth of the pineapple and top leaves.例文帳に追加

成長過程のパイナップルとその頂頭葉との間の首部にリングを嵌挿しておき、その後のパイナップルと頂頭葉の成長によって、リングが首部から離脱不能な状態にする。 - 特許庁

A p+-type guard ring 4 is formed on the surface side of the epitaxial growth layer 2 at the outer peripheral part of the embedded layer 6.例文帳に追加

そして、埋込層６の外周部でエピタキシャル成長層２の表面側にｐ^+ 形のガードリング４が形成されている。 - 特許庁

To provide a refractory adhesion preventing agent by which a growth ring like block is hardly produced on a furnace wall refractory even when inexpensive chamotte refractory is used and a coating material.例文帳に追加

安価なシャモット質耐火物を使用しても、炉壁耐火物におばけが生成し難い耐火物付着防止剤およびその塗料を提供する。 - 特許庁

Thus, the water does not permeate via the O-ring, and as a result of it, basic pressure is reduced, and the water growth is reduced to a high degree.例文帳に追加

このようにして、水はＯリングを通じて透過せず、その結果、基礎圧力が減少され、氷成長が高度に減少される。 - 特許庁

A vapor growth device 1 is provided with an annular metal base ring 10; and an upper dome 8 and a lower doom 9 made of quartz which constitute a chamber 2 by sandwiching the base ring 10 from the upper and lower sides.例文帳に追加

気相成長装置１は、円環状の金属製のベースリング１０と、ベースリング１０を上下から挟んでチャンバー２を構成する石英製のアッパードーム８およびロアドーム９とを備える。 - 特許庁

This gas turbine includes a casing, a shroud ring, and an attachment device rigidly attached to the casing and at least one of the shroud ring and a duct attached to the shroud ring, wherein the device allows the shroud ring to expand and contract independent of the casing and provides limited net axial growth of the shroud ring.例文帳に追加

本ガスタービンは、ケーシングとシュラウドリング及び該シュラウドリングに取付けられたダクトの少なくとも１つとに対してリジッド取付けされたアタッチメント装置を含み、該装置は、シュラウドリングがケーシングとは独立に膨脹及び収縮するのを可能にしかつ該シュラウドリングの正味軸方向成長を制限する。 - 特許庁

A power amplifier of one embodiment comprises: at least one or more first growth ring gate structure formed in a semiconductor layer to perform power amplification operation; multiple second growth ring gate structures formed in the semiconductor layer to be adjacently positioned to surround the first growth ring gate structure in order to isolate the first structure from the surroundings by forming a depletion region by applying reverse bias when the first structure performs power amplification operation.例文帳に追加

一つの実施形態の電力増幅器には、半導体層に形成され、少なくとも１つ以上から構成され、電力増幅動作する第１のグロースリングゲート構造体と、半導体層に形成され、第１のグロースリングゲート構造体を取り囲むように隣接配置され、第１の構造体が電力増幅動作するときに、逆バイアスが印加されて空乏化領域が形成され、第１の構造体を周囲からアイソレートする複数の第２のグロースリングゲート構造体とが設けられる。 - 特許庁

A recessed part 7 is formed on the surface side of the epitaxial growth layer 2 on the embedded layer 6, inside the guard ring 4, and on the surface of the epitaxial growth layer 2 exposed to the recessed part 7, a metal layer 3 which forms a Schottky barrier (Schottky junction) with the semiconductor layer 2, such as molybdenum (Mo) and titanium (Ti), is provided so as to overlap the guard ring 4.例文帳に追加

さらに、そのガードリング４の内側で埋込層６上のエピタキシャル成長層２の表面側に凹部７が形成され、凹部７に露出するエピタキシャル成長層２の表面上に、モリブデン（Ｍｏ）やチタン（Ｔｉ）などの半導体層２とショットキーバリア（ショットキー接合）を形成する金属層３が前述のガードリング４にかかるように設けられている。 - 特許庁

There is provided the baby toys with which people can enjoy closeness and feel the baby's growth through the technique for attaching a pacifier, a teething ring or a toothbrush to a fingerstall.例文帳に追加

本発明は指サックにおしゃぶり・歯固め・歯ブラシを付ける技術でふれあいを楽しめ、成長を実感できる乳児用玩具を提供する。 - 特許庁

A tray of the growth device is constituted of a circular plate with the unrelieved upper and lower surfaces, and a ring member for holding the circular plate and the upper and lower surfaces of the circular plate in contact with a substrate and a susceptor, are polished to raise the flatness of the circular plate.例文帳に追加

上下面に凹凸のない円板と、それを保持するためのリング部材からトレイを構成し、基板やサセプタと接触する円板の上下面を研磨する平面度を向上させる。 - 特許庁

In this case, it is preferable that the distance between the center of a growth streak having a nearly circular annual ring-like shape, which shows an equal carrier concentration within the substrate surface, and the center of the substrate is ≤1/20 of the substrate diameter.例文帳に追加

この場合において、基板面内において等キャリア濃度を示す概円形年輪状を呈する成長縞の中心が、基板中心から基板直径の１／２０以内の距離にあることが好ましい。 - 特許庁

In this method, crystal rotation period is compared with variation period of fusion ring in the growing face of the single crystal 12, and it is judged as the snake growth of the single crystal when these periods coincide.例文帳に追加

この方法では、単結晶１２の成長面のフュージョンリングの変動周期と、結晶回転周期とを比較し、これらが一致したとき、単結晶のくねり成長と判断する。 - 特許庁

To provide a yarn winder capable of suppressing the generation of a growth ring and the occurrence cob-webbing by changing a control method for a traverse width in an accelerated winding zone flexibly according to, for example, a yarn winding method.例文帳に追加

加速巻取区間のトラバース幅の制御方法を例えば糸の巻き方法に応じて柔軟に変更することができ、年輪や綾落ちの発生を抑制できる糸巻取機を提供する。 - 特許庁

The subject pharmaceutical composition containing a 3-quinolin-2(1H)-ylidene indolin-2-one derivative having directly bonded 2-site of the quinoline ring and 3-site of the indolinone ring and an isomerized double bond has good VEGF (vascular endothelial growth factor) inhibiting action, vascularization inhibiting action and antitumor action and is suitable as a VEGF inhibiting agent, vascularization inhibiting agent and antitumor agent.例文帳に追加

キノリン環の２位とインドリノン環の３位が直接結合し、二重結合が異性化した、3-キノリン-2(1H)-イリデンインドリン-2-オン誘導体を有効成分として含有する本発明医薬組成物は、良好なＶＥＧＦ阻害作用、血管新生阻害作用並びに抗腫瘍作用を有しており、好適なＶＥＧＦ阻害剤、血管新生阻害剤並びに抗癌剤である。 - 特許庁

To provide a novel hepatitis C virus infection inhibitor of an action mechanism which inhibits the growth of virus particles in an uncoating process in a life ring of a hepatitis C virus and/or in an infection post stage, and to treat or prevent hepatitis C.例文帳に追加

Ｃ型肝炎ウイルスの生活環における脱殻過程及び／又は感染後期過程でウイルス粒子の増殖を阻害する新規な作用機序のＣ型肝炎ウイルス感染阻害剤を提供し、Ｃ型肝炎を治療又は予防すること。 - 特許庁

At a position corresponding to a guard region and a field-limiting ring, recessed parts 15A and 15B which are narrow and equal to each other in cross-section shape are so formed by wet-etching as to reach the silicon substrate 11 from the surface of the epitaxial growth layer 14.例文帳に追加

ガード領域およびフィールドリミッティングリングに対応する位置で、エピタキシャル成長層１４の表面からシリコン基板１１に達するように巾が狭く、横断面形状が等しい凹部１５Ａおよび１５Ｂをウエットエッチングにより形成する。 - 特許庁

An n^--SiC epitaxial growth layer 2 and a p^+ type layer 3 are successively formed on an n^+-SiC substrate 1 whose main surface has the off angle θ, a guard ring 6 is formed around an element, and an ohmic electrode 4a is provided on the p^+ type layer 3.例文帳に追加

主面がオフ角θを有するｎ^+−ＳｉＣ基板１上に、ｎ^-−ＳｉＣエピタキシャル成長層２、ｐ^+型層３が順次形成され、素子周辺にガードリング６が形成されると共に、ｐ^+型層３上にはオーミック電極４ａが設けられている。 - 特許庁

To provide a process for producing by extrusion a resin molding which has a wood-like appearance with a distinct growth ring pattern and an excellent wood-like feel and which can stably reveal the wood-like appearance and the wood-like feel.例文帳に追加

明瞭な年輪模様を持つ美しい木質的外観及び優れた木質的触感を有すると共に、該木質的外観及び木質的触感を安定して発現し得るところの樹脂成形品を押出成形により製造する方法を提供する。 - 特許庁

Since the epitaxial growth layer 14 remaining above a p+ type field limiting 20 specified by the recessed part 15B is separated from the silicon substrate 11, a depletion layer 30 expands beyond the field-limiting ring to assure a high forward breakdown strength.例文帳に追加

凹部１５Ｂにより画成されるｐ^＋形のフィールドリミッティングリング２０の上部に残存するエピタキシャル成長層１４はシリコン基板１１とは分離されているので、空乏層３０はフィールドリミッティングリングを越えて拡がり、高い順方向耐圧が確保される。 - 特許庁

An n^--layer 21 serving as an epitaxial growth layer is formed on an n^+-layer 20 serving as an n^+ semiconductor substrate and a p guard ring 22, an n^+ channel stopper layer and a p^+-layer 24 serving as a p anode layer are formed on the surface layer of the n^--layer 21.例文帳に追加

ｎ^+ 半導体基板であるｎ^+ 層２０上にエピタキシャル成長層であるｎ^- 層２１を形成し、ｎ^- 層２１の表面層にｐガードリング２２、ｎ^+ チャネルトッパー層およびｐアノード層であるｐ^+ 層２４を形成する。 - 特許庁

An optical core 110 is formed on an intermediate layer 106 by an epitaxial layer growth, then a multiple quantum well 112 is formed adjacent to the optical core 110, and then an outside structure 116 including a total internal, reflecting body is formed, thereby a ring laser system 300 is configured.例文帳に追加

中間層１０６の上に光コア１１０をエピタキシャル層成長により形成し、前記光コア１１０に隣接して多重量子井戸１１２を形成し、そして内部全反射体を含む外側構造体１１６を形成して構成されるリングレーザシステム３００を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing fired lime by firing a material to be fired containing calcium carbonate, which suppresses dam ring growth in a firing furnace efficiently and at a low cost using even a small amount of powder containing magnesium oxide having magnesium oxide particles.例文帳に追加

炭酸カルシウム含有被焼成物を焼成して焼成石灰を製造する方法において、酸化マグネシウム粒子を含有する酸化マグネシウム含有粉末を使用することによって、使用量が少量であっても、焼成炉中でのダムリング成長を効率よく、かつ低コストで抑制する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for manufacturing a compound semiconductor single crystal, whereby a temperature gradient in the direction of crystal growth is increased to enable shaping of a solid-liquid interface into a convex form, by improving the structure of a crucible itself to eliminate need for floating a floating ring or covering with a heat-insulating particle.例文帳に追加

浮遊体リングを浮かべたり断熱性粒子で覆う必要なしに、つまりルツボそれ自体の構造を改善することにより、結晶成長方向の温度勾配を大きくして固液界面を凸化させることを可能とした化合物半導体単結晶の製造装置及び製造方法を提供すること。 - 特許庁

The crystal growing equipment comprises: a crucible which is almost cylindrical, containing raw material and growing the crystal, before starting the crystal growth, the lateral sectional shape of lower part of the crucible is convex toward upward, or ring shaped flat plate; a heating part which is arranged around the cylindrical surface of the crucible and heats to melt the raw material via the crucible.例文帳に追加

結晶性物質の原料を収納して結晶成長させる略円筒形状の坩堝であって、結晶成長が開始する前記坩堝の下部の外面側断面形状が上に凸であるか、下部にリング状の平板を有する坩堝と、前記坩堝の円筒面の周囲に沿って配置され、前記坩堝を介して前記原料を加熱して溶融する加熱部とを有する結晶製造装置を提供する。 - 特許庁

In the middle of the growth of single wall carbon nanotubes, defects are introduced, and five-membered rings or seven-membered rings are introduced into a six-membered ring structures of graphene sheets, thereby the chirality modification is induced, and single wall carbon nanotubes heterojunctions are formed in which semiconductor single wall carbon nanotubes 11 and metallic single wall carbon nanotubes 12 join in those longitudinal directions mutually.例文帳に追加

単層カーボンナノチューブの成長途中で欠陥を導入してグラフェンシートの６員環構造中に５員環または７員環を導入することによりカイラリティ変化を誘起し、半導体的単層カーボンナノチューブ１１と金属的単層カーボンナノチューブ１２とがそれらの長手方向に互いに接合している単層カーボンナノチューブヘテロ接合を形成する。 - 特許庁