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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > INTERCONNECTIONSの意味・解説 > INTERCONNECTIONSに関連した英語例文

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INTERCONNECTIONSを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 393



例文

In an array board 2 whose peripheral edge part is scribed and removed, two interconnections 31-1, 31-2 for inspection are installed at the outer side from a scribing line L1 along the row of signal line pads 64.例文帳に追加

周縁部をスクライブ除去する前のアレイ原基板2において、信号線パッド64の列に沿って、スクライブ線L1より外側に2本の検査用配線31-1,-2を設ける。 - 特許庁

An interlayer insulation film 12 is formed on a substrate plane 10a of a semiconductor substrate 10 in such a manner as to cover lower layer interconnections 11, and interconnection trenches 13 are formed in the interlayer insulation film 12.例文帳に追加

半導体基板10の基板面10a上に、下層配線11を覆って層間絶縁膜12を形成し、層間絶縁膜12に配線溝13を形成する。 - 特許庁

To provide a cleaning method for plasma etching equipment that can control variation in width between interconnections among wafers in a lot and improve throughput in a cleaning step.例文帳に追加

ロット内のウェハ間において配線間幅のばらつきを抑制するとともに、クリーニング工程におけるスループットを向上させることができるプラズマエッチング装置のクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

The process of removing the substrate 13 is performed by etching the substrate 13, using an etchant which has a larger etching rate, with respect to the interconnections 15 and 16 than with respect to the substrate 13.例文帳に追加

基体13を除去する工程は、配線15,16に対するエッチングレートより基体13に対するエッチングレートが大きいエッチャントを用いて、基体13をエッチングすることによって行う。 - 特許庁

例文

On both ends in the current flowing direction of the polysilicon resistor 3, plugs 5a are formed for resistor and interconnections 6a for resistor which is to become the extraction electrodes of the polysilicon resistor 3.例文帳に追加

ポリシリコン抵抗3における電流経路方向の両側上には、ポリシリコン抵抗3の引き出し電極となる抵抗用プラグ5a及び抵抗用配線6aが形成されている。 - 特許庁


例文

In another version, the flexible membrane is used as a support and electrical interconnection for conventional integrated circuit die bonded thereto, with interconnections formed in multiple layers in the membrane.例文帳に追加

他のバージョンでは、ボンディングされた従来の集積回路ダイ用の支持および電気的相互接続として可とう性膜を使用し、膜中の複数の層に相互接続部を形成する。 - 特許庁

Widths of the power supply interconnections 101, 102 for the macro cell are set to that of the interconnection required for supplying the power supply current to the macro cell 100 with the use of only the interconnection.例文帳に追加

マクロセル用電源配線101、102の幅は、当該配線だけを用いてマクロセル100に電源電流を供給するために必要とされる配線幅より細く設定される。 - 特許庁

By using a mixed gas composed of CHF_3 and N_2 in forming interconnection grooves 30 on the Cu interconnections 21 by dry-etching a multilayer film including a silicon carbide/nitride film, sidewalls of the interconnection grooves 30 are worked perpendicular and the trouble allowing deposits or the insulating reaction byproducts to adhere on the surface of the Cu interconnections 21 exposed on the bottoms of the interconnection grooves 30 is suppressed.例文帳に追加

炭化窒化シリコン膜を含む積層膜をドライエッチングしてCu配線21の上部に配線溝30を形成する際、CHF_3とN_2とからなる混合ガスを使用することにより、配線溝30の側壁を垂直に加工すると共に、配線溝30の底部に露出したCu配線21の表面に堆積物や反応物が付着する不具合を抑制する。 - 特許庁

The image sensor in one embodiment, includes readout circuitry 120 formed on a first substrate 100, an electrical junction region 140 formed in the first substrate 100 and electrically connected to the readout circuitry 120, interconnections 150 electrically connected to the electrical junction region 140, and an image sensing device 210 formed on the interconnections 150.例文帳に追加

実施の形態に係るイメージセンサは、第1基板100に形成された読み出し回路120と、読み出し回路120と電気的に連結されて第1基板100に形成された電気接合領域140と、電気接合領域140と電気的に連結されて形成された配線150と、配線150上に形成されたイメージ感知部210と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

例文

To provide a radio frequency power amplifier of multistage amplifying method by reducing instability in output power caused by electromagnetic coupling of bias supply terminals and interconnections of each stage and by reducing distortion of output power caused by electromagnetic coupling of the bias supply terminals and the interconnections of each stage to thereby provide a high efficiency.例文帳に追加

多段増幅式の高周波電力増幅器において、各段のバイアス供給端子および配線同士が電磁気的に結合することにより生ずる出力電力の不安定性を低減し、さらに、各段のバイアス供給端子および配線同士が電磁気的に結合することにより生ずる出力電力の歪みを低減して、高効率な高周波電力増幅器を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a radio frequency power amplifier of multi-stage amplifying method that is designed to reduce instability of output power caused by electromagnetic coupling of bias supply terminals and interconnections of each stage, and also to reduce distortion of output power caused by electromagnetic coupling of bias supply terminals and interconnections of each stage so as to thereby provide high efficiency.例文帳に追加

多段増幅式の高周波電力増幅器において、各段のバイアス供給端子および配線同士が電磁気的に結合することにより生ずる出力電力の不安定性を低減し、さらに、各段のバイアス供給端子および配線同士が電磁気的に結合することにより生ずる出力電力の歪みを低減して、高効率な高周波電力増幅器を提供する。 - 特許庁

Further, the system interconnection protective device 1 includes an interconnection breaker 11 which makes or break interconnections of decentralized power sources with the commercial power system, and a terminal block 12 which has the interconnection breaker 11 fitted to the front thereof.例文帳に追加

また系統連系保護装置1は、分散電源を商用電力系統に連系又は解列させる連系ブレーカ11と、連系ブレーカ11が前面に取り付けられた端子台12とを備える。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of forming a desired opening shape in forming an interconnection by a dual damascene method and providing a better contact between the interconnections.例文帳に追加

デュアルダマシン法により配線を形成する際に、所望の形状の開口部を形成することができ、また、配線間で良好なコンタクトを得ることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, by applying voltage of a prescribed value to the feeder pad 13, each integrated circuit 12 on the semiconductor wafer 11 is checked for continuity via the feeder interconnections 14.例文帳に追加

そして、給電パッド13に所定の電圧を印加することにより、上記給電配線14を通じて上記半導体ウエハ11上の各集積回路12に対する通電試験を行う。 - 特許庁

The second nitride film 6 is composed of SiN similarly to the first nitride film 4 and formed to cover the side face of the copper interconnection 5 and to touch the first nitride film 4 across the adjoining copper interconnections 5.例文帳に追加

第2窒化膜6は、第1窒化膜4と同じSiNからなり、銅配線5の側面を覆うとともに、隣接する銅配線5間にわたって第1窒化膜4と接触するように形成されている。 - 特許庁

A hybrid integrated circuit 10 comprises a circuit substrate 16 functioning as a support subtrate with the two layer interconnections comprising a first interconnection layer 18A and a second interconnection layer 18B laminated.例文帳に追加

成集積回路装置10では、支持基板として機能する回路基板16の表面に、第1配線層18Aおよび第2配線層18Bから成る2層の配線が積層されている。 - 特許庁

The semiconductor structure can be attached to the carrier, for example, with metal bonding which supports approximately the whole longitudinal directional dimension of the semiconductor structure or interconnections as solders or gold stud bumps.例文帳に追加

半導体構造は、例えば、半導体構造のほぼ横方向範囲全体を支持する金属接合により又は半田又は金スタッドバンプのようなインターコネクトによってキャリアに取付けることができる。 - 特許庁

Moreover, the interlayer insulation film 17 formed in the same layer as the interconnections 20a-20c which constitute the first interconnection layer is a silicon-rich oxide film having a property of trapping dopants such as water and hydrogen.例文帳に追加

さらに、第1配線層を構成する配線20a〜20cと同層の層間絶縁膜17として水や水素などの不純物を捕獲する性質を有するシリコンリッチな酸化膜とする。 - 特許庁

Thus, since it is possible to form the interconnections of semiconductor devices without using a mask vacuum deposition method and a photolithography method, the manufacturing method of the semiconductor device in which cost reduction is possible can be obtained.例文帳に追加

このように、マスク蒸着法やフォトリソグラフィ法を用いることなく、半導体装置の配線を形成することができるので、低コスト化が可能な半導体装置の製造方法を得ることができる。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device, having a multilevel metallization and its fabricating method, in which a contact hole for connecting upper and lower interconnections can be formed accurately, and the reliability of the multilevel metallization is enhanced.例文帳に追加

多層配線を有する半導体装置とその製造方法において、上側配線層と下側配線層を接続するための接続孔を正確に形成し、多層配線の信頼性を向上する。 - 特許庁

The second light-shielding films 321, 322 are formed along an interconnection group 21G1 and an interconnection 212 arranged in the area of the first light-shielding film 22 to cover the gap between the first light-shielding film 22 and their interconnections.例文帳に追加

第2遮光膜321,322は、第1遮光膜22のエリア内に配置した配線群21G1、配線212に沿って、第1遮光膜22とそれらの配線との隙間を覆うように形成してある。 - 特許庁

To provide a protective film which can avoid breakdown voltage failures, caused by bubbles remaining aside of an interconnection by suppressing the oxidation of Cu interconnections, at baking of dielectrics without causing increase in the interconnection resistances.例文帳に追加

配線抵抗を上昇させることなく、誘電体焼成時におけるCu配線の酸化を抑制し、配線脇に残存する泡を起因とした耐圧不良を回避可能な保護膜を提供する。 - 特許庁

To provide a light-emitting device array which avoids short-circuiting between interconnections, enhances a production yield of the light-emitting device array and prevents complications of the manufacturing process.例文帳に追加

本発明は、配線間の短絡を回避でき、発光素子アレイの歩留を向上させるとともに、製造工程の複雑化を防止することができる発光素子アレイを提供することを目的とする。 - 特許庁

The image sensor includes a first substrate where interconnections and the readout circuitry are formed and an image sensing device formed on the readout circuitry, and is characterized in that a reverse bias is added above the photodiode.例文帳に追加

配線とリードアウト回路が形成された第1基板と、前記リードアウト回路上側に形成されたイメージ感知部を含み、前記フォトダイオード上側にリバースバイアス(reverse bias)が加えられることを特徴とする。 - 特許庁

A configurable switching element may be used to form interconnections at nodes, and a control signal and other information are used to manage the power status of other aspects of the configurable switching element.例文帳に追加

構成可能なスイッチング要素を使用して、ノードでの相互接続を形成することができ、制御信号及び他の情報を使用して、構成可能なスイッチング要素の他の態様の電力ステータスが管理される。 - 特許庁

A film capacitor (90) includes metalized portions (93) and (96) that are sectionalized, patterned and configured to provide interconnections (100) and (102) on only one face of a rolled or stacked film capacitor.例文帳に追加

フィルムコンデンサ(90)が、巻回または積層のフィルムコンデンサの一方の面だけの上に相互接続部(100)、(102)を形成するように、区分けされ、パターニングされ、構成されている金属化部(93)、(96)を含む。 - 特許庁

To provide a circuit module capable of forming interconnections from integrated circuit elements to terminal electrodes without increasing their area at the time of mounting the integrated circuit elements having a number of input-output terminals.例文帳に追加

多数の入出力端子を持つ集積回路素子を搭載した場合に、集積回路素子から端子電極までの配線をその面積を大きくせずに形成できる回路モジュールを提供する。 - 特許庁

A programmable logic gate cell array 20 includes: a plurality of logic gate cells 50A to 50B; and programmable interconnections 40A to 40N adapted to establish interconnection among the logic gate cells 50A to 50B.例文帳に追加

プログラム可能論理ゲートアレイ20は、複数の論理ゲートセル50A〜50Bと、論理ゲートセル50A〜50B間を相互接続するように構成されたプログラム可能な相互接続40A〜40Nとを含む。 - 特許庁

The interconnections of gradient potentials V3 and V7 which are supplied to the N-type regions 64 and 66 of the same line respectively are formed in the same line of a third metal layer and second metal layer, respectively, and adjacently located up and down.例文帳に追加

同一行のN型領域64及び66にそれぞれ供給される階調電位V3とV7の配線は、それぞれメタル第3層及びメタル第2層の同一行に形成されて、上下に隣り合っている。 - 特許庁

Thereafter, unnecessary parts of the film 7 for a Cu interconnection and the TaN film 4 on the insulation film 2 are polished and removed by CMP to form a Cu interconnection 7a and barrier layers 4a in the trenches 3 for interconnections.例文帳に追加

次に、CMP法を用いて絶縁膜2上の不要なCu配線用膜7及びTaN膜4を研磨除去することにより、配線用溝3内にCu配線7a及びバリア層4aを形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device the size and cost of which can be reduced while enhancing the isolation characteristics between terminals even if crossing points of interconnections connecting the I/O terminals and the semiconductor switches occur.例文帳に追加

入出力端子と半導体スイッチとの間を接続する配線同士が交差する箇所が発生しても、端子間のアイソレーション特性を向上させつつ、サイズ及びコストを抑制可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a conductive path, by which conductive paths such as interconnections and electrodes can be easily formed without exposing a substrate to a high temperature and vacuum state, and the productivity can be improved.例文帳に追加

基板を、高温かつ真空の状態に曝すことなく、簡単に配線および電極などの導電路を形成することができ、かつ生産性を向上することができる導電路形成方法を提供する。 - 特許庁

At the time of treatment with the conductive interconnections 91 being in such a position as to be nearly parallel with the electrode 11 and thus the plasma treatment space P, the substrate 90 is moved in a direction crossing the electrode 11 and thus the plasma treatment space P.例文帳に追加

処理の際は、導電性配線91が電極11ひいてはプラズマ処理空間Pと略平行になる姿勢で、電極11ひいてはプラズマ処理空間Pと交差する向きに基板90を移動させる。 - 特許庁

Next, the trenches 3 for interconnections are filled with an electrolytic plating Cu film 6 by electrolytic plating with the sputter Cu film 5 as a seed layer to form a film 7 for a Cu interconnection which is formed of the sputter Cu film 5 and the electrolytic plating Cu film 6.例文帳に追加

次に、スパッタCu膜5をシード層として電解メッキ法により電解メッキCu膜6を埋め込み、スパッタCu膜5と電解メッキCu膜6からなるCu配線用膜7を形成する。 - 特許庁

An extra capacitor or a capacitor is fabricated utilizing the capacitance between interconnections (between M11 and M12) or the capacitance between through holes (between B11 and B12) which is increased as a finer patterning is employed in the process technology.例文帳に追加

プロセス技術の微細化に伴って大きな容量を持つようになった配線間(M11およびM12間)容量およびスルーホール間(B11およびB12間)容量を利用して、付加容量またはキャパシタを形成する。 - 特許庁

Cross interconnections 322 are arranged on the other surface 302 of a cap portion 300 as a layer different from a layer where interconnection portions 120 and 122 are formed in the stack direction of a sensor portion 100 and the cap portion 300.例文帳に追加

センサ部100とキャップ部300との積層方向において配線部120、122が形成された階層とは異なる階層であるキャップ部300の他面302にクロス配線322を配置している。 - 特許庁

To improve a transparent film that forms an optical waveguide unit in embedding properties so as to improve a semiconductor image pick-up device in light condensing efficiency when an aspect ratio becomes higher as a semiconductor image pick-up device gets to have more multilayer interconnections and more pixels.例文帳に追加

多層配線化及び多画素化に伴いアスペクト比が高くなった場合に、この光導波路部を成す透明膜の埋め込み性が改善されることにより集光効率を向上できるようにする。 - 特許庁

To reduce the number of interconnections in an imaging apparatus which is driven based on a timing signal that an image output timing generation unit generates and a control signal for an exposure amount or the like that a CPU generates.例文帳に追加

本発明は、映像出力タイミング発生部が生成するタイミング信号とCPUが生成する露光量等の制御信号に基づいて駆動する撮像装置において、配線数を削減することを目的とする。 - 特許庁

To improve light condensing efficiency of the semiconductor image pick-up device, by improving embedding properties of a transparent film that forms an optical waveguide unit of a semiconductor image pick-up device when an aspect ratio becomes higher as the semiconductor image pick-up device becomes to have more multilayer interconnections and more pixels.例文帳に追加

多層配線化及び多画素化に伴いアスペクト比が高くなった場合に、この光導波路部を成す透明膜の埋め込み性が改善されることにより集光効率を向上できるようにする。 - 特許庁

To continuously document the physical paths of network interconnections and the physical locations of network components including network connectors or ports in such paths and destination devices e.g., personal computers or telephones.例文帳に追加

ネットワーク相互接続の物理的経路と、経路に含まれるネットワークのコネクタまたはポートを含むネットワーク・コンポーネントと、パーソナル・コンピュータまたは電話のような宛先デバイスとの物理的ロケーションを、継続的にドキュメント化する。 - 特許庁

The electrical connection assembly 10 selectively connects various assemblies and/or components 12, 14, and 16 in an embodiment which substantially reduces the quantity of circuit portions 38, 40, 42 that are required to form desired interconnections.例文帳に追加

電気接続組立体10が、所望の相互接続を形成することが要求される回路部分38, 40, 42の量を実質的に減少する態様で、種々の組立体及び/又は構成部品12, 14, 16を選択的に接続する。 - 特許庁

The respective pixel electrodes 14 and thin-film transistors 10 are mutually connected via a conductive member 9, and the pixel electrode 14 and the conductive member 9 intersect with different scanning interconnections adjacent, respectively.例文帳に追加

対応する画素電極14と薄膜トランジスタ10は、導電部材9によって相互接続されており、画素電極14および導電部材9は、それぞれ、隣接する異なる走査配線と交差している。 - 特許庁

To provide a high-reliability surface acoustic wave device which raises no problem including breaking of wire or the like in interconnections or the like formed on junctions in the surface acoustic wave device with patterns formed by a liftoff method.例文帳に追加

リフトオフ法によって形成されたパターンを有する弾性表面波装置において、接続部上に形成する配線部等に断線等問題が発生せず、信頼性の高い弾性表面波装置を提供する。 - 特許庁

To provide a tape carrier for a semiconductor device in which bonding area of a bonded material to be connected with an outer lead and interconnections can be ensured stably even if the cumulative size of the outer lead of the tape carrier for the semiconductor device varies.例文帳に追加

半導体装置用テープキャリアのアウターリードの累積寸法が変動しても、アウターリードが接続される被接合材の配線との接合面積を安定的に確保できる半導体装置用テープキャリアを提供する。 - 特許庁

First apertures 16 whose width is lager than that of the cutting blade are arranged in regions which are outside the sealing regions 20 in the outer yoke 11 of the lead frame 10 and on prolongation lines of the interconnections 14.例文帳に追加

リードフレーム10の外枠部11における封止領域20の外側で且つ連結部14の延長線上の領域には、幅が切削ブレードの幅よりも大きい第1の開口部16が設けられている。 - 特許庁

To provide a radio LAN system which is capable of making communications without causing a deterioration in its real-time nature and ensuring priority of transmission and interconnections with other company for the its terminal stations or belongings even if the terminal stations belonging to AP are increased in number.例文帳に追加

APに帰属する端末局数が増加しても、リアルタイム性を損なうことなく通信でき、帰属端末局の送信優先度及び他社との相互接続性を保証できる無線LANシステムを提供すること。 - 特許庁

The second nitride film 6 is composed of SiN similarly to the first nitride film 4 and formed to cover the upper surface of the copper interconnection 5 partially and to touch the first nitride film 4 across the adjoining copper interconnections 5.例文帳に追加

第2窒化膜6は、第1窒化膜4と同じSiNからなり、銅配線5の側面及び上面の一部を覆うとともに、隣接する銅配線5間にわたって第1窒化膜4と接触するように形成されている。 - 特許庁

First electrodes 17, 18 for adjustment which are extended along the interconnection 15 for detection are installed at the interconnections 13, 14 for drive, and second electrodes 19, 20 for adjustment which are extended along the interconnection 16 for detection are installed.例文帳に追加

また、駆動用配線13,14には、検出用配線15に沿って延びる第1の調整用電極17,18を設けると共に、検出用配線16に沿って延びる第2の調整用電極19,20を設ける。 - 特許庁

The interlayer insulation film is then removed and the first magnetic layer, the tunnel insulation film and the second magnetic layer are machined integrally using the mask material as an etching mask to form a lower electrode, a tunnel barrier and an upper electrode on the lower interconnections.例文帳に追加

層間絶縁膜を除去し、マスク材をエッチングマスクとして、第1磁性層、トンネル絶縁膜、および第2磁性層を一体的に加工して、下部配線上に、下部電極、トンネルバリア、および上部電極を形成する。 - 特許庁

例文

To provide the resin bonding structure of a circuit board which prevents electric short circuits between adjacent interconnections due to migration in the method of resin bonding of circuit boards such as ACF bonding of a glass substrate and a flexible printed board.例文帳に追加

ガラス基板とフレキシブルプリント基板をACF接合するような、回路基板同士を樹脂接合する方法において、マイグレーションによる隣接配線間の電気的短絡を防ぐことが出来る回路基板の樹脂接合構造の提供。 - 特許庁




  
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