「INTERCONNECTIONS」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

Each first nitride film 4 covers part of the under surface of each copper interconnection 5, and is extended between copper interconnections 5 and 5 adjacent to each other.例文帳に追加

第１窒化膜４は、各銅配線５の下面の一部を覆うとともに、隣接する銅配線５と銅配線５との間にわたって形成されている。 - 特許庁

Interconnections 5 connected to the bonding pads 9, for electrolytic plating on surfaces of the bonding pads 9, are formed on the package substrate 1.例文帳に追加

このパッケージ基板１には、ボンディングパッド９の表面にメッキ膜を施すために、ボンディングパッド９に接続された電解メッキ用の配線５が形成されている。 - 特許庁

The wireless network also has a router 302 connected to the switch 301 of each of the sub-networks to provide interconnections between the sub-networks.例文帳に追加

無線ネットワークはさらに、サブネットワーク間の相互接続を提供するために各サブネットワークのネットワークスイッチ３０１に接続されたルータ３０２を有する。 - 特許庁

The interconnections are exposed by making a hole in the support, or peeling off from the support, external terminals connected to this exposed interconnection are formed.例文帳に追加

支持部に穴を開け、或いは該支持部を剥離することにより、配線を露出させ、この露出した配線に接続される外部端子を形成する。 - 特許庁

To suppress troubles of allowing insulative reaction byproducts to adhere on the surface of an underlying Cu interconnections exposed on the bottoms of interconnection grooves, and allowing a silicon carbide film and an organic insulating film exposed on the sidewalls of interconnection grooves to be side-etched, in forming interconnection grooves on the underlying Cu interconnections by dry-etching an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜をドライエッチングして下層のＣｕ配線の上部に配線溝を形成する際、配線溝の底部に露出した下層のＣｕ配線の表面に絶縁性の反応物が付着したり、配線溝の側壁に露出した炭化シリコン膜や有機絶縁膜がサイドエッチングされるという不具合を抑制する。 - 特許庁

The semiconductor device is equipped with an internal circuit formed on a semiconductor substrate, two or more input/output circuits 1 (4, 5, and 6) formed on the semiconductor substrate and electrically connected to the internal circuit through interconnections 3, and two or more pads 2 formed on the semiconductor substrate and electrically connected to the input/output circuits 1 through the interconnections 3.例文帳に追加

半導体基板に形成された内部回路と、半導体基板に形成され、内部回路とは配線を介して電気的に接続された複数の入出力回路１（４、５、６）と、半導体基板に形成され、入出力回路１と配線３を介して電気的に接続された複数のパッド２とを有する。 - 特許庁

Thus, a barrier layer 15 which is chemically stable even in a high-temperature usage environment at a temperature exceeding 200°C and effectively works as a barrier layer can be interposed between Cu interconnections 18 and the interlayer insulation film 12, and thereby diffusion of Cu, which is a material of the interconnections, into the interlayer insulation film 12 can be prevented.例文帳に追加

これにより、２００℃を超える高温使用環境においても化学的に安定であり、バリア層として効果的に作用するバリア層１５をＣｕ配線１８と層間絶縁膜１２との間に介在させることができるので、配線材料たるＣｕの層間絶縁膜１２への拡散を防止することができる。 - 特許庁

The deep N well 15 and P well 12 are used as an interconnection route concerning a power supply for the substrate bias supply, and interconnections are omitted for many substrate bias supplies.例文帳に追加

基板バイアス供給用電源に係る配線経路としてディープＮウェル１５およびＰウェル１２を用いて、多くの基板バイアス供給用の配線を省略する。 - 特許庁

To provide a flexible wiring board which hardly causes separation between interconnections and an insulation film when being bent and has little extrusion in bending parts, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

折り曲げた際に、配線と絶縁膜との剥離が発生しづらく、折り曲げ部分のはみ出しが小さいフレキシブル配線基板及びその製造方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a low interconnection resistance and an interconnection with its breaking or short circuit between interconnections suppressed by a damascene method, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

配線抵抗が低く、且つ、断線や配線間ショートが抑制されたダマシン法による配線を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

N-type diffusion regions 2b and 2c and p-type diffusion regions 2a and 2d are extended in the same direction, and polysilicon interconnections 3a-3d are extended in the same direction.例文帳に追加

そして、Ｎ型拡散領域２ｂ，２ｃと、Ｐ型拡散領域２ａ，２ｄとを同じ方向に延在させ、ポリシリコン配線３ａ〜３ｄを同じ方向に延在させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing the same, in which dielectric constant is low, and an insulating film having good quality is equipped, parasitic capacitance between interconnections being suppressed.例文帳に追加

誘電率が低く、且つ、良好な品質を有する絶縁膜を備え、配線間の寄生容量が抑制された半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A first interconnection 2 for high-frequency signals, and second interconnections 7 and 8 including ground lines 3 and 4 and connection pads 5 and 6 are formed on the top face of an insulation substrate 1.例文帳に追加

絶縁基板１の上面には高周波信号用の第１の配線２、グランド線３、４および接続パッド部５、６を有する第２の配線７、８が設けられている。 - 特許庁

To provide a system and technique of high energy efficiency in which interconnections are sustained even after the irradiation with control light is ceased after the connection pattern thereof is established.例文帳に追加

インターコネクションの接続パターンが確立された後は、制御光の照射をやめてもその接続が維持される、エネルギー効率の高い装置と手法を提供する。 - 特許庁

The piezoelectric element 205a is connected with the transmission wire part via electrical interconnections 611, 612 and via adhesive fixing parts 621, 622 performing mechanical connection.例文帳に追加

圧電素子２０５ａは、電気的な相互接続部６１１、６１２と、機械的な接続を行なう接着固定部６２１、６２２とで、伝送配線部に接続されている。 - 特許庁

In this way, the semiconductor device is able to carry out connection betweens the element and the interconnection, and among the interconnections, without forming connection hole, such as a contact hole or a via hole.例文帳に追加

このように本発明の半導体装置は、コンタクトホールやビアホールなどの接続孔を形成しないで素子と配線との接続や配線間接続を行なうことができる。 - 特許庁

A power supply 15 which applies a current is connected, via electric interconnections, to the upper end of the sensing body 8 and the sidewall of the control tube 7.例文帳に追加

また、前記水位検出体８の上端と前記水位制御筒７の側壁には、電流を印加する電源１．５が、電気配線を介して接続されている。 - 特許庁

To provide an anisotropic conductive adhesive which provides a strong adhesion to a metal and an organic substrate and generates a stable and reliable electric interconnections.例文帳に追加

金属と有機基板に強力な接着力を付与し、安定且つ信頼性のある電気相互接続を生じる異方性導電接着剤を提供すること。 - 特許庁

Then, after forming the multilayer metal interconnections and before forming the ceramic thin-film capacity 30, it is subjected to hydrogen annealing.例文帳に追加

多層メタル配線の形成後にセラミック薄膜容量３０を形成するので、容量による高低差に起因して多層メタル配線の形成が妨げられることがない。 - 特許庁

The driving interconnections 42 and 43 are arranged for the connection of the plurality of second transfer electrodes 22 in the same column, and for the connection of the plurality of third transfer electrodes 23 in the same column, respectively.例文帳に追加

同一列の複数の第２転送電極２２および第３転送電極２３の接続に対して、それぞれ１本ずつ駆動配線４２，４３が配置されている。 - 特許庁

Simultaneously with formation of first layer aluminum interconnections 63B, 64B, a dummy pattern of aluminum layer is formed in a region where a beam part 2B and an etching liquid injection opening 72B are formed.例文帳に追加

１層目アルミ配線６３Ｂ、６４Ｂの形成と同時に、梁部２Ｂおよびエッチング液注入口７２Ｂが形成される領域にアルミ層からなるダミーパターンを形成する。 - 特許庁

The pick device 10 includes a backplane adapted to provide power or I/O interconnections between the disk drive and the destination during transfer of the disk drive.例文帳に追加

ピック装置１０は、ディスク・ドライブの転送中に電源またはディスク・ドライブと宛先の間の入出力相互接続を提供するように適合されたバックプレーンを含む。 - 特許庁

To prevent leakage of light from an external light source in a fluorescent display device in which interconnections and a light-shielding film are formed on an anode substrate, and an external light source display part is formed on the light-shielding film.例文帳に追加

アノード基板に配線と遮光膜を形成し、遮光膜に外光源表示部を形成した蛍光表示装置において、外光源の漏光を防止すること。 - 特許庁

Then, a metal film 14 is so formed as to cover the surface of the interlayer insulation film 12, the internal walls of the interconnection trenches 13, and the lower layer interconnections 11 by sputtering, CVD, or the like.例文帳に追加

次に、スパッタ法、ＣＶＤ法などにより、層間絶縁膜１２の表面、配線溝１３の内壁及び下層配線１１を覆う金属膜１４を形成する。 - 特許庁

Due to this structure, a mounting density can be improved by the reduction in the number of the mounting lands and pads 3a for fastening the passive elements, realization of crossing the interconnections by a single layer, etc.例文帳に追加

これにより受動素子の固着のための実装ランド部、パッド部３ａの低減、単層でも配線の交差が実現するなどにより実装密度の向上を図れる。 - 特許庁

In the electro-optical panel such as a liquid crystal display panel (1), interconnections (12) for establishing the continuity with an object to be mounted such as an IC for driving (10) are formed.例文帳に追加

例えば液晶表示パネル（１）などの電気光学パネルには、例えば駆動用ＩＣ（１０）などの実装対象物との導通のために配線（１２）が形成される。 - 特許庁

A contact plug 28 with a tight-contact layer 27 as a base material is formed inside the contact hole 26, and Al interconnections 29 and 30 are formed on the third inter-layer insulation film 25.例文帳に追加

コンタクトホール２６の内部に密着層２７を下地としたコンタクトプラグ２８を形成し、第３の層間絶縁膜２５上にＡｌ配線２９、３０を形成する。 - 特許庁

An electrically conductive layer 2b is formed on the wall surface of the secondary through-hole 1a to electrically connect upper and lower signal interconnections 2a via the secondary through-hole 1a.例文帳に追加

導電層２ｂは、上下の信号配線２ａを２次貫通穴１ａを介して電気的に接続するために２次貫通穴１ａの壁面に形成されている。 - 特許庁

To provide an interconnection correction system by which a plurality of kinds of interconnections formed of different materials can be efficiently corrected without deteriorating the quality and reliability.例文帳に追加

相互に異なる材料からなる複数種類の配線を効率よく且つ品質及び信頼性を低下させずに修正することができる配線修正装置を提供する。 - 特許庁

The rewritable gate array (100) comprises an array (390) of logic cells (100A-100D) and routing resources, including antifuses (399A) for programming interconnections of logic cells.例文帳に追加

書き換え可能ゲートアレイ（１００）は、ロジックセル（１００Ａ−Ｄ）のアレイ（３９０）と、ロジックセルの接続をプログラミングするアンチヒューズ（３９９Ａ）を含む配線リソースを有する。 - 特許庁

In this condition, as the interval between columnar electrodes 12 is 80 μm, the number of interconnections 18 allowed to be arranged in a region corresponding to the interval is one.例文帳に追加

この場合、柱状電極１２間の間隔は８０μｍであるため、この間隔に対応する領域に配置することができる配線１８の本数は１本である。 - 特許庁

In addition, at least the intermediate conductive layer closest to the top conductive layer is adapted for functional interconnections of select devices under the bonding pad.例文帳に追加

また、最上部導電層に最も近接した少なくとも中間導電層は、ボンディング・パッド下方の各選択デバイスの機能的相互接続部に対して適合する。 - 特許庁

To manufacture a multilayer printed wiring board including interconnections at a high density, at a low cost by reducing the number of processes for manufacturing a buildup type multilayer printed wiring board.例文帳に追加

ビルドアップ多層プリント配線板の製造工程において、工程を短縮することにより、高密度配線を有する多層プリント配線板を安価に製造する。 - 特許庁

In order to form the plurality of interconnections 2 in form of a stranded wire, portions of those interconnections 2 which are formed in different conductor layers perpendicular to the thickness direction of the wiring board 1 are made to cross each other with an insulation substrate 3 in between, and the locations of the portions are alternately inversed via a plurality of through holes 4 formed in the wiring board 1.例文帳に追加

複数の配線２の配線板１の厚み方向に直交する互いに異なる導体層に形成された部位を絶縁基板３を挟んで互いに交差させるとともに、前記各部位の配設位置を前記配線板１に配設された複数のスルーホール４を介して交互に反転させることによって撚り線状に形成する。 - 特許庁

To enable an interlayer insulation film 25 to be embedded in a gaps between the interconnections 23 on a semiconductor substrate without damaging the insulation film 22 of its underlayer on the semiconductor substrate 21 by plasma ions, and without charging up the underlayer in a semiconductor fabricating method for forming the interlayer insulation film for filling the gaps between the interconnections 23.例文帳に追加

配線２３の間を埋める層間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法において、半導体基板２１上に形成される配線の下地である絶縁膜２２をプラズマイオンでキズ付けたり、下地にチャ−ジアップさせたりすることなく半導体基板上の配線２３間の隙間に層間絶縁膜２５を埋め込むことができるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, and a fabrication method thereof, in which the elements can be patterned finely by connecting a gate electrode with a source diffusion layer or a drain diffusion layer, without using Al interconnections.例文帳に追加

Ａｌ配線を用いずにゲート電極をソース拡散層又はドレイン拡散層に接続することにより、素子の微細化が可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To restrain a wiring groove from varying in depth independently of the diameter of a via hole and the density of a pattern provided thereunder when interconnections are formed through a dual damascene method.例文帳に追加

デュアルダマシン法を用いて配線を形成する際に、直下に形成されるビアホールの径やパターン密度にかかわらず配線溝の深さのばらつきを抑制することを目的とする。 - 特許庁

The first interconnection disposed between the adjacent memory cell arrays is shared by memory cells above and below the first interconnection, and the vertically-overlapping first interconnections are connected to each other.例文帳に追加

隣接するメモリセルアレイ間に配置された第１の配線は、その上下のメモリセルで共有され、上下に重なる第１の配線同士が互いに接続されていることを特徴とする。 - 特許庁

A through electrode 12 is provided through a substrate 11, a dielectric layer 14A is formed on the substrate 11 and then interconnections 16A and 16B and an antenna 17 are formed on the dielectric layer 14A.例文帳に追加

基板１１に貫通電極１２を設け、基板１１上に誘電体層１４Ａを形成したのち誘電体層１４Ａ上に配線１６Ａ，１６Ｂおよびアンテナ１７を形成する。 - 特許庁

The regular elements and the redundancy elements are patterned using the first mask (step 60), and the interconnections between the regular elements and the redundancy elements are patterned using the second mask (step 70).例文帳に追加

第１のマスクを使用して正規要素および冗長要素がパターン形成され６０、第２のマスクを使用して正規要素と冗長要素の間の相互接続がパターン形成される７０。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which an overlying metal interconnection is formed so as not to cause damage to an underlying metal interconnection, and parasitic capacitance between interconnections is reduced; and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

下層の金属配線のダメージがなく上層の金属配線が形成され、かつ、配線間の寄生容量が低減された半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device 1, Al interconnections 6 connected electrically with respective contacts 3 are formed on an insulating film 4 including the interior of a contact hole 5 on a semiconductor substrate 2.例文帳に追加

この半導体装置１において、半導体基板２上の、コンタクトホール５の内部を含む絶縁膜４上には、各コンタクト３と電気的に接続されたＡｌ配線６が形成されている。 - 特許庁

To prevent an occurrence of short circuit failure between interconnections by removing moisture remaining on an insulting film after chemical mechanical polishing to a copper film and preventing the migration of copper to the insulting film.例文帳に追加

銅膜に対する化学機械研磨後に絶縁膜上に残留する水分を除去することにより、絶縁膜への銅のマイグレーションを防止して、配線間ショートを防止する。 - 特許庁

On a surface of the interlayer insulating film 19, interconnections 30 to 32 connected to the respective bottom gate electrode 20, semiconductor layer 13, and top gate electrode 14 are formed.例文帳に追加

また、層間絶縁膜１９の表面には、ボトムゲート電極２０、半導体層１３、およびトップゲート電極１４の各々に接続される配線３０〜３２が形成されている。 - 特許庁

Alternatively, the protective films 3 are composed of an inorganic substance, which is not sintered at the firing temperature of the ceramic green sheets 2 and which is not welded to the interconnections 1.例文帳に追加

あるいは、焼成後に該保護膜３を除去するように、前記保護膜３が、セラミックグリーンシート２の焼成温度で焼結せず、かつ配線１に溶着しない無機物からなる。 - 特許庁