「Insulating」に関連した英語例文の一覧と使い方(105ページ目) - Weblio英語例文検索

An insulating film (12) is formed on a board (11), a hole (121) is provided on the surface of the insulating film (12) at a prescribed position as it is extended perpendicular to the surface of the insulating film (12), and an amorphous silicon film (13) having a prescribed thickness is formed on the insulating film (12).例文帳に追加

基板（１１）上に絶縁膜（１２）を形成し、絶縁膜（１２）の面内の所定位置に、面に対して垂直に延びる孔（１２１）を形成してから、絶縁膜（１２）上に所定の厚さで非晶質珪素膜（１３）を形成する。 - 特許庁

A first insulating film 12 is deposited on a substrate wafer 11, a second insulating film 13 lower in etching rate than the first insulating film 12 is deposited on the first insulating film 12, a contact hole is provided, and a first wiring 15 is formed.例文帳に追加

基板ウエハ１１上に第１の絶縁膜１２を堆積し、第１の絶縁膜１２上に第１の絶縁膜１２よりもエッチングレートの低い第２の絶縁膜１３を堆積し、コンタクト孔を形成し、第１の配線１５を形成する。 - 特許庁

Then, insulating sheets 8a, 8b, which correspond to the shape of the coil 5 are arranged at upper and lower sides of the coil 5, and an insulating tape 9 is wound around the coil 5 which is covered with the insulating sheets 8a, 8b, the insulating tapes 6a, 6b and the prepreg tapes 7a, 7b.例文帳に追加

そして、コイル５の形状に対応した絶縁シート８ａ、８ｂをコイル５の上下側に配置し、絶縁シート８ａ、８ｂと、絶縁テープ６ａ、６ｂとプリプレグテープ７ａ、７ｂに覆われたコイル５に、絶縁テープ９を巻き付ける。 - 特許庁

When fitting the thermally insulating plate 3 in the thermally insulating plate fitting part 70, a dimension of the whole thermally insulating panel 1 is increased/decreased in the width direction of the cutout 31, by elastically deforming the thermally insulating plate 3, so that a width of the cutout 31 varies.例文帳に追加

そして、断熱板嵌入部７０に断熱板３が嵌入されたとき、切欠３１の幅が変動するように断熱板３が弾性変形することにより切欠３１の幅方向において断熱パネル１全体の寸法が増減する。 - 特許庁

A common mode choke coil 10 is constituted of: an insulating layer 16; a pair of coil-shaped conductor patterns 18, 20 arranged face to face inside the insulating layer 16; insulating substrates 12, 14 which sandwich the insulating layer 16; and a core 24.例文帳に追加

コモンモードチョークコイル１０は、絶縁体層１６と、該絶縁体層１６の内部に対向配置された一対のコイル形状の導体パターン１８，２０と、前記絶縁体層１６を挟み込む絶縁性の基板１２，１４と、コア２４により構成される。 - 特許庁

The collective electric wire 3-1 is a collective electric wire obtained by collecting insulating electric wires 2a to 2c formed by coating an insulating layer 6 on a conductor 5, and of these, the insulating electric wire 2c is constituted of only the conductor 5 and is not coated with the insulating layer 6.例文帳に追加

集合電線３−１は、導体５に絶縁層６を被覆してなる絶縁電線２ａ〜２ｃを集合させた集合電線であり、このうち絶縁電線２ｃが、導体５のみで構成され、絶縁層６で被覆されていない。 - 特許庁

Further, since the laminated film 5 is hardly damaged by an impact or friction by covering the vacuum heat insulating material 1 with the cover member, the rupture of the vacuum heat insulating material 1 is prevented and the long-term reliability of the heat insulating capacity of the heat insulating material is enhanced.例文帳に追加

また、真空断熱材１をカバー部材で包むことにより、衝撃や摩擦などによりラミネートフィルム５に傷が付き難くなるので、真空断熱材１の破袋を防止することができ、断熱性能の長期信頼性が向上する。 - 特許庁

A method for manufacturing an insulating resin with a copper foil has a process for forming an insulating resin layer on the single surface of the copper foil and cutting the coated copper foil into a necessary size and subsequently treating the cut part of the insulating resin with the copper foil with a liquid for dissolving the insulating resin layer.例文帳に追加

銅箔の片面に絶縁樹脂層を形成し、必要なサイズに切断した後に、銅箔付き絶縁樹脂の切断部を、前記絶縁樹脂層を溶解する液体で処理する工程を有する銅箔付き絶縁樹脂の製造方法。 - 特許庁

Insulating layers (24, 26 and 28) on metallic conductors (23 and 27) inside of the element are formed of insulating layers consisting of the novolak-based resin, and an insulating layer consisting of the polyimide-based resin is used as an insulating layer (30) covering them and exposed to the surface of the element.例文帳に追加

素子内部の金属導体（２３，２７）上の絶縁層（２４、２６，２８）をノボラック系樹脂からなる絶縁層で形成し、これを覆って、素子表面に露出する絶縁層（３０）としてポリイミド系樹脂からなる絶縁層を用いる。 - 特許庁

In addition, since the primary side core 2 and the secondary side core 3 are divided completely to be separated by the insulating substrate 1, an extra insulating blank such as an insulating sheet, an insulating cap or the like is not required, the structure of the current detector is simplified, and its mounting is further simplified.例文帳に追加

さらに、一次側コア２と二次側コア３とが絶縁基板１を隔てて完全に分割されているため、絶縁シートや絶縁キャップなどの余計な絶縁素材が不要になり、構造が簡略化されて実装がより簡略化される。 - 特許庁

Since both a first insulating film 402 and a second insulating film 403 are formed by a spin coat method, the first insulating film 402 and the second insulating film 403 can be formed in the same SOD processing system 1.例文帳に追加

第１の絶縁膜４０２及び第２の絶縁膜４０３について共にスピンコート法によって形成しているので、第１の絶縁膜４０２と第２の絶縁膜４０３の形成を同一の該ＳＯＤ処理システム１内で行うことができる。 - 特許庁

The organic electroluminescent display device 1 includes an insulating substrate 3, a plurality of organic electroluminescent elements 4 formed on the insulating substrate 3, and an insulating film formed on the insulating substrate 3 to demarcate the plurality of organic electroluminescent elements 4 from one another.例文帳に追加

有機ＥＬ表示装置１は、絶縁性基板３と、絶縁性基板３上に形成された複数の有機ＥＬ素子４と、絶縁性基板３上に形成されるとともに、複数の有機ＥＬ素子４を区画する絶縁膜５を備えている。 - 特許庁

A one component of the insulating film 11 kept in contact with the board 10 is an epitaxial crystal insulating film 11c containing metal, silicon, and oxygen, and the other component of the insulating film 11 kept in contact with the electrode 12 is an amorphous insulating film 11b containing nitrogen besides.例文帳に追加

前記絶縁膜の前記基板側は、金属、シリコン及び酸素を含有するエピタキシャル結晶絶縁膜（１１ｃ）であり、前記絶縁膜の前記電極側は、窒素をさらに含有する非晶質絶縁膜（１１ｂ）であることを特徴とする。 - 特許庁

After being planarized by a CMP method, the first element isolation insulating film 31 and the second element isolation insulating film 32 are etched under the etching condition that the etching rate of the second element isolation insulating film is higher that of the first element isolation insulating film.例文帳に追加

第１素子分離絶縁膜３１と第２素子分離絶縁膜３２は、ＣＭＰ法により平坦化された後、第２素子分離絶縁膜３２のエッチングレートの方が第１素子分離絶縁膜のそれよりも高いエッチング条件でエッチングされる。 - 特許庁

The heat insulating member 8 has a structure laminating outer heat insulating material 11 over inner heat insulating material 10 consisting of mutually different elastic material, and the whole inner surface of the inner heat insulating material 10 is provided with a metallic thin surface layer 9 furnished with heat reflection property.例文帳に追加

断熱部材８は異なる弾性材料からなる内側断熱材１０と外側断熱材１１とを積層した構造であり、内側断熱材１０の内面全体には、熱反射性を有する金属薄表層９が設けられている。 - 特許庁

First conductor wires 121-127 are positioned on a plane whereon the second insulating layer 102 and the third insulating layer 103 come close to each other, and on a plane whereon the third insulating 103 and the fourth insulating layer 104 come close to each other.例文帳に追加

第１の導体配線１２１〜１２７は、第２番目の絶縁層１０２と第３番目の絶縁層１０３とが隣接する面、及び、第３番目の絶縁層１０３と第４番目の絶縁層１０４とが隣接する面に位置している。 - 特許庁

This semiconductor analyzer includes a means for applying a liquid insulating material 12 onto an insulating layer 24 and an extraction electrode 26, a means for allowing the applied insulating material 12 to have a film shape, and a means for hardening the insulating material 12 having the film shape.例文帳に追加

半導体解析装置は、絶縁層２４および取り出し電極２６の上に液体状の絶縁物１２を塗布する手段と、塗布された絶縁物１２を膜状にする手段と、膜状にされた絶縁物１２を硬化させる手段と、を含む。 - 特許庁

A flexible insulating base material 10 and a rigid insulating base material 20 are fitted so as to match each other at an opening 20w provided by opening the rigid insulating base material 20, and juxtaposed like a plane to configure a first layer insulating base material Li.例文帳に追加

フレキシブル絶縁基材１０およびリジッド絶縁基材２０は、リジッド絶縁基材２０を開口して設けた開口部２０ｗで相互に整合するように嵌合され平面状に相互に並置され第１層絶縁基材Ｌｉを構成する。 - 特許庁

In a process of constituting an element substrate 10 of a liquid crystal device, after a thick underlay insulating film 4a of an insulating film 4 is formed, removal regions 41, 45 are formed in the underlay insulating film 4a, followed by forming a thin overlay insulating film 4b.例文帳に追加

液晶装置の素子基板１０を構成するにあたって、絶縁膜４の厚い下層側絶縁膜４ａを形成した後、この下層側絶縁膜４ａの除去領域４１、４５を形成し、次に、薄い上層側絶縁膜４ｂを形成する。 - 特許庁

A core insulating member is for insulating a coil wound around a core and has a slot insulation part 51 for insulating the slots of the core and a core edge insulation part 52 for insulating an edge in a slot extending direction of the core.例文帳に追加

コアに巻き付けられたコイルを絶縁するために前記コアのスロットに対して絶縁するスロット絶縁部５１とコアのスロット延在方向の端面に対して絶縁するコア端面絶縁部５２とを有するコア絶縁部材の製造方法。 - 特許庁

A supporting base 22 is composed of an insulating material having superior heat insulating property, such as a glass epoxy resin and a polyphenylene sulfide resin, or includes a part of an insulating material layer as an SOI base composed of a supporting layer, an insulating layer and an active layer.例文帳に追加

支持基板２２を、ガラスエポキシ樹脂やポリフェニレンサルファイド樹脂などの断熱性に優れた絶縁材料で、または支持層と絶縁層と活性層とよりなるＳＯＩ基板のように絶縁材料の層を部分的に含んで構成する。 - 特許庁

An insulating substrate 13 is stuck on an insulating resin layer 11 where 1st opening parts 12 are formed, 2nd opening parts 14 for forming the inspection electrodes are formed in the insulating substrate 13, and a metal substrate 15 is stuck on the side of the insulating resin layer 11.例文帳に追加

第１開口部１２を形成した絶縁樹脂層１１に絶縁基板１３を貼着し、絶縁基板１３に検査電極を形成するための第２開口部１４を形成し、絶縁樹脂層１１側に金属基板１５を貼着する。 - 特許庁

Then, a base insulating layer 4 is formed on the metal foil 3 and the metal support substrate 2, a conductor pattern 5 is formed on the base insulating layer 4, and a cover insulating layer 6 is formed on the base insulating layer 4 to cover the conductor pattern 5.例文帳に追加

次いで、金属箔３および金属支持基板２の上にベース絶縁層４を形成し、ベース絶縁層４の上に導体パターン５を形成し、ベース絶縁層４の上に導体パターン５を被覆するようにカバー絶縁層６を形成する。 - 特許庁

In a non-volatile semiconductor storage device 1, a first insulating film 5, a charge accumulation layer 6, a second insulating film 13, a third insulating film 14, a fourth insulating film 15 and a control gate 17 are formed on the surface of a semiconductor substrate 3.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置１においては、半導体基板３の表面上に第１の絶縁膜５、電荷蓄積層６、第２の絶縁膜１３、第３の絶縁膜１４、第４の絶縁膜１５、制御ゲート１７が設けられている。 - 特許庁

An insulating layer 21 is formed by laminating a film insulating material 15 with an adhesive layer formed on an insulating board 11 on which a first wiring layer 12 is formed, and a hole for a via-hole is formed on the predetermined place of the insulating layer 21.例文帳に追加

第１配線層１２が形成された絶縁基板１１上に接着層１４が形成されたフイルム絶縁材料１５を積層して絶縁層２１を形成し、絶縁層２１の所定位置にバイアホール用孔１６を形成する。 - 特許庁

Each of the first/the second MTGs can include a tunnel insulating film pattern, a potential storage film pattern on the tunnel insulating film pattern, a blocking insulating film pattern on the potential storage film pattern, and a control gate on the blocking insulating film pattern.例文帳に追加

第１及び第２ＭＴＧのそれぞれはトンネル絶縁膜パターン、トンネル絶縁膜パターン上の電荷貯蔵膜パターン、電荷貯蔵膜パターン上のブロッキング絶縁膜パターン及びブロッキング絶縁膜パターン上の制御ゲートを含むことができる。 - 特許庁

A terminal tightening member for the insulating trolley wire is provided with a holding part 2 which holds the end part of an insulating trolley wire 1 and a tightening part 3 which is extended outwardly in the longitudinal direction of the insulating trolley wire 1 from the holding part 2 and tights the insulating trolley wire 1.例文帳に追加

絶縁トロリー線１の端部を保持する保持部２と、保持部２から絶縁トロリー線１の長手方向外方に延出されて絶縁トロリー線１を引き締める引締部３とを備えた絶縁トロリー線の端末引締部材である。 - 特許庁

A sidewall spacer is composed of innermost side insulating film 8a in direct contact with the sidewall of a gate electrode 5, as well as outside insulating film 6a in different etching rate from that of the innerside insulating film 8a covering the innerside insulating film 8a.例文帳に追加

サイドウォールスペーサは、ゲート電極５の側壁に直接接触する最も内側の内側絶縁膜８ａと、内側絶縁膜８ａとエッチング速度の異なるものであり、内側絶縁膜８ａを覆う、外側絶縁膜６ａとからなる。 - 特許庁

The electrostatic chuck is provided with an insulating substrate, an electrode formed on the insulating substrate and a dielectric body formed on the insulating substrate and the electrode while the thickness of the electrode formed on the insulating substrate is specified so as to be 1/10 or less with respect to the flatness of the insulating substrate.例文帳に追加

絶縁性基体と、当該絶縁性基体上に形成された電極、及び前記絶縁性基体及び前記電極上に形成された誘電体を有する静電チャックであって、前記絶縁性基体上に形成された電極の厚さが、前記絶縁性基体の平面度に対して１／１０以下である静電チャック。 - 特許庁

The magnetic head includes: a first insulating member 8-1 made of a highly rigid insulating material formed near an air bearing surface around the write element 3 of the magnetic head; and a second insulating member 4 made of a low-rigid insulating material formed at a part of near the air bearing surface around the first insulating member 8-1.例文帳に追加

磁気ヘッドのライト素子３の周辺の浮上面近傍に剛性の高い絶縁材料で形成された第１の絶縁部材８−１を配置し、第１の絶縁部材８−１周辺の浮上面近傍の一部に剛性の低い絶縁材料で形成された第２の絶縁部材４を配置する。 - 特許庁

The coaxial wire comprises an inner conductor, an inner insulating layer coating the inner conductor, an outer conductor located outside the inner insulating layer, and an outer insulating layer coating the outer conductor, wherein at least one of the inner insulating layer and the outer insulating layer is composed of the ionomer resin composition.例文帳に追加

内部導体、該内部導体を被覆する内部絶縁層、該内部絶縁層の外側に位置する外部導体、及び該外部導体を被覆する外部絶縁層を有する同軸線であって、前記内部絶縁層及び前記外部絶縁層の少なくともいずれか一層を、上記本発明のアイオノマー樹脂組成物で構成する。 - 特許庁

A linking rod 26, an operating rod 27 and an insulating rod 28 constituting insulating and operating rods for switching electrodes of a vacuum valve 1 are placed inside an insulation vessel 23 filled with a liquid insulating medium such as silicone oil, and the insulating vessel 23 is integrally molded with a vacuum valve 1 by a solid insulating material.例文帳に追加

真空バルブ１の電極を開閉する絶縁操作ロッドを構成する連結ロッド２６、操作ロッド２７、および絶縁ロッド２８が、シリコーンオイル等の液状の絶縁媒体を充填した絶縁容器２３内にあり、絶縁容器２３は真空バルブ１と一体に固体絶縁材料２２によりモールドされている。 - 特許庁

A second insulating film 7 within a second region is changed to a second insulating film 7b having a high relative permittivity by irradiating an ultravilet light with a first region to be an interconnection region coated by a shielding film after a first insulating film 6, the second insulating film 7, and a third insulating film 8 are sequentially laminated.例文帳に追加

第１絶縁膜６、第２絶縁膜７、第３絶縁膜８を順次積層した後、配線領域となる第１領域を遮蔽膜によって被覆した状態で、紫外線を照射することで、第２領域内の第２絶縁膜７を比誘電率の高い第２絶縁膜７ｂに変化させる。 - 特許庁

The side wall of a fuse element or an insulating film covering it is worked into a tapered shape, so that the distance to the applied insulating film existing near the fuse element is made larger to release a thermal stress to be applied to the applied insulating film and the degassing reaction from the applied insulating film is suppressed to avoid the deformation of the applied insulating film or a crack.例文帳に追加

ヒューズ素子の側壁部もしくはそれを覆う絶縁談をテーパ形状に加工することにより、ヒューズ素子の近隣に存在する塗布絶縁膜との距離を大きくすることで塗布絶縁膜へ加わる熱ストレスを緩和し、塗布絶縁談からの脱ガス反応を押さえ塗布絶縁談の変形やクラック等を避ける。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a ground insulating film 4 including on the surface first and second parts 16, 17 each having different height; lower layer wirings 11, 12 formed on the ground insulating film 4; and a first insulating film 6, an organic SOG film 7, and a second insulating film 8 formed sequentially on the lower layer wirings 11, 12, and the ground insulating film 4.例文帳に追加

表面に高さが異なる第１および第２の部分１６,１７を有する下地絶縁膜４と、下地絶縁膜４に形成された下層配線１１,１２と、下層配線１１,１２および下地絶縁膜４上に順次形成された第１絶縁膜６、有機ＳＯＧ膜７および第２絶縁膜８とを備える。 - 特許庁

A tightly adhesive layer 40 for increasing a tightly adhesive force between a first insulating film 8 and a second insulating film 11 is provided between the first and second insulating films 8 and 11 at sites where at least the end face of the first insulating film 8 and the end face of the second insulating film 11 are brought into contact with a liquid.例文帳に追加

本発明は、少なくとも第１の絶縁膜８の端面及び第２の絶縁膜１１の端面が液体と接触する部位においては、第１の絶縁膜８と第２の絶縁膜１１との密着力を増大させる密着層４０を第１及び第２の絶縁膜８及び１１の間に設ける。 - 特許庁

The wrapping mechanism portion includes an insulating tape reel 38, a guide member 60, and a winding member (rotation body composed of first to third base bodies 35-37, a retaining portion that retains the insulating tape reel 38, rollers 53 and 54 and a position variable roller that guide an insulating tape 39 rewound from the insulating tape reel 38, and insulating tape guides 50 and 51).例文帳に追加

ラッピング機構部は、絶縁テープリール３８と、案内部材６０と、巻付部材（第１〜第３ベース体３５〜３７と、絶縁テープリール３８を保持する保持部と、絶縁テープリール３８から巻戻された絶縁テープ３９をガイドするローラ５３，５４および位置可変ローラと、絶縁テープガイド５０、５１とからなる回転体）、とを含む。 - 特許庁

The MOS semiconductor memory device 601 includes a second insulating film 112 and a fourth insulating film 114 having an intermediate size of a band gap between a first insulating film 111 and a fifth insulating film 115 having a larger band gap and a third insulating film 113 having the smallest band gap.例文帳に追加

ＭＯＳ型半導体メモリ装置６０１は、大きなバンドギャップを持つ第１の絶縁膜１１１および第５の絶縁膜１１５と、最も小さなバンドギャップを持つ第３の絶縁膜１１３との間に、両者の中間の大きさのバンドギャップを持つ第２の絶縁膜１１２および第４の絶縁膜１１４を備えている。 - 特許庁

To provide an insulating substrate excellent in heat dissipation characteristics and capable of preventing thermal stress from working to a semiconductor element while a temperature cycle is loaded, an insulating circuit board and a semiconductor device using the insulating substrate, as well as a method for manufacturing the insulating substrate and a method for manufacturing the insulating circuit board.例文帳に追加

放熱特性に優れ、かつ、冷熱サイクル負荷時において半導体素子に熱応力が作用することを抑制することが可能な絶縁基板、この絶縁基板を用いた絶縁回路基板および半導体装置、並びに、絶縁基板の製造方法及び絶縁回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A first insulating layer 150 having an opening for exposing a drawing area of the first wiring layer 140 is provided on one main surface of an insulating resin layer 130, and a second insulating layer 152 is provided on the first insulating layer 150 so as to expose the opening of the first insulating layer.例文帳に追加

絶縁樹脂層１３０の一方の主表面に第１の配線層１４０の引き出し領域が露出する開口部を有する第１の絶縁層１５０が設けられており、第１の絶縁層１５０の上に第１の絶縁層の開口部が露出するような第２の絶縁層１５２が設けられている。 - 特許庁

In the MOS semiconductor memory device 601, a second insulating film 112 and a fourth insulating film 114 having middle-sized band gaps are provided between a first insulating film and a fifth insulating film 111, which have-large-sized band gaps, and a third insulating film 113 having smallest-sized band gap.例文帳に追加

ＭＯＳ型半導体メモリ装置６０１は、大きなバンドギャップを持つ第１の絶縁膜１１１および第５の絶縁膜と、最も小さなバンドギャップを持つ第３の絶縁膜１１３との間に、両者の中間の大きさのバンドギャップを持つ第２の絶縁膜１１２および第４の絶縁膜１１４を備えている。 - 特許庁

The laminated material comprising conductor layers on upper side and lower side of the insulating layer is characterized by that the insulating layer is constituted of two or more of insulating layer with different specific inductive capacities and the insulating layer contacting the conductor layers and the insulating layer not contacting the conductor layers are different in the specific inductive capacity.例文帳に追加

絶縁層の上下に導体層を備える積層材料であって、前記絶縁層は２以上の比誘電率の異なる絶縁層から構成され、前記導体層と接する絶縁層と前記導体層と接しない絶縁層との比誘電率が異なることを特徴とする積層材料。 - 特許庁

In the construction method, the fixture for heat insulating waterproof construction penetrates the heat insulating material to allow its tip to abut on the skeleton surface, and after visually confirming that the marking line is on the heat insulating material surface, the fixture for heat insulating waterproof construction is screwed into the skeleton to press and fix a waterproof sheet joining plate to the heat insulating material.例文帳に追加

その施工方法は、断熱防水施工用固定具を、断熱材を貫通して、その先端を躯体面に突き当て、目印線が断熱材面上にあることを視認した後、断熱防水施工用固定具を躯体にねじ込んで、前記防水シート用接合板を断熱材に押え止めることによってなされる。 - 特許庁

The multi-layer printed wiring board, having built-in part includes an electronic component embedded in an insulating layer which is provided in between a first insulating substrate and a second insulating substrate, wherein the electronic component is mounted on a component-mounting pad which is formed on either one of the first insulating substrate or the second insulating substrate.例文帳に追加

第一及び第二の絶縁基板の間に設けられた絶縁層に電子部品が埋め込まれているプリント配線板であって、前記電子部品が前記第一及び第二の絶縁基板の何れか一方に形成された部品実装パッドに実装されていることを特徴とする部品内蔵型多層プリント配線板。 - 特許庁

A buried insulating layer 12 is buried at a position lower than a top surface of a semiconductor substrate 11, and a cap insulating layer 13 using a material different from that of the buried insulating layer 12 is formed on the buried insulating layer 12 without contacting a shoulder part of a step 12a between the semiconductor substrate 11 and buried insulating layer 12.例文帳に追加

半導体基板１１の表面よりも低い位置に埋め込み絶縁層１２を埋め込み、埋め込み絶縁層１２と材料の異なるキャップ絶縁層１３を半導体基板１１と埋め込み絶縁層１２と間の段差１２ａの肩の部分にかからないようにして埋め込み絶縁層１２上に形成する。 - 特許庁