MAGNETRONを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 1445件
Microwaves radiating from a magnetron 8 form standing waves between a stub tuner 10 and a plunger 11, and an electric discharge occurs in the ultrasonic nozzle 3 where an electric field has the highest intensity and gas is the lowest in pressure.例文帳に追加
マグネトロン8から射出されたマイクロ波は、スタブチューナー10とプランジヤ11の間に定在波を形成し、電界強度が最も強くかつ最もガス圧の低い超音速ノズル3で放電を発生させる。 - 特許庁
To provide a sputtering target and a magnetron sputtering apparatus which enable the use of a thick target and are capable of enhancing the productivity by increasing the leakage flux of the target of low magnetic flux permeability and low leakage flux.例文帳に追加
磁束透過率が低く漏れ磁束が小さいターゲットの漏れ磁束を増加させて肉厚のターゲットの使用を可能にし、生産性の向上を図ることができるスパッタリングターゲット及びマグネトロンスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁
The rising temp. at a time of the heating by the magnetron 8 over Δt is set to the microwave absorbing quantity of the pellets 11 and the subsequent heating time of the pellets 11 is determined on the basis of the microwave absorbing quantity.例文帳に追加
そして、マグネトロン8の、Δtにわたる加熱を行なった際の上昇温度を、ペレット11のマイクロ波吸収量とし、当該マイクロ波吸収量に基づいて、その後の、ペレット11の加熱時間を決定する。 - 特許庁
To stabilize the joining strength in the joining part of a weld zone in high level, and to manufacture magnetron parts high in quality and reliability with a high yield.例文帳に追加
溶接部の接合部の接合強度を高く安定化させることができ、品質および信頼性が高いマグネトロン部品を高い製造歩留りで製造することが可能なマグネトロン部品の製造方法を提供する。 - 特許庁
A first control loop of a power control circuit is configured to regulate an input current to the magnetron based on an input current setting associated with a desired intensity of UV light output of the lamp.例文帳に追加
電力制御回路の第一の制御ループはマグネトロンへの入力電流を、ランプのUV光出力の望ましい強度に関連する入力電流設定に基づいて、調整するよう構成されている。 - 特許庁
To provide a sputtering target for a highly resistant transparent conductive film which can be basically used in a DC magnetron sputtering apparatus, and can deposit a transparent and highly resistant film, and to provide a method of manufacturing the highly resistant transparent conductive film.例文帳に追加
基本的にはDCマグネトロンスパッタリング装置で使用でき、透明でかつ高抵抗な膜を成膜できる高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法を提供する。 - 特許庁
In the high purity nickel or nickel alloy target for magnetron sputtering having excellent uniformity in a sputter film, the permeability of the target is ≥100.例文帳に追加
マグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲットであって、該ターゲットの透磁率が100以上であることを特徴とするスパッタ膜のユニフォーミティに優れたマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲット。 - 特許庁
In the high purity nickel or nickel alloy target for magnetron sputtering having excellent uniformity in a sputter film, the permeability of the target is <100.例文帳に追加
マグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲットであって、該ターゲットの透磁率が100未満であることを特徴とするスパッタ膜のユニフォーミティに優れたマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲット。 - 特許庁
The magnetron sputter type in-line sputtering apparatus has a stocker 10 for storing a plurality of carriers 20, and the stocker has a heating mechanism for heating the stored carriers in an off-line manner.例文帳に追加
上記のマグネトロンスパッタ方式のインラインスパッタ装置であって、前記キャリア20を複数収納するストッカー10を備えたもので、該ストッカーには収納するキャリアをオフラインで加熱するための加熱機構を備えている。 - 特許庁
The magnets forming the magnetron may be arranged in a pattern having generally uniform straight portions joined by curved portion in which extra magnet positions are available near the corners to steer the plasma track.例文帳に追加
マグネトロンを形成する磁石は湾曲部により連結された概して均一な直線部分を有するパターンに配置してもよく、ここでプラズマ軌道を操作するためにコーナー部付近では追加の磁石位置が利用可能である。 - 特許庁
Moisture is desorbed effectively by heating an A-adsorption part 3 adsorbing the moisture by magnetron 2, and feeds the air containing the moisture indoors through a B-route 4 so as to humidify the interior.例文帳に追加
本発明は、マグネトロン2により水分を吸着したA吸着部3を加熱して効果的に水分を脱離し、その水分を含んだ空気をB経路4より室内に送り込んで室内を加湿するものである。 - 特許庁
To provide a magnetron sputtering electrode with which the efficiency of utilizing a target is enhanced, the life of the target is prolonged, and further, a prescribed thin film having a uniform film thickness can be formed onto a substrate to be processed having a prescribed surface area.例文帳に追加
ターゲットの利用効率が高いと共に、ターゲットの寿命も長く、その上、所定面積の処理基板に対し、均一な膜厚で所定の薄膜を形成できるマグネトロンスパッタ電極を提供する。 - 特許庁
In this power supply for driving a magnetron, the potential difference between an emitter terminal potential 121 of a switching element 12 and a negative terminal potential 101 of a rectifying device 1 is minimized, and a stable switching operation and abnormal voltage detection is provided.例文帳に追加
スイッチング素子12のエミッタ端子電位121と、整流素子1のマイナス端子電位101の電位差を最小限とすることができ、安定したスイッチング動作と異常電圧検出を実現することができる。 - 特許庁
To provide an LC filter for a microwave oven which can reduce noises in wide-ranged high frequency band of 300 to 1000 MNz, a choke coil constituting the LC filter, and a magnetron for microwave oven using these.例文帳に追加
300〜1000MHzの範囲の広い高周波数帯でノイズを低減し得る電子レンジ用マグネトロンのためのLCフィルタ、LCフィルタを構成するチョークコイル及びこれらを用いた電子レンジ用マグネトロンを提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for a solid electrolyte thin film and a parallel flat-plate type magnetron sputtering device, which can improve a deposition rate and is free from damage caused by energy of plasma, and to provide a manufacturing method for a thin-film solid lithium ion secondary battery.例文帳に追加
成膜速度が向上し、プラズマのエネルギによるダメージがない固体電解質薄膜の製造方法、平行平板型マグネトロンスパッタスパッタ装置、及び薄膜固体リチウムイオン2次電池の製造方法の提供。 - 特許庁
To provide a sputtering target for a high resistance transparent conductive film which can be used by a DC magnetron sputtering apparatus, and deposit a transparent and high resistance film, and to provide a manufacturing method of high resistance transparent conductive film.例文帳に追加
DCマグネトロンスパッタリング装置で使用でき、透明でかつ高抵抗な膜を成膜できる高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法を提供する。 - 特許庁
To form a film having uniform thickness with a high film-forming speed by using a plurality of target divided bodies which are arranged side by side, as a target having a large surface area is difficult to produce, in a magnetron sputtering device of a plural magnet moving system.例文帳に追加
複数磁石移動方式のマグネトロンスパッタリング装置において、大面積のターゲットは作製困難なことから複数のターゲット分割体の並設体とするが、成膜速度を高くしながら、均一膜厚での成膜を可能とする。 - 特許庁
Each projection 11 is subjected to polishing by an electric field polishing method or discharge machining method, wherein the radius of curvature at the tip of each projection 11 is formed within 1 μm, and with this cathode body 10 produced, the intended magnetron is accomplished.例文帳に追加
その後、それぞれの突起11に電界研磨法あるいは放電加工法を用いて研磨を行い、突起11の先端部分の曲率半径が1マイクロメートル以内に形成された陰極体10を備えたマグネトロン。 - 特許庁
To provide a sputtering target for a highly resistant transparent conductive film which can be basically used by a DC magnetron sputtering apparatus, and deposit a transparent and highly resistant film, and to provide a manufacturing method of the highly resistant transparent conductive film using the target.例文帳に追加
基本的にはDCマグネトロンスパッタリング装置で使用でき、透明でかつ高抵抗な膜を成膜できる高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a magnetron sputtering device having high target use efficiency, which is capable of forming a high density area of plasma up to the periphery of the outer edge of the target by expanding a magnetic field from a magnetic field forming unit to the outer circumferential side.例文帳に追加
磁界形成部からの磁界を外周側に広げ、プラズマの高密度領域をターゲットの外縁部周辺にまで形成することが可能な、ターゲット利用効率の高いマグネトロンスパッタリング装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
In parallel with this, the other one of the frequency/phase and amplitude of the microwave is stabilized, by manually changing a current of a coil, not shown, wound on a magnet, not shown, of the magnetron 1 through the control of magnetic fields.例文帳に追加
これと平行して、マグネトロン1の図示しない磁石に巻かれた図示しないコイルの電流を手動によって変化させることによって、マイクロ波の周波数/位相と振幅のうちの他方は、磁場の制御により安定化される。 - 特許庁
A magnetron reactive ion etching device 1 is equipped with a unit composed of electrodes which are opposed to each other sandwiching a semiconductor device 3 between them, a high-frequency power supply 9 which generates an electronic field on the unit of electrodes, a dipole ring magnet 23, and a switching mechanism 25.例文帳に追加
マグネトロン反応性イオンエッチング装置1は、半導体装置3を挟んで対向する電極ユニットと、電極ユニットに電界を形成する高周波電源9と、ダイポールリング磁石23と、切換機構25とを備えている。 - 特許庁
To provide a method of making a substrate have a photo-induced hydrophilic surface by forming a photo-induced hydrophilic coating on the substrate by spray pyrolysis, chemical vapor deposition or magnetron sputter vacuum deposition, and to provide an article obtained thereby.例文帳に追加
基体上に、噴霧熱分解、化学蒸着、又はマグネトロンスパッター真空蒸着により光誘導親水性被覆を形成することにより、基体に光誘導親水性表面を与える方法及び物品を提供する。 - 特許庁
The method for storing farm crops comprises the following process: a harvested farm crop 1B is washed and then soaked in water; and then the soaked farm crop is subjected to blanching 3 by magnetron radiation 3A to excite and heat the inner temperature of the farm crops to 70-80°C to effect low-temperature storage.例文帳に追加
収穫した農作物1Bを洗浄のうえ水漬し、而してマグネトロン放射3Aによりその内部温度を70乃至80℃に励起加熱せしめてブランチング3を施し、低温保存する農作物の保存方法。 - 特許庁
The inkjet printer includes an inkjet head 26 for ejecting ink onto the medium 50, a wave guide 100 allowing the ink-ejected medium 50 to pass through the inside of the wave guide, and a magnetron 150 for supplying electromagnetic waves into the wave guide 100.例文帳に追加
メディア50にインクを吐出するインクジェットヘッド26と、インクを吐出されたメディア50が、その内部を通過できるように構成された導波管100と、導波管100内に電磁波を供給するマグネトロン150とを備える。 - 特許庁
A reverse magnetron plasma electron gun 2, actuating at low vacuum, is used as a cylindrical electron gun, and differential vacuum mechanisms 6, 7 are provided, thereby evacuating an electron beam generating part and making an electron beam irradiating part B a vacuum level or low- vacuum atmosphere.例文帳に追加
円筒型電子銃として低真空で作動する逆マグネトロンプラズマ電子銃2を使用し、差動排気機構6,7を配設することで電子線発生部を真空にし電子線照射部Bを真空または低真空雰囲気にする。 - 特許庁
In the target for magnetron sputtering, both the end parts of the short side in the target 11 are provided with magnetic materials 12 for reducing magnetic force, which is rectangular, wherein the short side length of the target is the width, and the range from the short side edge to the straight line position of erosion is almost the length.例文帳に追加
ターゲット11の短辺両端部に、巾をターゲットの短辺長とし、長さを短辺端からエロージョンの直線となる位置までを略その長さとする矩形状の、磁力低減用の磁性材12を設けたこと。 - 特許庁
This garbage disposer is provided with the vessel 1 for housing garbage, a rotary edge 2 for crushing/agitating the garbage in the vessel 1 and a heating means (magnetron 27) for heating the garbage in the vessel 1.例文帳に追加
生ごみを収納する容器1と、容器1内の生ごみを粉砕・攪拌する回転刃2と、容器1内の生ごみを加熱する加熱手段(マグネトロン27)とを備え、容器1の排気口47を排気方向に絞られた筒状に形成した。 - 特許庁
To provide a magnetron cathode in which the deposition efficiency of a target material is high even when a ferromagnetic target is used, and the discharge at a low pressure is stable, and a sputtering apparatus.例文帳に追加
本発明は、特に強磁性体ターゲットを用いた場合であっても、ターゲット材料の付着効率が高く、さらには低圧での安定した放電を可能とするマグネトロンカソード及びスパッタリング装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
The transparent conductive thin film layer is produced by using high power impulse magnetron sputtering method.例文帳に追加
透明プラスチックフィルムからなる基材上に、透明導電性薄膜層を積層した透明導電性フィルムであって、透明導電性薄膜層がハイパワーインパルスマグネトロンスパッタリング法を用いて作製されたことを特徴とする透明導電性フィルム。 - 特許庁
To provide a magnetron sputtering cathode, which includes a magnetism generating mechanism, in which an intermediate magnetic pole is arranged between a center magnetic pole and an outer peripheral magnetic pole, and reduces local erosion of a sputtering target and largely improves usage efficiency.例文帳に追加
中心磁極と外周磁極の間に中間磁極を配置した磁気発生機構を備え、スパッタリングターゲットの局所的な侵食を低減させ、使用効率を大幅に向上させたマグネトロンスパッタリングカソードを提供する。 - 特許庁
A vacuum treatment system having a treatment chamber and a rotatory chamber like the magnetron of a PVD chamber is provided, and the rotatory part includes a deflection part to deflect a cooling fluid in a cooling cavity to the inner portion thereof.例文帳に追加
PVDチャンバーのマグネトロンのように、処理チャンバー及び回転チャンバーを有する真空処理システムを供給し、回転部材はその内側部分の方に冷却キャビティの冷却流体を偏向するための偏向部材を含んでいる。 - 特許庁
To make an anode cavity resonator small and light-weight to reduce production cost by changing the shape of a plurality of vanes, and provide a magnetron anode cavity resonator capable of decreasing characteristic drift.例文帳に追加
複数のベイン3の形状を変更することにより、陽極空胴共振器を小型化及び軽量化し、製造コストを低減するとともに特性ドリフトを少なくすることが可能なマグネトロン陽極空胴共振器を提供する。 - 特許庁
The plasma is made stable and uniform by forming a shielding structure into a hermetic structure by using a sputtering electrode of a rotary magnetron system, by which the intra-surface distributions of the Pt atoms deposited on a disk substrate can be decreased.例文帳に追加
ロータリーマグネトロン方式のスパッタリング電極を用い、シールド構造を密閉型構造にすることにより、プラズマが安定・均一化することにより、ディスク基板上に堆積するPt原子の面内分布を低減させることが可能である。 - 特許庁
At least rare gas and mercury, iron, iodine, and tin as discharge media are enclosed in a light-emitting space 12 of the approximately cylinder-shaped bulb 11 made of quartz glass, and the electrodeless lamp is discharged by microwaves irradiated from a magnetron.例文帳に追加
略円筒形となる形状の石英ガラス製のバルブ11の発光空間12内に、少なくとも希ガスと放電媒体となる水銀、鉄、ヨウ素、錫が封入され、マグネトロンより放射されるマイクロ波により放電をさせる。 - 特許庁
To provide a magnetron capable of reducing line noise in a low frequency band below 30 MHz without degrading load stability due to phase, and of ensuring assembly dimension accuracy without increasing the number of components.例文帳に追加
位相による負荷安定度を劣化させることなく、30MHz以下の低い周波数帯におけるラインノイズを低減でき、しかも、部品点数を増加することなく組立寸法の精度も確保することができるマグネトロンを提供すること。 - 特許庁
To provide a method of sputtering with sputtering apparatus for depositing a layer upon a substrate which includes a sputter target with a face exposed to the substrate and a magnetron providing a magnetic field that moves relative to the target face.例文帳に追加
基材にさらされる面を有するスパッタターゲットと、当該ターゲットの面に対して移動する磁界を与えるマグネトロンとを有する、基材上に層を堆積させるためのスパッタリング装置を用いたスパッタリング法を提供する。 - 特許庁
In parallel with this, by manually changing the current of an unillustrated coil wound around an unillustrated battery of a magnetron, the other between the frequency/phase and the amplitude of a microwave is stabilized by electric field control.例文帳に追加
これと平行して、マグネトロン1の図示しない磁石に巻かれた図示しないコイルの電流を手動によって変化させることによって、マイクロ波の周波数/位相と振幅のうちの他方は、磁場の制御により安定化される。 - 特許庁
An Ag film is formed by a magnetron sputtering method wherein the discharge voltage is kept at 200-350V and the magnetic field intensity on an Ag-target surface is kept at 700-1,200 oersted during Ag-film formation.例文帳に追加
【解決手段】 Ag膜がマグネトロンスパッタリング法で成膜時の放電電圧が200〜350Vに保持し、Agターゲット表面の磁界の強さが、Ag膜の成膜時に、700〜1200エルステッドに保持して、Ag膜を成膜する。 - 特許庁
A control device determines the presence or not of the rotation of the rotational antenna for diffusing microwaves into a cooking chamber 2 based on a primary side voltage Vin and primary side current Iin of a step-up transformer and anode current Ib of a magnetron.例文帳に追加
制御装置は、昇圧トランスの一次側電圧Vin及び一次側電流Iinと、マグネトロンの陽極電流Ibに基づいて、マイクロ波を調理室2内に拡散させる回転アンテナの回転の有無を判定する。 - 特許庁
A magnetron 132 for producing a microwave, a waveguide 152, and an electrodeless lamp 12 in which a discharge medium, that is excited by the microwave to emit ultraviolet light, is enclosed, are arranged in a lamp house 11.例文帳に追加
ランプハウス11内に、マイクロ波を発生するマグネトロン132および導波管152、それにマイクロ波による励起に基づき紫外線を発光することが可能な放電媒体が封入された無電極ランプ12を配置する。 - 特許庁
To provide a magnetic field generator for a magnetron plasma which can easily form a multi-polar magnetic field corresponding to a substrate to be processed of different size and which can properly process the substrate to be processed of different size.例文帳に追加
異なった大きさの被処理基板に対応したマルチポール磁場を容易に形成することができ、異なった大きさの被処理基板に対して、夫々良好な処理を行うことのできるマグネトロンプラズマ用磁場発生装置を提供する。 - 特許庁
In addition, since the controller 40 controls the intensity of the electromagnetic waves to be supplied from the magnetron 150 according to the moisture content of the medium 50 detected by the moisture-content detection sensor 62 or the like, the drying degree of the medium 50 can be controlled uniformly.例文帳に追加
また、制御部40が、水分量検出センサ62等が検出したメディア50の水分量に応じて、マグネトロン150の電磁波の強度を制御するため、メディア150の乾燥の度合を均一となるように制御できる。 - 特許庁
The magnetron has a first set of vanes 30 or the like, which are connected by legs 52 to a coaxial output coupler 51 and a second set of vanes 19 or the like which alternate with the vanes of the first set and are not connected to the output coupler.例文帳に追加
マグネトロンが、脚部52によって同軸の出力カプラ51に接続される第1の組の羽根30等と、第1の組の羽根と交互し、出力カプラに接続されていない第2の組の羽根19等とを有する。 - 特許庁
To provide a target material used in an AIP (arc ion plating) process and an MS (magnetron sputtering) process, in which mechanical strength is improved, and further, the formation of droplets is suppressed, and which is suitable for forming a film having high quality.例文帳に追加
本願発明は、AIP法、MS法で用いるターゲット材であって、機械的強度が改善されるとともに、ドロップレットの生成が抑制され、品質の高い皮膜を形成するのために好適なターゲット材を提供することである。 - 特許庁
A magnet mechanism 5 for magnetron discharge is arranged behind each target 30, and revolves together with the target 30 by the action of the main rotation mechanism, while rotating around the center axis of the target 30 by the action of a secondary rotation mechanism.例文帳に追加
各ターゲット30の背後にはマグネトロン放電のための磁石機構5が設けられ、磁石機構5は主回転機構によりターゲット30とともに公転し、副回転機構によりターゲット30の中心軸の回りに自転する。 - 特許庁
To provide a magnetron capable of reducing noise in a low frequency band of 30MHz or less without degrading load stability by phase, and that, capable of assuring accuracy of assembling sizes without increasing the number of components.例文帳に追加
位相による負荷安定度を劣化させることなく、30MHz以下の低い周波数帯におけるノイズを低減でき、しかも、部品点数を増加することなく組立寸法の精度も確保することができるマグネトロンを提供すること。 - 特許庁
A rotary cathode of the high-output ion sputtering magnetron provided with the rotary cathode internally includes conductive components made of a conductive material so as to pass an electric current to the rotary cathode from a power source.例文帳に追加
回転式カソードを備えた高出力イオンスパッタリングマグネトロンであって、該回転式カソードは、電源から回転式カソードに電流を通じさせるように電導性材料で作られている導電性構成部材を内部に含んでいる。 - 特許庁
A film formation of a carbon layer is conducted by a magnetron sputtering method using mixed gas of argon and carbon dioxide at an arbitrary ratio to enable to form a transparent carbon layer having transparency, a low refractive index and moreover conductivity.例文帳に追加
カーボン層の製膜をアルゴンと二酸化炭素を任意の割合で混合したガスを使用したマグネトロンスパッタ法で実施することで、透明・低屈折率であり且つ導電性の透明カーボン層を形成することが可能となる。 - 特許庁
The magnet unit 20A for the magnetron sputtering apparatus includes: a base plate 30; an inner magnet 34 fixed to the base plate 30; and an outer magnet 32 which is fixed to the base plate 30 and is arranged so as to surround the inner magnet 34.例文帳に追加
マグネトロンスパッタ装置用磁石ユニット20Aは、ベース板30と、ベース板30に固定された内側磁石34と、ベース板30に固定され、内側磁石34を包囲するように配置された外側磁石32とを有する。 - 特許庁
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